JPH09180282A - 高性能ｃｏ／ｐｔディスクの形成方法 - Google Patents
高性能ｃｏ／ｐｔディスクの形成方法Info
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- JPH09180282A JPH09180282A JP8252154A JP25215496A JPH09180282A JP H09180282 A JPH09180282 A JP H09180282A JP 8252154 A JP8252154 A JP 8252154A JP 25215496 A JP25215496 A JP 25215496A JP H09180282 A JPH09180282 A JP H09180282A
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
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- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Abstract
(57)【要約】
【課題】 飽和保磁力が非常に高く、しかもカー・ヒス
テリシス・ループの矩形度が良好であって、異方性のエ
ネルギーが高いＣｏ／Ｐｔ超格子を使った磁気光学的デ
ィスク構造を実現する。 【解決手段】 磁気光学的媒体を形成する方法が開示さ
れている。その方法は基板１０上にシード層１１を用意
し、そして前記シード層１１の上にＣｏ／Ｐｔの交番層
をデポジットするために、１５ｍＴより大きい圧力での
スパッタリングによって記録多層を形成する。そのシー
ド層１１は５ｍＴより小さいスパッタリング圧力でデポ
ジットされ、シード層の材料は記録多層のカー・ヒステ
リシス・ループの飽和保磁力および矩形度を改善するよ
うに選択されている。
テリシス・ループの矩形度が良好であって、異方性のエ
ネルギーが高いＣｏ／Ｐｔ超格子を使った磁気光学的デ
ィスク構造を実現する。 【解決手段】 磁気光学的媒体を形成する方法が開示さ
れている。その方法は基板１０上にシード層１１を用意
し、そして前記シード層１１の上にＣｏ／Ｐｔの交番層
をデポジットするために、１５ｍＴより大きい圧力での
スパッタリングによって記録多層を形成する。そのシー
ド層１１は５ｍＴより小さいスパッタリング圧力でデポ
ジットされ、シード層の材料は記録多層のカー・ヒステ
リシス・ループの飽和保磁力および矩形度を改善するよ
うに選択されている。
Description
【０００１】本出願は、チャールズ Ｆ．ブルッカー、
ツカラム Ｋ．ハットワールおよびヤンシェン・チャン
による「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅ
ｒＭａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍ
ｅｄｉａ）」という表題の、１９９３年６月１４日付け
の米国特許出願第０８／０７６，３２６号、現在は１９
９５年４月１８日発行の米国特許第５，４０７，７５５
号；ツカラム Ｋ．ハットワール、ヤンシェン・チャ
ン、アンソニー Ｃ．パルンボおよびチャールズ Ｆ．
ブルッカーによる「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔ
ｉｌａｙｅｒＭａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄ
ｉｎｇ Ｍｅｄｉａ）」という表題の、１９９３年６月
１４日付けの米国特許出願第０８／０７６，６０４号；
ツカラム Ｋ．ハットワールおよびヤンシェン・チャン
による「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅ
ｒ Ｍａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ ＲｅｃｏｒｄｉｎｇＭ
ｅｄｉａ）」という表題の、１９９４年３月１１日付け
の米国特許出願第０８／２０９，９３３号；ツカラム
Ｋ．ハットワールおよびヤンシェン・チャンによる「多
層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｍａｇ
ｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍｅｄｉ
ａ）」という表題の１９９４年１０月３日付けの米国特
許出願第０８／３１６，７４３号；およびヤンシェン・
チャン、Ｇ．ファルジア、およびツカラム Ｋ．ハット
ワールによって、ここに同時出願されている「ＣＯ／Ｐ
Ｔ磁気光学的記録媒体から成る多重データレベルを含む
光学的記憶媒体（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｍ
ｅｄｉｕｍ Ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ
Ｄａｔａ Ｌｅｖｅｌｓ Ｍａｄｅ ｏｆ Ｃｏ／Ｐｔ
Ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ
Ｍｅｄｉａ）」という表題の米国特許出願第６０／００
２，７９７号に関連している。
ツカラム Ｋ．ハットワールおよびヤンシェン・チャン
による「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅ
ｒＭａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍ
ｅｄｉａ）」という表題の、１９９３年６月１４日付け
の米国特許出願第０８／０７６，３２６号、現在は１９
９５年４月１８日発行の米国特許第５，４０７，７５５
号；ツカラム Ｋ．ハットワール、ヤンシェン・チャ
ン、アンソニー Ｃ．パルンボおよびチャールズ Ｆ．
ブルッカーによる「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔ
ｉｌａｙｅｒＭａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄ
ｉｎｇ Ｍｅｄｉａ）」という表題の、１９９３年６月
１４日付けの米国特許出願第０８／０７６，６０４号；
ツカラム Ｋ．ハットワールおよびヤンシェン・チャン
による「多層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅ
ｒ Ｍａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ ＲｅｃｏｒｄｉｎｇＭ
ｅｄｉａ）」という表題の、１９９４年３月１１日付け
の米国特許出願第０８／２０９，９３３号；ツカラム
Ｋ．ハットワールおよびヤンシェン・チャンによる「多
層磁気光学的記録媒体（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｍａｇ
ｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍｅｄｉ
ａ）」という表題の１９９４年１０月３日付けの米国特
許出願第０８／３１６，７４３号；およびヤンシェン・
チャン、Ｇ．ファルジア、およびツカラム Ｋ．ハット
ワールによって、ここに同時出願されている「ＣＯ／Ｐ
Ｔ磁気光学的記録媒体から成る多重データレベルを含む
光学的記憶媒体（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｍ
ｅｄｉｕｍ Ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ
Ｄａｔａ Ｌｅｖｅｌｓ Ｍａｄｅ ｏｆ Ｃｏ／Ｐｔ
Ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ
Ｍｅｄｉａ）」という表題の米国特許出願第６０／００
２，７９７号に関連している。
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は飽和保磁力およびカ
ー・ヒステリシス・ループが改善された磁気光学的ディ
スクに関するものである。
ー・ヒステリシス・ループが改善された磁気光学的ディ
スクに関するものである。
【０００３】
【従来の技術、及び、発明が解決しようとする課題】Ｃ
ｏ／Ｐｔの多層は磁気光学的記録媒体として使われてき
ている。これらの材料は、垂直方向の磁気の異方性およ
び短波長において大きなカー回転特性および優れた環境
安定度を有している。しかし、これらの材料は従来のス
パッタリング・プロセスによってデポジットされると、
低い飽和保磁力を持つものになる。金属および絶縁物の
シード層を使うことによって、その飽和保磁力を上げる
ための試みがなされてきた。（ヨーロッパ特許出願第０
３０４８７３号（１９８８）の「磁気光学的記録媒体
（Ｍａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍ
ｅｄｉａ）」；ヨーロッパ特許出願第０３０４９２７号
（１９８９）の「垂直磁気記録媒体（Ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ
Ｍｅｄｉａ）」；米国特許第５，０８２，７４９号およ
びＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ．５８（１９９１）の
１９１〜１９３ページにあるカルシア他の「ＣＯ／ＰＴ
多層磁気光学的記録媒体に対する絶縁層の性能向上（Ｄ
ｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｆｏｒ
ａ Ｃｏ／Ｐｔ Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｍａｇｎｅ
ｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍｅｄｉｕ
ｍ）」参照。）Ａｒ、ＫｒまたはＸｅのスパッタリング
圧力が高いものが受け入れられた。（カルシア他による
Ｊ．Ｍａｇ．Ｍａｇ．Ｍａｔ．１２１（１９９３）４５
２；ハシモト他によるＪ．Ｍａｇ．Ｍａｇ．Ｍａｔ．８
８（１９９０）２１１；ゼパー他によるＪ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．７０（１９９１）２２６４。） 高い圧力で
のスパッタリングによって、後方散乱の中性粒子による
ボンバードメントが減少し、飽和保磁力が増加する。し
かし、カー・ヒステリシス・ループの矩形度および異方
性のエネルギーは非常に小さい。その結果のＣｏ／Ｐｔ
膜の結晶品質は悪く、光ノイズが許容できないほど高
い。例えば、オチアイ他によるＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｍ
ＡＧ２５，（１９８９）３７５５およびオチアイのヨー
ロッパ特許出願第０３０４８７３号（１９８８）は磁気
光学的層のスパッタリング圧力が１５ｍＴを超えるとカ
ー・ヒステリシス・ループの矩形度が劣化することを示
している。同様に、カルシア他（１９９３）およびＪＭ
ＭＭ １２１（１９９３）ｐ，４５２によって作られた
Ｃｏ／Ｐｔ膜は７ｍＴ Ｋｒのスパッタリング圧力にお
いては、飽和保磁力が９６０、そして矩形度が０．８２
であり、３０ｍＴのスパッタリング圧力において飽和保
磁力が２３００、そして矩形度が０．１であることが示
されている。このように、満足できる性能を有するＣｏ
／Ｐｔをデポジットするために使えるスパッタリング圧
力は１５ｍＴ以下に制限された。実際、カルシアによる
国際特許出願第ＷＯ９１／０８５７８号は磁気光学的層
のスパッタリング・ガス圧力が約２〜１２ｍＴであるこ
とが好ましいと説明している。
ｏ／Ｐｔの多層は磁気光学的記録媒体として使われてき
ている。これらの材料は、垂直方向の磁気の異方性およ
び短波長において大きなカー回転特性および優れた環境
安定度を有している。しかし、これらの材料は従来のス
パッタリング・プロセスによってデポジットされると、
低い飽和保磁力を持つものになる。金属および絶縁物の
シード層を使うことによって、その飽和保磁力を上げる
ための試みがなされてきた。（ヨーロッパ特許出願第０
３０４８７３号（１９８８）の「磁気光学的記録媒体
（Ｍａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍ
ｅｄｉａ）」；ヨーロッパ特許出願第０３０４９２７号
（１９８９）の「垂直磁気記録媒体（Ｐｅｒｐｅｎｄｉ
ｃｕｌａｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ
Ｍｅｄｉａ）」；米国特許第５，０８２，７４９号およ
びＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ Ｌｅｔｔ．５８（１９９１）の
１９１〜１９３ページにあるカルシア他の「ＣＯ／ＰＴ
多層磁気光学的記録媒体に対する絶縁層の性能向上（Ｄ
ｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｆｏｒ
ａ Ｃｏ／Ｐｔ Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｍａｇｎｅ
ｔｏｏｐｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｍｅｄｉｕ
ｍ）」参照。）Ａｒ、ＫｒまたはＸｅのスパッタリング
圧力が高いものが受け入れられた。（カルシア他による
Ｊ．Ｍａｇ．Ｍａｇ．Ｍａｔ．１２１（１９９３）４５
２；ハシモト他によるＪ．Ｍａｇ．Ｍａｇ．Ｍａｔ．８
８（１９９０）２１１；ゼパー他によるＪ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．７０（１９９１）２２６４。） 高い圧力で
のスパッタリングによって、後方散乱の中性粒子による
ボンバードメントが減少し、飽和保磁力が増加する。し
かし、カー・ヒステリシス・ループの矩形度および異方
性のエネルギーは非常に小さい。その結果のＣｏ／Ｐｔ
膜の結晶品質は悪く、光ノイズが許容できないほど高
い。例えば、オチアイ他によるＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｍ
ＡＧ２５，（１９８９）３７５５およびオチアイのヨー
ロッパ特許出願第０３０４８７３号（１９８８）は磁気
光学的層のスパッタリング圧力が１５ｍＴを超えるとカ
ー・ヒステリシス・ループの矩形度が劣化することを示
している。同様に、カルシア他（１９９３）およびＪＭ
ＭＭ １２１（１９９３）ｐ，４５２によって作られた
Ｃｏ／Ｐｔ膜は７ｍＴ Ｋｒのスパッタリング圧力にお
いては、飽和保磁力が９６０、そして矩形度が０．８２
であり、３０ｍＴのスパッタリング圧力において飽和保
磁力が２３００、そして矩形度が０．１であることが示
されている。このように、満足できる性能を有するＣｏ
／Ｐｔをデポジットするために使えるスパッタリング圧
力は１５ｍＴ以下に制限された。実際、カルシアによる
国際特許出願第ＷＯ９１／０８５７８号は磁気光学的層
のスパッタリング・ガス圧力が約２〜１２ｍＴであるこ
とが好ましいと説明している。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は飽和保磁
力が非常に高く、しかもカー・ヒステリシス・ループの
矩形度が良好であって、異方性のエネルギーが高いＣｏ
／Ｐｔ超格子を使った磁気光学的ディスク構造を作るこ
とである。
力が非常に高く、しかもカー・ヒステリシス・ループの
矩形度が良好であって、異方性のエネルギーが高いＣｏ
／Ｐｔ超格子を使った磁気光学的ディスク構造を作るこ
とである。
【０００５】本発明のもう１つの目的は、多層のＣｏ／
Ｐｔを備えていて、しかも低い媒体ノイズ、高いキャリ
ヤ／ノイズ比および改善された製造スループットなど、
性能が向上している改善された媒体構造を提供すること
である。
Ｐｔを備えていて、しかも低い媒体ノイズ、高いキャリ
ヤ／ノイズ比および改善された製造スループットなど、
性能が向上している改善された媒体構造を提供すること
である。
【０００６】我々は５ｍＴ Ｋｒ以下の低いスパッタリ
ング圧力でデポジットされた時、Ｃｏ／Ｐｔ多層の飽和
保磁力および矩形度および垂直方向の異方性が強化され
ることを、予期せずに発見した。そのような性能向上の
度合はインジウム‐錫酸化物から形成されるシード層の
厚さが１６ｎｍ以下に減らされると、さらにずっと深く
なる。
ング圧力でデポジットされた時、Ｃｏ／Ｐｔ多層の飽和
保磁力および矩形度および垂直方向の異方性が強化され
ることを、予期せずに発見した。そのような性能向上の
度合はインジウム‐錫酸化物から形成されるシード層の
厚さが１６ｎｍ以下に減らされると、さらにずっと深く
なる。
【０００７】上記の目的は次のステップ ａ）基板上にシード層を提供するステップと、 ｂ）前記シード層が５ｍＴ未満のスパッタリング圧力で
デポジットされ、そのシード層の材料が記録用多層のカ
ー・ヒステリシス・ループの飽和保磁力および矩形度を
改善するように選択される、前記シード層上に１５ｍＴ
より高い圧力でＣｏ／Ｐｔの交互の層をスパッタによっ
てデポジットされる記録用多層を形成するステップと、
を含んでいる磁気光学的記録媒体の形成方法によって達
成される。
デポジットされ、そのシード層の材料が記録用多層のカ
ー・ヒステリシス・ループの飽和保磁力および矩形度を
改善するように選択される、前記シード層上に１５ｍＴ
より高い圧力でＣｏ／Ｐｔの交互の層をスパッタによっ
てデポジットされる記録用多層を形成するステップと、
を含んでいる磁気光学的記録媒体の形成方法によって達
成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明に従って作られた多
層の磁気光学的ディスク構造を示している；図２ないし
図８は、Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリ
シス・ループを示している。それらはＣｏ／Ｐｔのスパ
ッタリング圧力の関数であり、インジウム‐錫酸化物の
シード層は厚さが８０ｎｍであるように選択され、８ｍ
Ｔでデポジットされたものである；図９ないし図１１
は、Ｃｏ／Ｐｔ多層のスパッタリング圧力と飽和保磁力
およびカー・ヒステリシス・ループの矩形度の関係を示
しているプロットであり、図９においてはシード層の厚
さが８０ｎｍで、スパッタリング圧力は８ｍＴであり、
図１０では、インジウム‐錫酸化物のシード層がやはり
８０ｎｍの厚さで１ｍＴのスパッタリング圧力でデポジ
ットされ、図１１においては、シード層はインジウム‐
錫酸化物であって、その厚さは３．５ｎｍであり、８ｍ
Ｔのスパッタリング圧力でデポジットされている；図１
２ないし図１８は、Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー
・ヒステリシス・ループであり、それらはＣｏ／Ｐｔの
スパッタリングの圧力の関数である。そしてインジウム
‐錫酸化物のシード層は厚さが３．５ｎｍで１ｍＴにお
いてデポジットされたものが選択されている；図１９
は、図１２〜図１８のＣｏ／Ｐｔ多層のスパッタリング
圧力に対する飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ル
ープの関係を示しており、その中でインジウム‐錫酸化
物のシード層は厚さが３．５ｎｍであって１ｍＴでデポ
ジットされたものが選択されている。
層の磁気光学的ディスク構造を示している；図２ないし
図８は、Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリ
シス・ループを示している。それらはＣｏ／Ｐｔのスパ
ッタリング圧力の関数であり、インジウム‐錫酸化物の
シード層は厚さが８０ｎｍであるように選択され、８ｍ
Ｔでデポジットされたものである；図９ないし図１１
は、Ｃｏ／Ｐｔ多層のスパッタリング圧力と飽和保磁力
およびカー・ヒステリシス・ループの矩形度の関係を示
しているプロットであり、図９においてはシード層の厚
さが８０ｎｍで、スパッタリング圧力は８ｍＴであり、
図１０では、インジウム‐錫酸化物のシード層がやはり
８０ｎｍの厚さで１ｍＴのスパッタリング圧力でデポジ
ットされ、図１１においては、シード層はインジウム‐
錫酸化物であって、その厚さは３．５ｎｍであり、８ｍ
Ｔのスパッタリング圧力でデポジットされている；図１
２ないし図１８は、Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー
・ヒステリシス・ループであり、それらはＣｏ／Ｐｔの
スパッタリングの圧力の関数である。そしてインジウム
‐錫酸化物のシード層は厚さが３．５ｎｍで１ｍＴにお
いてデポジットされたものが選択されている；図１９
は、図１２〜図１８のＣｏ／Ｐｔ多層のスパッタリング
圧力に対する飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ル
ープの関係を示しており、その中でインジウム‐錫酸化
物のシード層は厚さが３．５ｎｍであって１ｍＴでデポ
ジットされたものが選択されている。
【０００９】先ず最初に図１を見ると、この図はポリカ
ーボネートから作られている基板１０およびインジウム
‐錫酸化物から作られているシード層１１を示してい
る。そこにはＰｔ層１２およびＣｏ層１４の交互に並ん
だ２つの層を有している多層記録エレメント１５が示さ
れている。一般に、基板は説明されているようにレーザ
または他の光源からの光が基板を通って記録用多層構造
を照明する時に透過的である。基板上にはＰｔ層１２と
Ｃｏ層１４の交互に並んだ層から形成されている多層構
造が提供されている。基板とその多層記録エレメントの
間にはシード層１１があり、それについては後で説明す
る。好適には、紫外線硬化型ラッカーの保護膜１８が多
層構造の上部に設けられる。そのようなラッカーの一例
はＤａｉｎｉｐｐｏｎ Ｉｎｋ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手できる紫外線硬化型のアクリ
ル樹脂「Ｄｙｅｃｕｒｅ Ｃｌｅａｒ ＳＤ−１７」な
どがある。そのラッカーは通常はスピン・コーティング
技法によって塗布され、紫外線で硬化させられる。この
構造は特に磁気光学的ディスク、コンパクト・ディスク
（ＣＤ）およびフォト・コンパクト・ディスク（フォト
ＣＤ）で使うのに適している。
ーボネートから作られている基板１０およびインジウム
‐錫酸化物から作られているシード層１１を示してい
る。そこにはＰｔ層１２およびＣｏ層１４の交互に並ん
だ２つの層を有している多層記録エレメント１５が示さ
れている。一般に、基板は説明されているようにレーザ
または他の光源からの光が基板を通って記録用多層構造
を照明する時に透過的である。基板上にはＰｔ層１２と
Ｃｏ層１４の交互に並んだ層から形成されている多層構
造が提供されている。基板とその多層記録エレメントの
間にはシード層１１があり、それについては後で説明す
る。好適には、紫外線硬化型ラッカーの保護膜１８が多
層構造の上部に設けられる。そのようなラッカーの一例
はＤａｉｎｉｐｐｏｎ Ｉｎｋ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手できる紫外線硬化型のアクリ
ル樹脂「Ｄｙｅｃｕｒｅ Ｃｌｅａｒ ＳＤ−１７」な
どがある。そのラッカーは通常はスピン・コーティング
技法によって塗布され、紫外線で硬化させられる。この
構造は特に磁気光学的ディスク、コンパクト・ディスク
（ＣＤ）およびフォト・コンパクト・ディスク（フォト
ＣＤ）で使うのに適している。
【００１０】このタイプの構造によって、入射レーザ光
は基板の特定の部分を照明し、基板を通過して、カー回
転を変化させる多層の構造と相互干渉する。周知のよう
に、読出しの間にカー回転をモニタしてビットが記録さ
れている場所を示すことができる。
は基板の特定の部分を照明し、基板を通過して、カー回
転を変化させる多層の構造と相互干渉する。周知のよう
に、読出しの間にカー回転をモニタしてビットが記録さ
れている場所を示すことができる。
【００１１】インジウム‐錫酸化物から作られているシ
ード層は熱圧縮法によって作られた可変の量のＩｎ2Ｏ3
およびＳｎＯ2 を有している均質なターゲットが直流
スパッタリングによって作られたものである。スパッタ
リングのためにＫｒガスが使われたが、Ａｒ、Ｘｅまた
はそれらの混合物で酸素を含むもの、あるいは含まない
ものなどの他のガスを使うこともできる。スパッタリン
グの圧力およびデポジション・レートはそれぞれ１〜１
００ｍＴ Ｋｒおよび０．２〜１．２ｎｍ／秒であっ
た。
ード層は熱圧縮法によって作られた可変の量のＩｎ2Ｏ3
およびＳｎＯ2 を有している均質なターゲットが直流
スパッタリングによって作られたものである。スパッタ
リングのためにＫｒガスが使われたが、Ａｒ、Ｘｅまた
はそれらの混合物で酸素を含むもの、あるいは含まない
ものなどの他のガスを使うこともできる。スパッタリン
グの圧力およびデポジション・レートはそれぞれ１〜１
００ｍＴ Ｋｒおよび０．２〜１．２ｎｍ／秒であっ
た。
【００１２】Ｃｏ／Ｐｔの多層はＣｏおよびＰｔのター
ゲットの直流スパッタリングによって作られた。その構
造をデポジットする前のベース圧力は約１×１０-5 −
１×１０-6 Ｔｏｒｒであり、デポジション圧力は約５
〜１００ｍＴであった。ＣｏとＰｔが交互に並んだ層は
ＣｏおよびＰｔのターゲットの上で２０〜２５０回転／
分での基板のスピン回転でデポジットされた。各層の厚
さはデポジション・レートおよび基板の回転スピードを
制御することによって制御された。ＣｏおよびＰｔの厚
さはそれぞれ０．２〜０．８および０．４〜１．８ｎｍ
であり、二重層の数は２〜２５であった。デポジション
はＫｒガスを使って行なわれたが、Ａｒ、Ｘｅまたはそ
れらの混合ガスなどの他のガスを使うこともできる。
ゲットの直流スパッタリングによって作られた。その構
造をデポジットする前のベース圧力は約１×１０-5 −
１×１０-6 Ｔｏｒｒであり、デポジション圧力は約５
〜１００ｍＴであった。ＣｏとＰｔが交互に並んだ層は
ＣｏおよびＰｔのターゲットの上で２０〜２５０回転／
分での基板のスピン回転でデポジットされた。各層の厚
さはデポジション・レートおよび基板の回転スピードを
制御することによって制御された。ＣｏおよびＰｔの厚
さはそれぞれ０．２〜０．８および０．４〜１．８ｎｍ
であり、二重層の数は２〜２５であった。デポジション
はＫｒガスを使って行なわれたが、Ａｒ、Ｘｅまたはそ
れらの混合ガスなどの他のガスを使うこともできる。
【００１３】ガラスおよびポリカーボネート（ＰＣ）の
基板の小さな試験試料の上にシード層無し、および有り
のＣｏ／Ｐｔ多層をデポジットすることによって、いく
つかの試験試料が用意された。また、構造は直径５．２
５インチのガラスおよびＰＣの基板上にデポジットされ
た。
基板の小さな試験試料の上にシード層無し、および有り
のＣｏ／Ｐｔ多層をデポジットすることによって、いく
つかの試験試料が用意された。また、構造は直径５．２
５インチのガラスおよびＰＣの基板上にデポジットされ
た。
【００１４】垂直方向のカー・ヒステリシス・ループが
７８０ｎｍの波長において測定され、その構造の飽和保
磁力（Ｈｃ）およびカー回転（θｋ）が得られた。磁気
光学的構造の動的測定が次の条件の下に行なわれた。
６．３ｍ／秒のディスク速度、３．８７ＭＨｚの搬送周
波数、９０ｎｓのパルス、３０ｋＨｚのバンド幅、３０
０Ｏｅのバイアス磁界、０〜１０ｍＷの書込み電力およ
び１．５〜２．０ｍｗの読出し電力。
７８０ｎｍの波長において測定され、その構造の飽和保
磁力（Ｈｃ）およびカー回転（θｋ）が得られた。磁気
光学的構造の動的測定が次の条件の下に行なわれた。
６．３ｍ／秒のディスク速度、３．８７ＭＨｚの搬送周
波数、９０ｎｓのパルス、３０ｋＨｚのバンド幅、３０
０Ｏｅのバイアス磁界、０〜１０ｍＷの書込み電力およ
び１．５〜２．０ｍｗの読出し電力。
【００１５】図２ないし図８は８ｍＴのクリプトン圧力
においてデポジットされた８０ｎｍのインジウム‐錫酸
化物、および５〜１００ｍＴの変化するＫｒの圧力にお
いてデポジットされた１２個のＣｏ／Ｐｔの二重層によ
って作られた、ディスク構造から得られたカー・ヒステ
リシス・ループを示している。
においてデポジットされた８０ｎｍのインジウム‐錫酸
化物、および５〜１００ｍＴの変化するＫｒの圧力にお
いてデポジットされた１２個のＣｏ／Ｐｔの二重層によ
って作られた、ディスク構造から得られたカー・ヒステ
リシス・ループを示している。
【００１６】図２では、Ｋｒのスパッタリング圧力は５
ｍＴであり、図３では１５ｍＴ、図４では２５ｍＴ、図
５では４０ｍＴ、図６では６０ｍＴ、図７では８０ｍ
Ｔ、そして図８では１００ｍＴであった。
ｍＴであり、図３では１５ｍＴ、図４では２５ｍＴ、図
５では４０ｍＴ、図６では６０ｍＴ、図７では８０ｍ
Ｔ、そして図８では１００ｍＴであった。
【００１７】カー・ヒステリシス・ループの矩形度は飽
和保磁力Ｈｃと核化磁界Ｈｎの比として定義される（図
４および参考資料のゼッパー他によるＪ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ，７０（１９９１）ｐ．２２６５参照）。完全に
四角形のループの場合、この比はＨｃ＝Ｈｎなので１で
ある。ディスクの満足できる性能、すなわち、ディスク
のノイズが低く、キャリヤ／ノイズ比が高い性能に対し
て、この比は１に近い必要がある。カー・ループが傾く
か、あるいは斜めになってくると、ループの矩形度が減
少し、この比は１より小さくなる。図２および図３のカ
ー・ループは矩形度は高いが、飽和保磁力は低い。図４
の高いＫｒ圧力でデポジットされたＣｏ／Ｐｔ膜では、
膜の飽和保磁力が増加し、ループの矩形度およびカー回
転は低下する。Ｋｒの１５ｍＴ以上のスパッタリング圧
力で作られた図５、図６、図７および図８のＣｏ／Ｐｔ
膜は飽和保磁力は高いが、矩形度は非常に低く、これら
の膜は磁気光学的記録用には適していない。
和保磁力Ｈｃと核化磁界Ｈｎの比として定義される（図
４および参考資料のゼッパー他によるＪ．Ａｐｐｌ．Ｐ
ｈｙｓ，７０（１９９１）ｐ．２２６５参照）。完全に
四角形のループの場合、この比はＨｃ＝Ｈｎなので１で
ある。ディスクの満足できる性能、すなわち、ディスク
のノイズが低く、キャリヤ／ノイズ比が高い性能に対し
て、この比は１に近い必要がある。カー・ループが傾く
か、あるいは斜めになってくると、ループの矩形度が減
少し、この比は１より小さくなる。図２および図３のカ
ー・ループは矩形度は高いが、飽和保磁力は低い。図４
の高いＫｒ圧力でデポジットされたＣｏ／Ｐｔ膜では、
膜の飽和保磁力が増加し、ループの矩形度およびカー回
転は低下する。Ｋｒの１５ｍＴ以上のスパッタリング圧
力で作られた図５、図６、図７および図８のＣｏ／Ｐｔ
膜は飽和保磁力は高いが、矩形度は非常に低く、これら
の膜は磁気光学的記録用には適していない。
【００１８】図９は、図２〜図８の中の膜のＣｏ／Ｐｔ
のスパッタリング圧力の関数としての、飽和保磁力およ
びカー矩形度のプロットを示している。上で示されたよ
うに、Ｃｏ／Ｐｔ構造の飽和保磁力はスパッタリング圧
力の増加と共に増加する。しかし、同時にカー・ループ
の矩形度、すなわち、角形比は減少する。実際に、Ｃｏ
／ＰｔのＫｒのスパッタリング圧力が１５ｍＴを超える
と、カー・ループはその矩形度を大幅に失う。この挙動
は従来の技術において観察されているものと類似してい
る。
のスパッタリング圧力の関数としての、飽和保磁力およ
びカー矩形度のプロットを示している。上で示されたよ
うに、Ｃｏ／Ｐｔ構造の飽和保磁力はスパッタリング圧
力の増加と共に増加する。しかし、同時にカー・ループ
の矩形度、すなわち、角形比は減少する。実際に、Ｃｏ
／ＰｔのＫｒのスパッタリング圧力が１５ｍＴを超える
と、カー・ループはその矩形度を大幅に失う。この挙動
は従来の技術において観察されているものと類似してい
る。
【００１９】図１０は厚さ８０ｎｍのインジウム‐錫酸
化物が１ｍＴのスパッタリング圧力（Ｋｒガス）におい
てデポジットされた場合の、Ｃｏ／Ｐｔスパッタリング
圧力の関数としての、Ｃｏ／Ｐｔ膜のカー・ヒステリシ
ス・ループの飽和保磁力および矩形度を示している。こ
の場合も、飽和保磁力はスパッタリング圧力と共に増加
する。しかし、カー・ループの矩形度は図９の中で見ら
れたものより速くは劣化しない。したがって、インジウ
ム‐錫酸化物のシード層を低いスパッタリング圧力でデ
ポジットすることによって、カー・ループの矩形度が改
善される。
化物が１ｍＴのスパッタリング圧力（Ｋｒガス）におい
てデポジットされた場合の、Ｃｏ／Ｐｔスパッタリング
圧力の関数としての、Ｃｏ／Ｐｔ膜のカー・ヒステリシ
ス・ループの飽和保磁力および矩形度を示している。こ
の場合も、飽和保磁力はスパッタリング圧力と共に増加
する。しかし、カー・ループの矩形度は図９の中で見ら
れたものより速くは劣化しない。したがって、インジウ
ム‐錫酸化物のシード層を低いスパッタリング圧力でデ
ポジットすることによって、カー・ループの矩形度が改
善される。
【００２０】図１１は厚さ３．５ｎｍのインジウム‐錫
酸化物が８ｍＴのＫｒガス圧力でデポジットされた場合
の、Ｃｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力の関数としての、
カー・ヒステリシス・ループの飽和保磁力および矩形度
を示している。飽和保磁力は上記と同じように、スパッ
タリング圧力と共に増加する。しかし、図９の場合と比
較して、インジウム‐錫酸化物のシード層を使っている
図１１の構造は、Ｃｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力の範
囲全体を通じて高い矩形度を示している。
酸化物が８ｍＴのＫｒガス圧力でデポジットされた場合
の、Ｃｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力の関数としての、
カー・ヒステリシス・ループの飽和保磁力および矩形度
を示している。飽和保磁力は上記と同じように、スパッ
タリング圧力と共に増加する。しかし、図９の場合と比
較して、インジウム‐錫酸化物のシード層を使っている
図１１の構造は、Ｃｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力の範
囲全体を通じて高い矩形度を示している。
【００２１】図１２ないし図１８は厚さ３．５ｎｍのイ
ンジウム‐錫酸化物のシード層が１ｍＴのＫｒガス圧力
でデポジットされた場合の、Ｃｏ／Ｐｔのスパッタリン
グ圧力の関数としての、Ｃｏ／Ｐｔ膜のカー・ヒステリ
シス・ループを示している。図１２を参照すると、その
Ｋｒのスパッタリング圧力は５ｍＴであり、図１３では
１５ｍＴ、図１４では２５ｍＴ、図１５では４０ｍＴ、
図１６では６０ｍＴ、図１７では７５ｍＴ、そして図１
８では１００ｍＴであった。ここでも、上記と同じよう
に、飽和保磁力はＣｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力と共
に増加する。同時に、カー・ループの矩形度は、Ｃｏ／
Ｐｔ膜が１５ｍＴより大きいＫｒ圧力において作られた
場合、大幅に改善されている。このカー・ループの矩形
度における改善によって、記録時の書込みノイズが減少
した。
ンジウム‐錫酸化物のシード層が１ｍＴのＫｒガス圧力
でデポジットされた場合の、Ｃｏ／Ｐｔのスパッタリン
グ圧力の関数としての、Ｃｏ／Ｐｔ膜のカー・ヒステリ
シス・ループを示している。図１２を参照すると、その
Ｋｒのスパッタリング圧力は５ｍＴであり、図１３では
１５ｍＴ、図１４では２５ｍＴ、図１５では４０ｍＴ、
図１６では６０ｍＴ、図１７では７５ｍＴ、そして図１
８では１００ｍＴであった。ここでも、上記と同じよう
に、飽和保磁力はＣｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力と共
に増加する。同時に、カー・ループの矩形度は、Ｃｏ／
Ｐｔ膜が１５ｍＴより大きいＫｒ圧力において作られた
場合、大幅に改善されている。このカー・ループの矩形
度における改善によって、記録時の書込みノイズが減少
した。
【００２２】図１９はＣｏ／Ｐｔのスパッタリング圧力
の関数としての、図１２ないし図１８の中の膜の方形比
および飽和保磁力を示している。上記のように、飽和保
磁力は単調に増加し、首尾一貫して１に近い矩形度が維
持されている。実際に、図２−図１１の場合に比較し
て、これらの構造の場合に最高の矩形度が得られる。さ
らに、そのカー・ループは少なくとも１００ｍＴのＣｏ
／Ｐｔのスパッタリング圧力まではその完全な矩形度を
維持する。
の関数としての、図１２ないし図１８の中の膜の方形比
および飽和保磁力を示している。上記のように、飽和保
磁力は単調に増加し、首尾一貫して１に近い矩形度が維
持されている。実際に、図２−図１１の場合に比較し
て、これらの構造の場合に最高の矩形度が得られる。さ
らに、そのカー・ループは少なくとも１００ｍＴのＣｏ
／Ｐｔのスパッタリング圧力まではその完全な矩形度を
維持する。
【００２３】フル構造のいくつかのディスクが作られ、
それらの動的な性能がキャリヤ、ノイズおよびキャリヤ
対ノイズ比について測定された。シード層が５ｍＴ Ｋ
ｒより小さいスパッタリング圧力でデポジットされ、そ
してＣｏ／Ｐｔの多層が１５ｍＴ Ｋｒ以上でデポジッ
トされた場合にノイズが非常に小さくなり、そしてＣＮ
Ｒが大幅に高くなることが分かった。
それらの動的な性能がキャリヤ、ノイズおよびキャリヤ
対ノイズ比について測定された。シード層が５ｍＴ Ｋ
ｒより小さいスパッタリング圧力でデポジットされ、そ
してＣｏ／Ｐｔの多層が１５ｍＴ Ｋｒ以上でデポジッ
トされた場合にノイズが非常に小さくなり、そしてＣＮ
Ｒが大幅に高くなることが分かった。
【００２４】上記の例において、結果はインジウム‐錫
酸化物のシード層を使って説明された。我々はＺｎＯ、
Ｚｎ−Ｓｎ−ＯおよびＳｉＣなどの他のシード層も使っ
てみた。そして厚さが１６ｎｍより薄いシード層が５ｍ
Ｔ以下のスパッタリング圧力でデポジットされた場合
に、上記と同様な良い結果が得られることが分かった。
酸化物のシード層を使って説明された。我々はＺｎＯ、
Ｚｎ−Ｓｎ−ＯおよびＳｉＣなどの他のシード層も使っ
てみた。そして厚さが１６ｎｍより薄いシード層が５ｍ
Ｔ以下のスパッタリング圧力でデポジットされた場合
に、上記と同様な良い結果が得られることが分かった。
【００２５】本発明は或る好ましい実施形態を特に参照
しながら詳細に記述してきた。しかし、本発明の精神お
よび適用範囲内で変形および修正が可能であることを理
解されたい。
しながら詳細に記述してきた。しかし、本発明の精神お
よび適用範囲内で変形および修正が可能であることを理
解されたい。
【００２６】
【発明の効果】本発明による磁気光学的媒体の利点は次
の通りである。 １）結果の磁気光学的媒体は飽和保磁力が大きく、カー
・ヒステリシス・ループの矩形度が高く、垂直方向の異
方性が高く、記録ノイズが低く、そしてキャリヤ／ノイ
ズ比が高い。 ２）その方法によって記録媒体用の非常に薄い層のＣｏ
／Ｐｔを使うことができ、しかもその層は飽和保磁力が
高く、また、カー・ヒステリシス・ループの矩形度も良
好である。 ３）Ｃｏ／Ｐｔ超格子およびＩＴＯシード層の厚さが薄
いので、デポジション時間が短くて済み、したがって、
製造時の生産のスループットが向上する。
の通りである。 １）結果の磁気光学的媒体は飽和保磁力が大きく、カー
・ヒステリシス・ループの矩形度が高く、垂直方向の異
方性が高く、記録ノイズが低く、そしてキャリヤ／ノイ
ズ比が高い。 ２）その方法によって記録媒体用の非常に薄い層のＣｏ
／Ｐｔを使うことができ、しかもその層は飽和保磁力が
高く、また、カー・ヒステリシス・ループの矩形度も良
好である。 ３）Ｃｏ／Ｐｔ超格子およびＩＴＯシード層の厚さが薄
いので、デポジション時間が短くて済み、したがって、
製造時の生産のスループットが向上する。
【図１】 本発明に従って作られた多層の磁気光学的デ
ィスク構造を示した図。
ィスク構造を示した図。
【図２】 Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステ
リシス・ループを示したグラフである。
リシス・ループを示したグラフである。
【図３】 Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステ
リシス・ループを示したグラフである。
リシス・ループを示したグラフである。
【図４】 Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステ
リシス・ループを示したグラフである。
リシス・ループを示したグラフである。
【図５】 Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステ
リシス・ループを示したグラフである。
リシス・ループを示したグラフである。
【図６】 Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステ
リシス・ループを示したグラフである。
リシス・ループを示したグラフである。
【図７】 Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステ
リシス・ループを示したグラフである。
リシス・ループを示したグラフである。
【図８】 Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステ
リシス・ループを示したグラフである。
リシス・ループを示したグラフである。
【図９】 シード層の厚さが８０ｎｍでスパッタリング
圧力が８ｍＴの場合の、Ｃｏ／Ｐｔ多層のスパッタリン
グ圧力と飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループ
の矩形度の関係を示したグラフである。
圧力が８ｍＴの場合の、Ｃｏ／Ｐｔ多層のスパッタリン
グ圧力と飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループ
の矩形度の関係を示したグラフである。
【図１０】 インジウム‐錫酸化物のシード層が８０ｎ
ｍの厚さで１ｍＴのスパッタリング圧力でデポジットさ
れた場合の、Ｃｏ／Ｐｔ多層のスパッタリング圧力と飽
和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループの矩形度の
関係を示したグラフである。
ｍの厚さで１ｍＴのスパッタリング圧力でデポジットさ
れた場合の、Ｃｏ／Ｐｔ多層のスパッタリング圧力と飽
和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループの矩形度の
関係を示したグラフである。
【図１１】 インジウム‐錫酸化物のシード層が３．５
ｎｍの厚さで８ｍＴのスパッタリング圧力でデポジット
された場合の、Ｃｏ／Ｐｔ多層のスパッタリング圧力と
飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループの矩形度
の関係を示したグラフである。
ｎｍの厚さで８ｍＴのスパッタリング圧力でデポジット
された場合の、Ｃｏ／Ｐｔ多層のスパッタリング圧力と
飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループの矩形度
の関係を示したグラフである。
【図１２】 インジウム‐錫酸化物のシード層の厚さが
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
【図１３】 インジウム‐錫酸化物のシード層の厚さが
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
【図１４】 インジウム‐錫酸化物のシード層の厚さが
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
【図１５】 インジウム‐錫酸化物のシード層の厚さが
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
【図１６】 インジウム‐錫酸化物のシード層の厚さが
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
【図１７】 インジウム‐錫酸化物のシード層の厚さが
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
【図１８】 インジウム‐錫酸化物のシード層の厚さが
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
３．５ｎｍで１ｍＴにおいてデポジットされた場合の、
Ｃｏ／Ｐｔ多層に対する一連のカー・ヒステリシス・ル
ープである。
【図１９】 インジウム‐錫酸化物のシード層の厚さが
３．５ｎｍで１ｍＴでデポジットされた場合の、図１２
ないし図１８のＣｏ／Ｐｔ多層のスパッタリング圧力に
対する飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループの
関係を示したグラフである。
３．５ｎｍで１ｍＴでデポジットされた場合の、図１２
ないし図１８のＣｏ／Ｐｔ多層のスパッタリング圧力に
対する飽和保磁力およびカー・ヒステリシス・ループの
関係を示したグラフである。
１０ 基板 １１ シード層 １２ Ｐｔ層 １４ Ｃｏ層 １５ 多層記録エレメント １８ 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トゥカラム・ケー・ハトワール アメリカ合衆国・ニューヨーク・14526・ ペンフィールド・ウッドリン・ウェイ・８
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気光学的媒体を形成する方法であっ
て、 ａ）基板上にシード層を提供するステップと、 ｃ）前記シード層上にスパッタされたＣｏ／Ｐｔの交番
層を含む記録用多層を形成するステップとを含み、前記
シード層は５ｍＴ未満のスッパタリング圧力でデポジッ
トされ、該シード層の材料が前記記録用多層の飽和保磁
力およびカー・ヒステリシス・ループの矩形度を改善す
るように選択されていることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記シード層の材料が（Ｉｎ2 Ｏ3）1-X
（ＳｎＯ2）X を含んでいて、ｘ＝０．２５〜０．７５
であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記シード層の厚さが１６ｎｍ以下であ
ることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US279895P | 1995-08-25 | 1995-08-25 | |
| US08/616,148 US5693200A (en) | 1995-08-25 | 1996-03-14 | Forming a high performance Co/Pt disk |
| US616,148 | 1996-03-14 | ||
| US002,798 | 1996-03-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180282A true JPH09180282A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=26670892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8252154A Withdrawn JPH09180282A (ja) | 1995-08-25 | 1996-08-19 | 高性能ｃｏ／ｐｔディスクの形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5693200A (ja) |
| EP (1) | EP0762411A1 (ja) |
| JP (1) | JPH09180282A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3721011B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2005-11-30 | 日立マクセル株式会社 | 情報記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置、光磁気記憶装置 |
| US6986954B2 (en) | 2002-04-17 | 2006-01-17 | Imation Corp. | Perpendicular magnetic recording media |
| US6921585B2 (en) * | 2002-05-15 | 2005-07-26 | Imation Corp. | Perpendicular magnetic recording media with an amorphous underlayer |
| US6953629B2 (en) * | 2003-06-30 | 2005-10-11 | Imation Corp. | NiCr and NiFeCr seed layers for perpendicular magnetic recording media |
| US20050053795A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-10 | Seagate Technology Llc | Dual seed layer for recording media |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5082749A (en) * | 1990-03-15 | 1992-01-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Platinum or palladium/cobalt multilayer on a zinc oxide or indium oxide layer for magneto-optical recording |
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-
1996
- 1996-03-14 US US08/616,148 patent/US5693200A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 EP EP96202248A patent/EP0762411A1/en not_active Withdrawn
- 1996-08-19 JP JP8252154A patent/JPH09180282A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5693200A (en) | 1997-12-02 |
| EP0762411A1 (en) | 1997-03-12 |
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