JPH06195691A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH06195691A JPH06195691A JP4319804A JP31980492A JPH06195691A JP H06195691 A JPH06195691 A JP H06195691A JP 4319804 A JP4319804 A JP 4319804A JP 31980492 A JP31980492 A JP 31980492A JP H06195691 A JPH06195691 A JP H06195691A
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録媒体において、硬度の高いスライダ
ー材料を用いてもクラッシュの発生が少なく、耐ＣＳＳ
特性の良いカーボン保護層が形成された磁気記録媒体を
実現する。 【構成】 メタンを所定の混入量以上に混入させたスパ
ッタリングガスを用いてカーボン保護層を形成すると、
ダイアモンド結合の比率がグラファイト結合の比率より
高く、さらに、ポリマー性の結合が適度に存在するカー
ボン保護層を形成できる。このようなカーボン保護層を
有する磁気記録媒体（ケース３）は、ＣＳＳサイクル試
験において非常に高い耐久性を示す。
ー材料を用いてもクラッシュの発生が少なく、耐ＣＳＳ
特性の良いカーボン保護層が形成された磁気記録媒体を
実現する。 【構成】 メタンを所定の混入量以上に混入させたスパ
ッタリングガスを用いてカーボン保護層を形成すると、
ダイアモンド結合の比率がグラファイト結合の比率より
高く、さらに、ポリマー性の結合が適度に存在するカー
ボン保護層を形成できる。このようなカーボン保護層を
有する磁気記録媒体（ケース３）は、ＣＳＳサイクル試
験において非常に高い耐久性を示す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータのハード
ディスク装置などに用いられる磁気ディスク等の磁気記
録媒体の構成に関するものであり、特に、磁気記録媒体
の磁性層を保護するために形成される保護層に関するも
のである。
ディスク装置などに用いられる磁気ディスク等の磁気記
録媒体の構成に関するものであり、特に、磁気記録媒体
の磁性層を保護するために形成される保護層に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータなどの情報処理装置
の外部記録装置として固定磁気ディスク装置が多く用い
られている。図９に、この固定磁気ディスク装置に用い
られている一般的な磁気記録媒体の構成を示してある。
この磁気記録媒体は、非磁性基板１１上に非磁性金属層
１２を形成して非磁性の基体１とし、この基体１の上
に、非磁性の金属下地層２を積層してある。そして、こ
の金属下地層２上に、強磁性合金体であるＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ（コバルト−クロム−タンタル）、またはＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）などにより磁性層
３を薄膜状に積層形成し、さらに、これらの磁性層上に
アモルファスカーボン保護層４を形成する。
の外部記録装置として固定磁気ディスク装置が多く用い
られている。図９に、この固定磁気ディスク装置に用い
られている一般的な磁気記録媒体の構成を示してある。
この磁気記録媒体は、非磁性基板１１上に非磁性金属層
１２を形成して非磁性の基体１とし、この基体１の上
に、非磁性の金属下地層２を積層してある。そして、こ
の金属下地層２上に、強磁性合金体であるＣｏ−Ｃｒ−
Ｔａ（コバルト−クロム−タンタル）、またはＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）などにより磁性層
３を薄膜状に積層形成し、さらに、これらの磁性層上に
アモルファスカーボン保護層４を形成する。
【０００３】そして、この保護層４の上に、必要に応じ
て液体潤滑剤からなる潤滑層５を設けて磁気ディスクを
形成している。
て液体潤滑剤からなる潤滑層５を設けて磁気ディスクを
形成している。
【０００４】非磁性の基体１としては、例えばＡｌ−Ｍ
ｇ合金の非磁性基板１１に無電解メッキによりＮｉ−Ｐ
メッキ層１２を形成したもの、アルマイト基体、ガラス
基体、セラミック基体、などが用いられる。そして、こ
の基体１を必要に応じて研磨し、テクスチャーなどによ
り凹凸を形成する場合もある。この非磁性の基体１を〜
２００°Ｃに加熱しながらＡｒ雰囲気下のスパッタリン
グによりＣｒからなる非磁性金属下地層２、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａなどからなる磁性層３、およびアモルファスカー
ボンからなる保護層４を順次スパッタ法により積層成形
する。そして、保護層４上に、フロロカーボン系の液体
潤滑剤を塗布して潤滑層５を形成し、磁気ディスクを製
造する。
ｇ合金の非磁性基板１１に無電解メッキによりＮｉ−Ｐ
メッキ層１２を形成したもの、アルマイト基体、ガラス
基体、セラミック基体、などが用いられる。そして、こ
の基体１を必要に応じて研磨し、テクスチャーなどによ
り凹凸を形成する場合もある。この非磁性の基体１を〜
２００°Ｃに加熱しながらＡｒ雰囲気下のスパッタリン
グによりＣｒからなる非磁性金属下地層２、Ｃｏ−Ｃｒ
−Ｔａなどからなる磁性層３、およびアモルファスカー
ボンからなる保護層４を順次スパッタ法により積層成形
する。そして、保護層４上に、フロロカーボン系の液体
潤滑剤を塗布して潤滑層５を形成し、磁気ディスクを製
造する。
【０００５】このような磁気ディスクがハードディスク
装置などに実装されると、装置の記録ヘッドとの接触動
作を繰り返すこととなる。これは、一般に、ハードディ
スク装置などにおいて、停止時にヘッドと磁気ディスク
表面が接触する状態であり、この状態から稼動時にのみ
にヘッドが磁気ディスク表面から僅かに浮上して、情報
の読み取り動作または書込み動作が行われるＣＳＳ（コ
ンタクト・スタート・ストップ）方式が採用されている
ためである。従って、電源のオン・オフ、およびヘッド
のシーク動作に伴いヘッドと磁気ディスク表面の突起等
の間には、瞬間的にエネルギーの高いヘッドタッチが発
生する。このような物理的な衝撃などから磁性層を保護
するために磁性層の表面に保護層を形成しており、ま
た、場合によっては、液体潤滑膜も形成する。一般的
に、５インチ以下の少口径のディスクの場合は、保護層
の材料としてカーボンが用いられ、Ａｒ雰囲気中でのス
パッタリングにより層を形成することが多いが、この他
にも酸化物系、例えば、酸化ジルコニアなどが使用され
ることもある。保護層としてカーボンが採用される理由
の一つとして、スパッタリングにより形成されるアモル
ファスカーボン層は、比較的グラファイト性が強いた
め、グラファイト特有の水を含んだ大気下において低い
摩擦係数を示すという特徴を有する点がある。
装置などに実装されると、装置の記録ヘッドとの接触動
作を繰り返すこととなる。これは、一般に、ハードディ
スク装置などにおいて、停止時にヘッドと磁気ディスク
表面が接触する状態であり、この状態から稼動時にのみ
にヘッドが磁気ディスク表面から僅かに浮上して、情報
の読み取り動作または書込み動作が行われるＣＳＳ（コ
ンタクト・スタート・ストップ）方式が採用されている
ためである。従って、電源のオン・オフ、およびヘッド
のシーク動作に伴いヘッドと磁気ディスク表面の突起等
の間には、瞬間的にエネルギーの高いヘッドタッチが発
生する。このような物理的な衝撃などから磁性層を保護
するために磁性層の表面に保護層を形成しており、ま
た、場合によっては、液体潤滑膜も形成する。一般的
に、５インチ以下の少口径のディスクの場合は、保護層
の材料としてカーボンが用いられ、Ａｒ雰囲気中でのス
パッタリングにより層を形成することが多いが、この他
にも酸化物系、例えば、酸化ジルコニアなどが使用され
ることもある。保護層としてカーボンが採用される理由
の一つとして、スパッタリングにより形成されるアモル
ファスカーボン層は、比較的グラファイト性が強いた
め、グラファイト特有の水を含んだ大気下において低い
摩擦係数を示すという特徴を有する点がある。
【０００６】しかしながら、このようなカーボン保護層
は、従来のＭｎ−Ｚｎフェライトヘッド（ビッカース硬
度約６５０）に対しては十分な耐磨耗性を有し、良好な
耐ＣＳＳ特性を示すが、最近になり固定磁気ディスク装
置に採用される薄膜ヘッドやＭＩＧヘッドのスライダー
材料であるＡｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣやＣａＴｉＯ3 といった
硬質のセラミック材料（ビッカース硬度約２０００）と
比較すると硬度が低いため、これら硬質スライダーに対
しては磨耗を引き起こし易く、場合によっては、ヘッド
がクラッシュするという問題がある。これに対し、硬度
の高い酸化物系の保護層を用いた場合は、磨耗は起こし
難いが、その硬すぎる性質と、摩擦係数が高い点が問題
となる。すなわち、シーク動作に伴う浮上動作中、ある
いはＣＳＳ動作中にディスク表面の異物や突起物によっ
て起きる瞬間的なエネルギーの高い状態でのヘッドタッ
チにより、瞬時にヘッドがクラッシュしてしまうのであ
る。このような問題を解決するために、近年ではカーボ
ン保護層の性質のうち、硬度の高いダイアモンド的な性
質を増長させ、ダイアモンド結合状態の比率がグラファ
イト結合状態の比率に比して高いダイアモンド状炭素膜
を磁性層上に保護層として形成する方法が示されてい
る。このダイアモンド状炭素膜は、炭素の優れた摺動特
性に加えて、ダイアモンド構造を取るため硬度が高く、
高硬度のＡｌ2Ｏ3 ・ＴｉＣスライダーやＣａＴｉＯ3
スライダーに対しての耐磨耗特性を改善することがで
き、既に様々な提案がなされている。例えば、特開昭６
１−１２６６２７には不活性ガスと炭化水素ガスとの混
合雰囲気中でのスパッタリング法またはＣＶＤ法で形成
した硬質カーボン層と含フッ素潤滑層との複合層が示さ
れている。また、特開平２−７１４２２には膜中結合水
素とラマンスペクトルから規定された膜質のカーボン層
が示され、特開平２−２９９１９にはラマンスペクトル
により規定されたカーボン層の例がある。また、特開平
２−８７３２２には水素を含む炭素膜とその上に潤滑剤
が塗布された磁気記録媒体の例があり、特開平１−２５
８２２０では高硬度スライダー用保護層として、水素含
有量２〜７×１０22原子個数／ｃｃのダイアモンド状炭
素膜が高硬度スライダーと同程度の硬度を有し、耐ＣＳ
Ｓ特性に優れることが示されている。さらに、特開平２
−２８２４７０では、炭化水素ガス中でスパッタして形
成し、カーボンをＡｒのみでスパッタリング成膜した従
来のグラファイト保護膜と同程度の硬度を持つこととそ
の表面が疎水性を持つことを規定したカーボン保護膜が
提案されている。
は、従来のＭｎ−Ｚｎフェライトヘッド（ビッカース硬
度約６５０）に対しては十分な耐磨耗性を有し、良好な
耐ＣＳＳ特性を示すが、最近になり固定磁気ディスク装
置に採用される薄膜ヘッドやＭＩＧヘッドのスライダー
材料であるＡｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣやＣａＴｉＯ3 といった
硬質のセラミック材料（ビッカース硬度約２０００）と
比較すると硬度が低いため、これら硬質スライダーに対
しては磨耗を引き起こし易く、場合によっては、ヘッド
がクラッシュするという問題がある。これに対し、硬度
の高い酸化物系の保護層を用いた場合は、磨耗は起こし
難いが、その硬すぎる性質と、摩擦係数が高い点が問題
となる。すなわち、シーク動作に伴う浮上動作中、ある
いはＣＳＳ動作中にディスク表面の異物や突起物によっ
て起きる瞬間的なエネルギーの高い状態でのヘッドタッ
チにより、瞬時にヘッドがクラッシュしてしまうのであ
る。このような問題を解決するために、近年ではカーボ
ン保護層の性質のうち、硬度の高いダイアモンド的な性
質を増長させ、ダイアモンド結合状態の比率がグラファ
イト結合状態の比率に比して高いダイアモンド状炭素膜
を磁性層上に保護層として形成する方法が示されてい
る。このダイアモンド状炭素膜は、炭素の優れた摺動特
性に加えて、ダイアモンド構造を取るため硬度が高く、
高硬度のＡｌ2Ｏ3 ・ＴｉＣスライダーやＣａＴｉＯ3
スライダーに対しての耐磨耗特性を改善することがで
き、既に様々な提案がなされている。例えば、特開昭６
１−１２６６２７には不活性ガスと炭化水素ガスとの混
合雰囲気中でのスパッタリング法またはＣＶＤ法で形成
した硬質カーボン層と含フッ素潤滑層との複合層が示さ
れている。また、特開平２−７１４２２には膜中結合水
素とラマンスペクトルから規定された膜質のカーボン層
が示され、特開平２−２９９１９にはラマンスペクトル
により規定されたカーボン層の例がある。また、特開平
２−８７３２２には水素を含む炭素膜とその上に潤滑剤
が塗布された磁気記録媒体の例があり、特開平１−２５
８２２０では高硬度スライダー用保護層として、水素含
有量２〜７×１０22原子個数／ｃｃのダイアモンド状炭
素膜が高硬度スライダーと同程度の硬度を有し、耐ＣＳ
Ｓ特性に優れることが示されている。さらに、特開平２
−２８２４７０では、炭化水素ガス中でスパッタして形
成し、カーボンをＡｒのみでスパッタリング成膜した従
来のグラファイト保護膜と同程度の硬度を持つこととそ
の表面が疎水性を持つことを規定したカーボン保護膜が
提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】我々は上記の提案につ
いて各々検討を試みたが、いずれの提案もＡｌ2 Ｏ3 ・
ＴｉＣやＣａＴｉＯ3 の硬質スライダーに対する摺動特
性を十分満足する結果は得られなかった。上記構成のカ
ーボン保護層において、ダイアモンド的な性質を増長さ
せてダイアモンド結合状態の比率が高い高硬度な層を形
成すれば、硬質スライダーに対しての耐磨耗性を向上さ
せることができるが、硬すぎると、かえって磁気ヘッド
を傷つけ、その磨耗粉が磁気ヘッドおよび磁気ディスク
をさらに傷つけて磨耗を促進させるという問題がある。
逆に、軟らかすぎると、アモルファスカーボン層の場合
と同じく、硬質スライダーによって磨耗されてしまう。
このように、上記従来技術では、低摩擦係数と耐磨耗性
とを具備する優れた摺動特性を有し、最適な耐ＣＳＳ特
性を示す膜質を見出すには至っていない。
いて各々検討を試みたが、いずれの提案もＡｌ2 Ｏ3 ・
ＴｉＣやＣａＴｉＯ3 の硬質スライダーに対する摺動特
性を十分満足する結果は得られなかった。上記構成のカ
ーボン保護層において、ダイアモンド的な性質を増長さ
せてダイアモンド結合状態の比率が高い高硬度な層を形
成すれば、硬質スライダーに対しての耐磨耗性を向上さ
せることができるが、硬すぎると、かえって磁気ヘッド
を傷つけ、その磨耗粉が磁気ヘッドおよび磁気ディスク
をさらに傷つけて磨耗を促進させるという問題がある。
逆に、軟らかすぎると、アモルファスカーボン層の場合
と同じく、硬質スライダーによって磨耗されてしまう。
このように、上記従来技術では、低摩擦係数と耐磨耗性
とを具備する優れた摺動特性を有し、最適な耐ＣＳＳ特
性を示す膜質を見出すには至っていない。
【０００８】そこで、本発明においては、上記の問題点
に鑑みて、カーボン保護層の特質を保持しながら、硬度
の高いスライダー材料に対応できる低硬度の保護層の形
成された磁気記録媒体を実現することを目的としてい
る。
に鑑みて、カーボン保護層の特質を保持しながら、硬度
の高いスライダー材料に対応できる低硬度の保護層の形
成された磁気記録媒体を実現することを目的としてい
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明においては、グラファイト的なカーボンの
摩擦係数が低いという性質を残しながら、硬度の高いＡ
ｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣスライダーやＣａＴｉＯ3 スライダー
に対応するために、スパッタリングにより形成されるカ
ーボン保護層の性質のうち、硬度の高いダイアモンド的
な性質を増長させながら、一方で、ポリマー的な結合を
導入し、硬度を低下させたカーボン保護層を形成してい
る。すなわち、本発明に係る非磁性の基体上に積層され
た磁性層を保護するカーボン保護層を少なくとも有する
磁気記録媒体においては、カーボン保護層の主成分であ
る炭素のラマンスペクトル解析（波長５１４．５ｎｍの
アルゴンイオンレーザー励起による）により、ポリマー
性結合状態と、グラファイト結合状態に比して高い比率
のダイアモンド結合状態とを示すことを特徴としてい
る。ここで、カーボン保護層のラマンスペクトル解析に
より、１５４５〜１５７５ｃｍ-1領域に得られるピーク
の蛍光分を除いた実質的なピーク強度Ａと、ピークの蛍
光分を含んだ全体的なピーク強度Ｂとの比率（Ｂ／Ａ）
が１．５以上であることが好ましく、２．０以上である
場合にはさらに好ましい。また、カーボン保護層のラマ
ンスペクトル解析により得られるラマンスペクトルから
蛍光分を除き、ラマンスペクトルをガウス関数で２つの
ピークに分離したときの、１５４５〜１５７５ｃｍ-1領
域のピーク強度Ｄと、１３４０〜１４４０ｃｍ-1領域の
ピーク強度Ｇとの比率（Ｄ／Ｇ）が１．３〜３．５の範
囲内にあることが好ましい。このような磁気記録媒体
は、同時に、カーボン保護層の微小硬度が３０〜５０Ｇ
Ｐａであり、また、カーボン保護層の比抵抗が少なくと
も１０7 Ω・ｃｍである。
めに、本発明においては、グラファイト的なカーボンの
摩擦係数が低いという性質を残しながら、硬度の高いＡ
ｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣスライダーやＣａＴｉＯ3 スライダー
に対応するために、スパッタリングにより形成されるカ
ーボン保護層の性質のうち、硬度の高いダイアモンド的
な性質を増長させながら、一方で、ポリマー的な結合を
導入し、硬度を低下させたカーボン保護層を形成してい
る。すなわち、本発明に係る非磁性の基体上に積層され
た磁性層を保護するカーボン保護層を少なくとも有する
磁気記録媒体においては、カーボン保護層の主成分であ
る炭素のラマンスペクトル解析（波長５１４．５ｎｍの
アルゴンイオンレーザー励起による）により、ポリマー
性結合状態と、グラファイト結合状態に比して高い比率
のダイアモンド結合状態とを示すことを特徴としてい
る。ここで、カーボン保護層のラマンスペクトル解析に
より、１５４５〜１５７５ｃｍ-1領域に得られるピーク
の蛍光分を除いた実質的なピーク強度Ａと、ピークの蛍
光分を含んだ全体的なピーク強度Ｂとの比率（Ｂ／Ａ）
が１．５以上であることが好ましく、２．０以上である
場合にはさらに好ましい。また、カーボン保護層のラマ
ンスペクトル解析により得られるラマンスペクトルから
蛍光分を除き、ラマンスペクトルをガウス関数で２つの
ピークに分離したときの、１５４５〜１５７５ｃｍ-1領
域のピーク強度Ｄと、１３４０〜１４４０ｃｍ-1領域の
ピーク強度Ｇとの比率（Ｄ／Ｇ）が１．３〜３．５の範
囲内にあることが好ましい。このような磁気記録媒体
は、同時に、カーボン保護層の微小硬度が３０〜５０Ｇ
Ｐａであり、また、カーボン保護層の比抵抗が少なくと
も１０7 Ω・ｃｍである。
【００１０】この磁気記録媒体において、カーボン保護
層は主成分である炭素に、少なくとも第２成分が添加さ
れていることを特徴としており、第２成分として水素を
用いた場合には、添加量を３０〜５０アトミック％とす
ることが望ましい。また、カーボン保護層は主成分であ
る炭素、および第２成分である水素に加えて第３成分で
ある酸素が、カーボン保護層の摺動特性を向上可能な程
度に、例えば７アトミック％以下の添加量で添加されて
いることが好ましい。そして、カーボン保護層の膜厚は
１００〜４００Åであることが好ましく、さらに好まし
くは、カーボン保護層の表面側に、一般式 −（ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ−）m −（−ＣＦ2 Ｏ−）n − （式中のｍおよびｎは整数を示す）で示される分子量２
０００〜５０００のパーフルオロポリエーテルを主成分
として形成された潤滑層を有していることである。
層は主成分である炭素に、少なくとも第２成分が添加さ
れていることを特徴としており、第２成分として水素を
用いた場合には、添加量を３０〜５０アトミック％とす
ることが望ましい。また、カーボン保護層は主成分であ
る炭素、および第２成分である水素に加えて第３成分で
ある酸素が、カーボン保護層の摺動特性を向上可能な程
度に、例えば７アトミック％以下の添加量で添加されて
いることが好ましい。そして、カーボン保護層の膜厚は
１００〜４００Åであることが好ましく、さらに好まし
くは、カーボン保護層の表面側に、一般式 −（ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ−）m −（−ＣＦ2 Ｏ−）n − （式中のｍおよびｎは整数を示す）で示される分子量２
０００〜５０００のパーフルオロポリエーテルを主成分
として形成された潤滑層を有していることである。
【００１１】このような磁気記録媒体は、非磁性の基体
上に積層された磁性層の表面に、Ａｒガスを主成分とす
るスパッタリングガス雰囲気下のスパッタリングにより
カーボン保護層を形成する保護層形成工程を有する磁気
記録媒体の製造方法において、スパッタリングガスはメ
タンを１０〜３５モル％含有した混合ガスであることを
特徴とする製造方法によって製造することができる。
上に積層された磁性層の表面に、Ａｒガスを主成分とす
るスパッタリングガス雰囲気下のスパッタリングにより
カーボン保護層を形成する保護層形成工程を有する磁気
記録媒体の製造方法において、スパッタリングガスはメ
タンを１０〜３５モル％含有した混合ガスであることを
特徴とする製造方法によって製造することができる。
【００１２】
【作用】スパッタリングにより形成されたカーボン保護
層は、アモルファス状態に近く、微視的には、すなわち
短周期的には、グラファイト結合とダイアモンド結合を
有し、全体として、すなわち長周期的にはこれらの結合
の混合状態である。従って、ダイアモンド結合の比率を
高めることにより、微視的な硬度は増加させ、さらに、
ポリマー状の結合を導入することにより、全体として
は、低硬度である保護層を形成することが可能となる。
このようなカーボン保護層を用いた場合は、硬度の高い
スライダー材料が用いられたヘッドに対しても、磨耗は
起こし難く、同時に、硬すぎる性質は除去され、摩擦係
数も低い。従って、ＣＳＳサイクルにおいても、摩擦係
数の変化は少なく、ＣＳＳ動作中にディスク表面の異物
や突起物によるヘッドタッチに起因したクラッシュも防
止でき、ＣＳＳ耐久性の高い磁気記録媒体を実現するこ
とができる。このような、最適な耐ＣＳＳ特性を示すカ
ーボン保護層の膜質の指標として、そのラマンスペクト
ル解析の結果、１５４５〜１５７５ｃｍ-1領域に現れる
ピークの蛍光分を除いた実質的なピーク強度Ａと、ピー
クの蛍光分を含んだ全体的なピーク強度Ｂとの比率（Ｂ
／Ａ）を算出して、この蛍光強度比が１．５以上、好ま
しくは２．０以上である場合に、カーボン保護層の膜質
を最適化できる。これはカーボン保護層におけるポリマ
ー状の結合が蛍光強度として測定されるからであり、ダ
イアモンド結合を示す１５４５〜１５７５ｃｍ-1領域の
ピークが蛍光によるバックグラウンドよりも大きく突出
しているカーボン膜は、蛍光強度比が１．５よりも小さ
くなり、膜質が硬すぎるので、ヘッドがクラッシュする
可能性が高く、良好なＣＳＳ耐久性を得ることはできな
い。また、カーボン保護層において、ラマンスペクトル
解析のラマンシフトにより得られる１３４０〜１４４０
ｃｍ-1領域のピークで示されるグラファイト結合と、１
５４５〜１５７５ｃｍ-1領域のピークで示されるダイア
モンド結合とのピーク強度比は１．３〜３．５の範囲内
においてカーボン保護層の膜質を最適化することができ
る。
層は、アモルファス状態に近く、微視的には、すなわち
短周期的には、グラファイト結合とダイアモンド結合を
有し、全体として、すなわち長周期的にはこれらの結合
の混合状態である。従って、ダイアモンド結合の比率を
高めることにより、微視的な硬度は増加させ、さらに、
ポリマー状の結合を導入することにより、全体として
は、低硬度である保護層を形成することが可能となる。
このようなカーボン保護層を用いた場合は、硬度の高い
スライダー材料が用いられたヘッドに対しても、磨耗は
起こし難く、同時に、硬すぎる性質は除去され、摩擦係
数も低い。従って、ＣＳＳサイクルにおいても、摩擦係
数の変化は少なく、ＣＳＳ動作中にディスク表面の異物
や突起物によるヘッドタッチに起因したクラッシュも防
止でき、ＣＳＳ耐久性の高い磁気記録媒体を実現するこ
とができる。このような、最適な耐ＣＳＳ特性を示すカ
ーボン保護層の膜質の指標として、そのラマンスペクト
ル解析の結果、１５４５〜１５７５ｃｍ-1領域に現れる
ピークの蛍光分を除いた実質的なピーク強度Ａと、ピー
クの蛍光分を含んだ全体的なピーク強度Ｂとの比率（Ｂ
／Ａ）を算出して、この蛍光強度比が１．５以上、好ま
しくは２．０以上である場合に、カーボン保護層の膜質
を最適化できる。これはカーボン保護層におけるポリマ
ー状の結合が蛍光強度として測定されるからであり、ダ
イアモンド結合を示す１５４５〜１５７５ｃｍ-1領域の
ピークが蛍光によるバックグラウンドよりも大きく突出
しているカーボン膜は、蛍光強度比が１．５よりも小さ
くなり、膜質が硬すぎるので、ヘッドがクラッシュする
可能性が高く、良好なＣＳＳ耐久性を得ることはできな
い。また、カーボン保護層において、ラマンスペクトル
解析のラマンシフトにより得られる１３４０〜１４４０
ｃｍ-1領域のピークで示されるグラファイト結合と、１
５４５〜１５７５ｃｍ-1領域のピークで示されるダイア
モンド結合とのピーク強度比は１．３〜３．５の範囲内
においてカーボン保護層の膜質を最適化することができ
る。
【００１３】このようなカーボン保護層を形成するため
には、幾つかの手段が考えられるが、ダイアモンド構
造、すなわち、立体対角線の方向に１／４だけずれた２
個の面心立方格子の核となる第２成分を添加すること、
６炭素環の層状構造であるグラファイト構造をなす炭素
原子間の２重結合を断ち切ることが有効である。従っ
て、正四面体構造を有するメタンなどを添加することに
よりＣＳＳ耐久性の高いカーボン保護層を形成できる。
このような保護層においては、メタンの水素が第２成分
として添加されることとなり、また、水素を添加するこ
とにより２重結合を断ち切ることが可能である。これに
よってもダイアモンド結合状態、およびポリマー性の結
合状態を導入することができ、その結果は、カーボン保
護層の比抵抗の上昇として捉えることができる。また、
カーボン保護層の形成工程において、第２成分の水素に
加えて、第３成分として酸素を添加することにより、炭
素原子間の２重結合が断ち切られて、アルデヒド基（−
ＣＨＯ）やカルボニル基（−ＣＯ）などの炭素と酸素と
の結合からなる有機化学基が形成されるため、保護層の
膜質にポリマー性の結合を導入する上で有効である。
には、幾つかの手段が考えられるが、ダイアモンド構
造、すなわち、立体対角線の方向に１／４だけずれた２
個の面心立方格子の核となる第２成分を添加すること、
６炭素環の層状構造であるグラファイト構造をなす炭素
原子間の２重結合を断ち切ることが有効である。従っ
て、正四面体構造を有するメタンなどを添加することに
よりＣＳＳ耐久性の高いカーボン保護層を形成できる。
このような保護層においては、メタンの水素が第２成分
として添加されることとなり、また、水素を添加するこ
とにより２重結合を断ち切ることが可能である。これに
よってもダイアモンド結合状態、およびポリマー性の結
合状態を導入することができ、その結果は、カーボン保
護層の比抵抗の上昇として捉えることができる。また、
カーボン保護層の形成工程において、第２成分の水素に
加えて、第３成分として酸素を添加することにより、炭
素原子間の２重結合が断ち切られて、アルデヒド基（−
ＣＨＯ）やカルボニル基（−ＣＯ）などの炭素と酸素と
の結合からなる有機化学基が形成されるため、保護層の
膜質にポリマー性の結合を導入する上で有効である。
【００１４】さらに、カーボン保護層の膜厚を１００〜
４００Åとすることにより、磁性層上に略均一な膜厚の
保護層を形成して、保護層としての十分な効果を発揮せ
しめると共に、磁性層と磁気ヘッドとの距離が拡大する
ことが抑制されるので、電磁変換特性が良好な状態に維
持され、磁気記録媒体の高記録密度化が達成される。
４００Åとすることにより、磁性層上に略均一な膜厚の
保護層を形成して、保護層としての十分な効果を発揮せ
しめると共に、磁性層と磁気ヘッドとの距離が拡大する
ことが抑制されるので、電磁変換特性が良好な状態に維
持され、磁気記録媒体の高記録密度化が達成される。
【００１５】水素、すなわち、メタンの導入は、スパッ
タリングガスにメタンを添加することによって行なうこ
とが可能である。
タリングガスにメタンを添加することによって行なうこ
とが可能である。
【００１６】
【実施例】以下に図面を参照して、本発明の実施例を説
明する。
明する。
【００１７】〔実施例１〕図１に、本実施例において製
造したカーボン保護膜のビッカース硬さを示す微小硬度
と、スパッタリングする際に含有させたメタンガスの混
入量との関係を示してある。本例の磁気ディスクは、先
に図９に基づき説明した従来の磁気ディスクと同様の構
成で、同様の製造方法により製造したディスクであり、
共通する部分の説明は省略する。なお、本例の磁気ディ
スクは、Ａｌ−Ｍｇ合金の基板１１にＮｉ−Ｐメッキ１
２を施して基体１を製造しており、この基体表面はテー
プ研磨され各層のスパッタリングを行っている。そし
て、本例の磁気ディスクにおいては、２２５〜３００Å
程度のカーボン保護層４をスパッタリングにより形成す
る際に、Ａｒを主成分とするスパッタリングガスに、図
１に示す量のメタンを混入させてスパッタリングを行な
っている。なお、スパッタリングガスであるＡｒ圧は５
〜１０ｍｍＴｏｒｒ程度としているが、本実施例に示す
効果においては、メタンの混入量以外の影響がないこと
が確かめられている。
造したカーボン保護膜のビッカース硬さを示す微小硬度
と、スパッタリングする際に含有させたメタンガスの混
入量との関係を示してある。本例の磁気ディスクは、先
に図９に基づき説明した従来の磁気ディスクと同様の構
成で、同様の製造方法により製造したディスクであり、
共通する部分の説明は省略する。なお、本例の磁気ディ
スクは、Ａｌ−Ｍｇ合金の基板１１にＮｉ−Ｐメッキ１
２を施して基体１を製造しており、この基体表面はテー
プ研磨され各層のスパッタリングを行っている。そし
て、本例の磁気ディスクにおいては、２２５〜３００Å
程度のカーボン保護層４をスパッタリングにより形成す
る際に、Ａｒを主成分とするスパッタリングガスに、図
１に示す量のメタンを混入させてスパッタリングを行な
っている。なお、スパッタリングガスであるＡｒ圧は５
〜１０ｍｍＴｏｒｒ程度としているが、本実施例に示す
効果においては、メタンの混入量以外の影響がないこと
が確かめられている。
【００１８】図１において判るように、メタン混入量が
増加すると、微小硬度は増加し、メタン混入量が略１の
時に微小硬度は最高となる。そして、さらに、メタン混
入量を増加させると、微小硬度は低下する。なお、メタ
ン混入量（含有量）は図１に示すように、 含有量＝〔ガス流量〕×〔ガス濃度〕／〔成膜レート〕・・・（１） をユニットとして示してある。
増加すると、微小硬度は増加し、メタン混入量が略１の
時に微小硬度は最高となる。そして、さらに、メタン混
入量を増加させると、微小硬度は低下する。なお、メタ
ン混入量（含有量）は図１に示すように、 含有量＝〔ガス流量〕×〔ガス濃度〕／〔成膜レート〕・・・（１） をユニットとして示してある。
【００１９】このように製造された磁気ディスクのう
ち、メタン混入量がそれぞれ０、１、４のものをケース
１、２、３として選択し、各々のカーボン保護層のラマ
ンスペクトル分析を行なった。その結果を図２に示す。
図２（ａ）に示すケース１の磁気ディスクのカーボン保
護層は、ダイアモンド結合を示すＳＰ３のピークと、グ
ラファイト結合を示すＳＰ２のピークの高さが略同じ
か、あるいはＳＰ２のピークの方が高く、グラファイト
性が強いカーボン保護層であることが判る。これに対し
て、図２（ｂ）に示すケース２のカーボン保護層は、ダ
イアモンド結合を示すＳＰ３のピークがグラファイト結
合を示すＳＰ２のピークと比較し、非常に高く、ダイア
モンド結合の比率が増加していることが判る。このた
め、図１に示す微小硬度が増加していると考えられる。
さらに、メタン混入量が増えたケース３のカーボン保護
層のラマンスペクトルは、図２（ｃ）に示してある。ダ
イアモンド結合を示すＳＰ３のピークはやはりグラファ
イト結合を示すＳＰ２のピークと比較し、非常に高く、
ダイアモンド結合の比率は高い。さらに、ケース３にお
いては、各ピークの裾野の部分が増加しており、ランダ
ムなポリマー性の結合が増加していることが判る。従っ
て、微小的にはダイアモンド結合が増加していることか
ら硬度は高いと考えられるが、微小硬度として得られる
値は、ポリマー性の結合が反映されて硬度が低下してい
ると考えられる。そして、微小硬度の低下量は非常に大
きく、微小硬度の値としては、Ａｒのみのスパッタリン
グガスを用いたケース１の場合よりもむしろ低くなる。
ち、メタン混入量がそれぞれ０、１、４のものをケース
１、２、３として選択し、各々のカーボン保護層のラマ
ンスペクトル分析を行なった。その結果を図２に示す。
図２（ａ）に示すケース１の磁気ディスクのカーボン保
護層は、ダイアモンド結合を示すＳＰ３のピークと、グ
ラファイト結合を示すＳＰ２のピークの高さが略同じ
か、あるいはＳＰ２のピークの方が高く、グラファイト
性が強いカーボン保護層であることが判る。これに対し
て、図２（ｂ）に示すケース２のカーボン保護層は、ダ
イアモンド結合を示すＳＰ３のピークがグラファイト結
合を示すＳＰ２のピークと比較し、非常に高く、ダイア
モンド結合の比率が増加していることが判る。このた
め、図１に示す微小硬度が増加していると考えられる。
さらに、メタン混入量が増えたケース３のカーボン保護
層のラマンスペクトルは、図２（ｃ）に示してある。ダ
イアモンド結合を示すＳＰ３のピークはやはりグラファ
イト結合を示すＳＰ２のピークと比較し、非常に高く、
ダイアモンド結合の比率は高い。さらに、ケース３にお
いては、各ピークの裾野の部分が増加しており、ランダ
ムなポリマー性の結合が増加していることが判る。従っ
て、微小的にはダイアモンド結合が増加していることか
ら硬度は高いと考えられるが、微小硬度として得られる
値は、ポリマー性の結合が反映されて硬度が低下してい
ると考えられる。そして、微小硬度の低下量は非常に大
きく、微小硬度の値としては、Ａｒのみのスパッタリン
グガスを用いたケース１の場合よりもむしろ低くなる。
【００２０】このようなカーボン保護層が形成された磁
気ディスクに対しＣＳＳの繰り返し試験を行っており、
その結果を図３に示してある。この試験は、Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣの薄膜ヘッドを用いて１０ｇｆの荷重によりＣ
ＳＳ動作を繰り返す試験であり、一般には、２５０００
〜３００００回の繰り返し耐力が通常要求される。図３
（ａ）に示すケース１の磁気ディスク、すなわち、グラ
ファイト性の高い保護膜の形成された磁気ディスクにお
いては、急激に摩擦係数が増加し、２００００回前にお
いてクラッシュしてしまう。ケース２の磁気ディスク、
すなわち、ダイアモンド結合の比率が高いカーボン保護
層を有するものにおいては、図３（ｂ）に示すように、
全体として摩擦係数の増加は緩やかであるが、硬すぎる
ため、すぐにクラッシュしてしまう場合もあり、クラッ
シュが直ぐに発生しないものであっても、２００００回
前後の耐ＣＳＳ性能である。これに対し、ケース３の磁
気ディスク、すなわち、ポリマー性の結合が導入された
カーボン保護層を有するものは、摩擦係数の上昇も緩や
かであり、また、クラッシュの発生もないことから４０
０００回のＣＳＳサイクルを繰り返しても性能の劣化は
見られない。一方、これよりメタン混入量を増加させた
スパッタリングガス中でのカーボン保護層の形成は、ス
パッタリングが難しいことから製造上は実際的でないと
考えられ、また、ポリマー性の結合がさらに増加するこ
とから硬度の低下が著しいことが想定される。
気ディスクに対しＣＳＳの繰り返し試験を行っており、
その結果を図３に示してある。この試験は、Ａｌ2 Ｏ3
・ＴｉＣの薄膜ヘッドを用いて１０ｇｆの荷重によりＣ
ＳＳ動作を繰り返す試験であり、一般には、２５０００
〜３００００回の繰り返し耐力が通常要求される。図３
（ａ）に示すケース１の磁気ディスク、すなわち、グラ
ファイト性の高い保護膜の形成された磁気ディスクにお
いては、急激に摩擦係数が増加し、２００００回前にお
いてクラッシュしてしまう。ケース２の磁気ディスク、
すなわち、ダイアモンド結合の比率が高いカーボン保護
層を有するものにおいては、図３（ｂ）に示すように、
全体として摩擦係数の増加は緩やかであるが、硬すぎる
ため、すぐにクラッシュしてしまう場合もあり、クラッ
シュが直ぐに発生しないものであっても、２００００回
前後の耐ＣＳＳ性能である。これに対し、ケース３の磁
気ディスク、すなわち、ポリマー性の結合が導入された
カーボン保護層を有するものは、摩擦係数の上昇も緩や
かであり、また、クラッシュの発生もないことから４０
０００回のＣＳＳサイクルを繰り返しても性能の劣化は
見られない。一方、これよりメタン混入量を増加させた
スパッタリングガス中でのカーボン保護層の形成は、ス
パッタリングが難しいことから製造上は実際的でないと
考えられ、また、ポリマー性の結合がさらに増加するこ
とから硬度の低下が著しいことが想定される。
【００２１】カーボン保護層の特性を調査するため、さ
らに、比抵抗と、水素含有量の測定を行なった。その結
果を図４および図５に示してある。比抵抗は図４に示す
ように、メタン混入量が増加すると上昇し、耐ＣＳＳ性
能が良好なケース３近傍においては、１０7 Ω・ｃｍを
越えている。これは、メタンおよびメタンを構成する水
素が導入されたことで、グラファイト結合をなすダング
リングボンドが切断され比抵抗が増加していること、お
よび、水素がさらに導入されたことによりポリマー性の
結合が増加していることと密接に結びついていると考え
られる。このことは、図５に示す水素の含有量が、メタ
ンの混入量と共に増加していることからも判る。ケース
３と同様に良好な耐ＣＳＳ性能を示す場合は、スパッタ
リングガス中のメタンの混入量が１．５〜５程度（モル
濃度で１０〜３５％、好ましくは２０〜３５％、さらに
好ましくは３０％程度と想定される）と考えられ、これ
に相当する、すなわちケース３を含んだ水素の含有量は
３０〜５０ａｔ％である。
らに、比抵抗と、水素含有量の測定を行なった。その結
果を図４および図５に示してある。比抵抗は図４に示す
ように、メタン混入量が増加すると上昇し、耐ＣＳＳ性
能が良好なケース３近傍においては、１０7 Ω・ｃｍを
越えている。これは、メタンおよびメタンを構成する水
素が導入されたことで、グラファイト結合をなすダング
リングボンドが切断され比抵抗が増加していること、お
よび、水素がさらに導入されたことによりポリマー性の
結合が増加していることと密接に結びついていると考え
られる。このことは、図５に示す水素の含有量が、メタ
ンの混入量と共に増加していることからも判る。ケース
３と同様に良好な耐ＣＳＳ性能を示す場合は、スパッタ
リングガス中のメタンの混入量が１．５〜５程度（モル
濃度で１０〜３５％、好ましくは２０〜３５％、さらに
好ましくは３０％程度と想定される）と考えられ、これ
に相当する、すなわちケース３を含んだ水素の含有量は
３０〜５０ａｔ％である。
【００２２】このように、スパッタリングガスにメタン
に加えてカーボン保護層を形成することにより、ダイア
モンド結合を導入でき、さらに、メタン濃度を上げるこ
とにより、ポリマー性の結合も導入することができる。
このような状態のカーボン保護層は、微小硬度は低下す
るが、比抵抗、水素含有量は増加し、硬度の高いスライ
ダーを用いたＣＳＳサイクル試験において非常に良好な
耐ＣＳＳ特性を示すことが本発明において判明した。従
って、本実施例に示すようなカーボン保護層を用いるこ
とにより、高密度化に必要な、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ等の
硬度の高いスライダーを用いられる場合であっても、摩
擦係数の増加が少なく、耐久性に富んだ磁気記録媒体を
実現することができる。
に加えてカーボン保護層を形成することにより、ダイア
モンド結合を導入でき、さらに、メタン濃度を上げるこ
とにより、ポリマー性の結合も導入することができる。
このような状態のカーボン保護層は、微小硬度は低下す
るが、比抵抗、水素含有量は増加し、硬度の高いスライ
ダーを用いたＣＳＳサイクル試験において非常に良好な
耐ＣＳＳ特性を示すことが本発明において判明した。従
って、本実施例に示すようなカーボン保護層を用いるこ
とにより、高密度化に必要な、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ等の
硬度の高いスライダーを用いられる場合であっても、摩
擦係数の増加が少なく、耐久性に富んだ磁気記録媒体を
実現することができる。
【００２３】〔実施例２〕本発明の実施例２に係る磁気
ディスクは、図９に示す従来の磁気ディスクと同様の構
成で、同様の製造方法により製造したディスクであり、
共通する部分の説明は省略する。なお、本例の磁気ディ
スクは、Ａｌ基板１１の上に、Ｎｉ−Ｐメッキ層１２を
形成し、この基体表面にはＲａ約６０Åのテクスチャー
加工が施され、基体１が製造されている。そして、本例
の磁気ディスクにおいては、Ａｒを主成分とするスパッ
タリングガスに、３０％モル濃度のメタンを混入させた
混合スパッタリングガスを用いて、カーボンをターゲッ
トとした搬送型のＤＣマグネトロンスパッタにより、カ
ーボン保護層４を膜厚さ２５０Åに形成している。な
お、その他の成膜条件は、チャンバー内圧力が１０ｍＴ
ｏｒｒ，混合スパッタリングガス流量が２０ｓｃｃＭ，
放電パワー密度が１．２Ｗ／ｃｍ2 ，搬送速度が２２０
ｍｍ／ｍｉｎとなっている。そして、このように形成さ
れたカーボン保護層４上に、パーフルオロポリエーテル
系潤滑剤、アウジモント社（伊）製のフォンブリンＡＭ
２００１を同社製の溶媒ＺＳ−１００で希釈し、０．１
５ｗｔ．％の溶液を作成してディップ法により、１．０
ｍｍ／ｓの引上げ速度で潤滑剤を塗布して２０〜２３Å
の潤滑層５を形成し、本例の磁気ディスクを製造した。
このように製造された本例の磁気ディスクにおいて、カ
ーボン保護層４の評価結果、および磁気ディスクのＣＳ
Ｓ試験結果を表１にまとめて示してある。
ディスクは、図９に示す従来の磁気ディスクと同様の構
成で、同様の製造方法により製造したディスクであり、
共通する部分の説明は省略する。なお、本例の磁気ディ
スクは、Ａｌ基板１１の上に、Ｎｉ−Ｐメッキ層１２を
形成し、この基体表面にはＲａ約６０Åのテクスチャー
加工が施され、基体１が製造されている。そして、本例
の磁気ディスクにおいては、Ａｒを主成分とするスパッ
タリングガスに、３０％モル濃度のメタンを混入させた
混合スパッタリングガスを用いて、カーボンをターゲッ
トとした搬送型のＤＣマグネトロンスパッタにより、カ
ーボン保護層４を膜厚さ２５０Åに形成している。な
お、その他の成膜条件は、チャンバー内圧力が１０ｍＴ
ｏｒｒ，混合スパッタリングガス流量が２０ｓｃｃＭ，
放電パワー密度が１．２Ｗ／ｃｍ2 ，搬送速度が２２０
ｍｍ／ｍｉｎとなっている。そして、このように形成さ
れたカーボン保護層４上に、パーフルオロポリエーテル
系潤滑剤、アウジモント社（伊）製のフォンブリンＡＭ
２００１を同社製の溶媒ＺＳ−１００で希釈し、０．１
５ｗｔ．％の溶液を作成してディップ法により、１．０
ｍｍ／ｓの引上げ速度で潤滑剤を塗布して２０〜２３Å
の潤滑層５を形成し、本例の磁気ディスクを製造した。
このように製造された本例の磁気ディスクにおいて、カ
ーボン保護層４の評価結果、および磁気ディスクのＣＳ
Ｓ試験結果を表１にまとめて示してある。
【００２４】〔実施例３〕本発明の実施例３に係る磁気
ディスクとして、図９に示す従来の磁気ディスクと同様
の構成で、カーボン保護層４の形成工程における混合ス
パッタリングガスの流量を３０ｓｃｃＭとした他は実施
例２の磁気ディスクと同様の条件で本例の磁気ディスク
を製造した。この磁気ディスクのカーボン保護層４の評
価結果、および磁気ディスクのＣＳＳ試験結果を表１に
まとめて示してある。
ディスクとして、図９に示す従来の磁気ディスクと同様
の構成で、カーボン保護層４の形成工程における混合ス
パッタリングガスの流量を３０ｓｃｃＭとした他は実施
例２の磁気ディスクと同様の条件で本例の磁気ディスク
を製造した。この磁気ディスクのカーボン保護層４の評
価結果、および磁気ディスクのＣＳＳ試験結果を表１に
まとめて示してある。
【００２５】〔実施例４〕本発明の実施例４に係る磁気
ディスクとして、図９に示す従来の磁気ディスクと同様
の構成で、カーボン保護層４の成膜を直流プラズマＣＶ
Ｄ法により、エタノールをガスソースとして基板温度５
０℃，チャンバー内圧力０．２Ｔｏｒｒ，放電パワー７
００Ｗの条件で行ない、その他の条件は実施例２の磁気
ディスクと同様にして本例の磁気ディスクを製造した。
この磁気ディスクのカーボン保護層４の評価結果、およ
び磁気ディスクのＣＳＳ試験結果を表１にまとめて示し
てある。
ディスクとして、図９に示す従来の磁気ディスクと同様
の構成で、カーボン保護層４の成膜を直流プラズマＣＶ
Ｄ法により、エタノールをガスソースとして基板温度５
０℃，チャンバー内圧力０．２Ｔｏｒｒ，放電パワー７
００Ｗの条件で行ない、その他の条件は実施例２の磁気
ディスクと同様にして本例の磁気ディスクを製造した。
この磁気ディスクのカーボン保護層４の評価結果、およ
び磁気ディスクのＣＳＳ試験結果を表１にまとめて示し
てある。
【００２６】〔比較例１〕さらに、保護層形成工程のＤ
Ｃマグネトロンスパッタに用いるスパッタリングガスを
Ａｒガスを主成分とする不活性スパッタリングガスと
し、放電パワー密度を１．０Ｗ／ｃｍ2 としてカーボン
保護層４を形成し、その他の条件は実施例２の磁気ディ
スクと同様にして比較例１の磁気ディスクを製造した。
この磁気ディスクのカーボン保護層４の評価結果、およ
び磁気ディスクのＣＳＳ試験結果を表１にまとめて示し
てある。
Ｃマグネトロンスパッタに用いるスパッタリングガスを
Ａｒガスを主成分とする不活性スパッタリングガスと
し、放電パワー密度を１．０Ｗ／ｃｍ2 としてカーボン
保護層４を形成し、その他の条件は実施例２の磁気ディ
スクと同様にして比較例１の磁気ディスクを製造した。
この磁気ディスクのカーボン保護層４の評価結果、およ
び磁気ディスクのＣＳＳ試験結果を表１にまとめて示し
てある。
【００２７】〔比較例２〕また、カーボン保護層４の形
成工程における混合スパッタリングガスの流量を５ｓｃ
ｃＭとした他は実施例２の磁気ディスクと同様にして比
較例２の磁気ディスクを製造した。この磁気ディスクの
カーボン保護層４の評価結果、および磁気ディスクのＣ
ＳＳ試験結果を表１にまとめて示してある。
成工程における混合スパッタリングガスの流量を５ｓｃ
ｃＭとした他は実施例２の磁気ディスクと同様にして比
較例２の磁気ディスクを製造した。この磁気ディスクの
カーボン保護層４の評価結果、および磁気ディスクのＣ
ＳＳ試験結果を表１にまとめて示してある。
【００２８】〔比較例３〕また、カーボン保護層４の形
成工程における混合スパッタリングガスの流量を１０ｓ
ｃｃＭとした他は実施例２の磁気ディスクと同様にして
比較例２の磁気ディスクを製造した。この磁気ディスク
のカーボン保護層４の評価結果、および磁気ディスクの
ＣＳＳ試験結果を表１にまとめて示してある。
成工程における混合スパッタリングガスの流量を１０ｓ
ｃｃＭとした他は実施例２の磁気ディスクと同様にして
比較例２の磁気ディスクを製造した。この磁気ディスク
のカーボン保護層４の評価結果、および磁気ディスクの
ＣＳＳ試験結果を表１にまとめて示してある。
【００２９】〔比較例４〕そして、カーボン保護層４を
形成するまでは実施例２の磁気ディスクと全く同様に行
い、カーボン保護層４上に潤滑層５を設けない磁気ディ
スクを比較例４として用意した。この磁気ディスクのカ
ーボン保護層４の評価結果、および磁気ディスクのＣＳ
Ｓ試験結果を表１にまとめて示してある。
形成するまでは実施例２の磁気ディスクと全く同様に行
い、カーボン保護層４上に潤滑層５を設けない磁気ディ
スクを比較例４として用意した。この磁気ディスクのカ
ーボン保護層４の評価結果、および磁気ディスクのＣＳ
Ｓ試験結果を表１にまとめて示してある。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１に、上記実施例２〜４、および比較例
１〜４のそれぞれの磁気ディスクについて、波長５１
４．５ｎｍのアルゴンイオンレーザーを用いて測定した
カーボン保護層のラマンスペクトルにおける蛍光強度比
と、ピーク強度比を示してある。この蛍光強度比、およ
びピーク強度比について、図６を参照して説明する。図
６（ａ）は、実施例２に係る磁気ディスクのカーボン保
護層のラマンスペクトルである。図において、実施例２
のカーボン保護層のラマンスペクトルは、１３５０ｃｍ
-1付近にグラファイト結合を示すＳＰ２のピークと、１
５６０ｃｍ-1付近（１５６２ｃｍ-1）にダイアモンド結
合を示すＳＰ３のピークとがあり、主ピークであるＳＰ
３のピークの両側方の裾野を結ぶ直線２０の下方側の領
域Ｓがこのラマンスペクトルにおける蛍光分である。従
って、実施例２のカーボン保護層の蛍光強度比は、ＳＰ
３のピークにおける蛍光分を除いた実質的なピーク強度
Ａと、蛍光分を含んだ全体的なピーク強度Ｂとの比率
（Ｂ／Ａ）であり、３．０２となる。なお、図６（ａ）
において、蛍光分として示されるラマンスペクトルのバ
ックグラウンド（領域Ｓ）は、カーボン保護層のポリマ
ー性結合を示すものであり、実施例２のカーボン保護層
には高い比率のダイアモンド結合に加えて、ポリマー性
結合も多く導入されていることが判る。図６（ｂ）は、
図６（ａ）に示すラマンスペクトルに対して蛍光による
バックグラウンド（領域Ｓ）を直線近似で除去して、ガ
ウス関数によりＳＰ２とＳＰ３との２つのピークに波形
分離した波形図である。図において、実施例２のカーボ
ン保護層は、ダイアモンド結合を示すＳＰ３のピークが
グラファイト結合を示すＳＰ２のピークと比較して非常
に高く、ダイアモンド結合の比率が増加していることが
判る。この図から実施例２のカーボン保護層のピーク強
度比は、ＳＰ３のピーク強度ＤとＳＰ２のピーク強度Ｇ
との比率（Ｄ／Ｇ）によって２．２５となる。
１〜４のそれぞれの磁気ディスクについて、波長５１
４．５ｎｍのアルゴンイオンレーザーを用いて測定した
カーボン保護層のラマンスペクトルにおける蛍光強度比
と、ピーク強度比を示してある。この蛍光強度比、およ
びピーク強度比について、図６を参照して説明する。図
６（ａ）は、実施例２に係る磁気ディスクのカーボン保
護層のラマンスペクトルである。図において、実施例２
のカーボン保護層のラマンスペクトルは、１３５０ｃｍ
-1付近にグラファイト結合を示すＳＰ２のピークと、１
５６０ｃｍ-1付近（１５６２ｃｍ-1）にダイアモンド結
合を示すＳＰ３のピークとがあり、主ピークであるＳＰ
３のピークの両側方の裾野を結ぶ直線２０の下方側の領
域Ｓがこのラマンスペクトルにおける蛍光分である。従
って、実施例２のカーボン保護層の蛍光強度比は、ＳＰ
３のピークにおける蛍光分を除いた実質的なピーク強度
Ａと、蛍光分を含んだ全体的なピーク強度Ｂとの比率
（Ｂ／Ａ）であり、３．０２となる。なお、図６（ａ）
において、蛍光分として示されるラマンスペクトルのバ
ックグラウンド（領域Ｓ）は、カーボン保護層のポリマ
ー性結合を示すものであり、実施例２のカーボン保護層
には高い比率のダイアモンド結合に加えて、ポリマー性
結合も多く導入されていることが判る。図６（ｂ）は、
図６（ａ）に示すラマンスペクトルに対して蛍光による
バックグラウンド（領域Ｓ）を直線近似で除去して、ガ
ウス関数によりＳＰ２とＳＰ３との２つのピークに波形
分離した波形図である。図において、実施例２のカーボ
ン保護層は、ダイアモンド結合を示すＳＰ３のピークが
グラファイト結合を示すＳＰ２のピークと比較して非常
に高く、ダイアモンド結合の比率が増加していることが
判る。この図から実施例２のカーボン保護層のピーク強
度比は、ＳＰ３のピーク強度ＤとＳＰ２のピーク強度Ｇ
との比率（Ｄ／Ｇ）によって２．２５となる。
【００３２】表１の各磁気ディスクについて、この蛍光
強度比とピーク強度比とを見ると、実施例２〜４、およ
び比較例４の磁気ディスクの蛍光強度比が２．１７〜
６．５０と高いのに対して、比較例１〜３の磁気ディス
クの蛍光強度比は１．１９〜１．３８と低い。この蛍光
強度比は、カーボン保護層におけるダイアモンド結合の
強度とポリマー性結合の強度との比率であり、微視的な
硬度が高く、全体としては低硬度なカーボン保護層が達
成されていることの指標となる。それ故、比較例１〜３
の磁気ディスクの微小硬度が５４〜８７ＧＰａと高いの
に比して、実施例２〜４、および比較例４の磁気ディス
クの微小硬度は３０〜３８ＧＰａと低く、ポリマー性の
結合が反映されていることが判る。このような、実施例
２〜４、および比較例４の磁気ディスクの性質は、カー
ボン保護層の膜中に含まれる含有水素量と含有酸素量に
よって決定される。すなわち、実施例２〜４、および比
較例４の磁気ディスクにおいては、カーボン保護層の膜
中の全水素濃度が３７〜４２ａｔ．％、全酸素濃度が３
〜５ａｔ．％と略同レベルに混入されている。一方、比
較例１〜３のカーボン保護層の膜中の全水素濃度は１２
〜３２ａｔ．％と不均一であり、全酸素濃度についても
０ａｔ．％、または６ａｔ．％となっている。
強度比とピーク強度比とを見ると、実施例２〜４、およ
び比較例４の磁気ディスクの蛍光強度比が２．１７〜
６．５０と高いのに対して、比較例１〜３の磁気ディス
クの蛍光強度比は１．１９〜１．３８と低い。この蛍光
強度比は、カーボン保護層におけるダイアモンド結合の
強度とポリマー性結合の強度との比率であり、微視的な
硬度が高く、全体としては低硬度なカーボン保護層が達
成されていることの指標となる。それ故、比較例１〜３
の磁気ディスクの微小硬度が５４〜８７ＧＰａと高いの
に比して、実施例２〜４、および比較例４の磁気ディス
クの微小硬度は３０〜３８ＧＰａと低く、ポリマー性の
結合が反映されていることが判る。このような、実施例
２〜４、および比較例４の磁気ディスクの性質は、カー
ボン保護層の膜中に含まれる含有水素量と含有酸素量に
よって決定される。すなわち、実施例２〜４、および比
較例４の磁気ディスクにおいては、カーボン保護層の膜
中の全水素濃度が３７〜４２ａｔ．％、全酸素濃度が３
〜５ａｔ．％と略同レベルに混入されている。一方、比
較例１〜３のカーボン保護層の膜中の全水素濃度は１２
〜３２ａｔ．％と不均一であり、全酸素濃度についても
０ａｔ．％、または６ａｔ．％となっている。
【００３３】カーボン保護層の膜中に含まれる水素およ
び酸素は、カーボン保護層の主成分である炭素の２重結
合を断ち切って、そのダイアモンド的な性質を増長させ
ると共に、ポリマー性の結合を導入するものと考えられ
る。なお、カーボン保護層の膜中に取り込まれる酸素
は、カーボン保護層が成膜されるチャンバー内の水分な
どから分離された酸素である。従って、カーボン保護層
の膜中に適度な水素および酸素を有する実施例２〜４の
磁気ディスクにおいては、そのカーボン保護層の膜質と
して、微視的にはダイアモンド構造による硬さを持ちな
がら、全体的にはポリマー性結合の導入による軟らかさ
を具備するため、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣなどの硬質スライ
ダーに対しても、磨耗は起こし難く、同時に、硬すぎる
性質は除去され、摩擦係数も低い。従って、実施例２〜
４の磁気ディスクは、ＣＳＳサイクルにおいても、摩擦
係数の変化は少なく、ＣＳＳ耐久性の向上を図ることが
できると想定され、このことは表１に示す実施例２〜
４、および比較例１〜４のそれぞれの磁気ディスクに対
してＣＳＳの繰り返し試験を行った結果によって裏付け
られる。なお、図７は、実施例２の磁気ディスクおよび
比較例１の磁気ディスクのＣＳＳの繰り返し試験による
摩擦係数の変化を示すグラフ図である。
び酸素は、カーボン保護層の主成分である炭素の２重結
合を断ち切って、そのダイアモンド的な性質を増長させ
ると共に、ポリマー性の結合を導入するものと考えられ
る。なお、カーボン保護層の膜中に取り込まれる酸素
は、カーボン保護層が成膜されるチャンバー内の水分な
どから分離された酸素である。従って、カーボン保護層
の膜中に適度な水素および酸素を有する実施例２〜４の
磁気ディスクにおいては、そのカーボン保護層の膜質と
して、微視的にはダイアモンド構造による硬さを持ちな
がら、全体的にはポリマー性結合の導入による軟らかさ
を具備するため、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣなどの硬質スライ
ダーに対しても、磨耗は起こし難く、同時に、硬すぎる
性質は除去され、摩擦係数も低い。従って、実施例２〜
４の磁気ディスクは、ＣＳＳサイクルにおいても、摩擦
係数の変化は少なく、ＣＳＳ耐久性の向上を図ることが
できると想定され、このことは表１に示す実施例２〜
４、および比較例１〜４のそれぞれの磁気ディスクに対
してＣＳＳの繰り返し試験を行った結果によって裏付け
られる。なお、図７は、実施例２の磁気ディスクおよび
比較例１の磁気ディスクのＣＳＳの繰り返し試験による
摩擦係数の変化を示すグラフ図である。
【００３４】この試験は、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣの薄膜ヘ
ッドを用いて９．５ｇｆの荷重によりＣＳＳ動作を繰り
返す試験である。表１に明らかなように、実施例２〜４
の磁気ディスクにおいては、ＣＳＳの繰り返しが２００
００回を越えたときの摩擦係数がそれぞれ０．３５（実
施例２），０．３８（実施例３），０．４３（実施例
４）と低く、ＣＳＳを繰り返しても摩擦係数の変化は少
ないことが判る。これに対して、比較例１および比較例
３の磁気ディスクにおいては、ＣＳＳを繰り返すに従っ
て摩擦係数が増加し、ＣＳＳの繰り返しが２００００回
を越えたときの摩擦係数はそれぞれ０．８０（比較例
１），０．６５（比較例３）と高く、カーボン保護層の
微小硬度が、実施例２〜４の磁気ディスクの微小硬度に
比してかなり高いにも拘らず、磁気ディスクの表面には
Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣスライダーの摺動による損傷が認め
られた。また、比較例２の磁気ディスクは、微小硬度が
８７ＧＰａもあり、硬すぎるため、ＣＳＳの繰り返し回
数が１０００回前後でヘッドクラッシュが発生した。そ
して、比較例４の磁気ディスクにおいては、そのカーボ
ン保護層の膜質評価は実施例２〜４のカーボン保護層と
同様に良好であったが、潤滑層を持たないために、ＣＳ
Ｓの繰り返しによりカーボン保護層が磨耗し、ヘッドク
ラッシュが発生した。
ッドを用いて９．５ｇｆの荷重によりＣＳＳ動作を繰り
返す試験である。表１に明らかなように、実施例２〜４
の磁気ディスクにおいては、ＣＳＳの繰り返しが２００
００回を越えたときの摩擦係数がそれぞれ０．３５（実
施例２），０．３８（実施例３），０．４３（実施例
４）と低く、ＣＳＳを繰り返しても摩擦係数の変化は少
ないことが判る。これに対して、比較例１および比較例
３の磁気ディスクにおいては、ＣＳＳを繰り返すに従っ
て摩擦係数が増加し、ＣＳＳの繰り返しが２００００回
を越えたときの摩擦係数はそれぞれ０．８０（比較例
１），０．６５（比較例３）と高く、カーボン保護層の
微小硬度が、実施例２〜４の磁気ディスクの微小硬度に
比してかなり高いにも拘らず、磁気ディスクの表面には
Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣスライダーの摺動による損傷が認め
られた。また、比較例２の磁気ディスクは、微小硬度が
８７ＧＰａもあり、硬すぎるため、ＣＳＳの繰り返し回
数が１０００回前後でヘッドクラッシュが発生した。そ
して、比較例４の磁気ディスクにおいては、そのカーボ
ン保護層の膜質評価は実施例２〜４のカーボン保護層と
同様に良好であったが、潤滑層を持たないために、ＣＳ
Ｓの繰り返しによりカーボン保護層が磨耗し、ヘッドク
ラッシュが発生した。
【００３５】図８は、実施例２〜４、および比較例１〜
３に係る磁気ディスクのラマンスペクトルにおける蛍光
強度比（Ｂ／Ａ）と、ＣＳＳサイクルとの対応を示すグ
ラフ図である。図において、ＣＳＳ耐久性は蛍光強度比
に対応しており、蛍光強度比が２以上の実施例２〜４の
磁気ディスクは良好なＣＳＳ耐久性を示している。ま
た、Ａｒとメタンとの混合スパッタリングガスを用いて
形成された実施例２および３、比較例２および３から蛍
光強度比は、カーボン保護層の形成工程における混合ス
パッタリングガスの流量によって決定されていることが
判る。すなわち、蛍光強度比は混合スパッタリングガス
の流量が増加するに従って大きくなっており、多量の混
合スパッタリングガスによってメタンが増加するので、
メタン中の水素やチャンバー内の水分などの酸素がカー
ボン保護層の成膜過程において膜中に取り込まれ易くな
るためと思われる。
３に係る磁気ディスクのラマンスペクトルにおける蛍光
強度比（Ｂ／Ａ）と、ＣＳＳサイクルとの対応を示すグ
ラフ図である。図において、ＣＳＳ耐久性は蛍光強度比
に対応しており、蛍光強度比が２以上の実施例２〜４の
磁気ディスクは良好なＣＳＳ耐久性を示している。ま
た、Ａｒとメタンとの混合スパッタリングガスを用いて
形成された実施例２および３、比較例２および３から蛍
光強度比は、カーボン保護層の形成工程における混合ス
パッタリングガスの流量によって決定されていることが
判る。すなわち、蛍光強度比は混合スパッタリングガス
の流量が増加するに従って大きくなっており、多量の混
合スパッタリングガスによってメタンが増加するので、
メタン中の水素やチャンバー内の水分などの酸素がカー
ボン保護層の成膜過程において膜中に取り込まれ易くな
るためと思われる。
【００３６】以上述べてきたように、実施例２ないし実
施例４においては、カーボン保護層の膜中に水素および
酸素を導入することにより、微視的な硬度は高く、全体
としては、低硬度な保護層を実現することができる。従
って、かかるカーボン保護層を用いた磁気ディスクにお
いては、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣやＣａＴｉＯ3 などの硬質
ヘッドに対し、摩擦係数を低減して耐磨耗性を向上さ
せ、ヘッドダメージを極めて少なくし、ＣＳＳ耐久性を
大幅に向上させることができるので、信頼性の高い磁気
ディスクを得ることができる。
施例４においては、カーボン保護層の膜中に水素および
酸素を導入することにより、微視的な硬度は高く、全体
としては、低硬度な保護層を実現することができる。従
って、かかるカーボン保護層を用いた磁気ディスクにお
いては、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣやＣａＴｉＯ3 などの硬質
ヘッドに対し、摩擦係数を低減して耐磨耗性を向上さ
せ、ヘッドダメージを極めて少なくし、ＣＳＳ耐久性を
大幅に向上させることができるので、信頼性の高い磁気
ディスクを得ることができる。
【００３７】
【発明の効果】以上において説明したように、本発明に
係る磁気記録媒体においては、その表面に、ダイアモン
ド結合の比率の高いながらポリマー性の結合を導入する
ことにより、硬度の低いカーボン保護層を形成すること
ができる。そして、このようなカーボン保護層が形成さ
れた磁気記録媒体は、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣやＣａＴｉＯ
3 といった硬度の高いスライダー材料の用いられたヘッ
ドに対応可能し、優れた耐磨耗性を得ることができるこ
とが判った。従って、本発明に含まれる磁気記録媒体を
用いて、これらのヘッドに対して良好な磨耗性と、ヘッ
ドをクラッシュすることの少ない磁気記録媒体を実現す
ることができる。
係る磁気記録媒体においては、その表面に、ダイアモン
ド結合の比率の高いながらポリマー性の結合を導入する
ことにより、硬度の低いカーボン保護層を形成すること
ができる。そして、このようなカーボン保護層が形成さ
れた磁気記録媒体は、Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣやＣａＴｉＯ
3 といった硬度の高いスライダー材料の用いられたヘッ
ドに対応可能し、優れた耐磨耗性を得ることができるこ
とが判った。従って、本発明に含まれる磁気記録媒体を
用いて、これらのヘッドに対して良好な磨耗性と、ヘッ
ドをクラッシュすることの少ない磁気記録媒体を実現す
ることができる。
【００３８】さらに、ダイアモンド結合の比率が高く、
同時にポリマー性の結合が適度に導入されたカーボン保
護層を成膜する製造方法を開示しており、この製造方法
により、所望の硬度、比抵抗のカーボン保護層を容易に
形成することができる。従って、安価で高い耐久性を有
し、さらに、硬度の高いスライダー材料を用いられたヘ
ッドに対してもクラッシュなどの不具合の発生すること
のない磁気記録媒体を実現することが可能となる。
同時にポリマー性の結合が適度に導入されたカーボン保
護層を成膜する製造方法を開示しており、この製造方法
により、所望の硬度、比抵抗のカーボン保護層を容易に
形成することができる。従って、安価で高い耐久性を有
し、さらに、硬度の高いスライダー材料を用いられたヘ
ッドに対してもクラッシュなどの不具合の発生すること
のない磁気記録媒体を実現することが可能となる。
【図１】スパッタリングガスへのメタン混入量に対し、
カーボン保護層の微小硬度の変化を示したグラフ図であ
る。
カーボン保護層の微小硬度の変化を示したグラフ図であ
る。
【図２】メタンの混入量の異なる３つのケース（ケース
１〜３）のカーボン保護層のラマンスペクトルを示した
グラフ図である。
１〜３）のカーボン保護層のラマンスペクトルを示した
グラフ図である。
【図３】メタンの混入量の異なる３つのケース（ケース
１〜３）のＣＳＳサイクルと摩擦係数の変化を示すグラ
フ図である。
１〜３）のＣＳＳサイクルと摩擦係数の変化を示すグラ
フ図である。
【図４】スパッタリングガスへのメタンの混入量に対
し、カーボン保護層の比抵抗の変化を示したグラフ図で
ある。
し、カーボン保護層の比抵抗の変化を示したグラフ図で
ある。
【図５】スパッタリングガスへのメタンの混入量に対
し、カーボン保護層の水素の含有量の変化を示したグラ
フ図である。
し、カーボン保護層の水素の含有量の変化を示したグラ
フ図である。
【図６】（ａ）は本発明の実施例２に係る磁気ディスク
のカーボン保護層の蛍光分を含むラマンスペクトルを示
す波形図、（ｂ）は（ａ）に示すラマンスペクトルから
蛍光分を除去したラマンシフトを示す波形図である。
のカーボン保護層の蛍光分を含むラマンスペクトルを示
す波形図、（ｂ）は（ａ）に示すラマンスペクトルから
蛍光分を除去したラマンシフトを示す波形図である。
【図７】メタンの混入量の異なる２つのケース（実施例
２，比較例１）のＣＳＳサイクルと摩擦係数の変化を示
すグラフ図である。
２，比較例１）のＣＳＳサイクルと摩擦係数の変化を示
すグラフ図である。
【図８】本発明の実施例２〜４、および比較例１〜３に
係る磁気ディスクのラマンスペクトルにおける蛍光強度
比と、ＣＳＳサイクルとの対応を示すグラフ図である。
係る磁気ディスクのラマンスペクトルにおける蛍光強度
比と、ＣＳＳサイクルとの対応を示すグラフ図である。
【図９】一般的な磁気記録媒体の構成を示す説明図であ
る。
る。
１ ・・・ 基体 ２ ・・・ 金属下地層 ３ ・・・ 磁性層 ４ ・・・ 保護層 ５ ・・・ 潤滑層 １１・・・ 非磁性基板 １２・・・ 非磁性金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柏倉 良晴 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 西村 通徳 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 二村 和男 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 非磁性の基体上に積層された磁性層を保
護するカーボン保護層を少なくとも有する磁気記録媒体
において、前記カーボン保護層の主成分である炭素のラ
マンスペクトル解析により、ポリマー性結合状態と、グ
ラファイト結合状態に比して高い比率のダイアモンド結
合状態とを示すことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１において、前記カーボン保護層
のラマンスペクトル解析により、１５４５〜１５７５ｃ
ｍ-1領域に得られるピークの蛍光分を除いた実質的なピ
ーク強度をＡとし、前記ピークの蛍光分を含んだ全体的
なピーク強度をＢとしたときの比率（Ｂ／Ａ）が１．５
以上であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１において、前記カーボン保護層
のラマンスペクトル解析により得られるラマンスペクト
ルから蛍光分を除き、当該ラマンスペクトルをガウス関
数で２つのピークに分離して、１５４５〜１５７５ｃｍ
-1領域のピーク強度をＤとし、１３４０〜１４４０ｃｍ
-1領域のピーク強度をＧとしたときに、これらの比率
（Ｄ／Ｇ）が１．３〜３．５の範囲内にあることを特徴
とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性の基体上に積層された磁性層を保
護し、炭素を主成分とするカーボン保護層が少なくとも
形成された磁気記録媒体において、前記カーボン保護層
の微小硬度が３０〜５０ＧＰａであることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性の基体上に積層された磁性層を保
護し、炭素を主成分とするカーボン保護層が少なくとも
形成された磁気記録媒体において、前記カーボン保護層
の比抵抗が少なくとも１０7 Ω・ｃｍであることを特徴
とする磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項５のいずれかの項
において、前記カーボン保護層は主成分である炭素に、
少なくとも第２成分が添加されていることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項７】 請求項６において、前記第２成分は水素
であって、添加量が３０〜５０アトミック％であること
を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項８】 請求項１ないし請求項５のいずれかの項
において、前記カーボン保護層は主成分である炭素、お
よび第２成分である水素に加えて第３成分である酸素が
添加されており、その添加量が７アトミック％以下であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項９】 請求項１ないし請求項８のいずれかの項
において、前記カーボン保護層の膜厚が１００〜４００
Åであることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 請求項１ないし請求項９のいずれかの
項において、前記カーボン保護層の表面側には、一般式 −（ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ−）m −（−ＣＦ2 Ｏ−）n − （式中のｍおよびｎは整数を示す）で示される分子量２
０００〜５０００のパーフルオロポリエーテルを主成分
として形成された潤滑層を有していることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 非磁性の基体上に積層された磁性層の
表面に、Ａｒガスを主成分とするスパッタリングガス雰
囲気下のスパッタリングによりカーボン保護層を形成す
る保護層形成工程を有する磁気記録媒体の製造方法にお
いて、前記スパッタリングガスはメタンを１０〜３５モ
ル％含有した混合ガスであることを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4319804A JPH06195691A (ja) | 1992-10-28 | 1992-11-30 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| EP93307984A EP0595494B1 (en) | 1992-10-28 | 1993-10-07 | Magnetic recording medium and a method for its manufacture |
| DE69317504T DE69317504T2 (de) | 1992-10-28 | 1993-10-07 | Magnetisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US08/142,862 US5614314A (en) | 1992-10-28 | 1993-10-28 | Magnetic recording medium having an enhanced diamond bonding ratio and a method for the manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28916792 | 1992-10-28 | ||
| JP4-289167 | 1992-10-28 | ||
| JP4319804A JPH06195691A (ja) | 1992-10-28 | 1992-11-30 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06195691A true JPH06195691A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=26557486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4319804A Pending JPH06195691A (ja) | 1992-10-28 | 1992-11-30 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5614314A (ja) |
| EP (1) | EP0595494B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06195691A (ja) |
| DE (1) | DE69317504T2 (ja) |
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| US7537846B2 (en) | 2003-11-11 | 2009-05-26 | Hoya Corporation | Magnetic disk, method of manufacturing the magnetic disk and method of evaluating the magnetic disk |
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| US6477011B1 (en) | 1998-08-24 | 2002-11-05 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording device having an improved slider |
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| JP2005071480A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Sony Corp | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
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