JPH06136543A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH06136543A JPH06136543A JP29005592A JP29005592A JPH06136543A JP H06136543 A JPH06136543 A JP H06136543A JP 29005592 A JP29005592 A JP 29005592A JP 29005592 A JP29005592 A JP 29005592A JP H06136543 A JPH06136543 A JP H06136543A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は製造効率の向上させることが
できると共に、良好な成膜処理が達成される新規なプラ
ズマＣＶＤ装置を提供するものである。 【構成】 本発明は基板が配置された反応容器１内に、
反応ガスＧを導入すると共にプラズマ銃２から対向電極
３間に略円柱状のプラズマＰを発生させてガス状の生成
物質を生成し、該生成物質を上記基板上に化学蒸着させ
るプラズマＣＶＤ装置において、上記プラズマＰの周囲
に、これを囲繞するように、上記基板７を配置させて保
持するための基板保持手段５を設けると共に、該基板保
持手段５を上記プラズマＰの周囲に沿って回動させるた
めの回動手段６を備えたことを特徴としている。
できると共に、良好な成膜処理が達成される新規なプラ
ズマＣＶＤ装置を提供するものである。 【構成】 本発明は基板が配置された反応容器１内に、
反応ガスＧを導入すると共にプラズマ銃２から対向電極
３間に略円柱状のプラズマＰを発生させてガス状の生成
物質を生成し、該生成物質を上記基板上に化学蒸着させ
るプラズマＣＶＤ装置において、上記プラズマＰの周囲
に、これを囲繞するように、上記基板７を配置させて保
持するための基板保持手段５を設けると共に、該基板保
持手段５を上記プラズマＰの周囲に沿って回動させるた
めの回動手段６を備えたことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造プロセス等の
分野で広く応用されているプラズマＣＶＤ装置に関する
ものである。
分野で広く応用されているプラズマＣＶＤ装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖ
ａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置は、従来のＣＶ
Ｄ装置に比較して比較的低温度で成膜を行うことができ
るため、特に、超ＬＳＩの製造プロセスとしては有利で
ある。
ａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置は、従来のＣＶ
Ｄ装置に比較して比較的低温度で成膜を行うことができ
るため、特に、超ＬＳＩの製造プロセスとしては有利で
ある。
【０００３】このプラズラＣＶＤ装置はプラズマを用い
た化学蒸着法あるいは化学気相成長とも呼ばれるもので
あり、図３に示すように、１Ｐａ程度に真空排気された
反応室ａ内に、３００〜５００℃程度に加熱した基板ｂ
を配置すると共に、原料ガス（反応ガス）Ｇを供給し、
プラズマ銃ｃからプラズマＰを放出して化学反応で生じ
た生成物質をこの基板ｂ上に固体（薄膜）として堆積さ
せて形成するものである。
た化学蒸着法あるいは化学気相成長とも呼ばれるもので
あり、図３に示すように、１Ｐａ程度に真空排気された
反応室ａ内に、３００〜５００℃程度に加熱した基板ｂ
を配置すると共に、原料ガス（反応ガス）Ｇを供給し、
プラズマ銃ｃからプラズマＰを放出して化学反応で生じ
た生成物質をこの基板ｂ上に固体（薄膜）として堆積さ
せて形成するものである。
【０００４】また、超ＬＳＩの製造プロセスの中に登場
する薄膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、多結晶シリコ
ン、アルミニウム等であり、これらは全てＣＶＤ装置に
よって成膜されている。例えば、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）はシランガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）
を反応室に流し込んで以下のような反応を使ってウェハ
ー上に薄膜を作ることになる。
する薄膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、多結晶シリコ
ン、アルミニウム等であり、これらは全てＣＶＤ装置に
よって成膜されている。例えば、窒化ケイ素（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）はシランガス（ＳｉＨ4 ）とアンモニア（ＮＨ3 ）
を反応室に流し込んで以下のような反応を使ってウェハ
ー上に薄膜を作ることになる。
【０００５】 ３ＳｉＨ4 ＋４ＮＨ3 →Ｓｉ3 Ｎ4 ＋１２Ｈ2
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示すような従来のプラズラＣＶＤ装置は、基板ｂを加熱
基台ｄ上に載置するように、反応室ｂ内に配置していた
ため、一回の成膜処理において、基板ｂの成膜処理数は
限られてしまい、製造効率はあまり良くなかった。その
ため、装置全体を大型化して、成膜処理数を増加させる
ことも考えられるが、そうするとプラズマ銃も大型で高
価なものが必要となって装置全体のコストが上昇してし
まう。薄膜処理されるべく基板ｂは一箇所に固定された
状態となっているため、ガス状の生成物質の分布状態が
異なった場合には個々の基板に不均一に成膜される虞が
あった。
示すような従来のプラズラＣＶＤ装置は、基板ｂを加熱
基台ｄ上に載置するように、反応室ｂ内に配置していた
ため、一回の成膜処理において、基板ｂの成膜処理数は
限られてしまい、製造効率はあまり良くなかった。その
ため、装置全体を大型化して、成膜処理数を増加させる
ことも考えられるが、そうするとプラズマ銃も大型で高
価なものが必要となって装置全体のコストが上昇してし
まう。薄膜処理されるべく基板ｂは一箇所に固定された
状態となっているため、ガス状の生成物質の分布状態が
異なった場合には個々の基板に不均一に成膜される虞が
あった。
【０００７】そこで、本発明は上記問題点を有効に解決
するために案出されたものであり、その目的は、製造効
率の向上させることができると共に、良好な成膜処理が
達成される新規なプラズマＣＶＤ装置を提供するもので
ある。
するために案出されたものであり、その目的は、製造効
率の向上させることができると共に、良好な成膜処理が
達成される新規なプラズマＣＶＤ装置を提供するもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、基板が配置された反応容器内に、反応ガス
を導入すると共にプラズマ銃から対向電極間に略円柱状
のプラズマを放射させてガス状の生成物質を生成し、該
生成物質を上記基板上に化学蒸着させるプラズマＣＶＤ
装置において、上記プラズマの周囲に、これを囲繞する
ように、上記基板を配置させて保持するための基板保持
手段を設けると共に、該基板保持手段を上記プラズマの
周囲に沿って回動させるための回動手段を備えたもので
ある。
に本発明は、基板が配置された反応容器内に、反応ガス
を導入すると共にプラズマ銃から対向電極間に略円柱状
のプラズマを放射させてガス状の生成物質を生成し、該
生成物質を上記基板上に化学蒸着させるプラズマＣＶＤ
装置において、上記プラズマの周囲に、これを囲繞する
ように、上記基板を配置させて保持するための基板保持
手段を設けると共に、該基板保持手段を上記プラズマの
周囲に沿って回動させるための回動手段を備えたもので
ある。
【０００９】
【作用】本発明は上述したように、プラズマの周囲に、
これを囲繞するように基板保持手段を設けたため、限ら
れた反応容器のスペースに多くの基板を配置することが
でき、成膜処理数が大巾に向上する。また、この基板保
持手段は回動手段によって、プラズマの周囲を回動する
ようになっているため、反応容器内のガス雰囲気に係わ
らず、基板上に生成物質が良好に蒸着され、かつその成
膜はいずれの基板であっても均一なものとなる。
これを囲繞するように基板保持手段を設けたため、限ら
れた反応容器のスペースに多くの基板を配置することが
でき、成膜処理数が大巾に向上する。また、この基板保
持手段は回動手段によって、プラズマの周囲を回動する
ようになっているため、反応容器内のガス雰囲気に係わ
らず、基板上に生成物質が良好に蒸着され、かつその成
膜はいずれの基板であっても均一なものとなる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面を参照し
ながら詳述する。
ながら詳述する。
【００１１】図１は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の
一実施例を示したものである。図示するように、このプ
ラズマＣＶＤ装置は反応容器１の頂部にホロカソード式
のプラズマ銃２が設けられており、反応容器１の底部に
設けられ、プラズマ銃２と電気的に接続された対向電極
３側に、プラズマＰを放射するようになっている。ま
た、プラズマ銃２及び対向電極３の周囲には、それぞれ
リング状の集束コイル４ａ，４ｂが設けられており、こ
れら集束コイル４ａ，４ｂ間に発生する磁力線によって
プラズマＰを略円柱状に集束する働きをなしている。ま
た、反応容器１には反応ガスＧを供給するための反応ガ
ス供給口１６と、反応容器１内を真空排気するための排
気口１７が形成されており、これらにはそれぞれ図示し
ない反応ガス供給装置及び排気装置が接続されている。
一実施例を示したものである。図示するように、このプ
ラズマＣＶＤ装置は反応容器１の頂部にホロカソード式
のプラズマ銃２が設けられており、反応容器１の底部に
設けられ、プラズマ銃２と電気的に接続された対向電極
３側に、プラズマＰを放射するようになっている。ま
た、プラズマ銃２及び対向電極３の周囲には、それぞれ
リング状の集束コイル４ａ，４ｂが設けられており、こ
れら集束コイル４ａ，４ｂ間に発生する磁力線によって
プラズマＰを略円柱状に集束する働きをなしている。ま
た、反応容器１には反応ガスＧを供給するための反応ガ
ス供給口１６と、反応容器１内を真空排気するための排
気口１７が形成されており、これらにはそれぞれ図示し
ない反応ガス供給装置及び排気装置が接続されている。
【００１２】また、このプラズマＰの周囲には、基板を
保持するための基板保持手段５と、この基板保持手段５
を回動する回動手段６が設けられている。
保持するための基板保持手段５と、この基板保持手段５
を回動する回動手段６が設けられている。
【００１３】この基板保持手段５は図２に示すように、
複数の導電性材料（本実施例では５個）からなってお
り、プラズマＰの周囲に所定の間隔を隔てて回動手段６
に立設されている。そして、これらの基板保持手段５
に、処理すべき基板７が脱落しないように適当な手段に
よって保持されるようになっている。
複数の導電性材料（本実施例では５個）からなってお
り、プラズマＰの周囲に所定の間隔を隔てて回動手段６
に立設されている。そして、これらの基板保持手段５
に、処理すべき基板７が脱落しないように適当な手段に
よって保持されるようになっている。
【００１４】一方、回動手段６は対向電極３を囲繞する
ように配置された導電性材料からなる円筒状の太陽歯車
８と、この太陽歯車８の外周側に配置されたリング歯車
９と、これら太陽歯車８とリング歯車９の間に配置され
た複数（本実施例では５個）の遊星歯車１０ａ〜１０ｅ
と、上記太陽歯車８を回転駆動するための駆動モータ１
１とから主に構成されている。また、これら遊星歯車１
０ａ〜１０ｅには、それぞれ上記基板保持手段５の下端
部が一体的に接続されており、さらに、これらは電気的
に接続している。また、太陽歯車８は、図１に示すよう
に、その下端部が反応容器１の底部に形成された開口部
１３より下方に延出するように形成され、ベアリンリン
グ１４によって開口部１３に回転自在に係合されてい
る。すなわち、これら太陽歯車８、リング歯車９、遊星
歯車１０ａ〜１０ｅは遊星歯車装置をなしており、太陽
歯車８を例えば図示するように時計回りに回転駆動させ
ることによって遊星歯車１０ａ〜１０ｅを反時計回りに
自転させつつ、プラズマＰの周囲を時計回りに移動させ
ることができるようになっている。
ように配置された導電性材料からなる円筒状の太陽歯車
８と、この太陽歯車８の外周側に配置されたリング歯車
９と、これら太陽歯車８とリング歯車９の間に配置され
た複数（本実施例では５個）の遊星歯車１０ａ〜１０ｅ
と、上記太陽歯車８を回転駆動するための駆動モータ１
１とから主に構成されている。また、これら遊星歯車１
０ａ〜１０ｅには、それぞれ上記基板保持手段５の下端
部が一体的に接続されており、さらに、これらは電気的
に接続している。また、太陽歯車８は、図１に示すよう
に、その下端部が反応容器１の底部に形成された開口部
１３より下方に延出するように形成され、ベアリンリン
グ１４によって開口部１３に回転自在に係合されてい
る。すなわち、これら太陽歯車８、リング歯車９、遊星
歯車１０ａ〜１０ｅは遊星歯車装置をなしており、太陽
歯車８を例えば図示するように時計回りに回転駆動させ
ることによって遊星歯車１０ａ〜１０ｅを反時計回りに
自転させつつ、プラズマＰの周囲を時計回りに移動させ
ることができるようになっている。
【００１５】また、さらに太陽歯車８の下端部にはブラ
シ状の接点１５が設けられており、電源１８から所定の
電圧が印加されるようになっている。尚、図２に示すよ
うに、リング歯車９はこれと直径が略等しい筒状の基部
１９上に固定されており、これらは絶縁体２０によって
電気的に絶縁されている。
シ状の接点１５が設けられており、電源１８から所定の
電圧が印加されるようになっている。尚、図２に示すよ
うに、リング歯車９はこれと直径が略等しい筒状の基部
１９上に固定されており、これらは絶縁体２０によって
電気的に絶縁されている。
【００１６】次に、本実施例の作用を説明する。
【００１７】図１に示すように、先ず、排気口１７を用
いて反応容器１内を１Ｐａ程度に真空排気すると共に、
反応ガス供給口１６から反応容器１内に反応ガスＧを供
給する。また、これと同時に、或いは予め、基板保持手
段５に回動手段６を介して電源１８から所定の電圧を印
加しておき、基板保持手段５に保持された基板を既に所
定の温度（数百℃）に加熱しておく。そして、このよう
な状態でプラズマ銃２に所定の電圧を印加すると、集束
コイル４ａ，４ｂの磁力線によってプラズマ銃２と対向
電極３間に略円柱状に集束されたプラズマＰが発生し、
このプラズマＰによって反応容器１内に供給された反応
ガスＧが解離してイオン化し、これが化学反応によって
基板保持手段５に保持された基板表面に徐々に蒸着し始
めることになる。
いて反応容器１内を１Ｐａ程度に真空排気すると共に、
反応ガス供給口１６から反応容器１内に反応ガスＧを供
給する。また、これと同時に、或いは予め、基板保持手
段５に回動手段６を介して電源１８から所定の電圧を印
加しておき、基板保持手段５に保持された基板を既に所
定の温度（数百℃）に加熱しておく。そして、このよう
な状態でプラズマ銃２に所定の電圧を印加すると、集束
コイル４ａ，４ｂの磁力線によってプラズマ銃２と対向
電極３間に略円柱状に集束されたプラズマＰが発生し、
このプラズマＰによって反応容器１内に供給された反応
ガスＧが解離してイオン化し、これが化学反応によって
基板保持手段５に保持された基板表面に徐々に蒸着し始
めることになる。
【００１８】次に、回動手段６の駆動モータ１１を駆動
して図２に示すように、太陽歯車８を時計回りに回転す
ると、これとリング歯車９に噛み合った各遊星歯車１０
ａ〜１０ｅが反時計回りに自転しながら時計回りに回動
することになる。これによって図示するように、各遊星
歯車１０ａ〜１０ｅに立設された基板保持手段５がプラ
ズマＰの周囲を反時計回りに自転しながら時計回りに回
動し、これに保持された基板が回転移動しながら上述し
たような作用によりイオン化物質がその表面に蒸着し、
成膜されることになる。
して図２に示すように、太陽歯車８を時計回りに回転す
ると、これとリング歯車９に噛み合った各遊星歯車１０
ａ〜１０ｅが反時計回りに自転しながら時計回りに回動
することになる。これによって図示するように、各遊星
歯車１０ａ〜１０ｅに立設された基板保持手段５がプラ
ズマＰの周囲を反時計回りに自転しながら時計回りに回
動し、これに保持された基板が回転移動しながら上述し
たような作用によりイオン化物質がその表面に蒸着し、
成膜されることになる。
【００１９】このように、本発明は従来のプラズマＣＶ
Ｄ装置に基板保持手段５と回動手段６を設けると共に、
この基板保持手段５に成膜処理すべく基板７を配置して
プラズマＰの周囲を回動させながら成膜処理を行うこと
により、反応容器１内のガス雰囲気に係わらず、基板上
に生成物質が良好に蒸着され、かつその成膜はいずれの
基板であっても均一なものとなり、さらに、反応容器１
内空間を有効に利用することができ、その成膜処理効率
も大巾に向上する。
Ｄ装置に基板保持手段５と回動手段６を設けると共に、
この基板保持手段５に成膜処理すべく基板７を配置して
プラズマＰの周囲を回動させながら成膜処理を行うこと
により、反応容器１内のガス雰囲気に係わらず、基板上
に生成物質が良好に蒸着され、かつその成膜はいずれの
基板であっても均一なものとなり、さらに、反応容器１
内空間を有効に利用することができ、その成膜処理効率
も大巾に向上する。
【００２０】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、プラズマ
の周囲に、これを囲繞するように基板保持手段を設けた
ため、限られた反応容器のスペースに多くの基板を配置
することができ、成膜処理数が大巾に向上する。また、
この基板保持手段は回動手段によって、プラズマの周囲
を回動するようになっているため、反応容器内のガス雰
囲気に係わらず、基板上に生成物質が良好に蒸着され、
かつその成膜はいずれの基板であっても均一なものとな
る等といった優れた効果を有する。
の周囲に、これを囲繞するように基板保持手段を設けた
ため、限られた反応容器のスペースに多くの基板を配置
することができ、成膜処理数が大巾に向上する。また、
この基板保持手段は回動手段によって、プラズマの周囲
を回動するようになっているため、反応容器内のガス雰
囲気に係わらず、基板上に生成物質が良好に蒸着され、
かつその成膜はいずれの基板であっても均一なものとな
る等といった優れた効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示す概略側面図である。
【図２】本発明の基板保持手段と回動手段構造を示す斜
視図である。
視図である。
【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略図
である。
である。
１ 反応容器 ２ プラズマ銃 ３ 対向電極 ５ 基板保持手段 ６ 回動手段 ７ 基板 Ｇ 反応ガス Ｐ プラズマ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板が配置された反応容器内に、反応ガ
スを導入すると共にプラズマ銃から対向電極間に略円柱
状のプラズマを発生させてガス状の生成物質を生成し、
該生成物質を上記基板上に化学蒸着させるプラズマＣＶ
Ｄ装置において、上記プラズマの周囲に、これを囲繞す
るように、上記基板を配置させて保持するための基板保
持手段を設けると共に、該基板保持手段を上記プラズマ
の周囲に沿って回動させるための回動手段を備えたこと
を特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29005592A JPH06136543A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29005592A JPH06136543A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06136543A true JPH06136543A (ja) | 1994-05-17 |
Family
ID=17751207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29005592A Pending JPH06136543A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06136543A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0814176A2 (en) * | 1996-06-07 | 1997-12-29 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Method and apparatus for depositing diamond film |
| US7326436B2 (en) | 2003-08-25 | 2008-02-05 | Sony Corporation | Magnetic recording medium and method of fabricating the same |
| JP2020170846A (ja) * | 2015-01-09 | 2020-10-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | リソグラフィオーバーレイ改善のための半導体アプリケーション用ゲートスタック材料 |
| CN114231952A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-03-25 | 广东思泉新材料股份有限公司 | Cvd镀膜设备 |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP29005592A patent/JPH06136543A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0814176A2 (en) * | 1996-06-07 | 1997-12-29 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Method and apparatus for depositing diamond film |
| EP0814176A3 (en) * | 1996-06-07 | 2000-02-23 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Method and apparatus for depositing diamond film |
| US7326436B2 (en) | 2003-08-25 | 2008-02-05 | Sony Corporation | Magnetic recording medium and method of fabricating the same |
| JP2020170846A (ja) * | 2015-01-09 | 2020-10-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | リソグラフィオーバーレイ改善のための半導体アプリケーション用ゲートスタック材料 |
| CN114231952A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-03-25 | 广东思泉新材料股份有限公司 | Cvd镀膜设备 |
| CN114231952B (zh) * | 2021-12-27 | 2022-08-19 | 广东思泉新材料股份有限公司 | Cvd镀膜设备 |
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