JP2943607B2 - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2943607B2 JP2943607B2 JP12331294A JP12331294A JP2943607B2 JP 2943607 B2 JP2943607 B2 JP 2943607B2 JP 12331294 A JP12331294 A JP 12331294A JP 12331294 A JP12331294 A JP 12331294A JP 2943607 B2 JP2943607 B2 JP 2943607B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気ディスク等のよう
に光磁気効果によって情報を記録しかつその書換えを行
う光磁気記録媒体に関し、特に磁気特性の変化が少な
く、記録再生特性のすぐれた光磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に光磁気効果によって情報を記録しかつその書換えを行
う光磁気記録媒体に関し、特に磁気特性の変化が少な
く、記録再生特性のすぐれた光磁気記録媒体の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクは大容量ファイルメモ
リの一つとして注目されている。中でも光磁気ディスク
は記録情報の書換えが可能であるという利点があること
から、コードデータファイルメモリを始め、画像ファイ
ルメモリ等、広範囲な応用が各所で盛んに研究されてい
る。したがって、このような用途の拡大に伴って、さら
なる記録密度の向上及び高速化が期待されている。
リの一つとして注目されている。中でも光磁気ディスク
は記録情報の書換えが可能であるという利点があること
から、コードデータファイルメモリを始め、画像ファイ
ルメモリ等、広範囲な応用が各所で盛んに研究されてい
る。したがって、このような用途の拡大に伴って、さら
なる記録密度の向上及び高速化が期待されている。
【０００３】このような光磁気ディスクの一例を図４に
示す。同図において、ポリカーボネイト等の樹脂基板２
０１上に、ＳｉＮからなる第１の誘電体層２０２が形成
され、この第１の誘電体層２０２の表面はスパッタエッ
チング処理２０３されている。また、その上に希土類金
属と鉄族遷移金属との組み合わせによって形成されるＴ
ｂＦｅＣｏのような非晶質磁性合金膜からなる記録層２
０４が形成され、更にその上にＳｉＮからなる第２の誘
電体層２０５が形成されている。また、その上にＡｌ等
の反射層２０６が形成される。
示す。同図において、ポリカーボネイト等の樹脂基板２
０１上に、ＳｉＮからなる第１の誘電体層２０２が形成
され、この第１の誘電体層２０２の表面はスパッタエッ
チング処理２０３されている。また、その上に希土類金
属と鉄族遷移金属との組み合わせによって形成されるＴ
ｂＦｅＣｏのような非晶質磁性合金膜からなる記録層２
０４が形成され、更にその上にＳｉＮからなる第２の誘
電体層２０５が形成されている。また、その上にＡｌ等
の反射層２０６が形成される。
【０００４】これら各層の形成に際しては、真空予備排
気室を設けたインライン型のスパッタ装置が一般的に使
用されており、順次、基板セット→ロード室→真空予備
排気室→成膜室Ａ→成膜室Ｂ→成膜室Ｃ→成膜室Ｄ→ア
ンロード室→基板リセットのサイクルが繰り返し行われ
ている。
気室を設けたインライン型のスパッタ装置が一般的に使
用されており、順次、基板セット→ロード室→真空予備
排気室→成膜室Ａ→成膜室Ｂ→成膜室Ｃ→成膜室Ｄ→ア
ンロード室→基板リセットのサイクルが繰り返し行われ
ている。
【０００５】この光磁気ディスクでは、周知のように、
外部磁界を加えた状態でレーザ光等による加熱を行うこ
とにより記録層２０５における磁化の方向として情報を
記録し、この磁化の方向に伴う偏光方向によって情報の
再生を行い、かつ逆方向の磁界を加えることで情報の消
去を可能とする。
外部磁界を加えた状態でレーザ光等による加熱を行うこ
とにより記録層２０５における磁化の方向として情報を
記録し、この磁化の方向に伴う偏光方向によって情報の
再生を行い、かつ逆方向の磁界を加えることで情報の消
去を可能とする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、この種の光
磁気ディスクでは、その製造に際しては第１の誘電体層
２０２の表面のスパッタエッチング量を一定に制御して
いる。しかしながら、本発明者が実際にこのスパッタエ
ッチング処理を行ったところ、樹脂基板２０１が真空予
備排気室で排気される時間が異なると、スパッタエッチ
ング量を一定に制御しても製造された光磁気記録媒体の
磁気特性にばらつきが生じ、記録再生特性が各光磁気記
録媒体間でばらつくという問題が生じることが明らかに
なった。
磁気ディスクでは、その製造に際しては第１の誘電体層
２０２の表面のスパッタエッチング量を一定に制御して
いる。しかしながら、本発明者が実際にこのスパッタエ
ッチング処理を行ったところ、樹脂基板２０１が真空予
備排気室で排気される時間が異なると、スパッタエッチ
ング量を一定に制御しても製造された光磁気記録媒体の
磁気特性にばらつきが生じ、記録再生特性が各光磁気記
録媒体間でばらつくという問題が生じることが明らかに
なった。
【０００７】このため、真空予備排気室における排気時
間が光磁気記録媒体の記録再生特性に影響を与えること
が推測でき、この影響を緩和するためには真空予備排気
室での排気時間を高精度に管理することが必要とされる
が、排気時間を管理するのみでは所定の処理室内を所定
のガス圧に制御することが難しく、今度はスパッタエッ
チングのエッチング量を好適に制御することができなく
なるという問題が生じる。
間が光磁気記録媒体の記録再生特性に影響を与えること
が推測でき、この影響を緩和するためには真空予備排気
室での排気時間を高精度に管理することが必要とされる
が、排気時間を管理するのみでは所定の処理室内を所定
のガス圧に制御することが難しく、今度はスパッタエッ
チングのエッチング量を好適に制御することができなく
なるという問題が生じる。
【０００８】更に、従来ではスパッタエッチング量を一
定に制御しているが、このエッチング量を一定に制御す
ること自体が製造を困難なものにしている原因となって
いる。即ち、エッチング量が過度になった場合には、そ
の製品は光磁気記録媒体として使用することができなく
なり、歩留りが低下される原因となる。
定に制御しているが、このエッチング量を一定に制御す
ること自体が製造を困難なものにしている原因となって
いる。即ち、エッチング量が過度になった場合には、そ
の製品は光磁気記録媒体として使用することができなく
なり、歩留りが低下される原因となる。
【０００９】
【発明の目的】本発明の目的は、磁気特性の変化による
記録再生特性を改善した光磁気記録媒体の製造方法を提
供することにある。更に、本発明の他の目的は、スパッ
タエッチング量を一定に制御しなくとも記録再生特性を
改善して製造の容易化と歩留りの改善を可能にした光磁
気記録媒体の製造方法を提供することにある。
記録再生特性を改善した光磁気記録媒体の製造方法を提
供することにある。更に、本発明の他の目的は、スパッ
タエッチング量を一定に制御しなくとも記録再生特性を
改善して製造の容易化と歩留りの改善を可能にした光磁
気記録媒体の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
の製造方法は、有機樹脂基板上に第１の誘電体層を形成
する工程と、この第１の誘電体層の上に第２の誘電体層
を形成する工程と、この第２の誘電体層の表面をスパッ
タエッチング処理する工程と、前記第２の誘電体層の上
に非晶質磁性合金からなる記録層を形成する工程と、こ
の記録層の上に第３の誘電体層を形成する工程と、この
第３の誘電体層の上に反射層を形成する工程とを含み、
前記第２の誘電体層の表面のスパッタエッチング量を、
前記各工程を行う際の真空予備排気時間の相違に応じて
変化制御することを特徴とする。
の製造方法は、有機樹脂基板上に第１の誘電体層を形成
する工程と、この第１の誘電体層の上に第２の誘電体層
を形成する工程と、この第２の誘電体層の表面をスパッ
タエッチング処理する工程と、前記第２の誘電体層の上
に非晶質磁性合金からなる記録層を形成する工程と、こ
の記録層の上に第３の誘電体層を形成する工程と、この
第３の誘電体層の上に反射層を形成する工程とを含み、
前記第２の誘電体層の表面のスパッタエッチング量を、
前記各工程を行う際の真空予備排気時間の相違に応じて
変化制御することを特徴とする。
【００１１】例えば、有機樹脂基板はポリカーボネイト
で形成され、第１の誘電体層はＴａＯｘ（ｘ＝１〜２．
５）で形成され、第２の誘電体層はＳｉＮで形成され、
記録層は希土類金属と鉄族遷移金属との組み合わせによ
って形成され、第３の誘電体層はＳｉＮで形成され、反
射層はＡｌＴｉ合金で形成される。
で形成され、第１の誘電体層はＴａＯｘ（ｘ＝１〜２．
５）で形成され、第２の誘電体層はＳｉＮで形成され、
記録層は希土類金属と鉄族遷移金属との組み合わせによ
って形成され、第３の誘電体層はＳｉＮで形成され、反
射層はＡｌＴｉ合金で形成される。
【００１２】ここで、真空予備排気時間は１時間〜４時
間の範囲であり、第２の誘電体層の表面のスパッタエッ
チング量が４Åから１０Åで変化制御することが好まし
い。特に、真空予備排気時間が１時間〜３時間の範囲で
は第２の誘電体層の表面のスパッタエッチング量は排気
時間の長さに伴って１０〜６Åから６〜４Åの範囲に徐
々に低減され、真空予備排気時間が３時間以上ではスパ
ッタエッチング量は６〜４Åの範囲に設定する。
間の範囲であり、第２の誘電体層の表面のスパッタエッ
チング量が４Åから１０Åで変化制御することが好まし
い。特に、真空予備排気時間が１時間〜３時間の範囲で
は第２の誘電体層の表面のスパッタエッチング量は排気
時間の長さに伴って１０〜６Åから６〜４Åの範囲に徐
々に低減され、真空予備排気時間が３時間以上ではスパ
ッタエッチング量は６〜４Åの範囲に設定する。
【００１３】
【作用】真空予備排気時間が相違されるのに伴って第２
の誘電体層の表面のスパッタエッチング量を変化制御す
ることで、製造される光磁気記録媒体の磁気特性の変化
を小さくし、記録再生特性を改善する。
の誘電体層の表面のスパッタエッチング量を変化制御す
ることで、製造される光磁気記録媒体の磁気特性の変化
を小さくし、記録再生特性を改善する。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の光磁気記録媒体の断面図である。
厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基
板１０１の表面にＴａＯｘ（ｘ＝１〜２．５）からなる
厚さ３００Åの第１の誘電体層１０２が形成されてお
り、その上にはＳｉＮからなる厚さ８００Åの第２の誘
電体層１０３が形成されている。この第２の誘電体層１
０３の表面は所定の厚さだけスパッタエッチングされて
おり、これによりその表面にスパッタエッチング処理１
０４が施される。更に、その上にＴｂＦｅＣｏＴｉから
なる厚さ２００Åの記録層１０５が形成され、その上
に、ＳｉＮからなる厚さ３００Åの第３の誘電体層１０
６が形成され、更にその上にはＡｌＴｉからなる厚さ３
００Åの金属反射層１０７が形成される。なお、その上
には紫外線硬化樹脂からなる９．５μｍの保護層１０９
が形成されている。
する。図１は本発明の光磁気記録媒体の断面図である。
厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基
板１０１の表面にＴａＯｘ（ｘ＝１〜２．５）からなる
厚さ３００Åの第１の誘電体層１０２が形成されてお
り、その上にはＳｉＮからなる厚さ８００Åの第２の誘
電体層１０３が形成されている。この第２の誘電体層１
０３の表面は所定の厚さだけスパッタエッチングされて
おり、これによりその表面にスパッタエッチング処理１
０４が施される。更に、その上にＴｂＦｅＣｏＴｉから
なる厚さ２００Åの記録層１０５が形成され、その上
に、ＳｉＮからなる厚さ３００Åの第３の誘電体層１０
６が形成され、更にその上にはＡｌＴｉからなる厚さ３
００Åの金属反射層１０７が形成される。なお、その上
には紫外線硬化樹脂からなる９．５μｍの保護層１０９
が形成されている。
【００１５】前記各層はインラインスパッタ装置を用い
て形成される。即ち、第１誘電体層（ＴａＯｘ層）１０
２は、Ｔａターゲットを用い、ターゲットと基板１０１
の距離を１５（ｃｍ）とし、パワー密度を８（Ｗ／ｃｍ
２）とし、ＡｒとＯ２のガス流量比をＡｒ／Ｏ２＝７０
／３０（ＳＣＣＭ）とし、スパッタガス圧０．１９（Ｐ
ａ）の条件で成膜する。
て形成される。即ち、第１誘電体層（ＴａＯｘ層）１０
２は、Ｔａターゲットを用い、ターゲットと基板１０１
の距離を１５（ｃｍ）とし、パワー密度を８（Ｗ／ｃｍ
２）とし、ＡｒとＯ２のガス流量比をＡｒ／Ｏ２＝７０
／３０（ＳＣＣＭ）とし、スパッタガス圧０．１９（Ｐ
ａ）の条件で成膜する。
【００１６】第２の誘電体層（ＳｉＮ層）１０３は、Ｓ
ｉターゲットを用い、ターゲットと基板１０１の距離を
１５（ｃｍ）とし、パワー密度を８（Ｗ／ｃｍ２）と
し、ＡｒとＮ２のガス流量比をＡｒ／Ｎ２＝１００／５
５（ＳＣＣＭ）とし、スパッタガス圧０．３（Ｐａ）の
条件で成膜する。また、この第２の誘電体層１０３の表
面は、パワー密度０．１５（Ｗ／ｃｍ２）、Ａｒ＝２５
（ＳＣＣＭ）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件でスパッタ
エッチングし、７Å程度エッチングしてスパッタエッチ
ング処理１０４を行う。
ｉターゲットを用い、ターゲットと基板１０１の距離を
１５（ｃｍ）とし、パワー密度を８（Ｗ／ｃｍ２）と
し、ＡｒとＮ２のガス流量比をＡｒ／Ｎ２＝１００／５
５（ＳＣＣＭ）とし、スパッタガス圧０．３（Ｐａ）の
条件で成膜する。また、この第２の誘電体層１０３の表
面は、パワー密度０．１５（Ｗ／ｃｍ２）、Ａｒ＝２５
（ＳＣＣＭ）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件でスパッタ
エッチングし、７Å程度エッチングしてスパッタエッチ
ング処理１０４を行う。
【００１７】記録層（ＴｂＦｅＣｏＴｉ層）１０５は、
ＴｂターゲットとＦｅＣｏＴｉ合金ターゲット（Ｆｅ
Ｃｏ Ｔｉ ａｔｍ％）を用いた２元ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、基板１０１を回転させながら成膜す
る。このとき、ターゲットと基板との距離を１０（ｃ
ｍ）とし、Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏＴｉ合金ターゲ
ットのパワー密度をそれぞれ１．５（Ｗ／ｃｍ２），
３．０（Ｗ／ｃｍ２）とし、Ａｒ＝５０（ＳＣＣＭ）、
ガス圧０．１４（Ｐａ）の条件で行う。
ＴｂターゲットとＦｅＣｏＴｉ合金ターゲット（Ｆｅ
Ｃｏ Ｔｉ ａｔｍ％）を用いた２元ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、基板１０１を回転させながら成膜す
る。このとき、ターゲットと基板との距離を１０（ｃ
ｍ）とし、Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏＴｉ合金ターゲ
ットのパワー密度をそれぞれ１．５（Ｗ／ｃｍ２），
３．０（Ｗ／ｃｍ２）とし、Ａｒ＝５０（ＳＣＣＭ）、
ガス圧０．１４（Ｐａ）の条件で行う。
【００１８】第３の誘電体層（ＳｉＮ層）１０６は、第
２の誘電体層１０３と同じ条件で成膜を行う。
２の誘電体層１０３と同じ条件で成膜を行う。
【００１９】金属反射層（ＡｌＴｉ合金層）１０７は、
Ｔｉを１Ｗｔ％含有するＡｌＴｉ合金ターゲットを用
い、Ａｒガスをスパッタガスとしてターゲットと基板１
０１の距離を１５（ｃｍ）とし、パワー密度を３．０
（Ｗ／ｃｍ２）とし、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件で成
膜する。保護層（紫外線硬化樹脂層）１０８は、紫外線
硬化樹脂をスピンコート法により塗布する。
Ｔｉを１Ｗｔ％含有するＡｌＴｉ合金ターゲットを用
い、Ａｒガスをスパッタガスとしてターゲットと基板１
０１の距離を１５（ｃｍ）とし、パワー密度を３．０
（Ｗ／ｃｍ２）とし、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件で成
膜する。保護層（紫外線硬化樹脂層）１０８は、紫外線
硬化樹脂をスピンコート法により塗布する。
【００２０】ここで、本発明において第２誘電体層１０
３の表面のスパッタエッチング処理１０４のエッチング
量と、真空予備排気時間との関連を調べるために、真空
予備排気時間を１時間〜４時間の範囲で１０分ずつ変化
させ、かつ各々の真空予備排気時間に対してスパッタエ
ッチングのエッチング量を０〜１４Åの範囲で１Åずつ
相違させた計２８５種類の試料を作成した。
３の表面のスパッタエッチング処理１０４のエッチング
量と、真空予備排気時間との関連を調べるために、真空
予備排気時間を１時間〜４時間の範囲で１０分ずつ変化
させ、かつ各々の真空予備排気時間に対してスパッタエ
ッチングのエッチング量を０〜１４Åの範囲で１Åずつ
相違させた計２８５種類の試料を作成した。
【００２１】そして、これらの試料を単板状態でマグネ
ットハブ付けを行い、各試料の磁気特性（保磁力）とＲ
／Ｗ特性（最小記録磁界及び再生光耐性）を測定した。
なお、保磁力はＶＳＭにより測定した。最小記録磁界
は、線速９．４（ｍ／ｓｅｃ）、周波数６．２（ＭＨ
ｚ）、パルス幅５０（ｎｓ）、再生パワー１（ｍＷ）、
記録及び消去パワー１０（ｍＷ）、記録磁界ＨＢが、−
５００（Ｏｅ）≦ＨＢ≦５００（Ｏｅ）の条件下におい
て測定した。再生光耐性は記録媒体に信号を記録した
後、その部分に外部からデータ消去方向に５００（Ｏ
ｅ）の磁界を印加し、同時に２．４（ｍＷ）のレーザ光
を３分間照射し、照射前後の再生信号の差を求めた。
ットハブ付けを行い、各試料の磁気特性（保磁力）とＲ
／Ｗ特性（最小記録磁界及び再生光耐性）を測定した。
なお、保磁力はＶＳＭにより測定した。最小記録磁界
は、線速９．４（ｍ／ｓｅｃ）、周波数６．２（ＭＨ
ｚ）、パルス幅５０（ｎｓ）、再生パワー１（ｍＷ）、
記録及び消去パワー１０（ｍＷ）、記録磁界ＨＢが、−
５００（Ｏｅ）≦ＨＢ≦５００（Ｏｅ）の条件下におい
て測定した。再生光耐性は記録媒体に信号を記録した
後、その部分に外部からデータ消去方向に５００（Ｏ
ｅ）の磁界を印加し、同時に２．４（ｍＷ）のレーザ光
を３分間照射し、照射前後の再生信号の差を求めた。
【００２２】その結果、保磁力ＨＣ、最小記録磁界ＨＢ
及び再生光耐性ΔＣ／Ｎの値は大きく３つの領域に区画
できることが判明した。図２に各々の領域における特性
値を示す。また、図３に前記した３種類の領域を真空予
備排気時間とスパッタエッチング量の関係を示す。
及び再生光耐性ΔＣ／Ｎの値は大きく３つの領域に区画
できることが判明した。図２に各々の領域における特性
値を示す。また、図３に前記した３種類の領域を真空予
備排気時間とスパッタエッチング量の関係を示す。
【００２３】図２により、領域Ｂの記録媒体のみ、記録
信号の熱的劣化（ΔＣ／Ｎ＝０（ｄＢ）がなく、かつ小
さな記録磁界で信号が記録できることが判る。この領域
Ｂは、真空予備排気時間が１〜３時間の範囲で増大する
のに従ってエッチング量を１０〜８Åから６〜４Åの範
囲で徐々に低減させることで満たすことができ、真空予
備排気時間を３時間以上としたときにはエッチング量を
４Å以下に低減しないようにする。これに対し、領域Ａ
では保磁力が小さいため記録信号の熱的劣化が大きく、
また領域Ｃでは記録磁界が大きいため、記録媒体として
好ましくない。
信号の熱的劣化（ΔＣ／Ｎ＝０（ｄＢ）がなく、かつ小
さな記録磁界で信号が記録できることが判る。この領域
Ｂは、真空予備排気時間が１〜３時間の範囲で増大する
のに従ってエッチング量を１０〜８Åから６〜４Åの範
囲で徐々に低減させることで満たすことができ、真空予
備排気時間を３時間以上としたときにはエッチング量を
４Å以下に低減しないようにする。これに対し、領域Ａ
では保磁力が小さいため記録信号の熱的劣化が大きく、
また領域Ｃでは記録磁界が大きいため、記録媒体として
好ましくない。
【００２４】なお、この測定から真空予備排気時間に対
する好ましいスパッタエッチング量には多少の許容範囲
があることが判明したため、スパッタエッチング量に多
少のばらつきが生じている場合でも所望の特性の光磁気
記録媒体を製造することができ、製造の歩留りを改善す
る上で有利となる。
する好ましいスパッタエッチング量には多少の許容範囲
があることが判明したため、スパッタエッチング量に多
少のばらつきが生じている場合でも所望の特性の光磁気
記録媒体を製造することができ、製造の歩留りを改善す
る上で有利となる。
【００２５】ここで、前記実施例は光磁気ディスクに本
発明を適用した例を示しているが、光磁気カード等、他
の形式の記録媒体においても本発明を同様に適用するこ
とができる。また、記録層の組成やその膜厚、或いは他
の層の組成や膜厚は前記実施例のものに限定されるもの
ではなく、所望の光磁気記録媒体を得るために適宜変更
することは可能である。
発明を適用した例を示しているが、光磁気カード等、他
の形式の記録媒体においても本発明を同様に適用するこ
とができる。また、記録層の組成やその膜厚、或いは他
の層の組成や膜厚は前記実施例のものに限定されるもの
ではなく、所望の光磁気記録媒体を得るために適宜変更
することは可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光磁気記録
媒体の製造方法は、有機樹脂基板上に第２の誘電体層を
形成した後、この第２の誘電体層の表面をスパッタエッ
チング処理しており、その際にそのスパッタエッチング
量を真空予備排気時間の相違に応じて変化制御すること
で、真空予備排気時間の相違にかかわらず製造される光
磁気記録媒体の磁気特性の変化を小さくし、記録再生特
性を改善することができる効果がある。
媒体の製造方法は、有機樹脂基板上に第２の誘電体層を
形成した後、この第２の誘電体層の表面をスパッタエッ
チング処理しており、その際にそのスパッタエッチング
量を真空予備排気時間の相違に応じて変化制御すること
で、真空予備排気時間の相違にかかわらず製造される光
磁気記録媒体の磁気特性の変化を小さくし、記録再生特
性を改善することができる効果がある。
【００２７】例えば、真空予備排気時間を１時間〜４時
間の範囲としたとき、第２の誘電体層の表面のスパッタ
エッチング量が４Åから１０Åで変化制御することによ
り、磁気特性（保磁力）とＲ／Ｗ特性（最小記録磁界及
び再生光耐性）を改善することが可能となる。特に、真
空予備排気時間が１時間〜３時間の範囲では第２の誘電
体層の表面のスパッタエッチング量は排気時間の長さに
伴って１０〜６Åから６〜４Åの範囲に徐々に低減し、
真空予備排気時間が３時間以上ではスパッタエッチング
量は６〜４Åの範囲に設定することで、好ましい磁気特
性とＲ／Ｗ特性を得ることが可能となる。
間の範囲としたとき、第２の誘電体層の表面のスパッタ
エッチング量が４Åから１０Åで変化制御することによ
り、磁気特性（保磁力）とＲ／Ｗ特性（最小記録磁界及
び再生光耐性）を改善することが可能となる。特に、真
空予備排気時間が１時間〜３時間の範囲では第２の誘電
体層の表面のスパッタエッチング量は排気時間の長さに
伴って１０〜６Åから６〜４Åの範囲に徐々に低減し、
真空予備排気時間が３時間以上ではスパッタエッチング
量は６〜４Åの範囲に設定することで、好ましい磁気特
性とＲ／Ｗ特性を得ることが可能となる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の断面図である。
【図２】本発明にかかる光磁気記録媒体の保磁力、最小
記録磁界、再生光耐性の特性図である。
記録磁界、再生光耐性の特性図である。
【図３】真空予備排気時間とスパッタエッチング量との
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図４】従来の光磁気記録媒体の断面図である。
１０１ ポリカーボネイト基板 １０２ ＴａＯｘ層（第１の誘電体層） １０３ ＳｉＮ層（第２の誘電体層） １０４ スパッタエッチング処理 １０５ ＴｂＦｅＣｏＴｉ合金層（記録層） １０６ ＳｉＮ層（第３の誘電体層） １０７ ＡｌＴｉ層（金属反射層） １０８ 保護層
Claims (4)
- 【請求項１】 有機樹脂基板上に第１の誘電体層を形成
する工程と、この第１の誘電体層の上に第２の誘電体層
を形成する工程と、この第２の誘電体層の表面をスパッ
タエッチング処理する工程と、前記第２の誘電体層の上
に非晶質磁性合金からなる記録層を形成する工程と、こ
の記録層の上に第３の誘電体層を形成する工程と、この
第３の誘電体層の上に反射層を形成する工程とを含み、
前記第２の誘電体層の表面のスパッタエッチング量を、
前記各工程を行う際の真空予備排気時間の相違に応じて
変化制御することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項２】 前記有機樹脂基板はポリカーボネイトで
形成され、前記第１の誘電体層はＴａＯｘ（ｘ＝１〜
２．５）で形成され、前記第２の誘電体層はＳｉＮで形
成され、前記記録層は希土類金属と鉄族遷移金属との組
み合わせによって形成され、前記第３の誘電体層はＳｉ
Ｎで形成され、前記反射層はＡｌＴｉ合金で形成される
請求項１に記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 前記真空予備排気時間は１時間〜４時間
の範囲であり、前記第２の誘電体層の表面のスパッタエ
ッチング量が４Åから１０Åである請求項１または２に
記載の光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 前記真空予備排気時間が１時間〜３時間
の範囲では前記第２の誘電体層の表面のスパッタエッチ
ング量は排気時間の長さに伴って１０〜６Åから６〜４
Åの範囲に徐々に低減され、真空予備排気時間が３時間
以上ではスパッタエッチング量は６〜４Åの範囲に設定
してなる請求項３に記載の光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12331294A JP2943607B2 (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12331294A JP2943607B2 (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07311988A JPH07311988A (ja) | 1995-11-28 |
| JP2943607B2 true JP2943607B2 (ja) | 1999-08-30 |
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ID=14857437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12331294A Expired - Lifetime JP2943607B2 (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2943607B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100700519B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2007-03-28 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광자기 기록매체 및 그 제조방법 |
| KR100451160B1 (ko) * | 2002-02-09 | 2004-10-02 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광자기 기록 매체 및 그 제조방법 |
-
1994
- 1994-05-13 JP JP12331294A patent/JP2943607B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07311988A (ja) | 1995-11-28 |
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