JPS6383940A - 光磁気デイスクの製造方法 - Google Patents
光磁気デイスクの製造方法Info
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- JPS6383940A JPS6383940A JP23059986A JP23059986A JPS6383940A JP S6383940 A JPS6383940 A JP S6383940A JP 23059986 A JP23059986 A JP 23059986A JP 23059986 A JP23059986 A JP 23059986A JP S6383940 A JPS6383940 A JP S6383940A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光磁気ディスク製造後に行う初期化処理を不要とする方
法として、基板上に記録層を成膜する段階で、該基板に
垂直に磁場を加えながら行う処理方法。
法として、基板上に記録層を成膜する段階で、該基板に
垂直に磁場を加えながら行う処理方法。
本発明は初期化工程を不要とする光磁気ディスクの製造
方法に関する。
方法に関する。
光磁気ディスクは光ディスクと共にレーザ光を用いて高
密度の情報記録を行うメモリであり、記録容量が大きく
、非接触で記録と再生を行うことができ、また塵埃の影
客を受けないなど優れた特徴をもっている。
密度の情報記録を行うメモリであり、記録容量が大きく
、非接触で記録と再生を行うことができ、また塵埃の影
客を受けないなど優れた特徴をもっている。
すなわち、レーザ光はレンズによって直径が約1μmの
小さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って1
ビツトの情報記録に要する面積は1μm 2程度で足り
る。
小さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って1
ビツトの情報記録に要する面積は1μm 2程度で足り
る。
また、レンズで絞り込まれたレーザ光の焦点面までの距
離は1〜2龍とれるので、非接触化が可能であり、また
基板面では光ビームの径は約1龍となるので、たとえ基
板面に数10μm2の大きさの塵埃が存在していても記
録・再生に殆ど影言を与えずに済ませることができる。
離は1〜2龍とれるので、非接触化が可能であり、また
基板面では光ビームの径は約1龍となるので、たとえ基
板面に数10μm2の大きさの塵埃が存在していても記
録・再生に殆ど影言を与えずに済ませることができる。
ここで、光ディスクは記録媒体として低融点金属を用い
、情報の記録と再生を穴(ビット)の有無により行う読
み出し専用メモリ(Read 0nly Memory
)であるのに対し、光磁気ディスクは四き換え可能なメ
モリ (Erasable Memory)として開発
されているもので、記録媒体は垂直磁化した磁性膜から
なり、レーザ照射された磁性膜の温度上昇による磁化反
転が情報の記録と消去に用いられ、磁性膜からの反射光
あるいは透過光の偏光面の回転が磁化方向により異なる
のを利用して再生が行われている。
、情報の記録と再生を穴(ビット)の有無により行う読
み出し専用メモリ(Read 0nly Memory
)であるのに対し、光磁気ディスクは四き換え可能なメ
モリ (Erasable Memory)として開発
されているもので、記録媒体は垂直磁化した磁性膜から
なり、レーザ照射された磁性膜の温度上昇による磁化反
転が情報の記録と消去に用いられ、磁性膜からの反射光
あるいは透過光の偏光面の回転が磁化方向により異なる
のを利用して再生が行われている。
本発明は光磁気ディスクについて処理工程の改良に関す
るものである。
るものである。
光磁気ディスクは希土類−遷移金属系アモルファス合金
からなる垂直磁性膜を記録層とするものであって、これ
に3亥当する材料としてはテルビウム・鉄・コバルト(
Tb Fe Co)、ガドリニウム・コバルト(Gd
Co)、テルビウム・鉄(Tb Fe)、ガドリニウム
・テルビウム・鉄(Gd Tb Fe)などが知られて
いる。
からなる垂直磁性膜を記録層とするものであって、これ
に3亥当する材料としてはテルビウム・鉄・コバルト(
Tb Fe Co)、ガドリニウム・コバルト(Gd
Co)、テルビウム・鉄(Tb Fe)、ガドリニウム
・テルビウム・鉄(Gd Tb Fe)などが知られて
いる。
第2図はこの構造を示す部分断面図であって、ポリメチ
ルメタクリレート(略称PMl’lA)やポリカーボネ
ート(略称PC)などの樹脂を加熱溶融し、予め多数の
案内溝を形成しであるスタンパと呼ばれる金型を用いて
モールド成形し、厚さが1.2〜1.5龍のディスク状
の基板1が作られている。
ルメタクリレート(略称PMl’lA)やポリカーボネ
ート(略称PC)などの樹脂を加熱溶融し、予め多数の
案内溝を形成しであるスタンパと呼ばれる金型を用いて
モールド成形し、厚さが1.2〜1.5龍のディスク状
の基板1が作られている。
そして、この上に第1の保護層2.記録層3゜第2の保
護N4と層形成して光ディスクが作られている。
護N4と層形成して光ディスクが作られている。
ここで、第1の保護層2は基板1を通しての湿気の侵入
や基板の吸着ガス或いはモノマーなどの移行により記録
層3の酸化などによる劣化を防ぐもので、窒化珪素(S
iJ4)、窒化アルミ (AAN)などの薄膜が使われ
ている。
や基板の吸着ガス或いはモノマーなどの移行により記録
層3の酸化などによる劣化を防ぐもので、窒化珪素(S
iJ4)、窒化アルミ (AAN)などの薄膜が使われ
ている。
また、第2の保護層4は記録層3の上方からの酸化を防
ぐために設けられているもので、上記のような誘電体薄
膜或いは金属薄膜が使用されている。
ぐために設けられているもので、上記のような誘電体薄
膜或いは金属薄膜が使用されている。
また、基板1としてフォトエツチングにより案内溝を形
成したガラスを用いる場合もあるが、この場合は透湿や
吸着ガスによる劣化が少ないので、第1の保護N2の形
成は省略されている。
成したガラスを用いる場合もあるが、この場合は透湿や
吸着ガスによる劣化が少ないので、第1の保護N2の形
成は省略されている。
このように光磁気ディスクは基板1の上に記録層3が耐
酸化構造をとって形成されている。
酸化構造をとって形成されている。
そして、かかる光磁気ディスクへの情報の記録は垂直に
磁場を加えている状態で、基板1を通してレンズで集光
したレーザ光を記録層3に照射し、被照射部の温度が上
昇してキュリー温度の近傍にまで達し、垂直磁化膜の磁
化の方向が磁場の方向に反転するのを利用して行われて
いる。
磁場を加えている状態で、基板1を通してレンズで集光
したレーザ光を記録層3に照射し、被照射部の温度が上
昇してキュリー温度の近傍にまで達し、垂直磁化膜の磁
化の方向が磁場の方向に反転するのを利用して行われて
いる。
また、情報の消去は記録位置の磁化の方向と逆の方向に
磁場を加えなからレーザ光を照射して加熱し、元どおり
の方向に磁化を反転させることにより行われている。
磁場を加えなからレーザ光を照射して加熱し、元どおり
の方向に磁化を反転させることにより行われている。
然し、このように情報の記録と消去を行うには記録層の
磁化の方向が基板に対し直角に配向していることが必要
で、従来は光磁気ディスク製造の最終段階で一方向に磁
場を加えな力^・−ザ光を照射し案内溝の記録層を磁場
の方向に揃える初期化処理が行われている。
磁化の方向が基板に対し直角に配向していることが必要
で、従来は光磁気ディスク製造の最終段階で一方向に磁
場を加えな力^・−ザ光を照射し案内溝の記録層を磁場
の方向に揃える初期化処理が行われている。
然し、初期化にはかなりの°時間を必要とし、この筒略
化が望まれている。
化が望まれている。
例えば径12インチ光磁気ディスクの初期化にはディス
クの回転を3600rpmで行っても約20分を必要と
していた。
クの回転を3600rpmで行っても約20分を必要と
していた。
以上記したように従来の光磁気ディスクの製造において
は記録層の初期化処理が必要で、この処理にかなりの工
数を要する点が問題である。
は記録層の初期化処理が必要で、この処理にかなりの工
数を要する点が問題である。
上記の問題は記録層を成膜する際に、基板へ垂直に磁場
を加える初期化処理を行うことにより解決することがで
きる。
を加える初期化処理を行うことにより解決することがで
きる。
本発明は光磁気ディスク製造の最終工程で初期化処理を
行い、案内溝の記録層の磁化の方向を消去方向に配向さ
せていたのに対し、記録層の製造を磁場を加えて行うこ
とにより初期化処理を不要とするものである。
行い、案内溝の記録層の磁化の方向を消去方向に配向さ
せていたのに対し、記録層の製造を磁場を加えて行うこ
とにより初期化処理を不要とするものである。
第1図は本発明の詳細な説明する断面図であって、記録
層3を膜形成する基板1をヘルムホルツコイル5,5′
の中に誼き、磁場を加えながら真空蒸着する実施例を示
している。
層3を膜形成する基板1をヘルムホルツコイル5,5′
の中に誼き、磁場を加えながら真空蒸着する実施例を示
している。
すなわち、基板1は保持板6に固定してモータ7によっ
て回転するようにし、複数の蒸発源8゜8′を用いてフ
壬り磁性体からなる記録媒体を蒸着させる。
て回転するようにし、複数の蒸発源8゜8′を用いてフ
壬り磁性体からなる記録媒体を蒸着させる。
この実施例の場合、厚さ1.2 s*のPMMAからな
る基板1の上に硫化亜鉛(ZnS)からなる厚さ100
nmの第1の保護層2を形成した後、保持板6に固定
し、モータ7により低速回転させた。
る基板1の上に硫化亜鉛(ZnS)からなる厚さ100
nmの第1の保護層2を形成した後、保持板6に固定
し、モータ7により低速回転させた。
次に二元蒸着源8,8′にTbとFe Coとをそれぞ
れ充填し、チャンバ内をI Xl0−’Paに真空排気
した。
れ充填し、チャンバ内をI Xl0−’Paに真空排気
した。
次に、ヘルムホルツコイル5.5′としては線径1mm
で、直径30cm、 500ターンに構成し、これに4
Aの電流を通じて中央で約1200eの磁界を −
作った。 そして、か\る磁界の許でTbを2.2人/
S またFe Co合金を2.0人/Sの速度で共蒸若
して100 nmの記録層3を形成した。
で、直径30cm、 500ターンに構成し、これに4
Aの電流を通じて中央で約1200eの磁界を −
作った。 そして、か\る磁界の許でTbを2.2人/
S またFe Co合金を2.0人/Sの速度で共蒸若
して100 nmの記録層3を形成した。
次に、従来と同様な方法で100 nmの厚さに第2の
保護層4を形成して光磁気ディスクができ上がった。
保護層4を形成して光磁気ディスクができ上がった。
表は本発明の詳細な説明するもので、スペクトルアナラ
イザを用い、0.5M1lzの信号についてハンド幅3
0Kllzでノイズレヘルを比較したものである。
イザを用い、0.5M1lzの信号についてハンド幅3
0Kllzでノイズレヘルを比較したものである。
表
このように磁場中で形成した記録層は完成、後に初期化
した場合と同様に消去方向に配向していることが判る。
した場合と同様に消去方向に配向していることが判る。
以上記したように本発明の実施により初期化工程を省略
することができ、これにより工程の短縮が可能となる。
することができ、これにより工程の短縮が可能となる。
第1図は本発明の実施法を説明する断面図、第2図は光
磁気ディスクの構成を示す部分断面図、 である。 図において、 1は基板、 2は第1の保護層、3は記
録層、 4は第2の保護層、5.5′はへ
ルムホルッコイル、 8.8′は蒸発源、 である。。
磁気ディスクの構成を示す部分断面図、 である。 図において、 1は基板、 2は第1の保護層、3は記
録層、 4は第2の保護層、5.5′はへ
ルムホルッコイル、 8.8′は蒸発源、 である。。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 案内溝を備えた透明基板上に第1の保護層、希土類−遷
移金属系アモルファス磁性体よりなる記録層および第2
の保護層と順次層形成してなる光磁気ディスクにおいて
、 前記記録層を成膜する際に、前記基板へ垂直に磁場を加
えながら行うことを特徴とする光磁気ディスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23059986A JPS6383940A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23059986A JPS6383940A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6383940A true JPS6383940A (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=16910268
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23059986A Pending JPS6383940A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6383940A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57177517A (en) * | 1981-04-24 | 1982-11-01 | Canon Inc | Manufacture of perpendicular magnetic thin film |
JPS6080144A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP23059986A patent/JPS6383940A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57177517A (en) * | 1981-04-24 | 1982-11-01 | Canon Inc | Manufacture of perpendicular magnetic thin film |
JPS6080144A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
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