JPS6275952A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は光学的に情報を記録、再生する光メモリ素子の
製造方法に関する。

〈従来技術〉 近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリが高密　　　　　　：
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビッ
トが光ビーム径だけで決まるため、その形　　　　　　
１状を１μ飢程度の大きさにすることができるためであ
る。し７３為シ、この事は光メモリ装置に多くの“ｊ′
″″″″″’＋＊に？ｊ６ｏ　［］Ｇ＋Ｊ５６５ｔｔ　
ｖｆｃｊｌＡｓＫ　　　　。

情報を記録したり、あるいはある定まった場所に　　　
　　　１記録された情報を再生したりするためには光ビ
ームを極めて正確に位置決めしなければならないの　　
　　　　１である。一般に再生専用の光メモリでは記録
したビットに予め番地情報を入れておく事ができるの　
　　　　　：で記録情報を再生しながら光ビームの位置
決めをすることができるが、追加記録メモリあるいは書
き換え可能なメモリにおいては情報記録時に番地情報ま
で一所に記録する事は極めて困難である。

従って追加記録メモリあるいは書き換え可能なメそりで
はメモリ基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番地
を入れておくという方法が採られている。例えば第４図
に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリ
のメモリ基板の一部斜視図を示すが、同図に示す如く基
板に凹凸の溝を形成しておきこの溝に添って情報を記録
あるいは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝は
円周方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビ
ット情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成方法は
すでに何種類か提案されている。たとえば第５図に示す
如く凹凸の溝の入ったＮｉスタンバ−１を用い射出成形
によりアクリルやポリカーボネイト等の樹脂基板２に直
接凹凸の溝を転写する方法や、第６図に示す如くガラス
あるいはアクリル等の基板４と凹凸の溝の入ったスタン
パ−１との間に紫外線硬化樹脂３を挿入し、該紫外線硬
化樹脂に凹凸の溝を転写する方法（２Ｐ法〕等である。

しかし、これらの方法はいずれも樹脂を・用いているの
で樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達する
ため記録媒体の品質が劣化するという欠点を有する。

この欠点に鑑み木発明者等は既に樹脂材を用いなくとも
光メモリ素子の基板に凹凸の溝を形成できる製造方法を
提案している（特願昭５８−８４６１８）。

く目　的〉 本発明は上述した樹脂を用いなくとも光メモリ素子の基
板に凹凸の溝を形成できる製造方法に更に改良を施こす
ことによって、上記溝の形状を向上せしめることを目的
とするものである。

〈実施例〉 以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。

第１図は、本発明に係る光メモリ素子の基板の製法を工
程順に示す説明図である。

次に同図に従い本発明に係る光メモリ素子の基板の製法
の一実施例を工程順に説明する。

工程［ｉｌ・・・酸素、水分等の通過に対して信頼性の
高い（酸素、水分等を通過させない）ガラス基板５の上
にレジスト膜６を塗布する（第１図（ａ））。

工程面・・・上記ガラス基板５の上に塗布したレジスト
膜６にＡｒレーザー等の光７を対物レンズ８を介して照
射する力・、又は紫外線等の光９をＣｒマスク１０を介
して照射して光メモリ素子のガイド溝Ｃ第４図参照）の
幅と同一の幅を持つ線（あるいは番地信号を記録する断
続線）を書き込む（第１図［ｂｌ　、　（旬）。

工程＠）・・・上記線（若しくは断続線）を書き込んだ
レジスト膜６を現像工程に通すことで上記レジスト膜６
を現像工程に通すことで上記レジスト膜６に凹凸の溝を
形成する（第１図（Ｃ）〕。

工程ｆｉｖｌ・・・上記凹凸の溝を形成したレジスト膜
６の被覆状態において、ＣＦ４　、ＣＨＦ３等のエツチ
ングガスに０２ガスを混入した混合ガス中でスパッタリ
ング（リアクティブイオンエツチング）を行ないガラス
基板５Ｔ、／ｃ溝１１を形成する（第１図（ｄ））。

工程Ｍ・・・上記レジスト膜６をアセトン等の溶媒。

０２中でのスパッタリング（灰化）等により除去する。

この結果ガラス基板５Ｖｃ溝１１が残る（第１図（ｅ）
）。

次に第２図に、従来通りＣＦａ　　、ＣＨＦ３等のエツ
チングガスのみを用いてリアクティブイオンエツチング
を行なった場合と、ＣＦ４．ＣＨＦ３等のエツチングガ
スに０２ガスを混入してリアクティブイオンエツチング
を行なった場合の比較図を示す。同図（ａ）　、　ｌｄ
ｌは夫々のレジスト膜６の現像後の一部断面図を示して
いる。同図（ｂｌは従来通りＣＦ　ａ　、　ＣＨＦ　ｓ
等のエツチングガスのみを用いてエツチングを行なった
後の一部断面図を示しておシ、レジスト膜６はエツチン
グによシ上方だけ力為らけずり取られガラス基板５に形
成される溝１１のエツジはガラス基板平面に対して垂直
となり、レジスト膜６を除去した後は同図ｔｃ＋に示す
様に矩形状の溝１１が形成される。一方、同図ｔｅｌは
ＣＦａ、ＣＨＦａ等のエッチングガスニ、該エツチング
ガスに対して５乃至１０チの体積比で０２ガスを混入し
てリアクティブイオンエツチングを行なった後の一部断
面形状を示してｂるが、０２ガス混入の効果により、エ
ツチング中レジスト膜６は上方からだけでなく、側面エ
ツジからもけずり取られる。そのため、レジスト膜６は
エツチングにより膜厚が減少するだけでなく、その幅も
しだいに狭くなってゆ〈。その結果として、ガラス基板
に形成される溝ＩＩは、しだいにその幅が広くなり、溝
ＩＩのエツジはガラス基板平面に対して傾き、レジスト
膜６を除去した後は、同図（ｆ）に示す様に台形状の溝
ＩＩが形成される。

第３図（ａｌ　、　ｆｂｌは、それぞれ第２図ｆｃｌ　
、　（ｆｌに示す溝を形成した基板を具備した光メモリ
素子の一部側面断面図である。５は溝が形成されたガラ
ス基板、Ｉ２はＡ１Ｎ膜、Ｓｉ３Ｎ、膜等の窒化膜から
なる誘電体膜、１３はＧｄＮｄＦｅ　、ＧｄＴｂＦｅ。

ＧｄＣｏ等の希土類と遷移金属との合金薄膜（記録媒体
）、１４はＡ１膜、ステンレス膜等からなる反射膜であ
る。上記誘電体膜１２及び反射膜■４は磁気光学効果の
特性向上を促すとともに上記合金薄膜Ｉ３への酸素及び
水分の到達を防止する作用を有する。１５は接着層、１
６は該接着層１５より接着されるガラス、アクリル等か
らなる保護板である。この保護板Ｉ６の代わりにメモリ
素子の２枚を背中合わせに貼り合わせて両面使用のメモ
リ素子にすることも可能である。ととで同図（ａ）の場
合、溝ＩＩのエツジにおいて、１２，１８゜１４の各層
の膜厚は平担部に比べて著しく薄くなり外部力・らの酸
素や水分の侵入源となり易く、また溝１１のエツジにお
いて発生する膜の不連続が原因となり信号品質が低下す
る。し力・し本発明において形成された同図ｆｂｌに示
す台形状の溝であれば、エツジにおいて膜の不連続は発
生せず、信頼性、信号品質ともに大幅な向上がなされる
。

以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構造の光磁気メ
モリ素子について示したが、本発明は第３図に示した合
金薄膜１３の膜厚を厚くして反射膜１４を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あるいはＴｅ
、ＴｅＳ、ＴｅＯｘ等を記録媒体とする追加記録型の光
メモリ素子においても適用可能である。

〈効　果〉 以上の本発明によれば光メモリ素子の案内溝を良好な形
状に形成でき、信頼性を向上させ、再生信号の雑音を低
減化することが出来るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光メモ、り素子の製造方法に係る一実
施例を示す説明図、第２図は溝形成過程を示す説＃′Ｊ
図、第３図は光メモリ素子の一部側面断面図、第４図は
従来のメモリ基板の一部斜視図、第５図及び第６図は従
来のメモリ基板の製造過程を示す説明図である。 図中 １：Ｎｉスタンパ−２＝樹脂基板、 ３：紫外線硬化樹脂　　４：基板 ５ニガラス基板　　　　６：レジスト膜７：レーザ光　
　　　　８：対物レンズ９：紫外線光　　　　ＩＯ＝マ
スク １１：溝　　　　　　　Ｉ２：誘電体膜１３：合金膜　
　　　　１４：反射膜 ｔσノ １ｌ （ｂ） 第３図 第４図 第５図 第６Ｍ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上にレジスト膜を被覆し、 該レジスト膜にレーザー光または紫外線光等の光を照射
   してガイド溝パターンを露光し、前記ガイド溝パターン
   を露光したレジスト膜を現像し、 現像後のレジスト膜の被覆状態においてリアクティブイ
   オンエッチングを行なうことによって前記基板にガイド
   溝を形成する工程を備え、前記リアクティブイオンエッ
   チング時においてエッチングガスであるＣＦ＿４、ＣＨ
   Ｆ＿３等に若干のＯ＿２ガスを混入することによりガイ
   ド溝形状を台形にしたことを特徴とする光メモリ素子の
   製造方法。