JPS6080144A - 光メモリ素子 - Google Patents
光メモリ素子Info
- Publication number
- JPS6080144A JPS6080144A JP58188793A JP18879383A JPS6080144A JP S6080144 A JPS6080144 A JP S6080144A JP 58188793 A JP58188793 A JP 58188793A JP 18879383 A JP18879383 A JP 18879383A JP S6080144 A JPS6080144 A JP S6080144A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- optical memory
- memory element
- substrate
- oxygen
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はレーザ等の光により情報の記録・再生・消去等
を行なう光メモリ素子に関する。
を行なう光メモリ素子に関する。
〈従来技術〉
近年、光メモリ素子は高密度・大容量のメモリである為
に将来性を期待され、多方面で種々の研究開発が行なわ
れている。この光メモリ素子が高密度及び大容量となる
理由は情報の記録単位であるビットが光のビーム径だけ
で決まるため、その形状をＩＩＲ程度の大きさにするこ
とができるからである。しかしこの事は光メモリ素子に
対する情報の書き込み・読み取りを行なう装置に多くの
制限を加える事になる。即ちある定まった場所に情報を
記録したりあるいは定１つだ場所に記録された情報を再
生したシするためには光ビームを極めて正確に位置決め
しなければならないのである。
に将来性を期待され、多方面で種々の研究開発が行なわ
れている。この光メモリ素子が高密度及び大容量となる
理由は情報の記録単位であるビットが光のビーム径だけ
で決まるため、その形状をＩＩＲ程度の大きさにするこ
とができるからである。しかしこの事は光メモリ素子に
対する情報の書き込み・読み取りを行なう装置に多くの
制限を加える事になる。即ちある定まった場所に情報を
記録したりあるいは定１つだ場所に記録された情報を再
生したシするためには光ビームを極めて正確に位置決め
しなければならないのである。
一般に、再生専用の光メモリでは、記録したビットに予
め番地情報を入れておく事ができるので記録情報を再生
しながら光ビームの位置決めが可能と々るが、追加記録
メモリあるいは書き換え可能なメモリにおいては、情報
記録時に番地情報まで一緒に記録する事が困難なため、
この場合メモリ基板上に予め何等かのガイド信号及びガ
イド番地を入れておく方法が採られる。例えば第１図に
従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能外メモリの
メモリ基板の一部斜視図を示すが、同図に示す如く基板
に凹凸の溝を形成しておき、この溝に添って情報を記録
あるいは再生するのである。また上記凹凸の溝は円周方
向に断続した形状を有し、これが溝の番地を示すビット
情報を与える。この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類
か提案されているものの、生産性の点を考えた場合次に
挙げる２方法が一般的である。１つは第２図に示す如く
凹凸の溝の入ったスタンパ−（例えばＮｉ製）Ｉを用い
射出成形によジアクリルやポリカーボネート等の樹脂基
板２に直接凹凸の溝を転写する方法であり、他の１つは
第３図に示す如くガラスあるいはアクリル等の基板４と
凹凸の溝の入ったスレンパー１との間に紫外線硬化樹脂
３を挿入し該紫外線硬化樹脂３に凹凸の溝を転写する方
法（２Ｐ法と呼ぶ）である。こうして作製された凹凸溝
付基板上に引き続いて記録媒体が形成される。この記録
媒体としては追加記録型にＴｅ０Ｘ、ＴｅＳｅ。
め番地情報を入れておく事ができるので記録情報を再生
しながら光ビームの位置決めが可能と々るが、追加記録
メモリあるいは書き換え可能なメモリにおいては、情報
記録時に番地情報まで一緒に記録する事が困難なため、
この場合メモリ基板上に予め何等かのガイド信号及びガ
イド番地を入れておく方法が採られる。例えば第１図に
従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能外メモリの
メモリ基板の一部斜視図を示すが、同図に示す如く基板
に凹凸の溝を形成しておき、この溝に添って情報を記録
あるいは再生するのである。また上記凹凸の溝は円周方
向に断続した形状を有し、これが溝の番地を示すビット
情報を与える。この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類
か提案されているものの、生産性の点を考えた場合次に
挙げる２方法が一般的である。１つは第２図に示す如く
凹凸の溝の入ったスタンパ−（例えばＮｉ製）Ｉを用い
射出成形によジアクリルやポリカーボネート等の樹脂基
板２に直接凹凸の溝を転写する方法であり、他の１つは
第３図に示す如くガラスあるいはアクリル等の基板４と
凹凸の溝の入ったスレンパー１との間に紫外線硬化樹脂
３を挿入し該紫外線硬化樹脂３に凹凸の溝を転写する方
法（２Ｐ法と呼ぶ）である。こうして作製された凹凸溝
付基板上に引き続いて記録媒体が形成される。この記録
媒体としては追加記録型にＴｅ０Ｘ、ＴｅＳｅ。
ＴｅＣ等の材料があり、書き換え可能型にＧｄＴｌ）Ｆ
ｅ 。
ｅ 。
ＧｄＴｂＤｙＦｅ 、 ＴｂＦｅ等の材料が知られてい
る。しかし、これらの記録媒体の大半は耐食性に欠けて
おりこのことが光メモリ素子としてしばしば不都合な点
となっていた。例えば追加記録型の代表であるＴｅベー
スの材料においては酸化腐食の進行により反射率・透過
率が変化し再生特性が悪化した。
る。しかし、これらの記録媒体の大半は耐食性に欠けて
おりこのことが光メモリ素子としてしばしば不都合な点
となっていた。例えば追加記録型の代表であるＴｅベー
スの材料においては酸化腐食の進行により反射率・透過
率が変化し再生特性が悪化した。
また書き換え可能型の媒体である希土類・遷移金属合金
にお−でも希土類金属が特に酸化しゃすいため、酸化腐
食の進行に伴い保磁力の変化を生じ、その為に記録感度
の変動という好ましくない問題を生じていた。こうした
腐食の誘因としては記録媒体形成前に基板上に吸着して
いた酸素や水分、あるいはスパッタリング法のような成
膜法であれば基板上への成膜中に基板成分の分離によっ
て生ずる酸素等、及び媒体形成後の酸化物保護膜作成時
に混入する分離酸素等が挙げられる。又、凹凸溝付樹脂
製基板を備えた光メモリ素子ではその樹脂製基板を通し
て侵入する酸素あるいは水分等も大きな問題となってい
た。
にお−でも希土類金属が特に酸化しゃすいため、酸化腐
食の進行に伴い保磁力の変化を生じ、その為に記録感度
の変動という好ましくない問題を生じていた。こうした
腐食の誘因としては記録媒体形成前に基板上に吸着して
いた酸素や水分、あるいはスパッタリング法のような成
膜法であれば基板上への成膜中に基板成分の分離によっ
て生ずる酸素等、及び媒体形成後の酸化物保護膜作成時
に混入する分離酸素等が挙げられる。又、凹凸溝付樹脂
製基板を備えた光メモリ素子ではその樹脂製基板を通し
て侵入する酸素あるいは水分等も大きな問題となってい
た。
〈目 的〉
本発明は以上の従来技術に改良を加えたもので、水分、
酸素等による記録媒体の腐食に対して高い信頼性を有す
る光メモリ素子を提供することを目的とするものである
。
酸素等による記録媒体の腐食に対して高い信頼性を有す
る光メモリ素子を提供することを目的とするものである
。
〈実施例〉
以下、本発明に係る光メモリ素子の一実施例について図
面を用いて詳細に説明する。第４図は本発明に係る光メ
モリ素子の一実施例の構造を示す一部側面断面図である
。５はガラスまたはアクリル製の基板でありその上に前
述した２Ｐ法にて形成された凹凸溝を有した紫外線硬化
樹脂層３が設けられ、その上に膜厚９０９−１０００Ｘ
のＡＩＮ（窒化アルミニウム）膜６（透明誘電体膜）が
、窒素雰囲気中でのアルミニウムの反応性スパッタリン
グによって形成され、その上に膜厚３００〜５００λの
ＧｄＴｂＦｅ非晶質合金薄膜７（記録媒体）がスパッタ
リングによって形成され、その上に膜厚４００〜５００
ＸのＡＩＮ膜８が形成され、その上にＣｕ。
面を用いて詳細に説明する。第４図は本発明に係る光メ
モリ素子の一実施例の構造を示す一部側面断面図である
。５はガラスまたはアクリル製の基板でありその上に前
述した２Ｐ法にて形成された凹凸溝を有した紫外線硬化
樹脂層３が設けられ、その上に膜厚９０９−１０００Ｘ
のＡＩＮ（窒化アルミニウム）膜６（透明誘電体膜）が
、窒素雰囲気中でのアルミニウムの反応性スパッタリン
グによって形成され、その上に膜厚３００〜５００λの
ＧｄＴｂＦｅ非晶質合金薄膜７（記録媒体）がスパッタ
リングによって形成され、その上に膜厚４００〜５００
ＸのＡＩＮ膜８が形成され、その上にＣｕ。
Ａｌｔステンレス、Ｎｉ等の金属からなる反射膜９が形
成される。上記窒化膜６は溝付紫外線樹脂層３側からの
酸素及び水分の上記合金薄膜７への混入を防止している
。この窒化膜６及び外部より侵入する酸素・水分を防禦
する窒化膜８はともに窒化物であるが故に成膜時の分離
酸素が発生する虞れも無い。また本例では上記窒化膜６
．８及び反射膜９は磁気光学効果の特性向上をも促して
いる。
成される。上記窒化膜６は溝付紫外線樹脂層３側からの
酸素及び水分の上記合金薄膜７への混入を防止している
。この窒化膜６及び外部より侵入する酸素・水分を防禦
する窒化膜８はともに窒化物であるが故に成膜時の分離
酸素が発生する虞れも無い。また本例では上記窒化膜６
．８及び反射膜９は磁気光学効果の特性向上をも促して
いる。
以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構造の光磁気メ
モリ素子について示したが、本発明は第４図に示した合
金薄膜７の膜厚を厚くして反射膜９を除去した構造を有
する単層構造の光磁気メモリ素子、あるいはＴｅ、Ｔｅ
Ｓｅ、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ等を記録媒体とする追加記録型
の光メモリ素子においても適用可能である。また上記窒
化膜６，８としてＴｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４等を適用してもよ
い。
モリ素子について示したが、本発明は第４図に示した合
金薄膜７の膜厚を厚くして反射膜９を除去した構造を有
する単層構造の光磁気メモリ素子、あるいはＴｅ、Ｔｅ
Ｓｅ、ＴｅＯｘ、ＴｅＣ等を記録媒体とする追加記録型
の光メモリ素子においても適用可能である。また上記窒
化膜６，８としてＴｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４等を適用してもよ
い。
く効 果〉
本発明によれば、射出成形や２Ｐ法によってガイド溝を
形成した樹脂材を備えた光ンモリー子において、記録媒
体を酸素を含まない窒化膜にて挾持した構造とすること
で記録媒体の酸化による劣化を防き信頼性の高い光メモ
リ素子を得ることができるものである。
形成した樹脂材を備えた光ンモリー子において、記録媒
体を酸素を含まない窒化膜にて挾持した構造とすること
で記録媒体の酸化による劣化を防き信頼性の高い光メモ
リ素子を得ることができるものである。
第１図は従来のメモリ基板の一部斜視図、第２図及び第
３図は溝′付き、メモリ基板の製造過程を示す説明図、
第４図は本発明に係る光メモリ素子の一実施例の構成を
示す一部側面断面図を示す０図中、１ニスタンパ−２＝
樹脂基板 ３：紫外線硬化樹脂 ４：基板 ５ニガラスまたはアクリル基板 ６ ： ＡＩＮ膜 ７：合金薄膜 ８ ： ＡＩＮ膜 ９：反射膜
３図は溝′付き、メモリ基板の製造過程を示す説明図、
第４図は本発明に係る光メモリ素子の一実施例の構成を
示す一部側面断面図を示す０図中、１ニスタンパ−２＝
樹脂基板 ３：紫外線硬化樹脂 ４：基板 ５ニガラスまたはアクリル基板 ６ ： ＡＩＮ膜 ７：合金薄膜 ８ ： ＡＩＮ膜 ９：反射膜
Claims (1)
- １、 ガラス等の基板上にガイド溝を形成する樹脂材を
設け、該樹脂材上に窒化物で構成される２層の透明誘電
体膜間に光メモリ記憶媒体を挾持した構造体を形成した
ことを特徴とする光メモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58188793A JPS6080144A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 光メモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58188793A JPS6080144A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 光メモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080144A true JPS6080144A (ja) | 1985-05-08 |
| JPH0477974B2 JPH0477974B2 (ja) | 1992-12-09 |
Family
ID=16229892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58188793A Granted JPS6080144A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 光メモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080144A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163248A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Kyocera Corp | 磁気記録素子 |
| EP0192256A2 (en) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptical storage element |
| JPS6246449A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62184639A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPS62222450A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Hitachi Ltd | 記録媒体 |
| JPS62245549A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-26 | Sony Corp | 光学記録媒体 |
| JPS62285256A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS6383940A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスクの製造方法 |
| EP0329450A2 (en) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Victor Company Of Japan, Limited | Optical record medium having an improved reflection thin film |
| JPH01298544A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0291837A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH02134739A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH02226531A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-10 | Hitachi Ltd | 光デイスクの構造 |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58188793A patent/JPS6080144A/ja active Granted
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60163248A (ja) * | 1984-02-03 | 1985-08-26 | Kyocera Corp | 磁気記録素子 |
| EP0192256A2 (en) * | 1985-02-21 | 1986-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetooptical storage element |
| JPS6246449A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62184639A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPH0477378B2 (ja) * | 1986-03-25 | 1992-12-08 | Hitachi Ltd | |
| JPS62222450A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Hitachi Ltd | 記録媒体 |
| JPS62245549A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-26 | Sony Corp | 光学記録媒体 |
| JPS62285256A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS6383940A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスクの製造方法 |
| EP0329450A2 (en) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Victor Company Of Japan, Limited | Optical record medium having an improved reflection thin film |
| US5058098A (en) * | 1988-02-17 | 1991-10-15 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical record medium having an improved reflection thin film |
| JPH01298544A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH0291837A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH02134739A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH02226531A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-10 | Hitachi Ltd | 光デイスクの構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0477974B2 (ja) | 1992-12-09 |
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