JPH0785461A - 磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】コンピュータの外部記憶装置として用いられて
いる磁気ディスク装置や磁気テープ装置における磁気記
録媒体、特に長期的信頼性の高い磁気記録媒体とその製
造方法に関し、保護膜の機械的強度が高く、しかも保護
膜と潤滑剤との付着力が向上する磁気記録媒体とその製
造方法を実現することを目的とする。 【構成】非磁性基板上に、情報を記憶する磁気記録層と
該磁気記録層の損傷を防止する炭素系保護層および潤滑
層を順次形成した磁気記録媒体において、該炭素系保護
層が、磁気記録層４側に対し潤滑層６側が、相対的に水
素含有量の少ない構成とする。また、磁気記録層、炭素
系保護層を成膜し、潤滑層を塗布した後に、紫外線を照
射して完成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの外部記
憶装置として用いられている磁気ディスク装置や磁気テ
ープ装置における磁気記録媒体に関し、特に長期的信頼
性の高い磁気記録媒体とその製造方法に関する。

【０００２】近年、情報量の増大に伴い、磁気ディスク
装置に対して、より一層の高密度、大容量化が切望され
ている。この大容量化、高密度化を促進する上で、現在
のキーテクノロジーとなっているのが、ヘッド・媒体系
の高性能化とヘッド・媒体間の浮上隙間の低減である。
実際、各メーカでは、ヘッド・媒体系で磁気抵抗効果型
ヘッドや垂直記録用ヘッド・媒体の新規適用を図る一
方、ヘッド・媒体間の低浮上化は０.1μｍレベルに至っ
ている。

【０００３】

【従来の技術】図１１は磁気ディスク装置の内部構造の
全容を示す平面図であり、磁気ディスクＤが高速回転し
ている状態で、その半径方向に磁気ヘッド７が移動して
シーク動作し、情報の記録／再生が行なわれる。この磁
気ヘッド７の位置で磁気ディスクＤ切断し拡大すると、
図９のようになる。

【０００４】薄膜型の磁気ディスクＤにおいて、１はア
ルミニウムやガラスなどの非磁性体からなる基板であ
り、その表面に形成したNiＰめっき層２上に、下地膜３
としてＣｒなどをスパッタする。そして、CoCrTaまたは
CoNiCrなどの磁性体をスパッタして薄膜磁性膜４を形成
した後、保護膜５としてカーボンなどをスパッタし、最
後にパーフロロポリエーテルなどの潤滑剤６を塗布し
て、完成する。この磁気ディスクを矢印a₁方向に高速回
転させ、風力によって磁気ヘッド７が浮上した状態で、
情報の記録／再生を行なう。

【０００５】図10は従来の薄膜型の磁気ディスクの製造
方法を工程順に示す断面図であり、本発明の出願人が先
に出願した特願平３−336495号においても開示されてい
る。工程 (1)において、１はアルミニウムなどの非磁性
体からなるドーナツ状の基板であり、作製しようとする
磁気ディスクと同じサイズに形成されている。例えば、
2.５インチの小径磁気ディスクを製造する場合は、非磁
性円板１も2.５インチのものを用いる。

【０００６】そして、工程(2) において、非磁性円板１
の両面に、NiＰメッキ下地層２を形成し、その上に工程
(3) において、回転している非磁性基板の板面に研摩テ
ープを押し当てて、円周方向に微細なテクスチャー溝８
を形成する。

【０００７】次に、工程(4) において、テクスチャー溝
８の上に、Co合金の水平配向性を高めるためのCr下地層
３を1000Å程度成膜し、その上に工程(5) において、例
えばCo合金などから成る磁性膜４が５00Å程度成膜され
る。この磁性膜４の上に、工程(6) のように、保護膜と
して水素含有炭素膜５を３00Å程度形成し、最後にフッ
素系の潤滑層６が塗布される。Cr層３、薄膜型の磁性膜
４およびカーボン膜５は、スパッタなどの薄膜技術で成
膜される。

【０００８】工程(3) で形成したテクスチャー溝８は、
情報を記録／再生する際の電磁変換特性が向上するよう
に、磁気異方性を付与するためのものである。

【０００９】また、テクスチャー溝８に沿ってカーボン
膜５も凹凸となるため、潤滑剤で磁気ヘッドが磁気ディ
スク面に吸着されるのを抑制でき、かつ磁気ヘッドと磁
気ディスク面との間の摩擦を小さくすることができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近のよう
にヘッド・媒体間が低浮上化することにより、ヘッドが
媒体と接触する確率が必然的に高くなるため、その実現
には優れた耐久性を示す保護・潤滑処理を開発すること
が不可欠となる。

【００１１】この耐久性を向上させる手法としては、従
来のアモルファス炭素膜をスパッタ成膜する手法から、
水素を炭素膜中に導入してダイヤモンドライク化するこ
とにより、膜硬度・耐衝撃性を高め機械的特性を改善す
ることや、潤滑剤として下地との官能基をもつパーフロ
ロポリエーテルを適用すること等が提案され、一部実用
化されている。

【００１２】水素含有炭素膜の適用は、前記のように機
械的特性の改善には有効であることが確認されている。
しかしながら、本発明の発明者らが鋭意調査した結果、
特定以上の水素量を含むと潤滑剤との付着力が低下して
しまうことが判明した。保護膜と潤滑剤との付着力低下
は、ＣＳＳ(Cotact Start Stop )方式や高速回転が採用
される磁気ディスク装置においては、潤滑層の膜減りが
顕著となり、耐久性、信頼性の低下を招いてしまう。

【００１３】本発明の技術的課題は、このような問題に
着目し、保護膜の機械的強度が高く、しかも保護膜と潤
滑剤との付着力が向上する磁気記録媒体とその製造方法
を実現することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１〜６は磁気記録
媒体の発明であり、請求項７〜１２は磁気記録媒体の製
造方法の発明である。

【００１５】請求項１の磁気記録媒体は、非磁性基板上
に、情報を記憶する磁気記録層と該磁気記録層の損傷を
防止する炭素系保護層および潤滑層を順次形成した磁気
記録媒体において、該炭素系保護層が、磁気記録層４側
に対し潤滑層６側が、相対的に水素含有量の少ないこと
を特徴とする。

【００１６】請求項２の磁気記録媒体は、請求項１の炭
素系保護層が、磁気記録層４側は水素含有量20％（ある
いはＣ−Ｈ量が0.4 ×10²²cm^-3）以上の第１炭素膜51で
あり、潤滑層６側は水素含有量20％（あるいはＣ−Ｈ量
が0.4 ×10²²cm^-3）未満の第２炭素膜52であることを特
徴とする。なお、本明細書において水素含有量20％と
は、平均値をさす。

【００１７】請求項３の磁気記録媒体は、請求項１の炭
素系保護層において、磁気記録層４側と潤滑層６側との
間の水素含有量が徐々に変化するように連続的に成膜さ
れていることを特徴とする。

【００１８】請求項４の磁気記録媒体は、請求項３の炭
素系保護層において、磁気記録層４側が水素含有量20％
（あるいはC-Ｈ量が0.4 ×10²²cm^-3）以上であり、潤滑
層６側が水素含有量20％（あるいはC-Ｈ量が0.4 ×10²²
cm^-3）未満であることを特徴とする。

【００１９】請求項５の磁気記録媒体は、請求項１ない
し４の潤滑層６を構成する潤滑剤が、官能基を有するパ
ーフロロポリエーテルであることを特徴とする。

【００２０】請求項６の磁気記録媒体は、請求項５のパ
ーフロロポリエーテルの官能基が水酸基あるいは芳香族
であることを特徴とする。

【００２１】請求項７の磁気記録媒体製造方法は、非磁
性基板上に、情報を記憶する磁気記録層と該磁気記録層
の損傷を防止する炭素系保護層および潤滑層を順次形成
した磁気記録媒体を製造する際に、該潤滑層を塗布した
後に、該潤滑層に紫外線を照射することを特徴とする。

【００２２】請求項８の磁気記録媒体製造方法は、請求
項７の炭素系保護層が20％以上の水素あるいは0.4 ×10
²²cm^-3以上のＣ−Ｈ量を含む水素含有炭素膜であること
を特徴とする。

【００２３】請求項９の磁気記録媒体製造方法は、請求
項７の炭素系保護層が、磁気記録層４側は水素含有量20
％（あるいはＣ−Ｈ量が0.4 ×10²²cm^-3）以上の第一炭
素膜51であり、潤滑層６側は水素含有量20％（あるいは
Ｃ−Ｈ量が0.4 ×10²²cm^-3）未満の第二炭素膜52である
ことを特徴とする。

【００２４】請求項10の磁気記録媒体製造方法は、請求
項７〜９の潤滑層６を構成する潤滑剤が、官能基を有す
るパーフロロポリエーテルであることを特徴とする。

【００２５】請求項11の磁気記録媒体製造方法は、請求
項10の潤滑剤が水酸基あるいは芳香族を官能基とするパ
ーフロロポリエーテルであることを特徴とする。

【００２６】請求項12の磁気記録媒体製造方法は、請求
項７〜１１の潤滑剤の層が、“溶媒リンス後の潤滑膜厚
／リンス前の潤滑膜厚”で定義される比率が４０％以上
であることを特徴とする。

【００２７】

【作用】本発明の磁気記録媒体は、請求項１ないし４に
記載のように、炭素系保護層の磁気記録層４側が、潤滑
層６側より相対的に水素含有量が多いため、磁気ヘッド
が衝突した時の耐衝撃性などの機械的特性が高く、耐久
性にすぐれている。一方、潤滑層６側の炭素系保護層
は、水素含有量が少ないので、潤滑剤との付着力が強
く、潤滑作用を長期間維持できる。

【００２８】前記の炭素系保護層の磁気記録層４側と潤
滑層６側との間の水素含有量が徐々に変化するように連
続的に成膜されていることで、炭素系保護層の膜内結合
力が高まる。

【００２９】また、潤滑剤として、水酸基あるいは芳香
族を官能基とするパーフロロポリエーテルを用いた場
合、化学反応性が高いので反応時間を短縮でき、磁気記
録媒体製造の所要時間を短縮できる。しかも、潤滑剤と
炭素系保護層間の結合力も高まる。

【００３０】本発明の磁気記録媒体製造方法によると、
炭素系保護層の上に潤滑剤を塗布した後に紫外線を照射
することで、炭素系保護膜と潤滑剤との間の化学結合力
が促進されるので、潤滑剤層の膜減り現象が抑制され、
長期間にわたって潤滑性能を維持できる。

【００３１】また、紫外線照射される磁気記録媒体にお
ける炭素系保護層が20％以上の水素、あるいは0.4 ×10
²²cm^-3以上のＣ−Ｈ量を含む水素含有炭素膜であると、
機械的特性にすぐれている上に潤滑剤との結合力が強い
ため、潤滑剤が長寿命となる。

【００３２】紫外線照射される磁気記録媒体における炭
素系保護層が、磁気記録層側は水素含有量20％（あるい
はＣ−Ｈ量が0.4 ×10²²cm^-3）以上と多いため、機械的
特性にすぐれた保護層となる。また、潤滑層側は水素含
有量20％（あるいはＣ−Ｈ量が0.4 ×10²²cm^-3）未満
と、水素含有量が少ないので、炭素系保護層と潤滑剤と
の付着力が高まり、潤滑性能が長寿命となる。

【００３３】しかも、該潤滑層が官能基を有するパーフ
ロロポリエーテルであり、特に水酸基あるいは芳香族を
官能基とするパーフロロポリエーテルであることによ
り、保護層と潤滑剤との付着力が強まり、潤滑層の長寿
命化が実現されるほか、製造所要時間が短縮される。

【００３４】前記の潤滑剤の構成として、“溶媒リンス
後の潤滑膜厚／リンス前の潤滑膜厚”で定義される比率
が４０％以上である場合は、保護層と潤滑剤との付着力
が強く、長寿命の潤滑層となる。

【００３５】

【実施例】次に本発明による磁気記録媒体とその製造方
法が実際上どのように具体化されるかを実施例で説明す
る。

【００３６】〔磁気記録媒体について〕図１(a)(b)は本
発明による磁気記録媒体の実施例を、従来の磁気記録媒
体と比較して示した模式断面図である。そして、両者の
炭素系保護層５、51・52の水素含有量をパラメータとし
て、潤滑層６との付着性を調査した結果を図２に示す。

【００３７】図１（ｂ）に示す従来構成の評価サンプル
は、スパッタリング装置を用いて、Ni-Pめっき処理を施
したアルミニウムからなる非磁性ディスク基板上に、Ｃ
ｒ下地層３を1000Å、CoCrTa記録層４を５00Å、水素含
有炭素保護膜５を３00Å順次積層形成した後、その上に
芳香族を官能基にもつパーフロロポリエーテル（商品
名：フォンブリンＡＭ3001、モンテカチーニ社製) を約
25Åの厚さで塗布し、完成した。なお、炭素系保護膜５
の水素含有量は、Arとメタンガスの混合比を変えること
によって制御し、また潤滑剤の付着性は、フッ素系溶剤
によるリンス後の残存量によって評価した。

【００３８】図２から明らかなように、炭素膜５中の水
素含有量が20％を越え、33％、52％、54％となると、初
期膜厚25Åの潤滑層がリンス後は５Å程度しか残ってお
らず、官能基をもつ潤滑剤といえども、その付着性が著
しく低下してしまうことが分かる。つまり、従来の水素
含有量20％以上の炭素系保護層は、機械的特性はすぐれ
ているが、潤滑剤との付着力が弱い。

【００３９】図３は図２の測定結果をグラフ化して、炭
素系保護層中の水素含有量と潤滑剤の付着性との関係を
示したものである。この図からも明らかなように、炭素
系保護層中の水素含有量が減少するほど、溶媒リンス後
の残存潤滑剤の膜厚が厚くなる傾向にあり、潤滑剤付着
性の効果が現れている。

【００４０】図４は第１６回日本応用磁気学会学術講演
概要集（１９９２年）第５２９頁で紹介されている内容
であり、横軸は炭素系膜中の水素含有量（％）、縦軸は
ビッカース硬度である。この図からも明らかなように、
水素含有量が５２％程度以下では、水素含有量が増える
ほどカーボン膜硬度が増し、耐摩耗性、摺動特性が向上
する。

【００４１】図１（ａ）のように、本発明の磁気記録媒
体も、スパッタリング装置を用いて、Ni-Pめっき処理を
施したアルミニウムからなる非磁性ディスク基板１上
に、Cr下地層３を1000Å、CoCrTa記録層４を５00Åを順
次積層形成するまでは、従来と同じである。

【００４２】そして、本発明の実施例では、水素含有炭
素保護膜が、水素含有量の異なる２層構成になってい
る。すなわち、磁気記録層４側の第１炭素膜51は水素含
有量が20％（あるいはＣ−Ｈ量が0.４×10²²cm^-3）以上
であり、潤滑層６側の第２炭素膜52は水素含有量20％
（あるいはＣ−Ｈ量が0.４×10²²cm^-3）未満である。そ
して、潤滑層６は官能基を有するパーフロロポリエーテ
ルで構成されている。

【００４３】図２から明らかなように、水素含有量が20
％を越えると、潤滑剤の付着性は劣るが、機械的特性に
すぐれている。一方、水素含有量が20％未満、すなわち
16％の場合は、溶媒でリンス後でも、10Åの潤滑剤が残
っており、付着性にすぐれていることが分かる。

【００４４】したがって、本発明のように水素含有量が
20％以上で機械的特性にすぐれた第１炭素膜５１上に、
水素含有量が20％未満で潤滑剤との付着性にすぐれた第
２炭素膜５２を積層した２層構造にすると、機械的特性
がよく耐久性にすぐれ、かつ潤滑剤との付着性がよく潤
滑作用の持続する磁気記録媒体を実現でき、耐久性と信
頼性との双方の要望を実現できる。

【００４５】炭素系保護層が厚くなるほど、磁気ヘッド
と磁気記録層４間の距離が増大して電磁変換効率が低下
するので、２層保護層５１、５２を合わせた膜厚は、５
00Å以下とするのがよい。なお、潤滑層６側の炭素系保
護層５２は、潤滑剤の付着力が高まる程度の膜厚で足
り、一方機械的強度を高めるための磁気記録層４側の第
１炭素膜51は、厚めに成膜するのがよい。

【００４６】本実施例では、炭素系保護層の形成法とし
て、メタンガスを混合したスパッタリング法を用いてい
るが、水素を含む混合ガスならよく、またスパッタリン
グ法に代わってＣＶＤ法などを利用してもよい。さら
に、潤滑剤も、フォンブリンＡＭ3001だけでなく、フォ
ンブリンZdolといった他の官能基をもつパーフロロポリ
エーテルを用いても、同様な効果が得られる。

【００４７】図１（ａ）の説明では、第１炭素膜５１と
第２炭素膜５２との境界面で水素含有量が変化している
が、水素含有量を少しずつ変化させることもできる。こ
の場合は、磁気記録層４側の水素含有量を20％以上と
し、次第に水素含有量を減らすことで、潤滑層６側の水
素含有量を20％以下とする。このように、水素含有量が
次第に減少する炭素系保護層とし、境界を無くすこと
で、炭素系保護層内部の密着強度を高めることができ
る。

【００４８】図１（ａ）におけるＣｒ下地膜３、記録層
４、炭素系保護層51、52の成膜は、図５（ａ）に示すよ
うに基板ホルダー８に円板１を保持させた状態で、キャ
リヤ９を図５（ｂ）に示すようなＣｒターゲットｔ１、
磁性材ターゲットｔ２、水素含有炭素ターゲットｔ３、
ｔ４の前を通過させて、各円板１の両面に順次積層して
いく。

【００４９】図５（ｂ）において、スパッタ室１０中の
水素含有炭素ターゲットｔ３は、図１における第１水素
含有炭素膜５１を形成するためのもので、水素含有量が
20％以上となるように、スパッタ室１０中のメタンガス
混合比は１０％以上に設定される。次のスパッタ室１１
中の水素含有炭素ターゲットｔ４は、図１における第２
水素含有炭素膜５２を形成するためのもので、水素含有
量が20％未満となるように、スパッタ室１１中のメタン
ガス混合比は10％未満に設定される。

【００５０】そして、両スパッタ室１０、１１間の仕切
り開口１２を可能な限り狭くしておくと、図１（ａ）の
ように第１炭素膜51と第２炭素膜52との間で水素含有量
の異なった成膜が行なわれる。

【００５１】〔磁気記録媒体の製造方法について〕図６
(a)(b)は本発明による磁気記録媒体の製造方法の実施例
を、従来の製造方法と比較して示した模式断面図であ
る。そして、両者の炭素系保護層の水素含有量および紫
外線照射時間をパラメータとして、潤滑剤との付着性を
調査した結果を図７に示す。

【００５２】図６（ｂ）に示す従来構成の評価サンプル
は、スパッタリング装置を用いて、Ni-Pめっき処理を施
したアルミニウムからなる非磁性ディスク基板１上に、
Ｃｒ下地層３を1000Å、CoCrTa記録層４を５00Å、水素
含有炭素保護膜５を３00Å順次積層形成した後、その上
に芳香族を官能基にもつパーフロロポリエーテル（商品
名：フォンブリンＡＭ3001、モンテカチーニ社製) を約
25Åの厚さで塗布し、完成した。なお、炭素系保護膜５
の水素含有量は、Arとメタンガスの混合比を変えること
によって制御し、また潤滑剤の付着性は、フッ素系溶剤
によるリンス後の残存量によって評価した。

【００５３】図７から明らかなように、炭素膜５中の水
素含有量が20％を越えて33％となると、初期膜厚25Åの
潤滑剤がリンス後は５Å程度しか残っておらず、官能基
をもつ潤滑剤といえども、その付着性が著しく低下して
しまうことが分かる。

【００５４】これに対し、図６（ａ）のように、スパッ
タリング装置を用いて、Ni-Pめっき処理を施したアルミ
ニウムからなる非磁性ディスク基板１上に、Ｃｒ下地層
３を1000Å、CoCrTa記録層４を５00Åを順次積層形成
し、パーフロロポリエーテルからなる潤滑剤に紫外線照
射すると、図７のように水素含有量が33％の場合でも、
潤滑剤の残量は２倍以上に増えている。なお、紫外線と
しては18５nmと25４nmの波長成分のものを用いた。

【００５５】図８は別の測定結果であり、横軸は紫外線
照射時間、縦軸は潤滑層の厚さで、斜線領域は溶媒リン
ス後に残った膜厚である。（１）図と（２）図とでは潤
滑層の膜厚は異なるが、水素含有量が20％未満のノーマ
ルカーボンの例である。この場合でも、紫外線を30秒間
以上照射すると、潤滑剤の付着性が向上している。

【００５６】（３）図と（４）図とでは潤滑層の膜厚は
異なるが、水素含有量が２０％以上のダイヤモンドライ
クカーボンの例である。この場合も、紫外線を３０秒間
以上照射すると、潤滑剤の付着が良くなっている。

【００５７】本発明は、上記の調査結果をふまえ、図６
（ａ）のように、従来の水素含有量20％以上の炭素系保
護層５を有する磁気記録媒体において潤滑剤を塗布した
後、紫外線照射を行ない、磁気記録媒体を完成した。付
着力の指標として、“溶媒リンス後の潤滑膜厚／リンス
前の潤滑膜厚”の比率を用いた場合、従来の純Ａｒ雰囲
気でスパッタ成膜した炭素膜上の潤滑剤は約40％であ
り、本発明の磁気記録媒体も紫外線照射の条件により、
その比率を40％以上に設定することが可能となる。な
お、磁気ヘッドと磁気記録層４間の距離が増大し信号品
質が低下しないように、炭素系保護層５の膜厚は、５00
Å以下とするのがよい。

【００５８】図５のスパッタ装置を用いて、請求項６の
ように、磁気記録層側の水素含有量20％以上の第１炭素
膜51の上に水素含有量20％未満の第２炭素膜52を積層
し、潤滑剤を塗布した後に紫外線照射すると、紫外線照
射と第２炭素膜52の潤滑剤付着の作用が相まって、潤滑
剤と水素含有炭素系保護層との付着力がより向上する。

【００５９】本実施例では、炭素系保護層の形成法とし
て、メタンガスを混合したスパッタリング法を用いてい
るが、水素を含む混合ガスならよく、またスパッタリン
グ法に代わってＣＶＤ法などを利用してもよい。さら
に、潤滑剤も、フォンブリンＡＭ3001だけでなく、フォ
ンブリンZdolといった他の官能基をもつパーフロロポリ
エーテルを用いても、同様な効果が得られる。潤滑剤の
層の膜厚は、20Å以上で評価したが、20Å以下の膜厚も
可能であり、特に本発明により潤滑剤の付着力が高くな
ると１０Å以下も可能である。

【００６０】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によると、炭素系
保護層が、潤滑層６側より磁気記録層４側の水素含有量
が相対的に多い構成なため、耐衝撃性などの機械的特性
が高く、耐久性にすぐれており、しかも潤滑層６側の水
素含有量が少なく、炭素系保護層と潤滑剤との付着力が
向上するので、潤滑作用を長期間維持できる。したがっ
て、保護層としての機械的強度と潤滑剤の付着力の両方
の要望を満たすことができ、長期的信頼の高い磁気記録
媒体を実現できる。

【００６１】また、炭素系保護層と潤滑層との付着力が
向上することで、潤滑膜の膜減りが抑制されるので、膜
減りを考慮した量分だけ潤滑層や炭素系保護層の膜厚を
薄くできる。その結果、磁気ヘッドと磁気記録層との距
離を短縮することができ、電磁変換特性が改善され、信
号品質が向上するほか、磁気記録媒体の薄型化も実現さ
れる。

【００６２】さらに、炭素系保護層が、磁気記録層側と
潤滑層側との間で水素含有量が徐々に変化するように連
続的に成膜されていると、炭素系保護層内部の膜結合力
も高まる。

【００６３】潤滑剤の塗布後に紫外線照射する磁気記録
媒体製造方法によると、機械的特性にすぐれた水素含有
量20％以上の炭素系保護層を用いた場合でも、潤滑剤と
該炭素系保護層との化学的結合力が促進されるので、潤
滑層の膜減り現象が抑制され、前記の磁気記録媒体の発
明と同様に、潤滑作用が長くかつ耐久性にすぐれた信頼
性の高い磁気記録媒体を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による磁気記録媒体の実施例を従来構成
と比較して示す模式断面図である。

【図２】図１に示した従来構成と本発明の実施例との特
性を比較して示す図である。

【図３】図２の結果をグラフ化した図である。

【図４】水素含有量と炭素系保護層の膜硬度の関係を示
す図である。

【図５】水素含有量の異なる２層を連続スパッタする装
置を例示する図である。

【図６】本発明による磁気記録媒体製造方法の実施例を
従来方法と比較して示す、磁気記録媒体の模式断面図で
ある。

【図７】図６に示した従来方法と本発明方法との特性を
比較して示す図である。

【図８】紫外線照射時間と潤滑剤付着量との関係を示し
た測定結果である。

【図９】従来の薄膜磁気ディスクの断面構造を示す図で
ある。

【図10】従来の薄膜磁気ディスクの製造方法を工程順に
示す断面図である。

【図11】磁気ディスク装置の内部構造の全容を示す平面
図である。

【符号の説明】

Ｄ 磁気ディスク １ 非磁性基板 ２ NiＰめっき層 ３ Ｃｒ下地層 ４ 磁気記録層（薄膜磁性膜） ５ 炭素系保護層（保護膜） 51 第１炭素膜（水素含有量20％未満) 52 第２炭素膜（水素含有量20％以上) ６ 潤滑剤の層（潤滑層） ７ 磁気ヘッド 10,11 スパッタ室 12 スパッタ室間の開口 ｔ１〜ｔ４ ターゲット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 真 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板上に、情報を記憶する磁気記
   録層と該磁気記録層の損傷を防止する炭素系保護層およ
   び潤滑層を順次形成した磁気記録媒体において、 該炭素系保護層が、磁気記録層４側に対し潤滑層６側
   が、相対的に水素含有量の少ないことを特徴とする磁気
   記録媒体。
2. 【請求項２】 前記の炭素系保護層が、磁気記録層４側
   は水素含有量20％（あるいはＣ−Ｈ量が0.4 ×10²²c
   m^-3）以上の第１炭素膜51であり、潤滑層６側は水素含
   有量20％（あるいはＣ−Ｈ量が0.4 ×10²²cm^-3）未満の
   第２炭素膜52であることを特徴とする請求項１記載の磁
   気記録媒体。
3. 【請求項３】 前記の炭素系保護層において、磁気記録
   層４側と潤滑層６側との間の水素含有量が徐々に変化す
   るように連続的に成膜されていることを特徴とする請求
   項１記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 前記の炭素系保護層において、磁気記録
   層４側が水素含有量20％（あるいはC-Ｈ量が0.4 ×10²²
   cm^-3）以上であり、潤滑層６側が水素含有量20％（ある
   いはC-Ｈ量が0.4 ×10²²cm^-3）未満であることを特徴と
   する請求項３記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 前記の潤滑層６を構成する潤滑剤が、官
   能基を有するパーフロロポリエーテルであることを特徴
   とする請求項１ないし４中のいずれかの項に記載の磁気
   記録媒体。
6. 【請求項６】 前記のパーフロロポリエーテルの官能基
   が水酸基あるいは芳香族であることを特徴とする請求項
   ５記載の磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 非磁性基板上に、情報を記憶する磁気記
   録層と該磁気記録層の損傷を防止する炭素系保護層およ
   び潤滑層を順次形成した磁気記録媒体を製造する際に、 該潤滑層を塗布した後に、該潤滑層に紫外線を照射する
   ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
8. 【請求項８】 前記の炭素系保護層が20％以上の水素あ
   るいは0.4 ×10²²cm^-3以上のＣ−Ｈ量を含む水素含有炭
   素膜であることを特徴とする請求項７記載の磁気記録媒
   体の製造方法。
9. 【請求項９】 前記の炭素系保護層が、磁気記録層４側
   は水素含有量20％（あるいはＣ−Ｈ量が0.4 ×10²²c
   m^-3）以上の第一炭素膜51であり、潤滑層６側は水素含
   有量20％（あるいはＣ−Ｈ量が0.4 ×10²²cm^-3）未満の
   第二炭素膜52であることを特徴とする請求項７記載の磁
   気記録媒体の製造方法。
10. 【請求項10】 前記の潤滑層６を構成する潤滑剤が、官
    能基を有するパーフロロポリエーテルであることを特徴
    とする請求項７ないし９中のいずれかの項に記載の磁気
    記録媒体の製造方法。
11. 【請求項11】 前記の潤滑剤が水酸基あるいは芳香族を
    官能基とするパーフロロポリエーテルであることを特徴
    とする請求項10記載の磁気記録媒体の製造方法。
12. 【請求項12】 前記の潤滑剤の層が、“溶媒リンス後の
    潤滑膜厚／リンス前の潤滑膜厚”で定義される比率が４
    ０％以上であることを特徴とする請求項７ないし11中の
    いずれかの項に記載の磁気記録媒体の製造方法。