JP2665281B2 - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2665281B2 JP2665281B2 JP12077691A JP12077691A JP2665281B2 JP 2665281 B2 JP2665281 B2 JP 2665281B2 JP 12077691 A JP12077691 A JP 12077691A JP 12077691 A JP12077691 A JP 12077691A JP 2665281 B2 JP2665281 B2 JP 2665281B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photoresist film
- mask plate
- guide
- optical memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光学的に情報を記録再生
する光メモリ素子の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、光メモリ装置は高密度で大容量の
メモリ装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビッ
トが光のビーム径だけで決まるため、その形状を１μｍ
程度の大きさにすることができるからである。しかしこ
のことは光メモリ装置に多くの制限を加えることにな
る。すなわちある定まった場所に情報を記録したり、あ
るいはある定まった場所に記録された情報を再生したり
するためには光ビームを極めて正確に位置決めしなけれ
ばならなくなる。一般に再生専用の光メモリでは記録し
たビットに予め番地情報を入れておくことができるので
記録情報を再生しながら光ビームの位置決めをすること
ができるが、追加記録メモリあるいは書き換え可能なメ
モリにおいては情報記録時に番地情報まで一緒に記録す
ることは極めて困難である。従って追加記録メモリある
いは書き換え可能なメモリではメモリ基板に予め何らか
のガイドトラック及びガイド番地を入れておくという方
法がとられている。例えば、図７に従来の追加記録メモ
リあるいは書き換え可能なメモリのメモリ基板の位置部
斜視図を示すが同図に示す如く基板に凹凸の溝を形成し
ておきこの溝に沿って情報を記録あるいは再生する方法
が一般的である。上記凹凸の溝は円周方向に断続した形
状を有しこれが溝の番地を示すビット情報を与える。 【０００３】この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類か
提案されており、大きく分けて次の３種類がある。 （１）アクリル樹脂又はポリカーボネイト樹脂を用い、
射出成型によって上記溝を作成する方法。この成形によ
りガイドトラック及びガイド番地を予め形成したＮｉス
タンパーの形状を移し取る方法 （２）アクリル樹脂を上記ガイドトラック及びガイド番
地を予め形成したＮｉスタンパーに流し込み、温度をか
けて固まらせるキャスティング法 （３）アクリル樹脂基板やガラス基板当の基板と上記ガ
イドトラック及びガイド番地を予め形成したＮｉスタン
パーとの間に紫外線硬化形の樹脂を流し込み、上記基板
ごしに紫外線を照射し、その樹脂を硬化させ、その後で
上記Ｎｉスタンパーを取り外す、いわゆる２Ｐ法であ
る。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
はいずれも樹脂を用いるのでその樹脂を通して酸素ある
いは水分等が記録媒体に達する危険性がある。このため
記録媒体の品質が劣化するという欠点を有する。この欠
点に対処するために本発明者はすでにガラス基板上にフ
ォトレジスト材を塗布し、該フォトレジスト材に対して
レーザ光を照射してガイドパターン（ガイドトラック及
びガイド番地）を記録し、その後でエッチングによって
ガイドパターン状に溝を形成する方法を特願昭５８−８
４６１３号によって提案している。しかしこの方法では
レーザ光によって各ガイドパターンをトラック毎に順次
記録して行かねばならないのでその記録に長い時間を要
し、量産には不向きであるという欠点がある。 【０００５】そこで本発明は以上の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、上記特願昭５８−８４６１３号に記載
された製造方法に改良を加えることによって、光メモリ
素子の基板に対するガイドトラック、ガイド番地等の情
報を示す溝の形成を短時間で行い得る新規な製造方法を
提供することをその目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は光メモリ素子用のガラス基板上に第１のフ
ォトレジスト膜を塗布し、透明基板上に螺旋状若しくは
同心円状のガイドパターン状に欠如された金属膜が被覆
されてなるマスク板を前記第１のフォトレジスト膜が塗
布されたガラス基板上に重ね、前記マスク板を介して前
記第１のフォトレジスト膜に紫外線を照射し、前記マス
ク板のガイドパターンを前記第１のフォトレジスト膜に
転写し、該第１のフォトレジスト膜を現像した後でエッ
チングにより前記ガラス基板にガイドパターンを掘り込
んだことを特徴とする光メモリ素子の製造方法である。 【０００７】また、本発明は前記マスク板が、透明基板
上に形成された金属膜上に第２のフォトレジスト膜を塗
布し、前記マスク板の半径方向に移動する構造体から照
射されるレーザ光ビームにて前記第２のフォトレジスト
膜にガイドパターンを記録し、前記第２のフォトレジス
ト膜を現像した後でエッチングにより前記金属膜にガイ
ドパターン状の欠如部分を形成することにより構成され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光メモ
リ素子の製造方法である。 【０００８】 【作用】透明基板上に螺旋状若しくは同心円状のガイド
パターン状に欠如された金属膜が被覆されてなるマスク
板を前記第１のフォトレジスト膜が塗布した光メモリ素
子用のガラス基板上に重ねる。このマスク板を介して前
記第１のフォトレジスト膜に紫外線を照射して前記マス
ク板のガイドパターンを前記第１のフォトレジスト膜に
転写する。その後、第１のフォトレジスト膜を現像し、
エッチングにより前記ガラス基板にガイドパターンを掘
り込んで光メモリ素子を製造する。 【０００９】また、前記の光メモリ素子の製造方法にお
いて、透明基板上に金属膜を形成し、この金属膜上に第
２のフォトレジスト膜を塗布し、マスク板の半径方向に
移動する構造体からレーザ光ビームを照射して前記第２
のフォトレジスト膜にガイドパターンを記録し、前記第
２のフォトレジスト膜を現像した後でエッチングするこ
とにより前記金属膜にガイドパターン状の欠如部分を形
成することにより構成されるマスク板を用いる。 【００１０】 【実施例】以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の
実施例を図面をもちいて詳細に説明する。 【００１１】図１は、本発明に係る光メモリ素子の基板
の製造方法を工程順に示す説明図である。同図に従い本
発明に係る光メモリ素子の基板の製造方法の一実施例を
工程順に説明する。 【００１２】工程（１）…酸素、水分等の通過に対して
信頼性の高い（酸素、水分等を通過させない）光メモリ
素子用のガラス基板を洗浄し、そのガラス基板１の上に
フォトレジスト膜２を塗布する（図１（ａ））。このフ
ォトレジスト膜２の膜厚は１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度
が好ましい。 【００１３】工程（２）…上記フォトレジスト膜２を塗
布したガラス基板１上に後述するガイドトラック及びガ
イド情報をパターン化したマスク板３を密着せしめ、該
マスク板３ごしに紫外線Ａを照射しマスク板３のマスク
パターンを上記フォトレジスト膜２に転写する（図１
（ｂ））。ここで光メモリ素子は円板状であるので上記
マスク板３も円板状であることが望ましい。 【００１４】工程（３）…上記マスクパターンを書き込
んだフォトレジスト膜２を現像工程に通すことで上記フ
ォトレジスト膜２に溝を形成する（図１（ｃ））。 【００１５】工程（４）…上記溝を形成したフォトレジ
スト膜２の被覆状態において、ウェットエッチング若し
くはＣＦ4、ＣＨＦ3等のエッチングガス中でのスパッタ
リング（リアクティブイオンエッチング）等のドライエ
ッチングを行いガラス基板１に溝４を形成する（図１
（ｄ））。 【００１６】工程（５）…上記フォトレジスト膜２をア
セトン等の溶媒、Ｏ2中でのスパッタリング等により除
去する。この結果ガラス基板１に溝４が残る（図１
（ｅ））。 【００１７】以上の工程によってガイドトラック及びガ
イド番地の情報を示す溝を有するガラス基板が完成す
る。この工程によれば予めガイドトラック及びガイド情
報をパターン化したマスク板を作成しておき、該マスク
板をフォトレジスト膜が塗布されたガラス基板上に順次
密着せしめてマスク板のパターンを転写して行けばよい
のでガイドパターンの記録時間を極めて短縮できるもの
である。 【００１８】次に上記マスク板の製造方法について工程
順に詳細に説明する。 【００１９】図２はマスク板の製造方法を示す説明図で
ある。 【００２０】工程（１）…まず円板状の低反射Ｃｒマス
クブランク５を準備する。図２（ａ）はそのマスクブラ
ンク５の一部側面断面図である。６は紫外線を良く通す
石英ガラス基板（紫外線Ａの種類によっては通常のソー
ダライムガラスを精度良く研磨したものでも良い。）、
７はＣｒ膜、８は反射防止用のＣｒＯｘ膜である。この
マスクブランク５の構造としては、Ｃｒ単層膜やＣｒＯ
ｘ膜、Ｃｒ膜、ＣｒＯｘ膜の３層膜の構造であっても構
わない。 【００２１】工程（２）…上記マスクブランク５上にフ
ォトレジスト膜９をコートする（図２（ｂ））。このフ
ォトレジスト膜９としては例えばＳｈｉｐｌｅｙ社製の
ＡＺ−１４００等のポジ型のものを使用すればよい。こ
のフォトレジスト膜９の厚みは次の工程（３）において
用いるレーザ光のパワーにもよるが通常１００ｎｍ〜５
００ｎｍ程度が適当である。 【００２２】工程（３）…上記フォトレジスト膜９をコ
ートしたマスクブランク５にＡｒレーザ１０の光を集光
してガイドトラック及びガイド番地を記録する（図２
（ｃ））。波長が４５７９オングストームのＡｒレーザ
を用い対物レンズ１１で０．５μｍφ程度のスポット径
を持つよう集光した場合、上記フォトレジスト膜９面上
では約１０ｍＷのレーザパワーを得、０．６μｍ幅のト
ラックを記録することができる。ここで上記パターン形
成用の光としては５０００オングストームより短い波長
のレーザであることが上記ガイドトラック及びガイド番
地のパターンを微細化するため及びフォトレジスト膜９
の感度のために適切であり、Ａｒレーザ以外にはクリプ
トンレーザが有用である。 【００２３】工程（４）…工程（３）によってフォトレ
ジスト膜９にガイドトラック及びガイド番地が記録され
たマスクブランク５を現像工程に通すことで上記フォト
レジスト膜９に溝を形成する（図２（ｄ））。なお、こ
の図２（ｄ）以下図２（ｆ）までは横方向の倍率を大き
くしている。 【００２４】工程（５）…上記溝を形成したフォトレジ
スト膜９の被覆状態においてエッチングを行い、ガラス
基板６上の所定の部分のＣｒ膜７及びＣｒＯｘ膜８を除
去する（図２（ｅ））。 【００２５】工程（６）…残存した上記フォトレジスト
膜９をアセトン等の溶媒、Ｏ2中でのスパッタリング等
により除去する（図２（ｆ））。この結果、ガラス基板
６上にガイドトラック及びガイド番地の情報を示す溝を
有したＣｒ膜７及びＣｒＯｘ膜８の積層膜を得ることが
できる。 【００２６】以上の工程によって螺旋状のガイドトラッ
クとガイドトラックの断続形状によるガイド番地が記録
された円板状のマスク板を得る。 【００２７】図３は完成したマスク板１２の外観斜視
図、図４（ａ）はその一部拡大平面図、図４（ｂ）はそ
のａ−ａ’線での切断断面図を示す。図３に示される如
くマスク板１２には中央に穴１３が形成される。この穴
１３によってマスク板１２の製造の際の回転駆動が容易
になるように工夫されている。すなわちマスク板１２の
上記中央の穴１３を利用してネジ押えやマグネットチャ
ックを行い、その固定保持によりマスク板１２の回転動
作を安定的に行うことができるものである。ただし、マ
スク板１２の外周部分を保持する機構や真空吸引により
マスク板１２の面全体を保持する機構を採用する場合は
必ずしも上記マスク板の中央の穴１３は必要でない。１
４には光メモリ素子のガイドトラックのパターンが形成
され、１５には光メモリ素子のガイド番地のパターンガ
イド形成される。 【００２８】次に図２（Ｃ）において示した、Ａｒレー
ザ光を集光してマスクブランク５上にコートしたフォト
レジスト膜９にガイドトラック及びガイド番地を記録す
る工程を行う装置工程について説明する。図５にその装
置構成の構成説明図を示す。Ａｒレーザ光源１６から出
た波長４５７９オングストロームのレーザ光は光変調器
１７の効率を上げるレンズ１８、光変調器１７、光変調
器１７の効率を上げるレンズ１９を介してビームスプリ
ッタ２０に入射する。該ビームスプリッタ２０で光の一
部が取り出されて光検出器２１でパワーモニタされる。
この光検出器２１の出力により上記光変調器１７が制御
されレーザ光の出射パワーが一定になるように調整され
る。これはレーザ光の出射パワーが室温等の環境条件の
変動で変化するので、これを抑制する為に行われるもの
である。２２はレーザ光の光路を変えるミラー、２３は
上述したフォトレジスト膜９にガイド番地を記録する際
に光を変調する変調器、２４、２５は該変調器２３の効
率を上げる為のレンズである。レーザ光はミラー２６で
更に光路を変えられ、変調光モニタ用ビームスプリッタ
２７に入射する。該変調光モニタ用ビームスプリッタ２
７で光の一部が取り出されて光検出器２８でパワーモニ
タされる。２９は２色性ミラーであり、レーザ光は該２
色性ミラー２９を通った後にスポットレンズ３０で集光
され偏光ビームスプリッタ３１により対物レンズ３２に
導かれる。３３は後述するサーボ用のＨｅ−Ｎｅレーザ
３４の波長に合わせた４分の１波長板、３５は対物レン
ズを上下に動かしてマスク板１２の表面に常に光が集光
されるようサーボをかけるための対物レンズ駆動部であ
る。３４はサーボ用レーザとして使用されるＨｅ−Ｎｅ
レーザである。該Ｈｅ−Ｎｅレーザ３４から出た光はミ
ラー３６で光路を変えられ、２色性ミラー２９でＡｒレ
ーザ光源１６によるレーザ光路と同一の光路に至る。こ
こで２色性ミラー２９としてはＡｒレーザ波長光（４５
７９オングストローム）を通過せしめＨｅ−Ｎｅレーザ
波長光（６３２８オングストローム）を全反射せしめる
ものを用いる。又上記偏光ビームスプリッター３１とし
てはＨｅ−Ｎｅレーザ光のＳ波を反射し且つＰ波を通過
せしめ、Ａｒレーザ光を全反射せしめるものを用いる。
３７はシリンドリカルレンズ、３８は４分割検出器であ
る。該４分割検出器３８にはマスク板１２から反射され
た光が入射しこの４分割検出器３８の出力によってフォ
ーカスサーボがかけられる。同図の点線に囲まれた部分
３９はエアースライダー等の移動装置に乗って移動でき
るようになっている。そして回転するマスク板１２の半
径方向にこの移動装置を移動しながらＡｒレーザを操作
すれば螺旋状のガイドトラックとガイド番地を潜像の形
でフォトレジスト膜９に記録できる。 【００２９】以上の光メモリ素子の基板に対するガイド
トラック、ガイド番地の溝の形成に際し、該溝の形状は
同心円状でも良く、又ガイド番地の情報は１周に１度に
限らず、２周あるいは３周に１度に設けても良く、更に
は１周に数度設けても構わない。 【００３０】図６は図１に示した製造方法によって得た
基板を用いて構成した光メモリ素子の一部側面断面図を
示す。同図においてガラス基板１上に凹凸の溝４（即ち
ガイドトラック）が形成され、該ガラス基板１上に該ガ
ラス基板１の屈折率より大きな屈折率を有する例えばＡ
ｌＮ膜、ＳｉＯ膜等の誘電体膜４０が被覆される。この
誘電体膜４０の膜厚は５００〜１０００オングストロー
ム程度である。上記誘電体膜４０上にＧｄＴｂＦｅ、Ｔ
ｂＦｅ、ＧｄＣｏＦｅ等の希土類と遷移金属との合金薄
膜４１（記録媒体）が被覆される。この合金薄膜４１の
膜厚は５０〜４００オングストローム程度である。この
合金薄膜４１の膜厚の下限は垂直磁化膜の作成条件から
決まり、上限は磁気光学効果の増大条件から決まる。よ
って上記合金薄膜４１の適性膜厚は膜生成方法に依存す
る。上記合金薄膜４１をスパッタリングによって膜生成
する場合その膜厚が５０オングストローム程度以下だと
垂直磁化膜を得る事が困難であるのでその膜厚は５０オ
ングストローム程度より大であることが必要である。上
記合金薄膜４１の上にはＡlＮ、ＳiＯ2等の誘電体膜４
２、及びＣu、Ａl、ステンレス、Ｎi等の金属からなる反射
膜４３が形成される。上記誘電体膜４２及び反射膜４３
は磁気光学効果の特性向上を促すとともに上記合金薄膜
４１への酸素及び水分の到達を防止する作用を有する。
４４は接着層、４５は該接着層４４より接着されるガラ
ス、アクリル等からなる保護板である。この保護板４５
の代わりにメモリ素子の２枚を背中合わせに貼りあわせ
て両面使用のメモリ素子にすることも可能である。 【００３１】以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構
造の光磁気メモリ素子について示したが、本発明は図６
に示した合金薄膜４１の膜厚を厚くして反射膜４３を除
去した構造を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あ
るいはＴe、ＴeＳ、ＴeＯx等を記録媒体とする追記記録型
の光メモリ素子においても適用可能である。 【００３２】 【発明の効果】本発明によれば光メモリ素子のガイド信
号あるいはガイド番地の形成に際して樹脂材を用いなく
ともよいので酸素あるいは水分等が記録媒体に達するこ
とを防止でき、その為信頼性の高い光メモリ素子を得る
ことができるものである。又光メモリ素子の基板に形成
するガイドパターンの溝を効率良く形成でき、光メモリ
素子の量産化を大いに高めることができるものである。
する光メモリ素子の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、光メモリ装置は高密度で大容量の
メモリ装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビッ
トが光のビーム径だけで決まるため、その形状を１μｍ
程度の大きさにすることができるからである。しかしこ
のことは光メモリ装置に多くの制限を加えることにな
る。すなわちある定まった場所に情報を記録したり、あ
るいはある定まった場所に記録された情報を再生したり
するためには光ビームを極めて正確に位置決めしなけれ
ばならなくなる。一般に再生専用の光メモリでは記録し
たビットに予め番地情報を入れておくことができるので
記録情報を再生しながら光ビームの位置決めをすること
ができるが、追加記録メモリあるいは書き換え可能なメ
モリにおいては情報記録時に番地情報まで一緒に記録す
ることは極めて困難である。従って追加記録メモリある
いは書き換え可能なメモリではメモリ基板に予め何らか
のガイドトラック及びガイド番地を入れておくという方
法がとられている。例えば、図７に従来の追加記録メモ
リあるいは書き換え可能なメモリのメモリ基板の位置部
斜視図を示すが同図に示す如く基板に凹凸の溝を形成し
ておきこの溝に沿って情報を記録あるいは再生する方法
が一般的である。上記凹凸の溝は円周方向に断続した形
状を有しこれが溝の番地を示すビット情報を与える。 【０００３】この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類か
提案されており、大きく分けて次の３種類がある。 （１）アクリル樹脂又はポリカーボネイト樹脂を用い、
射出成型によって上記溝を作成する方法。この成形によ
りガイドトラック及びガイド番地を予め形成したＮｉス
タンパーの形状を移し取る方法 （２）アクリル樹脂を上記ガイドトラック及びガイド番
地を予め形成したＮｉスタンパーに流し込み、温度をか
けて固まらせるキャスティング法 （３）アクリル樹脂基板やガラス基板当の基板と上記ガ
イドトラック及びガイド番地を予め形成したＮｉスタン
パーとの間に紫外線硬化形の樹脂を流し込み、上記基板
ごしに紫外線を照射し、その樹脂を硬化させ、その後で
上記Ｎｉスタンパーを取り外す、いわゆる２Ｐ法であ
る。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
はいずれも樹脂を用いるのでその樹脂を通して酸素ある
いは水分等が記録媒体に達する危険性がある。このため
記録媒体の品質が劣化するという欠点を有する。この欠
点に対処するために本発明者はすでにガラス基板上にフ
ォトレジスト材を塗布し、該フォトレジスト材に対して
レーザ光を照射してガイドパターン（ガイドトラック及
びガイド番地）を記録し、その後でエッチングによって
ガイドパターン状に溝を形成する方法を特願昭５８−８
４６１３号によって提案している。しかしこの方法では
レーザ光によって各ガイドパターンをトラック毎に順次
記録して行かねばならないのでその記録に長い時間を要
し、量産には不向きであるという欠点がある。 【０００５】そこで本発明は以上の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、上記特願昭５８−８４６１３号に記載
された製造方法に改良を加えることによって、光メモリ
素子の基板に対するガイドトラック、ガイド番地等の情
報を示す溝の形成を短時間で行い得る新規な製造方法を
提供することをその目的とする。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は光メモリ素子用のガラス基板上に第１のフ
ォトレジスト膜を塗布し、透明基板上に螺旋状若しくは
同心円状のガイドパターン状に欠如された金属膜が被覆
されてなるマスク板を前記第１のフォトレジスト膜が塗
布されたガラス基板上に重ね、前記マスク板を介して前
記第１のフォトレジスト膜に紫外線を照射し、前記マス
ク板のガイドパターンを前記第１のフォトレジスト膜に
転写し、該第１のフォトレジスト膜を現像した後でエッ
チングにより前記ガラス基板にガイドパターンを掘り込
んだことを特徴とする光メモリ素子の製造方法である。 【０００７】また、本発明は前記マスク板が、透明基板
上に形成された金属膜上に第２のフォトレジスト膜を塗
布し、前記マスク板の半径方向に移動する構造体から照
射されるレーザ光ビームにて前記第２のフォトレジスト
膜にガイドパターンを記録し、前記第２のフォトレジス
ト膜を現像した後でエッチングにより前記金属膜にガイ
ドパターン状の欠如部分を形成することにより構成され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光メモ
リ素子の製造方法である。 【０００８】 【作用】透明基板上に螺旋状若しくは同心円状のガイド
パターン状に欠如された金属膜が被覆されてなるマスク
板を前記第１のフォトレジスト膜が塗布した光メモリ素
子用のガラス基板上に重ねる。このマスク板を介して前
記第１のフォトレジスト膜に紫外線を照射して前記マス
ク板のガイドパターンを前記第１のフォトレジスト膜に
転写する。その後、第１のフォトレジスト膜を現像し、
エッチングにより前記ガラス基板にガイドパターンを掘
り込んで光メモリ素子を製造する。 【０００９】また、前記の光メモリ素子の製造方法にお
いて、透明基板上に金属膜を形成し、この金属膜上に第
２のフォトレジスト膜を塗布し、マスク板の半径方向に
移動する構造体からレーザ光ビームを照射して前記第２
のフォトレジスト膜にガイドパターンを記録し、前記第
２のフォトレジスト膜を現像した後でエッチングするこ
とにより前記金属膜にガイドパターン状の欠如部分を形
成することにより構成されるマスク板を用いる。 【００１０】 【実施例】以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の
実施例を図面をもちいて詳細に説明する。 【００１１】図１は、本発明に係る光メモリ素子の基板
の製造方法を工程順に示す説明図である。同図に従い本
発明に係る光メモリ素子の基板の製造方法の一実施例を
工程順に説明する。 【００１２】工程（１）…酸素、水分等の通過に対して
信頼性の高い（酸素、水分等を通過させない）光メモリ
素子用のガラス基板を洗浄し、そのガラス基板１の上に
フォトレジスト膜２を塗布する（図１（ａ））。このフ
ォトレジスト膜２の膜厚は１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度
が好ましい。 【００１３】工程（２）…上記フォトレジスト膜２を塗
布したガラス基板１上に後述するガイドトラック及びガ
イド情報をパターン化したマスク板３を密着せしめ、該
マスク板３ごしに紫外線Ａを照射しマスク板３のマスク
パターンを上記フォトレジスト膜２に転写する（図１
（ｂ））。ここで光メモリ素子は円板状であるので上記
マスク板３も円板状であることが望ましい。 【００１４】工程（３）…上記マスクパターンを書き込
んだフォトレジスト膜２を現像工程に通すことで上記フ
ォトレジスト膜２に溝を形成する（図１（ｃ））。 【００１５】工程（４）…上記溝を形成したフォトレジ
スト膜２の被覆状態において、ウェットエッチング若し
くはＣＦ4、ＣＨＦ3等のエッチングガス中でのスパッタ
リング（リアクティブイオンエッチング）等のドライエ
ッチングを行いガラス基板１に溝４を形成する（図１
（ｄ））。 【００１６】工程（５）…上記フォトレジスト膜２をア
セトン等の溶媒、Ｏ2中でのスパッタリング等により除
去する。この結果ガラス基板１に溝４が残る（図１
（ｅ））。 【００１７】以上の工程によってガイドトラック及びガ
イド番地の情報を示す溝を有するガラス基板が完成す
る。この工程によれば予めガイドトラック及びガイド情
報をパターン化したマスク板を作成しておき、該マスク
板をフォトレジスト膜が塗布されたガラス基板上に順次
密着せしめてマスク板のパターンを転写して行けばよい
のでガイドパターンの記録時間を極めて短縮できるもの
である。 【００１８】次に上記マスク板の製造方法について工程
順に詳細に説明する。 【００１９】図２はマスク板の製造方法を示す説明図で
ある。 【００２０】工程（１）…まず円板状の低反射Ｃｒマス
クブランク５を準備する。図２（ａ）はそのマスクブラ
ンク５の一部側面断面図である。６は紫外線を良く通す
石英ガラス基板（紫外線Ａの種類によっては通常のソー
ダライムガラスを精度良く研磨したものでも良い。）、
７はＣｒ膜、８は反射防止用のＣｒＯｘ膜である。この
マスクブランク５の構造としては、Ｃｒ単層膜やＣｒＯ
ｘ膜、Ｃｒ膜、ＣｒＯｘ膜の３層膜の構造であっても構
わない。 【００２１】工程（２）…上記マスクブランク５上にフ
ォトレジスト膜９をコートする（図２（ｂ））。このフ
ォトレジスト膜９としては例えばＳｈｉｐｌｅｙ社製の
ＡＺ−１４００等のポジ型のものを使用すればよい。こ
のフォトレジスト膜９の厚みは次の工程（３）において
用いるレーザ光のパワーにもよるが通常１００ｎｍ〜５
００ｎｍ程度が適当である。 【００２２】工程（３）…上記フォトレジスト膜９をコ
ートしたマスクブランク５にＡｒレーザ１０の光を集光
してガイドトラック及びガイド番地を記録する（図２
（ｃ））。波長が４５７９オングストームのＡｒレーザ
を用い対物レンズ１１で０．５μｍφ程度のスポット径
を持つよう集光した場合、上記フォトレジスト膜９面上
では約１０ｍＷのレーザパワーを得、０．６μｍ幅のト
ラックを記録することができる。ここで上記パターン形
成用の光としては５０００オングストームより短い波長
のレーザであることが上記ガイドトラック及びガイド番
地のパターンを微細化するため及びフォトレジスト膜９
の感度のために適切であり、Ａｒレーザ以外にはクリプ
トンレーザが有用である。 【００２３】工程（４）…工程（３）によってフォトレ
ジスト膜９にガイドトラック及びガイド番地が記録され
たマスクブランク５を現像工程に通すことで上記フォト
レジスト膜９に溝を形成する（図２（ｄ））。なお、こ
の図２（ｄ）以下図２（ｆ）までは横方向の倍率を大き
くしている。 【００２４】工程（５）…上記溝を形成したフォトレジ
スト膜９の被覆状態においてエッチングを行い、ガラス
基板６上の所定の部分のＣｒ膜７及びＣｒＯｘ膜８を除
去する（図２（ｅ））。 【００２５】工程（６）…残存した上記フォトレジスト
膜９をアセトン等の溶媒、Ｏ2中でのスパッタリング等
により除去する（図２（ｆ））。この結果、ガラス基板
６上にガイドトラック及びガイド番地の情報を示す溝を
有したＣｒ膜７及びＣｒＯｘ膜８の積層膜を得ることが
できる。 【００２６】以上の工程によって螺旋状のガイドトラッ
クとガイドトラックの断続形状によるガイド番地が記録
された円板状のマスク板を得る。 【００２７】図３は完成したマスク板１２の外観斜視
図、図４（ａ）はその一部拡大平面図、図４（ｂ）はそ
のａ−ａ’線での切断断面図を示す。図３に示される如
くマスク板１２には中央に穴１３が形成される。この穴
１３によってマスク板１２の製造の際の回転駆動が容易
になるように工夫されている。すなわちマスク板１２の
上記中央の穴１３を利用してネジ押えやマグネットチャ
ックを行い、その固定保持によりマスク板１２の回転動
作を安定的に行うことができるものである。ただし、マ
スク板１２の外周部分を保持する機構や真空吸引により
マスク板１２の面全体を保持する機構を採用する場合は
必ずしも上記マスク板の中央の穴１３は必要でない。１
４には光メモリ素子のガイドトラックのパターンが形成
され、１５には光メモリ素子のガイド番地のパターンガ
イド形成される。 【００２８】次に図２（Ｃ）において示した、Ａｒレー
ザ光を集光してマスクブランク５上にコートしたフォト
レジスト膜９にガイドトラック及びガイド番地を記録す
る工程を行う装置工程について説明する。図５にその装
置構成の構成説明図を示す。Ａｒレーザ光源１６から出
た波長４５７９オングストロームのレーザ光は光変調器
１７の効率を上げるレンズ１８、光変調器１７、光変調
器１７の効率を上げるレンズ１９を介してビームスプリ
ッタ２０に入射する。該ビームスプリッタ２０で光の一
部が取り出されて光検出器２１でパワーモニタされる。
この光検出器２１の出力により上記光変調器１７が制御
されレーザ光の出射パワーが一定になるように調整され
る。これはレーザ光の出射パワーが室温等の環境条件の
変動で変化するので、これを抑制する為に行われるもの
である。２２はレーザ光の光路を変えるミラー、２３は
上述したフォトレジスト膜９にガイド番地を記録する際
に光を変調する変調器、２４、２５は該変調器２３の効
率を上げる為のレンズである。レーザ光はミラー２６で
更に光路を変えられ、変調光モニタ用ビームスプリッタ
２７に入射する。該変調光モニタ用ビームスプリッタ２
７で光の一部が取り出されて光検出器２８でパワーモニ
タされる。２９は２色性ミラーであり、レーザ光は該２
色性ミラー２９を通った後にスポットレンズ３０で集光
され偏光ビームスプリッタ３１により対物レンズ３２に
導かれる。３３は後述するサーボ用のＨｅ−Ｎｅレーザ
３４の波長に合わせた４分の１波長板、３５は対物レン
ズを上下に動かしてマスク板１２の表面に常に光が集光
されるようサーボをかけるための対物レンズ駆動部であ
る。３４はサーボ用レーザとして使用されるＨｅ−Ｎｅ
レーザである。該Ｈｅ−Ｎｅレーザ３４から出た光はミ
ラー３６で光路を変えられ、２色性ミラー２９でＡｒレ
ーザ光源１６によるレーザ光路と同一の光路に至る。こ
こで２色性ミラー２９としてはＡｒレーザ波長光（４５
７９オングストローム）を通過せしめＨｅ−Ｎｅレーザ
波長光（６３２８オングストローム）を全反射せしめる
ものを用いる。又上記偏光ビームスプリッター３１とし
てはＨｅ−Ｎｅレーザ光のＳ波を反射し且つＰ波を通過
せしめ、Ａｒレーザ光を全反射せしめるものを用いる。
３７はシリンドリカルレンズ、３８は４分割検出器であ
る。該４分割検出器３８にはマスク板１２から反射され
た光が入射しこの４分割検出器３８の出力によってフォ
ーカスサーボがかけられる。同図の点線に囲まれた部分
３９はエアースライダー等の移動装置に乗って移動でき
るようになっている。そして回転するマスク板１２の半
径方向にこの移動装置を移動しながらＡｒレーザを操作
すれば螺旋状のガイドトラックとガイド番地を潜像の形
でフォトレジスト膜９に記録できる。 【００２９】以上の光メモリ素子の基板に対するガイド
トラック、ガイド番地の溝の形成に際し、該溝の形状は
同心円状でも良く、又ガイド番地の情報は１周に１度に
限らず、２周あるいは３周に１度に設けても良く、更に
は１周に数度設けても構わない。 【００３０】図６は図１に示した製造方法によって得た
基板を用いて構成した光メモリ素子の一部側面断面図を
示す。同図においてガラス基板１上に凹凸の溝４（即ち
ガイドトラック）が形成され、該ガラス基板１上に該ガ
ラス基板１の屈折率より大きな屈折率を有する例えばＡ
ｌＮ膜、ＳｉＯ膜等の誘電体膜４０が被覆される。この
誘電体膜４０の膜厚は５００〜１０００オングストロー
ム程度である。上記誘電体膜４０上にＧｄＴｂＦｅ、Ｔ
ｂＦｅ、ＧｄＣｏＦｅ等の希土類と遷移金属との合金薄
膜４１（記録媒体）が被覆される。この合金薄膜４１の
膜厚は５０〜４００オングストローム程度である。この
合金薄膜４１の膜厚の下限は垂直磁化膜の作成条件から
決まり、上限は磁気光学効果の増大条件から決まる。よ
って上記合金薄膜４１の適性膜厚は膜生成方法に依存す
る。上記合金薄膜４１をスパッタリングによって膜生成
する場合その膜厚が５０オングストローム程度以下だと
垂直磁化膜を得る事が困難であるのでその膜厚は５０オ
ングストローム程度より大であることが必要である。上
記合金薄膜４１の上にはＡlＮ、ＳiＯ2等の誘電体膜４
２、及びＣu、Ａl、ステンレス、Ｎi等の金属からなる反射
膜４３が形成される。上記誘電体膜４２及び反射膜４３
は磁気光学効果の特性向上を促すとともに上記合金薄膜
４１への酸素及び水分の到達を防止する作用を有する。
４４は接着層、４５は該接着層４４より接着されるガラ
ス、アクリル等からなる保護板である。この保護板４５
の代わりにメモリ素子の２枚を背中合わせに貼りあわせ
て両面使用のメモリ素子にすることも可能である。 【００３１】以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構
造の光磁気メモリ素子について示したが、本発明は図６
に示した合金薄膜４１の膜厚を厚くして反射膜４３を除
去した構造を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あ
るいはＴe、ＴeＳ、ＴeＯx等を記録媒体とする追記記録型
の光メモリ素子においても適用可能である。 【００３２】 【発明の効果】本発明によれば光メモリ素子のガイド信
号あるいはガイド番地の形成に際して樹脂材を用いなく
ともよいので酸素あるいは水分等が記録媒体に達するこ
とを防止でき、その為信頼性の高い光メモリ素子を得る
ことができるものである。又光メモリ素子の基板に形成
するガイドパターンの溝を効率良く形成でき、光メモリ
素子の量産化を大いに高めることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光メモリ素子の製造方法の一実施
例の基板の製造方法を工程順に示す説明図である。 【図２】マスク板の製造方法を示す説明図である。 【図３】マスク板の外観斜視図である。 【図４】（ａ）はマスク板の一部拡大平面図、（ｂ）は
そのａ−ａ´線での切断断面図である。 【図５】ガイドトラック及びガイド番地を記録する工程
を行う装置構成の構成説明図である。 【図６】光メモリ素子の一部側面断面図である。 【図７】従来のメモリ基板の一部斜視図である。 【符号の説明】 １ ガラス基板 ２ フォトレジスト膜 ３ マスク板 ４ 溝 ５ マスクブランク ６ ガラス基板 ７ Ｃｒ膜 ８ ＣｒＯｘ膜 ９ フォトレジスト膜
例の基板の製造方法を工程順に示す説明図である。 【図２】マスク板の製造方法を示す説明図である。 【図３】マスク板の外観斜視図である。 【図４】（ａ）はマスク板の一部拡大平面図、（ｂ）は
そのａ−ａ´線での切断断面図である。 【図５】ガイドトラック及びガイド番地を記録する工程
を行う装置構成の構成説明図である。 【図６】光メモリ素子の一部側面断面図である。 【図７】従来のメモリ基板の一部斜視図である。 【符号の説明】 １ ガラス基板 ２ フォトレジスト膜 ３ マスク板 ４ 溝 ５ マスクブランク ６ ガラス基板 ７ Ｃｒ膜 ８ ＣｒＯｘ膜 ９ フォトレジスト膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 広兼 順司
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー
プ株式会社内
(72)発明者 出口 敏久
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー
プ株式会社内
(56)参考文献 特開 昭57−189893（ＪＰ，Ａ)
特開 昭54−77105（ＪＰ，Ａ)
特公 昭52−9353（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．光メモリ素子用のガラス基板上に第１のフォトレジ
スト膜を塗布し、 透明基板上に螺旋状若しくは同心円状のガイドパターン
状に欠如された金属膜が被覆されてなるマスク板を前記
第１のフォトレジスト膜が塗布されたガラス基板上に重
ね、 前記マスク板を介して前記第１のフォトレジスト膜に紫
外線を照射し、 前記マスク板のガイドパターンを前記第１のフォトレジ
スト膜に転写し、 該第１のフォトレジスト膜を現像した後でエッチングに
より前記ガラス基板にガイドパターンを掘り込んだこと
を特徴とする光メモリ素子の製造方法。 ２．前記マスク板が、透明基板上に形成された金属膜上
に第２のフォトレジスト膜を塗布し、前記マスク板の半
径方向に移動する構造体から照射されるレーザ光ビーム
にて前記第２のフォトレジスト膜にガイドパターンを記
録し、前記第２のフォトレジスト膜を現像した後でエッ
チングにより前記金属膜にガイドパターン状の欠如部分
を形成することにより構成されることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光メモリ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12077691A JP2665281B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 光メモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12077691A JP2665281B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 光メモリ素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59051977A Division JPH0685237B2 (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536121A JPH0536121A (ja) | 1993-02-12 |
| JP2665281B2 true JP2665281B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=14794724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12077691A Expired - Lifetime JP2665281B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2665281B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101367662B1 (ko) | 2006-11-22 | 2014-03-03 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 임프린트용 스탬프 제조 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108556501A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-09-21 | 河海大学常州校区 | 一种减小弹性印章变形的压印方法 |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP12077691A patent/JP2665281B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101367662B1 (ko) | 2006-11-22 | 2014-03-03 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 임프린트용 스탬프 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0536121A (ja) | 1993-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4778747A (en) | Method of manufacturing optical memory element | |
| US7136349B2 (en) | Multi-layer optical information recording medium with pits or grooves | |
| US5989671A (en) | Optical recording medium and manufacturing method thereof | |
| JPH09326136A (ja) | 光記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2000231745A (ja) | 光記録媒体、光記録媒体製造用原盤及びその製造方法 | |
| JPS60170045A (ja) | アドレス，案内溝付光デイスク製造方法 | |
| KR20020071937A (ko) | 광학기록매체 및 광디스크장치 | |
| JPH0518186B2 (ja) | ||
| JPH0773506A (ja) | 光記録媒体及びその再生装置 | |
| JP2665281B2 (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| US20090246712A1 (en) | Method of producing multilayer optical recording medium, stamper for producing multilayer optical recording medium, and method therefor | |
| JPH0685237B2 (ja) | 光磁気メモリ素子の製造方法 | |
| JP2566111B2 (ja) | 光磁気メモリ素子 | |
| JPH0585972B2 (ja) | ||
| JP3108671B2 (ja) | 光磁気メモリ素子 | |
| JPS59210547A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JP2000322767A (ja) | 光ディスク | |
| JPH06282890A (ja) | 光磁気メモリ素子 | |
| JPH0935334A (ja) | 光ディスク及び光ディスクのアクセス方法 | |
| JPH11238256A (ja) | 光学記録媒体とその製造方法とこれに用いる光学記録媒体の製造装置 | |
| JPH11339329A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JPH07334869A (ja) | 情報の記録用部材 | |
| JPS6266445A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JP2001229577A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH03263635A (ja) | 光メモリ素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |