JP2830385B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板上に希土類−遷移金属合金膜（以下、
RE−TM膜と称する。）を記録層として積層する光磁気記
録媒体の製造方法に関し、特に小さい外部磁界下におい
ても良好な磁界変調記録が可能な光磁気記録媒体を製造
する方法に関する。
RE−TM膜と称する。）を記録層として積層する光磁気記
録媒体の製造方法に関し、特に小さい外部磁界下におい
ても良好な磁界変調記録が可能な光磁気記録媒体を製造
する方法に関する。
本発明は、基板上にRE−TM膜を記録層として積層する
光磁気記録媒体の製造方法において、前記RE−TM膜の表
面に希土類金属層を成膜した後、基板を30分以上保持す
るか、３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧を有する雰
囲気中、或いは３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧及
び１×10-7〜１×10-4Torrなる水蒸気分圧を有する雰囲
気中に基板を保持することにより、小さい外部磁界下に
おいても良好な記録再生特性を発揮する光磁気記録媒体
の製造を可能とするものである。
光磁気記録媒体の製造方法において、前記RE−TM膜の表
面に希土類金属層を成膜した後、基板を30分以上保持す
るか、３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧を有する雰
囲気中、或いは３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧及
び１×10-7〜１×10-4Torrなる水蒸気分圧を有する雰囲
気中に基板を保持することにより、小さい外部磁界下に
おいても良好な記録再生特性を発揮する光磁気記録媒体
の製造を可能とするものである。
近年、書換え可能な高密度記録方式として、半導体レ
ーザー光等の熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書
き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いてこの情報
を読み出す光磁気記録方式が注目されている。
ーザー光等の熱エネルギーを用いて磁性薄膜に磁区を書
き込んで情報を記録し、磁気光学効果を用いてこの情報
を読み出す光磁気記録方式が注目されている。
この光磁気記録方式に使用される記録材料としては、
Gd,Tb,Dy等の希土類元素とFe,Co等の遷移元素とを組み
合わせた非晶質合金膜，すなわちRE−TM膜が代表的なも
のである。RE−TM膜は、フェリ磁性であるために、キ
ュリー点よりかなり低い温度領域でも磁化が小さく，ま
た垂直磁気異方性エネルギーが大きいので高密度記録に
必要な垂直磁化膜となり易い、非晶質であるため媒体
ノイズが小さい、カー回転角が比較的大きい、キュ
リー点が低く（150〜200℃），記録・消去パワーを市販
の半導体レーザー（20〜40mW）で実現できる等の数々の
利点を有している。特に、希土類元素としてTbを含むTb
FeCo膜,GdTbFe膜等は垂直磁気異方性が大きく、実用化
に向けて研究が進められているものである。
Gd,Tb,Dy等の希土類元素とFe,Co等の遷移元素とを組み
合わせた非晶質合金膜，すなわちRE−TM膜が代表的なも
のである。RE−TM膜は、フェリ磁性であるために、キ
ュリー点よりかなり低い温度領域でも磁化が小さく，ま
た垂直磁気異方性エネルギーが大きいので高密度記録に
必要な垂直磁化膜となり易い、非晶質であるため媒体
ノイズが小さい、カー回転角が比較的大きい、キュ
リー点が低く（150〜200℃），記録・消去パワーを市販
の半導体レーザー（20〜40mW）で実現できる等の数々の
利点を有している。特に、希土類元素としてTbを含むTb
FeCo膜,GdTbFe膜等は垂直磁気異方性が大きく、実用化
に向けて研究が進められているものである。
ところで、光磁気記録媒体の記録方式には、常に直流
外部磁界を印加し，信号の有向に応じてレーザー光を照
射する光変調方式と、常に一定強度のレーザー光を照射
し、信号に応じて外部磁界を反転させる磁界変調方式が
ある。光変調方式については、装置構成が比較的簡単で
済むため早くかつ研究が行われてきた。しかし、既に記
録された部分に再記録を行う場合にオーバライトが不可
能であり、磁化の向きを一定方向に揃えるための消去動
作が必要となる分だけ書き込み速度が遅くなるという欠
点を有している。一方の磁界変調方式は、装置構成はや
や複雑となるものの、オーバライトが可能でコンピュー
タ用ハードディスクに匹敵する高速記録が可能となり、
実用上の期待も大きい。
外部磁界を印加し，信号の有向に応じてレーザー光を照
射する光変調方式と、常に一定強度のレーザー光を照射
し、信号に応じて外部磁界を反転させる磁界変調方式が
ある。光変調方式については、装置構成が比較的簡単で
済むため早くかつ研究が行われてきた。しかし、既に記
録された部分に再記録を行う場合にオーバライトが不可
能であり、磁化の向きを一定方向に揃えるための消去動
作が必要となる分だけ書き込み速度が遅くなるという欠
点を有している。一方の磁界変調方式は、装置構成はや
や複雑となるものの、オーバライトが可能でコンピュー
タ用ハードディスクに匹敵する高速記録が可能となり、
実用上の期待も大きい。
ところが、従来主として光変調方式用に開発されてき
た光磁気記録媒体に磁界変調方式をそのまま適用しよう
としても、弱い外部磁界下における記録再生特性が不十
分であり実用に耐えない。そもそも磁界変調方式の場
合、磁気記録と比較して磁界を小さく絞り込む必要がな
いために媒体表面とヘッドの間のスペーシングは磁気記
録と比べて１桁以上も大きく確保することができるが、
その分、有効記録磁界は弱くなる。さらに、高記録密度
化を目指して高周波変調を行おうとする場合には、発生
磁界の強さは一層弱くなる。このような弱い磁界中で十
分な記録再生特性を得るためには、光磁気記録媒体がよ
り磁化の反転を起こし易いものに改良されることが必須
である。
た光磁気記録媒体に磁界変調方式をそのまま適用しよう
としても、弱い外部磁界下における記録再生特性が不十
分であり実用に耐えない。そもそも磁界変調方式の場
合、磁気記録と比較して磁界を小さく絞り込む必要がな
いために媒体表面とヘッドの間のスペーシングは磁気記
録と比べて１桁以上も大きく確保することができるが、
その分、有効記録磁界は弱くなる。さらに、高記録密度
化を目指して高周波変調を行おうとする場合には、発生
磁界の強さは一層弱くなる。このような弱い磁界中で十
分な記録再生特性を得るためには、光磁気記録媒体がよ
り磁化の反転を起こし易いものに改良されることが必須
である。
そこで本発明は、上述の問題点を解決し、弱い外部磁
界下においても良好な磁界変調記録が可能な光磁気記録
媒体の製造方法の提供を目的とする。
界下においても良好な磁界変調記録が可能な光磁気記録
媒体の製造方法の提供を目的とする。
本発明にかかる光磁気記録媒体の製造方法は、上述の
目的を達成するために提案されるものである。
目的を達成するために提案されるものである。
すなわち本発明の第１の発明にかかる光磁気記録媒体
の製造方法は、基板上にRE−TM膜を積層する光磁気記録
媒体の製造方法であって、前記RE−TM膜の表面に希土類
金属層を成膜した後、基板を30分以上保持することを特
徴とするものである。
の製造方法は、基板上にRE−TM膜を積層する光磁気記録
媒体の製造方法であって、前記RE−TM膜の表面に希土類
金属層を成膜した後、基板を30分以上保持することを特
徴とするものである。
また、本発明の第２の発明にかかる光磁気記録媒体の
製造方法は、前記RE−TM膜の表面に希土類金属層を成膜
した後、３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧を有する
雰囲気中に基板を保持することを特徴とするものであ
る。
製造方法は、前記RE−TM膜の表面に希土類金属層を成膜
した後、３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧を有する
雰囲気中に基板を保持することを特徴とするものであ
る。
さらに、本発明の第３の発明にかかる光磁気記録媒体
の製造方法は、前記RE−TM膜の表面に希土類金属層を成
膜した後、３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧及び１
×10-7〜１×10-4Torrなる水蒸気分圧を有する雰囲気中
に基板を保持することを特徴とする。
の製造方法は、前記RE−TM膜の表面に希土類金属層を成
膜した後、３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧及び１
×10-7〜１×10-4Torrなる水蒸気分圧を有する雰囲気中
に基板を保持することを特徴とする。
光磁気記録媒体を構成するRE−TM膜および希土類金属
層は、スパッタリング，分子線エピタキシー，真空蒸着
等の真空薄膜形成技術により基板上に成膜することがで
きる。
層は、スパッタリング，分子線エピタキシー，真空蒸着
等の真空薄膜形成技術により基板上に成膜することがで
きる。
また、基板の材料としては、ガラス，ポリカーボネー
ト,PMMA（ポリメチルメタクリレート），セラミクス，
シリコンウェハ等が使用可能である。ここで、特に基板
としてポリカーボネート基板を使用する場合には、３×
10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧を有する雰囲気中に基
板を保持することが好ましい。即ち、本発明の第２の発
明にかかる光磁気記録媒体の製造方法を適用することが
好ましい。同様に、基板としてガラス2p（ガラス基板上
に光重合法によりグループやビット等の凹凸を有する光
硬化樹脂層が形成された基板）を使用する場合には、３
×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧及び１×10-7〜１×
10-4Torrなる水蒸気分圧を有する雰囲気中に基板を保持
することが好ましい。即ち、本発明の第３の発明にかか
る光磁気記録媒体の製造方法を適用することが好まし
い。
ト,PMMA（ポリメチルメタクリレート），セラミクス，
シリコンウェハ等が使用可能である。ここで、特に基板
としてポリカーボネート基板を使用する場合には、３×
10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧を有する雰囲気中に基
板を保持することが好ましい。即ち、本発明の第２の発
明にかかる光磁気記録媒体の製造方法を適用することが
好ましい。同様に、基板としてガラス2p（ガラス基板上
に光重合法によりグループやビット等の凹凸を有する光
硬化樹脂層が形成された基板）を使用する場合には、３
×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧及び１×10-7〜１×
10-4Torrなる水蒸気分圧を有する雰囲気中に基板を保持
することが好ましい。即ち、本発明の第３の発明にかか
る光磁気記録媒体の製造方法を適用することが好まし
い。
一方、上記RE−TM膜は、光磁気記録媒体における記録
層として機能する膜である。
層として機能する膜である。
この膜を例えばスパッタリングにより成膜する方法と
しては、希土類金属ターゲットと遷移金属ターゲットを
使用した二元同時スパッタリングを行う方法が便利であ
る。
しては、希土類金属ターゲットと遷移金属ターゲットを
使用した二元同時スパッタリングを行う方法が便利であ
る。
この二元同時スパッタリングの他にも、希土類金属と
遷移金属の２元系合金をターゲットとして用いたスパッ
タリングを行っても良い。この場合、単に静止対向型の
スパッタリング装置としてもよいが、生産性等を考慮す
ると、所謂通過型のスパッタリング装置とすることが好
ましい。通過型のスパッタリング装置は、各成膜工程を
行うスパッタ室を連続的に配置し、これらスパッタ室を
順次通過させることによって基板上に各膜を成膜するも
のである。例えば、第１のSi3N4膜を成膜する第１のス
パッタ室,RE−TM膜を成膜する第２のスパッタ室，希土
類金属層を成膜する第３のスパッタ室，第２のSi3N4膜
を成膜する第４のスパッタ室を順次配置すれば、基板上
には４層構造の記録層が形成される。そして、前記第３
のスパッタ室と第４のスパッタ室の間に前記酸素分圧を
有する処理室，或いは前記酸素分圧及び水蒸気分圧を有
する処理室を設ければ、基板に対する処理を一連の工程
の中で行うことが可能となる。或いは、生産性を考えた
場合には、回転型のスパッタリング装置も有利である。
この回転型のスパッタリング装置は、多角柱形状を有す
る基板ホルダーの各側面に基板を取り付け、該基板ホル
ダーを回転し、各側面の基板に順次成膜するというもの
である。従って、例えば基板ホルダーが六角柱であれ
ば、６枚の基板を一度に処理できることになり、処理が
済んだ基板は、そのまま前述の雰囲気中に保持すること
も可能となる。
遷移金属の２元系合金をターゲットとして用いたスパッ
タリングを行っても良い。この場合、単に静止対向型の
スパッタリング装置としてもよいが、生産性等を考慮す
ると、所謂通過型のスパッタリング装置とすることが好
ましい。通過型のスパッタリング装置は、各成膜工程を
行うスパッタ室を連続的に配置し、これらスパッタ室を
順次通過させることによって基板上に各膜を成膜するも
のである。例えば、第１のSi3N4膜を成膜する第１のス
パッタ室,RE−TM膜を成膜する第２のスパッタ室，希土
類金属層を成膜する第３のスパッタ室，第２のSi3N4膜
を成膜する第４のスパッタ室を順次配置すれば、基板上
には４層構造の記録層が形成される。そして、前記第３
のスパッタ室と第４のスパッタ室の間に前記酸素分圧を
有する処理室，或いは前記酸素分圧及び水蒸気分圧を有
する処理室を設ければ、基板に対する処理を一連の工程
の中で行うことが可能となる。或いは、生産性を考えた
場合には、回転型のスパッタリング装置も有利である。
この回転型のスパッタリング装置は、多角柱形状を有す
る基板ホルダーの各側面に基板を取り付け、該基板ホル
ダーを回転し、各側面の基板に順次成膜するというもの
である。従って、例えば基板ホルダーが六角柱であれ
ば、６枚の基板を一度に処理できることになり、処理が
済んだ基板は、そのまま前述の雰囲気中に保持すること
も可能となる。
また、このRE−TM膜の膜厚は、実用的な磁気光学特性
を達成する観点から、100〜1000Å程度に選ぶことが望
ましい。
を達成する観点から、100〜1000Å程度に選ぶことが望
ましい。
上記希土類金属層の膜厚は製造される光磁気記録媒体
の記録再生特性に影響を与え、１Åよりも小さい場合に
は低外部磁界下における記録・再生が困難となり、30Å
より大きい場合にはノイズが増大し易くなる。従って、
該希土類金属層の膜厚は１〜30Å程度に選ぶことが望ま
しい。
の記録再生特性に影響を与え、１Åよりも小さい場合に
は低外部磁界下における記録・再生が困難となり、30Å
より大きい場合にはノイズが増大し易くなる。従って、
該希土類金属層の膜厚は１〜30Å程度に選ぶことが望ま
しい。
本発明の製造方法は、これらRE−TM膜および希土類金
属層を形成した後、基板を30分以上保持するか、３×10
-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧を有する雰囲気中に基板
を保持するか、もしくは３×10-6〜１×10-1Torrなる酸
素分圧及び１×10-7〜１×10-4Torrなる水蒸気分圧を有
する雰囲気中に基板を保持することを最大の特徴として
いる。
属層を形成した後、基板を30分以上保持するか、３×10
-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧を有する雰囲気中に基板
を保持するか、もしくは３×10-6〜１×10-1Torrなる酸
素分圧及び１×10-7〜１×10-4Torrなる水蒸気分圧を有
する雰囲気中に基板を保持することを最大の特徴として
いる。
希土類金属層を成膜した後に30分以上保持する場合に
は、該雰囲気の圧力を５×10-2Torr以下としておくこと
が特に好ましい。たとえば成膜をスパッタリングにより
行った場合には、スパッタリング雰囲気中にそのまま保
持しておけば良い。
は、該雰囲気の圧力を５×10-2Torr以下としておくこと
が特に好ましい。たとえば成膜をスパッタリングにより
行った場合には、スパッタリング雰囲気中にそのまま保
持しておけば良い。
また、酸素分圧を有する雰囲気中に保持する場合に
は、酸素分圧は３×10-6〜１×10-1Torrとされ、より好
ましくは、１×10-5〜１×10-3Torrとされる。なお、成
膜時の雰囲気が当初から上述の酸素分圧に設定されてい
れば問題はないが、そうでない場合には外部から酸素を
適宜導入して上述の酸素分圧を達成しても良い。また、
保持時間は任意であるが、酸素分圧を一定とした場合
に、CN比が最大となる最適保持時間があること、更に、
最適保持時間は酸素分圧が大きいほど短くなる蛍光にあ
ることから、酸素分圧に応じて保持時間を設定すること
が好ましい。例えば、酸素分圧を９×10-5Torrとした場
合には、保持時間は３〜５分であり、酸素分圧を1.8×1
0-4Torrとした場合には、保持時間は1.5〜２分である。
いずれの場合でも、10分以下と短く設定することが特に
好ましい。これは、保持時間が10分を越えると、CN比の
劣化が見られる（外部磁界の強さを±75Oeとした場合）
という実験結果にもとづくものである。
は、酸素分圧は３×10-6〜１×10-1Torrとされ、より好
ましくは、１×10-5〜１×10-3Torrとされる。なお、成
膜時の雰囲気が当初から上述の酸素分圧に設定されてい
れば問題はないが、そうでない場合には外部から酸素を
適宜導入して上述の酸素分圧を達成しても良い。また、
保持時間は任意であるが、酸素分圧を一定とした場合
に、CN比が最大となる最適保持時間があること、更に、
最適保持時間は酸素分圧が大きいほど短くなる蛍光にあ
ることから、酸素分圧に応じて保持時間を設定すること
が好ましい。例えば、酸素分圧を９×10-5Torrとした場
合には、保持時間は３〜５分であり、酸素分圧を1.8×1
0-4Torrとした場合には、保持時間は1.5〜２分である。
いずれの場合でも、10分以下と短く設定することが特に
好ましい。これは、保持時間が10分を越えると、CN比の
劣化が見られる（外部磁界の強さを±75Oeとした場合）
という実験結果にもとづくものである。
また、３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧及び１×
10-7〜１×10-4Torrなる水蒸気分圧を有する雰囲気中に
基板を保持する場合、成膜時の雰囲気が当初から上述の
水蒸気分圧に設定されていれば問題はないが、そうでな
い場合には外部から水蒸気を適宜導入して上述の水蒸気
分圧を達成しても良い。
10-7〜１×10-4Torrなる水蒸気分圧を有する雰囲気中に
基板を保持する場合、成膜時の雰囲気が当初から上述の
水蒸気分圧に設定されていれば問題はないが、そうでな
い場合には外部から水蒸気を適宜導入して上述の水蒸気
分圧を達成しても良い。
本発明の光磁気記録媒体の製造方法においては、上記
RE−TM膜および希土類金属層の成膜工程に引き続き、さ
らに誘電体膜および反射膜の成膜工程を実施することと
する。これらの膜は、通常はいずれも同一装置内で行わ
れる一連の工程により成膜されるが、上述のような基板
の保持が特に希土類金属層の成膜工程と誘電体膜の成膜
工程の間で行われることによって、記録時の必要外部磁
界の低減が可能となるからである。
RE−TM膜および希土類金属層の成膜工程に引き続き、さ
らに誘電体膜および反射膜の成膜工程を実施することと
する。これらの膜は、通常はいずれも同一装置内で行わ
れる一連の工程により成膜されるが、上述のような基板
の保持が特に希土類金属層の成膜工程と誘電体膜の成膜
工程の間で行われることによって、記録時の必要外部磁
界の低減が可能となるからである。
上記誘電体膜は、耐蝕性の向上や多重反射によるカー
回転角の増大（カー効果エンハンスメント）を目的とし
て設けられるものであり、酸化物，窒化物，オキシナイ
トライド等の材料を真空薄膜形成技術により100〜2000
Åの膜厚に成膜することにより得られる。この誘電体膜
は、基板とRE−TM膜の間に介在させても、RE−TM膜の上
に積層しても、あるいはその両方であっても良い。
回転角の増大（カー効果エンハンスメント）を目的とし
て設けられるものであり、酸化物，窒化物，オキシナイ
トライド等の材料を真空薄膜形成技術により100〜2000
Åの膜厚に成膜することにより得られる。この誘電体膜
は、基板とRE−TM膜の間に介在させても、RE−TM膜の上
に積層しても、あるいはその両方であっても良い。
上記反射膜は、RE−TM膜を透過したレーザー光をも反
射させることによりカー効果にファラデー効果を相乗さ
せ、回転角を拡大するために設けられるものである。通
常、Al,Au,Pt,Cu等の金属材料を真空薄膜形成技術にて
成膜することにより得られる。
射させることによりカー効果にファラデー効果を相乗さ
せ、回転角を拡大するために設けられるものである。通
常、Al,Au,Pt,Cu等の金属材料を真空薄膜形成技術にて
成膜することにより得られる。
本発明の製造方法では、これら真空薄膜形成技術によ
る種々の成膜工程が終了した後に、さらに紫外線硬化樹
脂の塗布等による保護膜の形成を行っても良い。
る種々の成膜工程が終了した後に、さらに紫外線硬化樹
脂の塗布等による保護膜の形成を行っても良い。
本発明の光磁気記録媒体の製造方法によれば、基板上
に希土類−遷移金属合金膜および希土類金属層を順次成
膜した後、基板を30分以上放置するか、３×10-6〜１×
10-1Torrなる酸素分圧を有する雰囲気中に短時間保持す
るか、もしくは３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧及
び１×10-7〜１×10-4Torrなる水蒸気分圧を有する雰囲
気中に保持する。いずれの場合にも希土類金属層の成膜
が終了した段階で基板が微量の酸素が存在する雰囲気中
に所定の時間だけ保持されることにより、小さい外部磁
界下においても良好な記録再生特性を発揮する光磁気記
録媒体の製造が可能となる。
に希土類−遷移金属合金膜および希土類金属層を順次成
膜した後、基板を30分以上放置するか、３×10-6〜１×
10-1Torrなる酸素分圧を有する雰囲気中に短時間保持す
るか、もしくは３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧及
び１×10-7〜１×10-4Torrなる水蒸気分圧を有する雰囲
気中に保持する。いずれの場合にも希土類金属層の成膜
が終了した段階で基板が微量の酸素が存在する雰囲気中
に所定の時間だけ保持されることにより、小さい外部磁
界下においても良好な記録再生特性を発揮する光磁気記
録媒体の製造が可能となる。
以下、本発明の好適な実施例について実験結果にもと
づき説明する。
づき説明する。
実施例１ 本実施例は、基板上に誘電体膜、RE−TM膜、および希
土類金属層をスパッタリングにより順次積層した後、３
時間保持した例である。
土類金属層をスパッタリングにより順次積層した後、３
時間保持した例である。
まず、本実施例において作成された光磁気記録媒体の
概略的な構成を第１図に示す。この光磁気記録媒体は、
記録・再生が基板側から行われることを前提としてお
り、基板（１）上にSi3N4からなる第１の誘電体膜（2
a）、RE−TM膜として機能するTbFeCo膜（３）、希土類
金属層として機能するTb層（４）、Si3N4からなる第２
の誘電体膜（2b）、Al反射膜（５）、保護膜（６）がこ
の順序にて積層されたものである。
概略的な構成を第１図に示す。この光磁気記録媒体は、
記録・再生が基板側から行われることを前提としてお
り、基板（１）上にSi3N4からなる第１の誘電体膜（2
a）、RE−TM膜として機能するTbFeCo膜（３）、希土類
金属層として機能するTb層（４）、Si3N4からなる第２
の誘電体膜（2b）、Al反射膜（５）、保護膜（６）がこ
の順序にて積層されたものである。
かかる光磁気記録媒体は、以下のようにして作成し
た。
た。
まず、上記第１の誘電体膜（2a）、TbFeCo膜（３）、
Tb層（４）、第２の誘電体膜（2b）、反射膜（５）を連
続工程により成膜するため、４元スパッタリング装置の
チャンバー内にSi、Tb、FeCo合金、Alの各ターゲットを
載置した。この装置によれば、各ターゲットに対応して
設けられたシャッターを開閉することにより、所望の膜
を成膜することができる。基板装着後、チャンバー内を
排気し、バックグラウンド真空度を1.0×10-6Torrとし
た。
Tb層（４）、第２の誘電体膜（2b）、反射膜（５）を連
続工程により成膜するため、４元スパッタリング装置の
チャンバー内にSi、Tb、FeCo合金、Alの各ターゲットを
載置した。この装置によれば、各ターゲットに対応して
設けられたシャッターを開閉することにより、所望の膜
を成膜することができる。基板装着後、チャンバー内を
排気し、バックグラウンド真空度を1.0×10-6Torrとし
た。
次に、１％の窒素ガスを含有するアルゴンガス雰囲気
中でガス圧３×10-3TorrにてSiターゲットを使用して高
周波反応性スパッタリングを行い、所定の膜厚の第１の
誘電体膜（2a）を成膜した。
中でガス圧３×10-3TorrにてSiターゲットを使用して高
周波反応性スパッタリングを行い、所定の膜厚の第１の
誘電体膜（2a）を成膜した。
次に、TbターゲットとFeCo合金ターゲットを使用して
直流同時二元スパッタリングを行い、所定の膜厚のTbFe
Co膜（３）を成膜した。
直流同時二元スパッタリングを行い、所定の膜厚のTbFe
Co膜（３）を成膜した。
続いて、FeCo合金ターゲットに対応するシャッターを
閉じ、Tbターゲットのみを使用して直流スパッタリング
を行い、膜厚５ÅのTb層（４）を成膜した。
閉じ、Tbターゲットのみを使用して直流スパッタリング
を行い、膜厚５ÅのTb層（４）を成膜した。
以上、第１の誘電体膜（2b）、TbFeCo膜（３）、Tb層
（４）の成膜終了後、上述の真空度に保ったままアルゴ
ンガス圧を1.5×10-3Torrとして基板をチャンバー内で
３時間保持した。
（４）の成膜終了後、上述の真空度に保ったままアルゴ
ンガス圧を1.5×10-3Torrとして基板をチャンバー内で
３時間保持した。
次に、再びSiターゲットを使用して高周波反応性スパ
ッタリングを行い、所定の膜厚の第２の誘電体膜（2b）
を成膜し、さらにAlターゲットを使用して直流スパッタ
リングにより、所定の膜厚のAl反射膜（５）を成膜し
た。
ッタリングを行い、所定の膜厚の第２の誘電体膜（2b）
を成膜し、さらにAlターゲットを使用して直流スパッタ
リングにより、所定の膜厚のAl反射膜（５）を成膜し
た。
最後に、上記Al反射膜（５）の表面に紫外線硬化樹脂
を塗布することにより保護膜（６）を形成し、光磁気記
録媒体を完成した。
を塗布することにより保護膜（６）を形成し、光磁気記
録媒体を完成した。
実施例２ 本実施例は、基板上に誘電体膜、RE−TM膜、および希
土類金属層をスパッタリングにより順次積層した後、所
定の酸素分圧下に５分間保持した例である。
土類金属層をスパッタリングにより順次積層した後、所
定の酸素分圧下に５分間保持した例である。
本実施例において作成した光磁気記録媒体の構成は実
施例１と同様であり、製造方法もほぼ実施例１の記載に
準じた。ただし、第１の誘電体膜（2b）、TbFeCo膜
（３）、Tb層（４）の成膜が終了した後、３×10-5Torr
の酸素分圧下で基板を５分間保持した。
施例１と同様であり、製造方法もほぼ実施例１の記載に
準じた。ただし、第１の誘電体膜（2b）、TbFeCo膜
（３）、Tb層（４）の成膜が終了した後、３×10-5Torr
の酸素分圧下で基板を５分間保持した。
比較例１ ここでは比較のために、第１の誘電体膜（2b）、TbFe
Co膜（３）の成膜が終了した後、ただちに連続工程によ
り第２の誘電体膜（2b）、Al反射膜（５）を成膜し、Tb
層（４）を除いて実施例と同じ構成の光磁気記録媒体を
作成した。
Co膜（３）の成膜が終了した後、ただちに連続工程によ
り第２の誘電体膜（2b）、Al反射膜（５）を成膜し、Tb
層（４）を除いて実施例と同じ構成の光磁気記録媒体を
作成した。
以上の実施例1,実施例２および比較例１において作成
された各光磁気記録媒体について、磁界変調方式による
記録再生試験を行った。即ち、外部磁界の強さを±50〜
250Oeの範囲で６通りに変化させ、これら各条件下にお
いて線速度1.4m/秒，周波数750kHz,半導体レーザーパワ
ー4.5mWにて記録を行った後、半導体レーザーパワーを
0.6mWとして再生を行った。その再生波形の全周波数帯
域について10kHzの解像帯域で周波数スペクトラム分析
を行い、CN比を求めた。結果を第１表に示す。
された各光磁気記録媒体について、磁界変調方式による
記録再生試験を行った。即ち、外部磁界の強さを±50〜
250Oeの範囲で６通りに変化させ、これら各条件下にお
いて線速度1.4m/秒，周波数750kHz,半導体レーザーパワ
ー4.5mWにて記録を行った後、半導体レーザーパワーを
0.6mWとして再生を行った。その再生波形の全周波数帯
域について10kHzの解像帯域で周波数スペクトラム分析
を行い、CN比を求めた。結果を第１表に示す。
高品位のデジタル記録再生を行うために必要なCN比を
一般に45dB以上と考えて第１表をみると、比較例ではこ
の値を達成するのに±150Oeの強さの外部磁界を要する
のに対し、実施例１及び実施例２ではいずれも±75Oeで
十分であることがわかる。つまり、各実施例では比較例
に比べて必要外部磁界が半減できたことが明らかであ
る。
一般に45dB以上と考えて第１表をみると、比較例ではこ
の値を達成するのに±150Oeの強さの外部磁界を要する
のに対し、実施例１及び実施例２ではいずれも±75Oeで
十分であることがわかる。つまり、各実施例では比較例
に比べて必要外部磁界が半減できたことが明らかであ
る。
実施例３〜５ 実施例３〜５は、ガラス2p基板を用い、該基板上に誘
電体膜、RE−TM膜、および希土類金属層をスパッタリン
グにより順次積層した後、所定の酸素分圧及び水蒸気分
圧をそれぞれ有する雰囲気中にて３分間保持した例であ
る。
電体膜、RE−TM膜、および希土類金属層をスパッタリン
グにより順次積層した後、所定の酸素分圧及び水蒸気分
圧をそれぞれ有する雰囲気中にて３分間保持した例であ
る。
実施例３〜５において作成した光磁気記録媒体の構成
は実施例１と同様であり、製造方法もほぼ実施例１の記
載に準じた。但し、第１の誘電体膜（2b）、TbFeCo膜
（３）、Tb層（４）の成膜が終了した後、酸素分圧及び
水蒸気分圧をそれぞれ第２表に示す通りに調節した雰囲
気中にて基板を３分間保持した。
は実施例１と同様であり、製造方法もほぼ実施例１の記
載に準じた。但し、第１の誘電体膜（2b）、TbFeCo膜
（３）、Tb層（４）の成膜が終了した後、酸素分圧及び
水蒸気分圧をそれぞれ第２表に示す通りに調節した雰囲
気中にて基板を３分間保持した。
以上の実施例３〜５において作成された各光磁気記録
媒体について上述の磁界変調方式による記録再生試験と
同様の方法により各CN比を調べた。但し、外部磁界の強
さは±75Oeとした。結果を第２表に示す。
媒体について上述の磁界変調方式による記録再生試験と
同様の方法により各CN比を調べた。但し、外部磁界の強
さは±75Oeとした。結果を第２表に示す。
第２表に示すように、外部磁界の強さを±75Oeとした
場合でも、実施例３〜５では、高品位のデジタル記録再
生を行うために必要とされる45dB以上のCN比を十分に達
成していることが判った。従って、比較的弱い外部磁界
下で記録が行われる磁界変調方式においても、良好な記
録再生特性を確保することができる。
場合でも、実施例３〜５では、高品位のデジタル記録再
生を行うために必要とされる45dB以上のCN比を十分に達
成していることが判った。従って、比較的弱い外部磁界
下で記録が行われる磁界変調方式においても、良好な記
録再生特性を確保することができる。
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、
極めて簡単な操作により、従来の光磁気記録媒体に比べ
て必要外部磁界が半減できる。したがって、比較的弱い
外部磁界下で記録が行われる磁界変調方式においても、
良好な記録再生特性を発揮する光磁気記録媒体の製造が
可能となる。
極めて簡単な操作により、従来の光磁気記録媒体に比べ
て必要外部磁界が半減できる。したがって、比較的弱い
外部磁界下で記録が行われる磁界変調方式においても、
良好な記録再生特性を発揮する光磁気記録媒体の製造が
可能となる。
第１図は本発明を適用して製造される光磁気記録媒体の
一構成例を示す概略断面図である。 １……基板 2a……第１の誘電体膜 2b……第２の誘電体膜 ３……TbFeCo膜 ４……Tb層 ５……Al反射膜 ６……保護膜
一構成例を示す概略断面図である。 １……基板 2a……第１の誘電体膜 2b……第２の誘電体膜 ３……TbFeCo膜 ４……Tb層 ５……Al反射膜 ６……保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加賀美 信武 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 池田 悦郎 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソ ニー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−57442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−219655（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 541 G
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に希土類−遷移金属合金膜を積層す
る光磁気記録媒体の製造方法において、 前記希土類−遷移金属合金膜の表面に希土類金属層を成
膜した後、基板を30分以上保持することを特徴とする光
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】基板上に希土類−遷移金属合金膜を積層す
る光磁気記録媒体の製造方法において、 前記希土類−遷移金属合金膜の表面に希土類金属層を成
膜した後、３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧を有す
る雰囲気中に基板を保持することを特徴とする光磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項３】基板上に希土類−遷移金属合金膜を積層す
る光磁気記録媒体の製造方法において、 前記希土類−遷移金属合金膜の表面に希土類金属層を成
膜した後、３×10-6〜１×10-1Torrなる酸素分圧及び１
×10-7〜１×10-4Torrなる水蒸気分圧を有する雰囲気中
に基板を保持することを特徴とする光磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14858790A JP2830385B2 (ja) | 1989-08-31 | 1990-06-08 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-225310 | 1989-08-31 | ||
| JP22531089 | 1989-08-31 | ||
| JP14858790A JP2830385B2 (ja) | 1989-08-31 | 1990-06-08 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03156754A JPH03156754A (ja) | 1991-07-04 |
| JP2830385B2 true JP2830385B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=26478737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14858790A Expired - Fee Related JP2830385B2 (ja) | 1989-08-31 | 1990-06-08 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830385B2 (ja) |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP14858790A patent/JP2830385B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03156754A (ja) | 1991-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |