JPS6266445A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は光学的に情報を記録・再生する光メモリ素子の
製造方法に関する。

〈従来技術〉 近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリ装置が高密度及び大容
量となる理由は、情報の記録単位であるビットが光ビー
ム径だけで決まるため、その形状を１μｍ程度の大きさ
にすることができるからである。しかしこの事は光メモ
リ装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定まっ
た場所に情報を記録したり、あるいはある定まった場所
に記録された情報を再生したシするためには光ビ−ム極
極めて正確に位置決めしなければならないのである。一
般に再生専用の光メモリ装置では光メモリ素子に記録し
たビットに予め番地情報を入れておく事ができるので記
録情報を再生しながら光ビームの位置決めをすることが
できるが、追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモ
リにおいでは情報記録時に光メモリ素子に番地情報まで
一所に記録する事は極めて困難である。従って追加記録
メモリあるいは書き換え可能なメモリでは光メモリ素子
の基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番地を記録
しておくという方法が採られている。

第４図に従来の追加記録あるいは書き換え可能な光メモ
リ素子基板の一部斜視図を示す。同図に示す如〈従来で
は光メモリ素子の基板に凹凸の溝を形成しておき、この
溝に添って情報を記録あるいは再生する方法が一般的で
あった。尚、上記凹凸の溝は図には表われてないが円周
方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビット
情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成方法はすで
に何種類か提案されている。たとえば第５図に示す如く
凹凸の溝の入ったＮｉスタンパ−１を用い射出成形によ
りアクリルやポリカーボネート等の樹脂基板２に直接凹
凸の溝を転写する方法や、第６図に示す如くガラスある
いはアクリル等の基板４と凹凸の溝の入ったスタンパ−
１との間に紫外線硬化樹脂３を挿入し該紫外線硬化樹脂
３に凹凸の溝を転写する方法（２Ｐ法）等である。

しかし、これらの方法はいずれも樹脂を用いているので
樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達するた
め記録媒体の品質が劣化するという欠点を有する。この
欠点に鑑み本発明者等は既に樹脂材を用いなくとも光メ
モリ素子の基板に凹凸の溝を形成できる製造方法を提案
している（特願昭５８−８４６１３　）。

〈目　的〉 本発明は上述した樹脂を用いなくとも光メモリ素子の基
板に凹凸の溝を形成できる製造方法に更に改良を施こす
ことによって、上記溝の形状の精度を向上せしめること
を目的とするものである。

〈実施例〉 以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。

第１図は、本発明に係る光メモリ素子の基板の製造方法
を工程順に示す説明図である。次に同図に従い本発明に
係る光メモリ素子の製造方法の一実施例を工程順に説明
する。

工程（１）・・・酸素、水分等の通過に対して信頼性の
高い（酸素、水分等を通過させない）ガラス基板５の上
にレジスト膜６を塗布する（第１図（ａ））。

工程（１１）・・・上記ガラス基板５の上に塗布したレ
ジメト膜６にＡｒレーザ等の光７を対物レンズ８を介し
て照射する（第１図（ｂ））か、又は紫外線等の光９を
Ｃｒマヌク１０を介して照射して光メモリ素子のガイド
溝（第４図参照）の巾と同一の巾を持つ線（あるいは番
地信号を記録する断続線）を書き込む（第４図（ａブ）
。

工程０１１）・・・上記線（若しくは断続線）を書き込
んだレジスト膜６を現像工程に通すことで上記レジスト
膜６に凹凸の溝を形成する（第４図（Ｃ））。

工程（ｉＶ）・・・上記凹凸の溝を形成したレジスト膜
６の被覆状態において、レジスト材料の変形温度以上の
温度でポストベークする（第４図（ｄ））。

工程（Ｖ）・・・上記ポストベークを行々った後のレジ
スト膜６の被覆状態において、ＣＦ４゜ ＣＨＦ３等のエツチングガス中でスパッタリング（リア
クティブイオンエツチング）を行ないガラス基板５に溝
１１を形成する（第鴫図（ｅ））。

工程■・・・上記レジスト膜６をアセトン等の溶媒によ
る溶解、あるいは０□中でのスパッタリング（灰化）等
によシ除去する。この結果ガラス基板５に溝１１が残る
（第４図（ｆ））。

次に第２図に、上記ポストベーク温度を変えた時のレジ
スト膜６の断面形状と、上記リアクティブイオンエツチ
ングを行なった後の溝１１の断面形状と、レジスト膜６
を除去した後の溝１１の断面形状を示す。この断面形状
はタリステップによる測定で求めた。同図（ａ）にはレ
ジスト膜６をレジスト材の変形温度以下でポストベーク
した時の断面形状を示す。一方向図（ｄ）にはレジスト
膜６をレジスト材の変形温度以上でポストベークした時
の断面形状を示す。同図（ｂ）、　（ｅ）はそれぞれ、
同図（ａ）。

（ｄ）のものにリアクティブイオンエツチングを行なっ
た後の断面形状を示す。この時、レジスト膜６の断面形
状が同図（ａ）の状態であれば、レジスト膜６はレジス
トの上面からけずシ取られ、ガラス基板５に形成される
溝１１のエツジは、ガラス基板面に対して垂直となる。

一方、レジスト膜６の断面形状が同図（ｄ）の状態であ
れば、同図（ｅ）のようにレジスト膜６はレジスト表面
が上からけずり取られるとともに、溝１１０幅が広くな
り、ガラス基板５に形成される溝１１のエツジは同図（
ｆ）のようにガラス基板面に対して傾き、台形状の溝が
形成される。同図（ｃ）、（ｆ）は、それぞれレジスト
膜６を除去した後の断面形状を示す。

第３図（ａ）、　（ｂ）は、それぞれ、第２図（ｃ）、
　（ｆ）に示す溝を形成した基板を具備した光メモリ素
子の一部側面断面図である。５は溝が形成されたガラス
基板、１２はＡＩＮ膜、５ｉ３Ｎ、膜等の窒化膜からな
る誘電体膜、１３はＧｄＮｄＦ　ｅ、ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＣｏ等の希土類とＦｅ等の遷移金属との合金薄膜（
記録媒体）、１４はＡＩ膜、ステンレス膜等からなる反
射膜である。上記誘電体膜１２及び反射膜１４は磁気光
学効果の特性向上を促すとともに上記合金薄膜１３への
酸素及び水分の到達を防止する作用を有する。１５は接
着層、１６は該接着層１５よシ接着されるガラス、アク
リル等からなる保護板である。この保護板１６の代わり
にメモリ素子の２枚を背中合わせに貼シ合わせて両面使
用のメモリ素子にすることも可能である。ここで、同図
（ａ）の場合、溝１１のエツジ個所の１２゜１３．１４
の各層の膜厚は平担部に比べて著しく薄くなり外部から
の酸素や水分の侵入源となり易く、また、溝１１のエツ
ジ個所において発生する膜１２，１３．１４の不連続が
原因となり信号品質が低下する。しかし本発明において
光メモリ素子の基板に形成された同図（ｂ）の台形状の
溝であれば、エツジにおいて膜１２，１３．１４の不連
続は発生せず、よって光メモリ素子の信頼性、信号品質
ともに大幅な向上がなされる。

以上の説明において光メモリ素子の例としては反射膜構
造の光磁気メモリ素子について示したが、本発明は第３
図に示した合金薄膜１３の膜厚を厚くして反射膜１４を
除去した構造を有する所謂単層膜構造の光磁気メモリ素
子、あるいはＴｅ。

ＴｅＳ、ＴｅＯｘ等を記録媒体とする所謂追加記録型の
光メモリ素子等においても充分適用可能である。

く効　果〉 以上の本発明によれば光メモリ素子の案内溝を良好な形
状に形成でき、その為に信頼性を向上させ、再生信号の
雑音を低減化することが出来るものである。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の光メモリ素子の製造方法に係る一実
施例を示す説明図、第２図はｌ溝形成過程を示す説明図
、第３図は光メモリ素子の一部側面断面図、第４図は従
来のメモリ基板の一部斜視図、第５図、第６図は従来の
メモリ基板の製造過程を示す説明図である。 図中、１：Ｎｉヌタンパ−２＝樹脂基板３：紫外線硬化
樹脂　　４：基板 ５ニガラス基板　　　　　６：レジスト膜７：レーザ光
　　　　　　８：対物レンズ９：紫外線光　　　　　１
０：マスク １１：溝　　　　　　　　　１２：誘電体膜１３：合金
膜　　　　　　１４：反射膜１５：接着層　　　　　　
１６：保護板代理人　弁理士　　福　士　愛　彦（他２
名）ｔσノ ＩＩ （ｂ） （Ｃ） 第２ ｔθノ ｔθ ズ ｔσノ １ｌ （ｂ） 第３図 第４図 第５図 伽聞　Ｃ剛 指　０　凶

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上にレジスト膜を被覆する工程と、該レジスト
   膜にレーザ光または紫外線光等の光を照射して光メモリ
   素子基板のガイド溝のパターンを露光する工程と、 前記ガイド溝のパターンを露光したレジスト膜を現像す
   る工程と、 該現像後のレジスト膜をポストベークした後リアクティ
   ブイオンエッチングを行なうことによって前記基板にガ
   イド溝を形成する工程を備え、 前記ポストベーク時におけるベーキング温度を前記レジ
   ストの変形温度以上とし、エッチング後のガイド溝形状
   を台形状としたことを特徴とする光メモリ素子の製造方
   法。