JP2005071480A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁性層の膜厚が100nm以下にまで薄くなってきても特性の安定した保護層を形成することが可能な磁気記録媒体の製造方法と、その方法で形成された磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】長尺状の非磁性支持体の一主面に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成し、この磁性層上に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により炭素を含有する保護層を形成する。長尺状の非磁性支持体1の一主面に、100nm以下の膜厚を有する強磁性金属薄膜を有する磁性層2が形成され、その上層に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により形成された炭素を含有する保護層3が形成された構成の磁気記録媒体とする。
【選択図】図1
【解決手段】長尺状の非磁性支持体の一主面に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成し、この磁性層上に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により炭素を含有する保護層を形成する。長尺状の非磁性支持体1の一主面に、100nm以下の膜厚を有する強磁性金属薄膜を有する磁性層2が形成され、その上層に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により形成された炭素を含有する保護層3が形成された構成の磁気記録媒体とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法に関するものである。
従来より、オーディオテープ、ビデオテープ等の磁気記録テープとしては、非磁性支持体上に酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥することにより磁性層を形成した塗布型の磁気記録媒体が広く使用されている。
これに対して、データストレージ用途などの目的で、高密度磁気記録への要求の高まりと共に、Co−Ni系合金、Co−Cr系合金あるいはCo−O等の強磁性金属材料を、真空蒸着法、スパッタリング法またはイオンプレーティング法等の真空薄膜形成方法、あるいは、メッキ等によって、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルムあるいはポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着させて磁性層を形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案され、注目を集めている。
上記の磁性層が強磁性金属薄膜からなる磁気記録媒体は、抗磁力、角形比および短波長領域での電磁変換特性に優れており、さらには磁性層の膜厚を極めて薄くできるため、記録減磁や再生時の膜厚損失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材であるそのバインダー(結合剤)を混入する必要が無いため磁性材料の充填密度を高めることができること等の数々の利点を有している。
また、この種の磁気記録媒体の電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるようにするために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する場合、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着が提案され、民生用ビデオ(8ミリHi−8方式、DV方式)あるいは業務用ビデオ(DVCAM)の磁気記録媒体として既に実用化されている。
上記の磁気記録媒体である磁気テープは、例えば、長尺状の非磁性支持体上に斜方蒸着により形成された強磁性金属薄膜からなる磁性層と、走行耐久性を改善するダイヤモンドライクカーボン(DLC)と呼ばれる炭素膜や水素含有炭素膜からなる保護層などが順次形成されており、さらに必要に応じて、保護層上に所定の潤滑剤によって潤滑剤層が形成され、また、非磁性支持体の磁性層が形成されている側の面と反対側の面にバックコート層が形成されている構成である。
上記の保護層の成膜手法としては、スパッタリング法、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法などが広く用いられており、走行耐久性および生産性の点からプラズマCVD法を用いることが多い。
例えば、上記の保護層を成膜するのにプラズマCVD法を適用する場合、真空室内に原料ガスを導入し、非磁性支持体に蒸着された磁性層に対向するように電極を配置し、この電極と磁性層との間に高電圧を印加してプラズマを励起し、プラズマにより原料ガスを分解して、磁性層上にDLC膜として堆積させる。
特許文献1には、上記のようにして形成された保護層に対して、ラマン分光法による観測を行ったときの1500cm-1近傍に出現するピーク強度(G)と1300cm-1近傍に出現するピーク強度(D)により保護層の膜質管理を行う方法と、好ましいD/G比の範囲が記載されている。
上記のプラズマCVD法による保護層の成膜において、非磁性支持体に蒸着された磁性層を電極として用いているが、磁性層の膜組成や膜厚などの構成が変化するとプラズマを励起する電圧も変動する。励起電圧によりカーボン保護層の特性は大きく変化することから、異なる磁性層の構成に対して同一の保護層の特性を得ることは困難となっている。また、生産の面からは磁性層の組成の変動が保護層の変動につながり、著しく生産性を落としてしまう。
また、近年の高記録密度化に伴って磁性層の膜厚は減少する傾向にあり、磁性層のシート抵抗は上昇する傾向にある。このため、磁性層の抵抗が増加すると蒸着テープと電極の間に高電圧を印加することはさらに難しくなる。
上記の現象は、磁性層の膜厚が100nm以下になると特に顕著となり、実質的に成膜が不可能となってくる。
図7は、プラズマCVD法による保護層の成膜において、磁性層の膜厚tmag を横軸にとり、保護層に対してラマン分光法による観測を行ったときの1500cm-1近傍に出現するピーク強度(G)と1300cm-1近傍に出現するピーク強度(D)の比(D/G)を縦軸にとったときのグラフである。
磁性層の膜厚tmag を変えると保護層の膜厚を示すD/Gの値が変化し、さらに磁性層と電極に対する印加電圧を変化(V1 ,V2 など)させることでD/Gの変化範囲を変えることができるが、磁性層の膜厚tmag が薄い領域では電圧印加が不可能な成膜不可能領域Rimp となり、例えばこれは磁性層の膜厚が100nm以下の領域に相当する。
図7は、プラズマCVD法による保護層の成膜において、磁性層の膜厚tmag を横軸にとり、保護層に対してラマン分光法による観測を行ったときの1500cm-1近傍に出現するピーク強度(G)と1300cm-1近傍に出現するピーク強度(D)の比(D/G)を縦軸にとったときのグラフである。
磁性層の膜厚tmag を変えると保護層の膜厚を示すD/Gの値が変化し、さらに磁性層と電極に対する印加電圧を変化(V1 ,V2 など)させることでD/Gの変化範囲を変えることができるが、磁性層の膜厚tmag が薄い領域では電圧印加が不可能な成膜不可能領域Rimp となり、例えばこれは磁性層の膜厚が100nm以下の領域に相当する。
この他、特許文献2などにDLC膜の成膜方法が開示されている。
特開2000−207735号公報
特表2002−541604号公報
解決しようとする問題点は、磁性層上に保護層を形成するときに、磁性層の膜厚が薄くなってくると、特性の安定した保護層を形成することが困難となってしまう点である。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、長尺状の非磁性支持体の一主面に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成する工程と、前記磁性層上に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により炭素を含有する保護層を形成する工程とを有する。
上記の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、長尺状の非磁性支持体の一主面に、強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成し、その上層に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により炭素を含有する保護層を形成する。
本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体と、前記非磁性支持体の一主面に形成され、100nm以下の膜厚を有する強磁性金属薄膜を有する磁性層と、前記磁性層上に形成され、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により形成された炭素を含有する保護層とを有する。
上記の本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体の一主面に、100nm以下の膜厚を有する強磁性金属薄膜を有する磁性層が形成されており、その上層に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により形成された炭素を含有する保護層が形成されている。
本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、磁性層の上層に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により炭素を含有する保護層を形成しており、磁性層の膜厚が100nm以下にまで薄くなってきても特性の安定した保護層を形成することが可能である。
また、本発明の磁気記録媒体は、磁性層の膜厚が100nm以下にまで薄くなっても、特性の安定した保護層が形成された磁気記録媒体である。
以下に、本発明の磁気記録媒体およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図1は本実施形態に係る磁気記録媒体の断面図である。
長尺状の非磁性支持体1上に、磁性層2および保護層3が順次形成されてなる構成である。磁性層2は強磁性金属薄膜からなる。
また、必要に応じて、保護層3の上層に所定の潤滑剤による潤滑剤層4が形成されている。
また、非磁性支持体1の磁性層2が形成されている側の面と反対側の面にバックコート層5が形成されている。
長尺状の非磁性支持体1上に、磁性層2および保護層3が順次形成されてなる構成である。磁性層2は強磁性金属薄膜からなる。
また、必要に応じて、保護層3の上層に所定の潤滑剤による潤滑剤層4が形成されている。
また、非磁性支持体1の磁性層2が形成されている側の面と反対側の面にバックコート層5が形成されている。
非磁性支持体1の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のプラスチック類等が挙げられる。
磁性層2は、例えば真空薄膜形成技術によって形成された斜方柱状構造の強磁性金属薄膜であり、これを構成する強磁性金属材料としては、例えばCo−Ni系合金、Co−Cr系合金やCo−Oなどが挙げられ、例えば真空蒸着装置を用いた斜方蒸着の手法により成膜される。
保護層3は、磁性層2を磁気ヘッドとの摺動から保護するための層であり、例えばダイヤモンドライクカーボン(DLC)と呼ばれる炭素膜や水素含有炭素膜からなる。
磁気記録媒体においては、高密度化に対応してスペーシングロスを抑えるために表面は平滑化されてきているが、磁性層2の表面が平滑になると、磁気ヘッドに対する接触面積が大きくなるために摩擦力が増大し、磁性層2に生ずるせん断応力が大きくなる。このような厳しい摺動条件から磁性層2を保護するために保護層3は重要である。
磁気記録媒体においては、高密度化に対応してスペーシングロスを抑えるために表面は平滑化されてきているが、磁性層2の表面が平滑になると、磁気ヘッドに対する接触面積が大きくなるために摩擦力が増大し、磁性層2に生ずるせん断応力が大きくなる。このような厳しい摺動条件から磁性層2を保護するために保護層3は重要である。
本実施形態において、保護層3は、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により形成された膜である。
ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法(以下ホローカソード型CVD法とも称する)については後述する。
ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法(以下ホローカソード型CVD法とも称する)については後述する。
潤滑剤層4は、磁気ヘッドやガイドロールとの摺動を滑らかにし、耐久性、走行性を左右する重要な役割をはたし、例えば任意のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布して形成される。
バックコート層5は、非磁性支持体1の表面の電気抵抗を下げて帯電による走行不良を防止し、非磁性支持体1の耐久性を上げ、使用中における傷つき等の発生を防ぎ、また、テープ間の摩擦を小さくする等の目的から設けられるものであり、テープの走行性、耐久性を向上させるには、このバックコート層5の形成が必須となる。
バックコート層5は、例えば無機顔料等の固体粒子を結合剤中に分散させ、結合剤の種類に応じた有機溶剤とともに混練したバックコート層用塗料を塗布して形成される。あるいは、カーボンをターゲットとしたスパッタリング法により形成されたDLC膜がバックコート層として用いられる。
バックコート層5は、例えば無機顔料等の固体粒子を結合剤中に分散させ、結合剤の種類に応じた有機溶剤とともに混練したバックコート層用塗料を塗布して形成される。あるいは、カーボンをターゲットとしたスパッタリング法により形成されたDLC膜がバックコート層として用いられる。
さらに、必要に応じて、磁性層2の下層に形成された磁性層下地層や、バックコート層5の下層に形成されたバックコート下地層を有していてもよい。
本実施形態に係る磁気記録媒体によれば、保護層がホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により形成された炭素を含有する層となっており、磁性層の膜厚が100nm以下にまで薄くなっても、特性の安定した保護層が形成された磁気記録媒体となっている。
上記の本実施形態に係る磁気記録媒体は、以下のように形成される。
まず、長尺状の非磁性支持体1の一主面に、例えば斜方蒸着により強磁性金属薄膜を有する磁性層2を形成する。
次に、磁性層2の上層に、ホローカソード型CVD法によりダイヤモンドライクカーボン(DLC)と呼ばれる炭素膜や水素含有炭素膜などの炭素を含有する保護層3を形成する。
さらに、保護層3の上層に潤滑剤層4を形成し、さらに、非磁性支持体1の他方の主面にバックコート層5を形成して、図1に示す磁気記録媒体を製造することができる。
まず、長尺状の非磁性支持体1の一主面に、例えば斜方蒸着により強磁性金属薄膜を有する磁性層2を形成する。
次に、磁性層2の上層に、ホローカソード型CVD法によりダイヤモンドライクカーボン(DLC)と呼ばれる炭素膜や水素含有炭素膜などの炭素を含有する保護層3を形成する。
さらに、保護層3の上層に潤滑剤層4を形成し、さらに、非磁性支持体1の他方の主面にバックコート層5を形成して、図1に示す磁気記録媒体を製造することができる。
ここで、上記のホローカソード型CVD法について説明する。
図2は上記のホローカソード型CVD装置において利用されるホローカソードを含むイオン源の模式構成図である。
このイオン源10は、ホローカソード部11、電極12、ガス導入管13、アノード部14、アノード電極15、ガス導入管16、電磁石17および原料ガス供給管18を有する。
図2は上記のホローカソード型CVD装置において利用されるホローカソードを含むイオン源の模式構成図である。
このイオン源10は、ホローカソード部11、電極12、ガス導入管13、アノード部14、アノード電極15、ガス導入管16、電磁石17および原料ガス供給管18を有する。
ホローカソード型のイオン源10は、円筒形の形状をしており、中心部にホローカソード11が設置されている。ホローカソード11の内部には電極12とArなどのガスを導入するガス導入管13が設けられている。
また、ホローカソード部11を取り囲む領域において、環状のアノード部14が設けられている。アノード部14の底部にアノード電極15とArなどのガスを導入するガス導入管16が設置されている。
また、ホローカソード部11とアノード部14の間に電磁石17が設置されている。
また、ホローカソード部11を取り囲む領域において、環状のアノード部14が設けられている。アノード部14の底部にアノード電極15とArなどのガスを導入するガス導入管16が設置されている。
また、ホローカソード部11とアノード部14の間に電磁石17が設置されている。
中心のホローカソード部11において、ガス供給管13からArガスを導入しながら電極12に高電圧を印加して放電させ、さらにガス導入管16からArガスを導入しながらアノード電極15をホローカソード部11よりも高電位にすることにより、ホローカソード部11とアノード電極15間で放電が生じ、イオン源10の表面近傍にプラズマPが形成される。
このとき、電磁石17を励磁させることにより、プラズマPの密度を高めることができる。
このとき、電磁石17を励磁させることにより、プラズマPの密度を高めることができる。
アノード部14より外側に設けられた原料ガス供給管18から原料ガスを供給すると、原料ガスはプラズマP中で分解される。ホローカソード部11から供給された電子の一部は磁性層2を有する支持体22の磁性層2に向かい、プラズマ中でイオン化された原料ガスは磁性層2側に加速され、この上に被着する。
図3は図2のホローカソードを含むイオン源を利用したホローカソード型CVD装置の模式構成図である。
このCVD装置は、真空排気系20、真空室21、送りロール23、巻き取りロール24、冷却キャン25、ガイドロール(26,27)およびホローカソード型のイオン源10を有する。
このCVD装置は、真空排気系20、真空室21、送りロール23、巻き取りロール24、冷却キャン25、ガイドロール(26,27)およびホローカソード型のイオン源10を有する。
頭部に設けられた真空排気系20によって内部が高真空状態となされた真空室21内に、図中の時計回り方向に回転する送りロール23と、図中の同様に時計回り方向に回転する巻き取りロール24とが設けられ、これら送りロール23から巻き取りロール24に、磁性層を有する支持体22が順次走行するようになされている。
これら送りロール23から巻き取りロール24側に上記磁性層を有する支持体22が走行する中途部には、上記送りロール23および巻き取りロール24の径よりも大径となされた冷却キャン25が設けられている。この冷却キャン25は、磁性層を有する支持体22を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とされる。
尚、送りロール23、巻き取りロール24および冷却キャン25は、それぞれ磁性層を有する支持体22の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものである。
尚、送りロール23、巻き取りロール24および冷却キャン25は、それぞれ磁性層を有する支持体22の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものである。
したがって、磁性層を有する支持体22は、送りロール23から順次送り出され、さらに冷却キャン25の周面を通過し、巻き取りロール24に巻き取られていくようになされている。なお、送りロール23と冷却キャン25との間および冷却キャン25と巻き取りロール24との間には、それぞれガイドロール(26,27)が配設され、送りロール23、冷却キャン25および巻き取りロール24にわたって走行する磁性層を有する支持体22に所定のテンションをかけ、磁性層を有する支持体22が円滑に走行するようになされている。
また、真空室21内には,冷却キャン25の下方にホローカソード型のイオン源10が設けられている。
ホローカソード型のイオン源10において、上述のようにプラズマを生成し、原料ガスを分解、イオン化して、走行中の磁性層を有する支持体22上にDLC膜などの膜が連続的に成膜される。
ホローカソード型のイオン源10において、上述のようにプラズマを生成し、原料ガスを分解、イオン化して、走行中の磁性層を有する支持体22上にDLC膜などの膜が連続的に成膜される。
上記のホローカソード型CVD法においては、従来技術で採用していたプラズマCVD法のように、非磁性支持体に蒸着された磁性層を電極として用いていない。
従って、磁性層の膜組成や膜厚などの構成が変化しても、プラズマを励起する電圧などに変動はなく、特性の安定した保護層を形成することができる。
従って、磁性層の膜組成や膜厚などの構成が変化しても、プラズマを励起する電圧などに変動はなく、特性の安定した保護層を形成することができる。
次に、磁性層を形成するための斜方蒸着法について説明する。
図4は上記の斜方蒸着を行うための蒸着装置の模式構成図である。
この蒸着装置は、真空排気系30、真空室31、送りロール33、巻き取りロール34、冷却キャン35、ガイドロール(36,37)、るつぼ38、金属磁性材料39、電子銃40、シャッタ41および酸素ガス導入管42を有する。
図4は上記の斜方蒸着を行うための蒸着装置の模式構成図である。
この蒸着装置は、真空排気系30、真空室31、送りロール33、巻き取りロール34、冷却キャン35、ガイドロール(36,37)、るつぼ38、金属磁性材料39、電子銃40、シャッタ41および酸素ガス導入管42を有する。
頭部と底部にそれぞれ設けられた真空排気系30から排気されて内部が真空状態となった真空室31内に、図中の時計回り方向に回転する送りロール33と、図中の同じく時計回り方向に回転する巻き取りロール34とが設けられ、これら送りロール33から巻き取りロール34にテープ状の非磁性支持体1が順次走行するようになされている。
これら送りロール33から巻き取りロール34側に非磁性支持体1が走行する中途部には、送りロール33および巻き取りロール34の径よりも大径となされた冷却キャン35が設けられている。この冷却キャン35は、非磁性支持体1を図中下方に引き出す様に設けられ、図中の時計回り方向に定速回転する構成とされる。なお、送りロール33、巻き取りロール34および冷却キャン35は、それぞれ非磁性支持体1の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものであり、また冷却キャン35には内部に図示しない冷却装置が設けられ、非磁性支持体1の温度上昇による変形などを抑制し得るようになされている。
非磁性支持体1は、送りロール33から順次送り出され、さらに冷却キャン35の周面を通過し、巻き取りロール34に巻き取られていくようになされている。なお、送りロール33と冷却キャン35との間および冷却キャン35と巻き取りロール34との間にはそれぞれガイドロール(36,37)が配設され、送りロール33、冷却キャン35および巻き取りロール34にわたって走行する非磁性支持体1に所定のテンションをかけ、非磁性支持体1が円滑に走行するようになされている。
また、真空室31内には、冷却キャン35の下方にるつぼ38が設けられ、このるつぼ38内に金属磁性材料39が入れられている。このるつぼ38は、冷却キャン35の長手方向の幅と略同一の幅を有してなる。
さらに、この真空室31の側壁部には、上記るつぼ38内に入れられた金属磁性材料39を加熱蒸発させるための電子銃40が取り付けられる。この電子銃40は、電子銃40より放出される電子線Xがるつぼ38内の金属磁性材料39に照射されるような位置に配設される。
そして、この電子銃40によって蒸発した金属磁性材料39が冷却キャン35の周面を定速走行する非磁性支持体1上に磁性層として被着成膜されるようになっている。
そして、この電子銃40によって蒸発した金属磁性材料39が冷却キャン35の周面を定速走行する非磁性支持体1上に磁性層として被着成膜されるようになっている。
また、冷却キャン35とるつぼ38との間であって冷却キャン35の近傍には、シャッタ41が配設されている。このシャッタ41は、冷却キャン35の周面を定速走行する非磁性支持体1の所定領域を覆う形で形成され、このシャッタ41により、金属磁性材料39が非磁性支持体1に対して所定の角度範囲(例えば入射角45〜90°)で斜めに蒸着されるようになっている。
更に、このような蒸着に際し、真空室31の側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入管42を介して非磁性支持体1の表面に酸素ガスが供給され、成膜される磁性層の磁気特性、耐久性の向上が図られている。
更に、このような蒸着に際し、真空室31の側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入管42を介して非磁性支持体1の表面に酸素ガスが供給され、成膜される磁性層の磁気特性、耐久性の向上が図られている。
上記の本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法によれば、保護層を形成する工程において、磁性層上に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により炭素を含有する保護層を形成する。ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法においては、従来のプラズマCVD法のように磁性層を電極として用いておらず、従って、磁性層の膜組成や膜厚などの構成が変化しても、プラズマを励起する電圧などに変動はなく、磁性層の膜厚が100nm以下にまで薄くなってきても特性の安定した保護層を形成することが可能である。
(実施例1)
次に、本実施形態に従って、実施例1に係る磁気記録媒体(磁気テープ)を製造し、下記の試験を行った。
まず、非磁性支持体であるベースフィルム(ポリエチレンテレフタレート、膜厚:8μm、幅:150mm)上に、蒸着装置を用いて下記蒸着条件の斜方蒸着法により、磁性層を作成した。
次に、本実施形態に従って、実施例1に係る磁気記録媒体(磁気テープ)を製造し、下記の試験を行った。
まず、非磁性支持体であるベースフィルム(ポリエチレンテレフタレート、膜厚:8μm、幅:150mm)上に、蒸着装置を用いて下記蒸着条件の斜方蒸着法により、磁性層を作成した。
磁性層の蒸着条件:
インゴット(金属磁性材料):Co 100重量%
入射角:45〜90°
導入ガス:酸素ガス
酸素導入量:4.4×10-6m3 /秒
蒸着時真空度:2×10-2Pa
磁性層の膜厚:45nm
インゴット(金属磁性材料):Co 100重量%
入射角:45〜90°
導入ガス:酸素ガス
酸素導入量:4.4×10-6m3 /秒
蒸着時真空度:2×10-2Pa
磁性層の膜厚:45nm
次に、蒸着装置より磁性層の形成された支持体を取り出し、ホローカソード型CVD装置の送りロール側に取り付け、ホローカソードを含むイオン源を利用した下記CVD条件により、保護層としてDLC膜の成膜を行った。
保護層の成膜条件:
ホローカソードAr流量:20sccm
アノードAr流量:40sccm
原料ガス:C2 H4
原料ガス流量:30sccm
プロセス圧力:1mTorr
放電電圧:50V
保護層の膜厚:2nm
ホローカソードAr流量:20sccm
アノードAr流量:40sccm
原料ガス:C2 H4
原料ガス流量:30sccm
プロセス圧力:1mTorr
放電電圧:50V
保護層の膜厚:2nm
次に、下記組成のバックコート組成物をボールミルに投入して24時間分散、混合した後、架橋剤を添加してバックコート塗料を調整し、非磁性支持体の磁性層とは反対側の面に塗布して、膜厚0.6μmのバックコートを形成した。
バックコート組成物:
カーボンブラック:50重量%
ポリウレタン樹脂:50重量%
カーボンブラック:50重量%
ポリウレタン樹脂:50重量%
以上のようにして、磁性層、保護層およびバックコート層が形成されたテープ原反を3.8mm幅に裁断することで磁気記録媒体のサンプルテープ(実施例1)を作製した。
(実施例2、実施例3、比較例1〜4)
下記のように、ホローカソード型CVD法により保護層を形成する工程において、放電電圧および保護層の膜厚を種々の値に変更して、実施例2、3および比較例1〜4の磁気テープを作成した。
なお、保護層の膜厚の変更は、支持体の送り速度を変えることにより行うことができる。
下記のように、ホローカソード型CVD法により保護層を形成する工程において、放電電圧および保護層の膜厚を種々の値に変更して、実施例2、3および比較例1〜4の磁気テープを作成した。
なお、保護層の膜厚の変更は、支持体の送り速度を変えることにより行うことができる。
(実施例1)放電電圧50V、保護層の膜厚2nm
(実施例2)放電電圧120V、保護層の膜厚8nm
(実施例3)放電電圧80V、保護層の膜厚16nm
(比較例1)放電電圧80V、保護層の膜厚1nm
(比較例2)放電電圧80V、保護層の膜厚18nm
(比較例3)放電電圧150V、保護層の膜厚8nm
(比較例4)放電電圧180V、保護層の膜厚4nm
(実施例2)放電電圧120V、保護層の膜厚8nm
(実施例3)放電電圧80V、保護層の膜厚16nm
(比較例1)放電電圧80V、保護層の膜厚1nm
(比較例2)放電電圧80V、保護層の膜厚18nm
(比較例3)放電電圧150V、保護層の膜厚8nm
(比較例4)放電電圧180V、保護層の膜厚4nm
上記の実施例1〜3および比較例1〜4の作成において、保護層を形成する際に、放電電圧や膜厚を種々に変更しているが、成膜中にアークなどの放電不安定な状況には一度も陥ることは無く、安定して成膜することができた。
一方、同様の条件により従来のプラズマCVD法で成膜しようとすると、磁性層の膜厚が45nmと薄いために、放電を持続することはできなかった。
一方、同様の条件により従来のプラズマCVD法で成膜しようとすると、磁性層の膜厚が45nmと薄いために、放電を持続することはできなかった。
(ラマン分光試験)
ラマン散乱測定装置は、通常、励起光源、試料部、分散系、検出器の4つの部分からなる。励起光にはイオンガス(Ar、He−Ne、Kr)レーザーが用いられる。試料部は試料照射、散乱光の集光の光学系からなっている。ラマン散乱光は集光レンズまたは集光ミラーで分光器スリット上に集められる。この散乱光は単一分光器を直列に接続したダブルモノクロメーターで分散され、検出器で検知される。検出器には光電子倍増管が使用されるが、近年、光マルチチャンネル検出器が用いられるようになっている。光マルチチャンネル検出器はスペクトルを同時測定できるので、測定時間が数秒ですむという利点を有する。
ラマン散乱測定装置は、通常、励起光源、試料部、分散系、検出器の4つの部分からなる。励起光にはイオンガス(Ar、He−Ne、Kr)レーザーが用いられる。試料部は試料照射、散乱光の集光の光学系からなっている。ラマン散乱光は集光レンズまたは集光ミラーで分光器スリット上に集められる。この散乱光は単一分光器を直列に接続したダブルモノクロメーターで分散され、検出器で検知される。検出器には光電子倍増管が使用されるが、近年、光マルチチャンネル検出器が用いられるようになっている。光マルチチャンネル検出器はスペクトルを同時測定できるので、測定時間が数秒ですむという利点を有する。
上記各サンプル(実施例1〜3および比較例1〜4)に対して、ラマン分光法による試験を行った。
ラマンスペクトルに出現する1550cm-1以上1650cm-1以下にピークを有するスペクトルの強度(G)と1350cm-1以上1450cm-1以下にピークを有するスペクトルの強度(D)の比(D/G)を調べた。
ラマンスペクトルに出現する1550cm-1以上1650cm-1以下にピークを有するスペクトルの強度(G)と1350cm-1以上1450cm-1以下にピークを有するスペクトルの強度(D)の比(D/G)を調べた。
(実用特性試験)
また、上記各サンプル(実施例1〜3および比較例1〜4)に対して、実用特性の評価として、ヘッドの摩耗試験および電磁変換特性試験を行った。
ヘッドの摩耗試験は、MicroMVカムコーダー(ソニー社製、商品名DCR−IP7)を使用し、−5℃の環境下でシャトル走行を60分×300回行ったときのMRヘッドの摩耗量を測定した。
ヘッドの摩耗量は、1μmを超えると電磁変換特性に多大なる影響を与えるようになり、1μm以下とすることが必要である。
また、上記各サンプル(実施例1〜3および比較例1〜4)に対して、実用特性の評価として、ヘッドの摩耗試験および電磁変換特性試験を行った。
ヘッドの摩耗試験は、MicroMVカムコーダー(ソニー社製、商品名DCR−IP7)を使用し、−5℃の環境下でシャトル走行を60分×300回行ったときのMRヘッドの摩耗量を測定した。
ヘッドの摩耗量は、1μmを超えると電磁変換特性に多大なる影響を与えるようになり、1μm以下とすることが必要である。
また、電磁変換特性試験はドラムテスタを用いて測定した。ギャップ長0.22μm、トラック幅20μmのMIGヘッドを使用して記録波長2.0μmと0.3μmにて記録し、トラック幅5μmのNiFeMRヘッドを用いて再生したときのキャリア出力を測定した。
測定方向は、磁気テープと磁気ヘッドを相対的に正方向と逆方向で動作するようにし、それぞれ測定して平均値を取った。なお、磁気テープとMRヘッドとの相対速度は7m/秒とした。
キャリア出力は実施例2を基準にdB表示で行った。なお、−3dB以下では記録再生システムとして十分な信号とはならない。
測定方向は、磁気テープと磁気ヘッドを相対的に正方向と逆方向で動作するようにし、それぞれ測定して平均値を取った。なお、磁気テープとMRヘッドとの相対速度は7m/秒とした。
キャリア出力は実施例2を基準にdB表示で行った。なお、−3dB以下では記録再生システムとして十分な信号とはならない。
表1からも明らかなように、ホローカソード型CVD法を用いてカーボン保護層を2〜16nmの厚さで成膜し、1550cm-1以上1650cm-1以下にピークを有するスペクトルの強度と1350cm-1以上1450cm-1以下にピークを有するスペクトルの強度比を1.0以下にすることで低ヘッド摩耗製を磁気記録媒体に与え、なおかつ充分な出力信号を得ることができる。
図5は表1からD/G比を放電電圧Velecに対してプロットしたグラフである。
D/G比と放電電圧は相関が高く、放電電圧が高いほどD/G比は大きく、放電電圧が低いほどD/G比は小さくなる。
上述のように、D/G比は1.0以下であることが好ましく、これを実現するためには、上記のホローカソード型CVD法の条件において、放電電圧を120V以下に設定するとよい。
D/G比と放電電圧は相関が高く、放電電圧が高いほどD/G比は大きく、放電電圧が低いほどD/G比は小さくなる。
上述のように、D/G比は1.0以下であることが好ましく、これを実現するためには、上記のホローカソード型CVD法の条件において、放電電圧を120V以下に設定するとよい。
図6は表1からヘッド摩耗量HWを保護層(DLC膜)の膜厚tDLC に対してプロットしたグラフである。グラフ中に記した数字は放電電圧である。
この図から、保護層(DLC膜)の膜厚が厚くなるほど、ヘッド摩耗量が大きくなり、また、放電電圧が高いほどヘッド摩耗量が大きくなる傾向であることがわかる。
上述のように、ヘッド摩耗量は1.0μm以下とすることが好ましいため、図6から、これを満足する保護層膜厚および放電電圧の領域を求めることができる。
この図から、保護層(DLC膜)の膜厚が厚くなるほど、ヘッド摩耗量が大きくなり、また、放電電圧が高いほどヘッド摩耗量が大きくなる傾向であることがわかる。
上述のように、ヘッド摩耗量は1.0μm以下とすることが好ましいため、図6から、これを満足する保護層膜厚および放電電圧の領域を求めることができる。
ホローカソード型CVD法を用いることにより、従来は成膜することが難しかった、磁性層の薄い蒸着テープに対して安定して成膜することが可能となった。
ホローカソード型CVD法を用いることにより、成膜安定性が改善し、長時間成膜、歩留まり改善が可能となった。
ホローカソード型CVD法を用いることにより、任意の保護層の膜質を実現することができる。
ホローカソード型CVD法を用いることにより、成膜安定性が改善し、長時間成膜、歩留まり改善が可能となった。
ホローカソード型CVD法を用いることにより、任意の保護層の膜質を実現することができる。
本発明の磁気記録媒体およびその製造方法は、上記の説明に限定されない。
例えば、上記の実施形態においては保護層としてDLC膜を有しているが、これに限らず、その他の組成、膜厚、膜質などの特性を有する保護層を有してもよい。
また、磁気記録媒体としての層構成などは実施形態に示したものに限らず、磁性層下地層やバックコート下地層などの種々の層を設けてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
例えば、上記の実施形態においては保護層としてDLC膜を有しているが、これに限らず、その他の組成、膜厚、膜質などの特性を有する保護層を有してもよい。
また、磁気記録媒体としての層構成などは実施形態に示したものに限らず、磁性層下地層やバックコート下地層などの種々の層を設けてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
本発明の磁気記録媒体およびその製造方法は、データストレージ用の磁気テープおよびその製造方法に適用可能である。
1…非磁性支持体、2…磁性層、3…保護層、4…潤滑剤層、5…バックコート層、10…イオン源、11…ホローカソード、12…電極、13…ガス導入管、14…アノード部、15…アノード電極、16…ガス導入管、17…電磁石、18…原料ガス供給管、20…真空排気系、21…真空室、22…磁性層を有する支持体、23…送りロール、24…巻き取りロール、25…冷却キャン、26,27…ガイドロール、30…真空排気系、31…真空室、33…送りロール、34…巻き取りロール、35…冷却キャン、36,37…ガイドロール、38…るつぼ、39…金属磁性材料、40…電子銃、41…シャッタ、42…酸素ガス導入管、P…プラズマ、X…電子線
Claims (7)
- 長尺状の非磁性支持体の一主面に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成する工程と、
前記磁性層上に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により炭素を含有する保護層を形成する工程と
を有する磁気記録媒体の製造方法。 - 前記保護層を形成する工程において、膜厚が2〜16nmとなるように形成する
請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 前記保護層を形成する工程において、前記保護層のラマン分光散乱スペクトルにおける1550cm-1以上1650cm-1以下に位置するピークの強度(G)と1350cm-1以上1450cm-1以下に位置するピークの強度(D)の比(D/G)が1.0以下となるように形成する
請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 前記磁性層を形成する工程において、膜厚が100nm以下となるように形成する
請求項1に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 長尺状の非磁性支持体と、
前記非磁性支持体の一主面に形成され、100nm以下の膜厚を有する強磁性金属薄膜を有する磁性層と、
前記磁性層上に形成され、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により形成された炭素を含有する保護層と
を有する磁気記録媒体。 - 前記保護層の膜厚が2〜16nmである
請求項5に記載の磁気記録媒体。 - 前記保護層のラマン分光散乱スペクトルにおける1550cm-1以上1650cm-1以下に位置するピークの強度(G)と1350cm-1以上1450cm-1以下に位置するピークの強度(D)の比(D/G)が1.0以下である
請求項5に記載の磁気記録媒体。
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