JPS6275952A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6275952A JPS6275952A JP60215696A JP21569685A JPS6275952A JP S6275952 A JPS6275952 A JP S6275952A JP 60215696 A JP60215696 A JP 60215696A JP 21569685 A JP21569685 A JP 21569685A JP S6275952 A JPS6275952 A JP S6275952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- grooves
- resist film
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は光学的に情報を記録、再生する光メモリ素子の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
〈従来技術〉
近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリが高密 :
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビッ
トが光ビーム径だけで決まるため、その形
1状を1μ飢程度の大きさにすることができるためであ
る。し73為シ、この事は光メモリ装置に多くの“j′
″″″″″’+*に?j6o []G+J565tt
vfcjlAsK 。
て注目されている。この光メモリが高密 :
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビッ
トが光ビーム径だけで決まるため、その形
1状を1μ飢程度の大きさにすることができるためであ
る。し73為シ、この事は光メモリ装置に多くの“j′
″″″″″’+*に?j6o []G+J565tt
vfcjlAsK 。
情報を記録したり、あるいはある定まった場所に
1記録された情報を再生したりするためには光ビ
ームを極めて正確に位置決めしなければならないの
1である。一般に再生専用の光メモリでは記録
したビットに予め番地情報を入れておく事ができるの
:で記録情報を再生しながら光ビームの位置
決めをすることができるが、追加記録メモリあるいは書
き換え可能なメモリにおいては情報記録時に番地情報ま
で一所に記録する事は極めて困難である。
1記録された情報を再生したりするためには光ビ
ームを極めて正確に位置決めしなければならないの
1である。一般に再生専用の光メモリでは記録
したビットに予め番地情報を入れておく事ができるの
:で記録情報を再生しながら光ビームの位置
決めをすることができるが、追加記録メモリあるいは書
き換え可能なメモリにおいては情報記録時に番地情報ま
で一所に記録する事は極めて困難である。
従って追加記録メモリあるいは書き換え可能なメそりで
はメモリ基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番地
を入れておくという方法が採られている。例えば第4図
に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリ
のメモリ基板の一部斜視図を示すが、同図に示す如く基
板に凹凸の溝を形成しておきこの溝に添って情報を記録
あるいは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝は
円周方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビ
ット情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成方法は
すでに何種類か提案されている。たとえば第5図に示す
如く凹凸の溝の入ったNiスタンバ−1を用い射出成形
によりアクリルやポリカーボネイト等の樹脂基板2に直
接凹凸の溝を転写する方法や、第6図に示す如くガラス
あるいはアクリル等の基板4と凹凸の溝の入ったスタン
パ−1との間に紫外線硬化樹脂3を挿入し、該紫外線硬
化樹脂に凹凸の溝を転写する方法(2P法〕等である。
はメモリ基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番地
を入れておくという方法が採られている。例えば第4図
に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリ
のメモリ基板の一部斜視図を示すが、同図に示す如く基
板に凹凸の溝を形成しておきこの溝に添って情報を記録
あるいは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝は
円周方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビ
ット情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成方法は
すでに何種類か提案されている。たとえば第5図に示す
如く凹凸の溝の入ったNiスタンバ−1を用い射出成形
によりアクリルやポリカーボネイト等の樹脂基板2に直
接凹凸の溝を転写する方法や、第6図に示す如くガラス
あるいはアクリル等の基板4と凹凸の溝の入ったスタン
パ−1との間に紫外線硬化樹脂3を挿入し、該紫外線硬
化樹脂に凹凸の溝を転写する方法(2P法〕等である。
しかし、これらの方法はいずれも樹脂を・用いているの
で樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達する
ため記録媒体の品質が劣化するという欠点を有する。
で樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達する
ため記録媒体の品質が劣化するという欠点を有する。
この欠点に鑑み木発明者等は既に樹脂材を用いなくとも
光メモリ素子の基板に凹凸の溝を形成できる製造方法を
提案している(特願昭58−84618)。
光メモリ素子の基板に凹凸の溝を形成できる製造方法を
提案している(特願昭58−84618)。
く目 的〉
本発明は上述した樹脂を用いなくとも光メモリ素子の基
板に凹凸の溝を形成できる製造方法に更に改良を施こす
ことによって、上記溝の形状を向上せしめることを目的
とするものである。
板に凹凸の溝を形成できる製造方法に更に改良を施こす
ことによって、上記溝の形状を向上せしめることを目的
とするものである。
〈実施例〉
以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
第1図は、本発明に係る光メモリ素子の基板の製法を工
程順に示す説明図である。
程順に示す説明図である。
次に同図に従い本発明に係る光メモリ素子の基板の製法
の一実施例を工程順に説明する。
の一実施例を工程順に説明する。
工程[il・・・酸素、水分等の通過に対して信頼性の
高い(酸素、水分等を通過させない)ガラス基板5の上
にレジスト膜6を塗布する(第1図(a))。
高い(酸素、水分等を通過させない)ガラス基板5の上
にレジスト膜6を塗布する(第1図(a))。
工程面・・・上記ガラス基板5の上に塗布したレジスト
膜6にArレーザー等の光7を対物レンズ8を介して照
射する力・、又は紫外線等の光9をCrマスク10を介
して照射して光メモリ素子のガイド溝C第4図参照)の
幅と同一の幅を持つ線(あるいは番地信号を記録する断
続線)を書き込む(第1図[bl 、 (旬)。
膜6にArレーザー等の光7を対物レンズ8を介して照
射する力・、又は紫外線等の光9をCrマスク10を介
して照射して光メモリ素子のガイド溝C第4図参照)の
幅と同一の幅を持つ線(あるいは番地信号を記録する断
続線)を書き込む(第1図[bl 、 (旬)。
工程@)・・・上記線(若しくは断続線)を書き込んだ
レジスト膜6を現像工程に通すことで上記レジスト膜6
を現像工程に通すことで上記レジスト膜6に凹凸の溝を
形成する(第1図(C)〕。
レジスト膜6を現像工程に通すことで上記レジスト膜6
を現像工程に通すことで上記レジスト膜6に凹凸の溝を
形成する(第1図(C)〕。
工程fivl・・・上記凹凸の溝を形成したレジスト膜
6の被覆状態において、CF4 、CHF3等のエツチ
ングガスに02ガスを混入した混合ガス中でスパッタリ
ング(リアクティブイオンエツチング)を行ないガラス
基板5T、/c溝11を形成する(第1図(d))。
6の被覆状態において、CF4 、CHF3等のエツチ
ングガスに02ガスを混入した混合ガス中でスパッタリ
ング(リアクティブイオンエツチング)を行ないガラス
基板5T、/c溝11を形成する(第1図(d))。
工程M・・・上記レジスト膜6をアセトン等の溶媒。
02中でのスパッタリング(灰化)等により除去する。
この結果ガラス基板5Vc溝11が残る(第1図(e)
)。
)。
次に第2図に、従来通りCFa 、CHF3等のエツ
チングガスのみを用いてリアクティブイオンエツチング
を行なった場合と、CF4.CHF3等のエツチングガ
スに02ガスを混入してリアクティブイオンエツチング
を行なった場合の比較図を示す。同図(a) 、 ld
lは夫々のレジスト膜6の現像後の一部断面図を示して
いる。同図(blは従来通りCF a 、 CHF s
等のエツチングガスのみを用いてエツチングを行なった
後の一部断面図を示しておシ、レジスト膜6はエツチン
グによシ上方だけ力為らけずり取られガラス基板5に形
成される溝11のエツジはガラス基板平面に対して垂直
となり、レジスト膜6を除去した後は同図tc+に示す
様に矩形状の溝11が形成される。一方、同図telは
CFa、CHFa等のエッチングガスニ、該エツチング
ガスに対して5乃至10チの体積比で02ガスを混入し
てリアクティブイオンエツチングを行なった後の一部断
面形状を示してbるが、02ガス混入の効果により、エ
ツチング中レジスト膜6は上方からだけでなく、側面エ
ツジからもけずり取られる。そのため、レジスト膜6は
エツチングにより膜厚が減少するだけでなく、その幅も
しだいに狭くなってゆ〈。その結果として、ガラス基板
に形成される溝IIは、しだいにその幅が広くなり、溝
IIのエツジはガラス基板平面に対して傾き、レジスト
膜6を除去した後は、同図(f)に示す様に台形状の溝
IIが形成される。
チングガスのみを用いてリアクティブイオンエツチング
を行なった場合と、CF4.CHF3等のエツチングガ
スに02ガスを混入してリアクティブイオンエツチング
を行なった場合の比較図を示す。同図(a) 、 ld
lは夫々のレジスト膜6の現像後の一部断面図を示して
いる。同図(blは従来通りCF a 、 CHF s
等のエツチングガスのみを用いてエツチングを行なった
後の一部断面図を示しておシ、レジスト膜6はエツチン
グによシ上方だけ力為らけずり取られガラス基板5に形
成される溝11のエツジはガラス基板平面に対して垂直
となり、レジスト膜6を除去した後は同図tc+に示す
様に矩形状の溝11が形成される。一方、同図telは
CFa、CHFa等のエッチングガスニ、該エツチング
ガスに対して5乃至10チの体積比で02ガスを混入し
てリアクティブイオンエツチングを行なった後の一部断
面形状を示してbるが、02ガス混入の効果により、エ
ツチング中レジスト膜6は上方からだけでなく、側面エ
ツジからもけずり取られる。そのため、レジスト膜6は
エツチングにより膜厚が減少するだけでなく、その幅も
しだいに狭くなってゆ〈。その結果として、ガラス基板
に形成される溝IIは、しだいにその幅が広くなり、溝
IIのエツジはガラス基板平面に対して傾き、レジスト
膜6を除去した後は、同図(f)に示す様に台形状の溝
IIが形成される。
第3図(al 、 fblは、それぞれ第2図fcl
、 (flに示す溝を形成した基板を具備した光メモリ
素子の一部側面断面図である。5は溝が形成されたガラ
ス基板、I2はA1N膜、Si3N、膜等の窒化膜から
なる誘電体膜、13はGdNdFe 、GdTbFe。
、 (flに示す溝を形成した基板を具備した光メモリ
素子の一部側面断面図である。5は溝が形成されたガラ
ス基板、I2はA1N膜、Si3N、膜等の窒化膜から
なる誘電体膜、13はGdNdFe 、GdTbFe。
GdCo等の希土類と遷移金属との合金薄膜(記録媒体
)、14はA1膜、ステンレス膜等からなる反射膜であ
る。上記誘電体膜12及び反射膜■4は磁気光学効果の
特性向上を促すとともに上記合金薄膜I3への酸素及び
水分の到達を防止する作用を有する。15は接着層、1
6は該接着層15より接着されるガラス、アクリル等か
らなる保護板である。この保護板I6の代わりにメモリ
素子の2枚を背中合わせに貼り合わせて両面使用のメモ
リ素子にすることも可能である。ととで同図(a)の場
合、溝IIのエツジにおいて、12,18゜14の各層
の膜厚は平担部に比べて著しく薄くなり外部力・らの酸
素や水分の侵入源となり易く、また溝11のエツジにお
いて発生する膜の不連続が原因となり信号品質が低下す
る。し力・し本発明において形成された同図fblに示
す台形状の溝であれば、エツジにおいて膜の不連続は発
生せず、信頼性、信号品質ともに大幅な向上がなされる
。
)、14はA1膜、ステンレス膜等からなる反射膜であ
る。上記誘電体膜12及び反射膜■4は磁気光学効果の
特性向上を促すとともに上記合金薄膜I3への酸素及び
水分の到達を防止する作用を有する。15は接着層、1
6は該接着層15より接着されるガラス、アクリル等か
らなる保護板である。この保護板I6の代わりにメモリ
素子の2枚を背中合わせに貼り合わせて両面使用のメモ
リ素子にすることも可能である。ととで同図(a)の場
合、溝IIのエツジにおいて、12,18゜14の各層
の膜厚は平担部に比べて著しく薄くなり外部力・らの酸
素や水分の侵入源となり易く、また溝11のエツジにお
いて発生する膜の不連続が原因となり信号品質が低下す
る。し力・し本発明において形成された同図fblに示
す台形状の溝であれば、エツジにおいて膜の不連続は発
生せず、信頼性、信号品質ともに大幅な向上がなされる
。
以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構造の光磁気メ
モリ素子について示したが、本発明は第3図に示した合
金薄膜13の膜厚を厚くして反射膜14を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あるいはTe
、TeS、TeOx等を記録媒体とする追加記録型の光
メモリ素子においても適用可能である。
モリ素子について示したが、本発明は第3図に示した合
金薄膜13の膜厚を厚くして反射膜14を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あるいはTe
、TeS、TeOx等を記録媒体とする追加記録型の光
メモリ素子においても適用可能である。
〈効 果〉
以上の本発明によれば光メモリ素子の案内溝を良好な形
状に形成でき、信頼性を向上させ、再生信号の雑音を低
減化することが出来るものである。
状に形成でき、信頼性を向上させ、再生信号の雑音を低
減化することが出来るものである。
第1図は本発明の光メモ、り素子の製造方法に係る一実
施例を示す説明図、第2図は溝形成過程を示す説#′J
図、第3図は光メモリ素子の一部側面断面図、第4図は
従来のメモリ基板の一部斜視図、第5図及び第6図は従
来のメモリ基板の製造過程を示す説明図である。 図中 1:Niスタンパ−2=樹脂基板、 3:紫外線硬化樹脂 4:基板 5ニガラス基板 6:レジスト膜7:レーザ光
8:対物レンズ9:紫外線光 IO=マ
スク 11:溝 I2:誘電体膜13:合金膜
14:反射膜 tσノ 1l (b) 第3図 第4図 第5図 第6M
施例を示す説明図、第2図は溝形成過程を示す説#′J
図、第3図は光メモリ素子の一部側面断面図、第4図は
従来のメモリ基板の一部斜視図、第5図及び第6図は従
来のメモリ基板の製造過程を示す説明図である。 図中 1:Niスタンパ−2=樹脂基板、 3:紫外線硬化樹脂 4:基板 5ニガラス基板 6:レジスト膜7:レーザ光
8:対物レンズ9:紫外線光 IO=マ
スク 11:溝 I2:誘電体膜13:合金膜
14:反射膜 tσノ 1l (b) 第3図 第4図 第5図 第6M
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上にレジスト膜を被覆し、 該レジスト膜にレーザー光または紫外線光等の光を照射
してガイド溝パターンを露光し、前記ガイド溝パターン
を露光したレジスト膜を現像し、 現像後のレジスト膜の被覆状態においてリアクティブイ
オンエッチングを行なうことによって前記基板にガイド
溝を形成する工程を備え、前記リアクティブイオンエッ
チング時においてエッチングガスであるCF_4、CH
F_3等に若干のO_2ガスを混入することによりガイ
ド溝形状を台形にしたことを特徴とする光メモリ素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60215696A JPH07105080B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光メモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60215696A JPH07105080B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6275952A true JPS6275952A (ja) | 1987-04-07 |
JPH07105080B2 JPH07105080B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=16676640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60215696A Expired - Fee Related JPH07105080B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07105080B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01279436A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-09 | Asahi Glass Co Ltd | 光メモリー素子用ガラス基板、光メモリー素子および光メモリー素子用記録再生システム |
JPH05198016A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Sharp Corp | 光メモリ素子用原盤及びその製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6126952A (ja) * | 1984-07-14 | 1986-02-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録担体の製造法 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60215696A patent/JPH07105080B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6126952A (ja) * | 1984-07-14 | 1986-02-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録担体の製造法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01279436A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-09 | Asahi Glass Co Ltd | 光メモリー素子用ガラス基板、光メモリー素子および光メモリー素子用記録再生システム |
JPH05198016A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Sharp Corp | 光メモリ素子用原盤及びその製造方法 |
US5347510A (en) * | 1992-01-21 | 1994-09-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a master plate where its guide groove has an inclined angle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07105080B2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |