JP2004335591A - Cvd装置及び半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェハ中心部と外周部で温度差が生じにくく、より均一な膜質の成膜を実現するCVD装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバ10は、内部にウェハWafを収容し、少なくとも放電ガスの供給系11及び排気系12が繋がる。サセプタ13は、処理チャンバ10内に配備され、ウェハWaf配置の基礎となる。サセプタ13は、カーボンなど赤外線を糖化させる部材で構成される。ランプ加熱機構15は、このサセプタ13を裏側から加熱する。サセプタ13とランプ加熱機構15との間に石英性のプレート14が配されている。ランプ加熱機構15は、ランプ16が複数配置されたテーブル17を有する。ランプ加熱機構15下方には駆動制御機構18が配備されている。駆動制御機構18はこのランプ加熱機構15のテーブルを自転しつつ公転させるため、少なくとも2つの駆動系M1,M2を有する。
【選択図】 図1
【解決手段】処理チャンバ10は、内部にウェハWafを収容し、少なくとも放電ガスの供給系11及び排気系12が繋がる。サセプタ13は、処理チャンバ10内に配備され、ウェハWaf配置の基礎となる。サセプタ13は、カーボンなど赤外線を糖化させる部材で構成される。ランプ加熱機構15は、このサセプタ13を裏側から加熱する。サセプタ13とランプ加熱機構15との間に石英性のプレート14が配されている。ランプ加熱機構15は、ランプ16が複数配置されたテーブル17を有する。ランプ加熱機構15下方には駆動制御機構18が配備されている。駆動制御機構18はこのランプ加熱機構15のテーブルを自転しつつ公転させるため、少なくとも2つの駆動系M1,M2を有する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウェハの成膜工程に係り、特に枚葉式のCVD装置及び半導体装置の製造方法及びこれを用いて成膜される半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
CVD(Chemical Vapor Deposition )法は薄膜形成法の一つであり、基板表面に原料となるガスを供給し、化学反応により膜を形成する方法である。LSI製作においては主として多結晶Si、Si酸化膜などのSi系薄膜の他、W(タングステン)等の金属膜の成膜にも適用され、重要な技術となっている。
【0003】
ウェハに精度の高いCVD成膜を達成するためには、CVD装置においてウェハを均一に加熱する必要があった。成膜中、ウェハ面内の温度がばらつくと、成膜自体の膜質がばらつく。すなわち、成膜される反応スピードが変動してしまう。例えば、膜を構成する原子の疎密に関係してくる。温度が高いと反応スピードは高く、より厚く緻密な膜ができ易い。温度が低いと反応スピードも低く、より薄い疎な膜ができ易い。絶縁膜であれば、不純物が入り易くなってしまうなどの不具合が起こる。金属の成膜なら、配線抵抗やコンタクト抵抗のばらつきが顕著になる。
【0004】
対策として、成膜の均一性を向上させるため、加熱用の複数のランプを配置する。さらに複数のランプを適当な間隔でターンテーブルに配置し、ターンテーブルを駆動軸で回転させるといった形態を採用していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ランプ自体加熱して破損する恐れがあるため、ランプの配置間隔には制限があった。これにより、ウェハの加熱領域において温度差が大きい領域も少なくない。ターンテーブルで回転してもランプの配置されない領域にはランプが移動してくることはないため、やはり、ウェハの加熱領域において温度差が大きい領域が生じる懸念がある。特に、加熱が集中し易いウェハ中心部と放熱し易いウェハ外周部では温度差が大きくなる。よって、成膜の均一性を向上させることは困難である。
【0006】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、ウェハ中心部と外周部で温度差が生じにくく、より均一な膜質の成膜を実現するCVD装置及び半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るCVD装置は、ウェハを収容し真空中で少なくとも放電用ガス供給及び排気がなされる処理チャンバと、前記処理チャンバ内に配備され前記ウェハ配置の基礎となるサセプタと、前記サセプタを裏側から加熱するランプが複数配置されたテーブルを有するランプ加熱機構と、前記ランプ加熱機構のテーブルを自転しつつ公転させる駆動制御機構と、を具備したことを特徴とする。
【0008】
上記本発明に係るCVD装置によれば、ランプ加熱機構のテーブルを自転しつつ公転させる駆動制御機構によって、ランプの配置されない領域にもランプが移動してくる。これにより、ウェハ加熱面全面に均一にランプ加熱温度が伝達される。
【0009】
なお、上記本発明に係るCVD装置におけるより好ましい実施態様として次のような特徴を有する。
前記サセプタと前記ランプ加熱機構との間に設けられる石英製プレートをさらに具備したことを特徴とする。熱伝導に寄与する。
前記ランプ加熱機構のランプは前記駆動制御機構の移動で少なくとも前記ウェハ加熱面全面を網羅するよう前記テーブルに配置されていることを特徴とする。ランプ配置に余裕ができる。昇温しあって破損する恐れがないように配置できる。
前記ランプ加熱機構のテーブルに前記ランプへの冷却ガスを供給する冷却機構をさらに具備したことを特徴とする。ランプ配置に余裕ができる。昇温しあって破損する恐れがないように配置できる。
【0010】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェハの載置されるサセプタの下部よりランプ加熱されCVD成膜される半導体装置の製造方法において、ランプ加熱は自転しつつ公転する駆動系によって常に移動しつつウェハの加熱面全面がサセプタを介して所定温度に保持され成膜が達成されることを特徴とする。これにより、成膜の均一性は良好となり、ウェハ面内でばらつきのない製品が取得できる。
【0011】
本発明に係る半導体装置は、上記いずれかに記載したCVD装置の利用を経て形成されたことを特徴とする。ウェハ面内でばらつきのない品質の製品が取得でき、高歩留りでの量産が期待できる。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の一実施形態に係るCVD装置の要部構成を示す概観図である。処理チャンバ10は、内部にウェハWafを収容し、少なくとも反応ガスの供給系11及び排気系12が繋がる。サセプタ13は、処理チャンバ10内に配備され、ウェハWaf配置の基礎となる。サセプタ13は、カーボンなど赤外線を透過させる部材で構成される。ランプ加熱機構15は、このサセプタ13を裏側から加熱する。サセプタ13とランプ加熱機構15との間に石英性のプレート14が配されている。ランプ加熱機構15は、ランプ16が複数配置されたテーブル17を有する。ランプ加熱機構15下方には駆動制御機構18が配備されている。
【0013】
駆動制御機構18はこのランプ加熱機構15のテーブル17を自転しつつ公転させるため、少なくとも2つの駆動系M1,M2を有する。ここでいう公転とは、テーブル17中心の回転軸19からランプ配置間隔の半分程度ずれた回転軸20を設定しテーブル17全体を小さく周回させる形態をいう。すなわち、駆動系M1はテーブル17の中心の回転軸19を回転させ、駆動系M2はテーブル17の中心軸からずれた上記回転軸20を回転させる。
【0014】
図2は、ランプ加熱機構のランプが配置されたテーブルの一例を示し、テーブルの任意の移動軌跡を破線で示している。図1と同様の箇所には同一の符号を付す。ランプ16の配置は、ランプの性能等により、間隔が制限される。ランプ16は、図1に示した駆動制御機構18によるテーブル17の回転移動(自転A、公転B)で少なくともランプ配置間隔が見かけ上埋められるように配置されていることが重要である。自転A、公転Bはそれぞれ、ウェハ加熱面全面により温度均一性ひいては成膜均一性が得られるような最適な回転数を選べばよい。自転A、公転Bの制御でランプ16の冷却にも寄与する。ランプ16の配置個数や配置形態は駆動制御機構18の形態によって考慮されるため、この図2に限定されることはない。
【0015】
例えばW(タングステン)の成膜はWH6、H2ガスの供給により達成されるが、処理チャンバ10内の雰囲気は580〜600℃程度で、ウェハの反応面は550℃程度にされる必要がある。このとき、ランプ加熱機構15により、ランプ16が配置されたテーブル17を自転しつつ公転させるので、ランプの配置されない領域にもランプ16が移動してくる。これにより、ウェハ加熱面全面においてより均一にランプ加熱温度が伝達される。ウェハの加熱領域において温度差がほとんどなくなり、ウェハ中心部やウェハ外周部での温度差なく、成膜の均一性を向上させることができる。
【0016】
図3は、駆動制御機構18の構成の一例を示す概略図である。テーブル17内に配線されるランプ配線と共に、モータを駆動するための配線が構成されている。モータM1はテーブル17の自転用として、テーブル17の中心の回転軸19を回転させるために配備されている。モータM2はテーブル17の公転用として、ランプ配置間隔の半分程度ずれた回転軸20を回転させるために配備されている。回転軸にブラシ21が設けられ配電される。
【0017】
図4は、ランプ加熱機構のランプが配置されたテーブルの他の例を示し、テーブルの任意の移動軌跡を破線で示している。前記図2と同様の箇所には同一の符号を付して説明する。テーブル17の中心部に冷却ガスの供給部22が設けられている。冷却ガスが供給されることによってランプ16の配置間隔が狭められる利点がある。ランプ16は、駆動制御機構18によるテーブル17の回転移動(自転A、公転B)で少なくともランプ配置間隔が見かけ上埋められるように配置されていることが重要である。自転A、公転Bそれぞれ、ウェハ加熱面全面により温度均一性ひいては成膜均一性が得られるような最適な回転数を選べばよい。自転A、公転Bの制御でランプ16の冷却にも寄与する。ランプ16の配置個数や配置形態は駆動制御機構18の形態によって考慮されため、この図4に限定されることはない。
【0018】
以上の実施形態によれば、ランプ加熱機構のテーブルを自転しつつ公転させる駆動制御機構によって、ランプの配置されない領域にもランプが移動してくる。これにより、ウェハ加熱面全面においてより均一にランプ加熱温度が伝達される。ウェハの加熱領域において温度差がほとんどなくなり、ウェハ中心部やウェハ外周部での温度差なく、成膜の均一性を向上させることができる。ウェハ面内でばらつきのない品質の製品が取得でき、高歩留りでの半導体装置の量産が期待できる。この結果、ウェハ中心部と外周部で温度差が生じにくく、より均一な膜質の成膜を実現するCVD装置及び半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。
【0019】
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施形態に係るCVD装置の要部構成を示す概観図である。
【図2】図1の一部でテーブル及びその移動軌跡の一例を示す平面図。
【図3】図1の一部で駆動制御機構の構成例を示す概略図。
【図4】図1の一部でテーブル及びその移動軌跡の他の例を示す平面図。
【符号の説明】
10…処理チャンバ、11…放電ガス供給系、12…排気系、13…サセプタ、15…ランプ加熱機構、16…ランプ、17…テーブル、18…駆動制御機構、19,20…回転軸、21…ブラシ、22…冷却ガス供給部、M1,M2…駆動系(モータ)。
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウェハの成膜工程に係り、特に枚葉式のCVD装置及び半導体装置の製造方法及びこれを用いて成膜される半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
CVD(Chemical Vapor Deposition )法は薄膜形成法の一つであり、基板表面に原料となるガスを供給し、化学反応により膜を形成する方法である。LSI製作においては主として多結晶Si、Si酸化膜などのSi系薄膜の他、W(タングステン)等の金属膜の成膜にも適用され、重要な技術となっている。
【0003】
ウェハに精度の高いCVD成膜を達成するためには、CVD装置においてウェハを均一に加熱する必要があった。成膜中、ウェハ面内の温度がばらつくと、成膜自体の膜質がばらつく。すなわち、成膜される反応スピードが変動してしまう。例えば、膜を構成する原子の疎密に関係してくる。温度が高いと反応スピードは高く、より厚く緻密な膜ができ易い。温度が低いと反応スピードも低く、より薄い疎な膜ができ易い。絶縁膜であれば、不純物が入り易くなってしまうなどの不具合が起こる。金属の成膜なら、配線抵抗やコンタクト抵抗のばらつきが顕著になる。
【0004】
対策として、成膜の均一性を向上させるため、加熱用の複数のランプを配置する。さらに複数のランプを適当な間隔でターンテーブルに配置し、ターンテーブルを駆動軸で回転させるといった形態を採用していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ランプ自体加熱して破損する恐れがあるため、ランプの配置間隔には制限があった。これにより、ウェハの加熱領域において温度差が大きい領域も少なくない。ターンテーブルで回転してもランプの配置されない領域にはランプが移動してくることはないため、やはり、ウェハの加熱領域において温度差が大きい領域が生じる懸念がある。特に、加熱が集中し易いウェハ中心部と放熱し易いウェハ外周部では温度差が大きくなる。よって、成膜の均一性を向上させることは困難である。
【0006】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、ウェハ中心部と外周部で温度差が生じにくく、より均一な膜質の成膜を実現するCVD装置及び半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るCVD装置は、ウェハを収容し真空中で少なくとも放電用ガス供給及び排気がなされる処理チャンバと、前記処理チャンバ内に配備され前記ウェハ配置の基礎となるサセプタと、前記サセプタを裏側から加熱するランプが複数配置されたテーブルを有するランプ加熱機構と、前記ランプ加熱機構のテーブルを自転しつつ公転させる駆動制御機構と、を具備したことを特徴とする。
【0008】
上記本発明に係るCVD装置によれば、ランプ加熱機構のテーブルを自転しつつ公転させる駆動制御機構によって、ランプの配置されない領域にもランプが移動してくる。これにより、ウェハ加熱面全面に均一にランプ加熱温度が伝達される。
【0009】
なお、上記本発明に係るCVD装置におけるより好ましい実施態様として次のような特徴を有する。
前記サセプタと前記ランプ加熱機構との間に設けられる石英製プレートをさらに具備したことを特徴とする。熱伝導に寄与する。
前記ランプ加熱機構のランプは前記駆動制御機構の移動で少なくとも前記ウェハ加熱面全面を網羅するよう前記テーブルに配置されていることを特徴とする。ランプ配置に余裕ができる。昇温しあって破損する恐れがないように配置できる。
前記ランプ加熱機構のテーブルに前記ランプへの冷却ガスを供給する冷却機構をさらに具備したことを特徴とする。ランプ配置に余裕ができる。昇温しあって破損する恐れがないように配置できる。
【0010】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェハの載置されるサセプタの下部よりランプ加熱されCVD成膜される半導体装置の製造方法において、ランプ加熱は自転しつつ公転する駆動系によって常に移動しつつウェハの加熱面全面がサセプタを介して所定温度に保持され成膜が達成されることを特徴とする。これにより、成膜の均一性は良好となり、ウェハ面内でばらつきのない製品が取得できる。
【0011】
本発明に係る半導体装置は、上記いずれかに記載したCVD装置の利用を経て形成されたことを特徴とする。ウェハ面内でばらつきのない品質の製品が取得でき、高歩留りでの量産が期待できる。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の一実施形態に係るCVD装置の要部構成を示す概観図である。処理チャンバ10は、内部にウェハWafを収容し、少なくとも反応ガスの供給系11及び排気系12が繋がる。サセプタ13は、処理チャンバ10内に配備され、ウェハWaf配置の基礎となる。サセプタ13は、カーボンなど赤外線を透過させる部材で構成される。ランプ加熱機構15は、このサセプタ13を裏側から加熱する。サセプタ13とランプ加熱機構15との間に石英性のプレート14が配されている。ランプ加熱機構15は、ランプ16が複数配置されたテーブル17を有する。ランプ加熱機構15下方には駆動制御機構18が配備されている。
【0013】
駆動制御機構18はこのランプ加熱機構15のテーブル17を自転しつつ公転させるため、少なくとも2つの駆動系M1,M2を有する。ここでいう公転とは、テーブル17中心の回転軸19からランプ配置間隔の半分程度ずれた回転軸20を設定しテーブル17全体を小さく周回させる形態をいう。すなわち、駆動系M1はテーブル17の中心の回転軸19を回転させ、駆動系M2はテーブル17の中心軸からずれた上記回転軸20を回転させる。
【0014】
図2は、ランプ加熱機構のランプが配置されたテーブルの一例を示し、テーブルの任意の移動軌跡を破線で示している。図1と同様の箇所には同一の符号を付す。ランプ16の配置は、ランプの性能等により、間隔が制限される。ランプ16は、図1に示した駆動制御機構18によるテーブル17の回転移動(自転A、公転B)で少なくともランプ配置間隔が見かけ上埋められるように配置されていることが重要である。自転A、公転Bはそれぞれ、ウェハ加熱面全面により温度均一性ひいては成膜均一性が得られるような最適な回転数を選べばよい。自転A、公転Bの制御でランプ16の冷却にも寄与する。ランプ16の配置個数や配置形態は駆動制御機構18の形態によって考慮されるため、この図2に限定されることはない。
【0015】
例えばW(タングステン)の成膜はWH6、H2ガスの供給により達成されるが、処理チャンバ10内の雰囲気は580〜600℃程度で、ウェハの反応面は550℃程度にされる必要がある。このとき、ランプ加熱機構15により、ランプ16が配置されたテーブル17を自転しつつ公転させるので、ランプの配置されない領域にもランプ16が移動してくる。これにより、ウェハ加熱面全面においてより均一にランプ加熱温度が伝達される。ウェハの加熱領域において温度差がほとんどなくなり、ウェハ中心部やウェハ外周部での温度差なく、成膜の均一性を向上させることができる。
【0016】
図3は、駆動制御機構18の構成の一例を示す概略図である。テーブル17内に配線されるランプ配線と共に、モータを駆動するための配線が構成されている。モータM1はテーブル17の自転用として、テーブル17の中心の回転軸19を回転させるために配備されている。モータM2はテーブル17の公転用として、ランプ配置間隔の半分程度ずれた回転軸20を回転させるために配備されている。回転軸にブラシ21が設けられ配電される。
【0017】
図4は、ランプ加熱機構のランプが配置されたテーブルの他の例を示し、テーブルの任意の移動軌跡を破線で示している。前記図2と同様の箇所には同一の符号を付して説明する。テーブル17の中心部に冷却ガスの供給部22が設けられている。冷却ガスが供給されることによってランプ16の配置間隔が狭められる利点がある。ランプ16は、駆動制御機構18によるテーブル17の回転移動(自転A、公転B)で少なくともランプ配置間隔が見かけ上埋められるように配置されていることが重要である。自転A、公転Bそれぞれ、ウェハ加熱面全面により温度均一性ひいては成膜均一性が得られるような最適な回転数を選べばよい。自転A、公転Bの制御でランプ16の冷却にも寄与する。ランプ16の配置個数や配置形態は駆動制御機構18の形態によって考慮されため、この図4に限定されることはない。
【0018】
以上の実施形態によれば、ランプ加熱機構のテーブルを自転しつつ公転させる駆動制御機構によって、ランプの配置されない領域にもランプが移動してくる。これにより、ウェハ加熱面全面においてより均一にランプ加熱温度が伝達される。ウェハの加熱領域において温度差がほとんどなくなり、ウェハ中心部やウェハ外周部での温度差なく、成膜の均一性を向上させることができる。ウェハ面内でばらつきのない品質の製品が取得でき、高歩留りでの半導体装置の量産が期待できる。この結果、ウェハ中心部と外周部で温度差が生じにくく、より均一な膜質の成膜を実現するCVD装置及び半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。
【0019】
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施形態に係るCVD装置の要部構成を示す概観図である。
【図2】図1の一部でテーブル及びその移動軌跡の一例を示す平面図。
【図3】図1の一部で駆動制御機構の構成例を示す概略図。
【図4】図1の一部でテーブル及びその移動軌跡の他の例を示す平面図。
【符号の説明】
10…処理チャンバ、11…放電ガス供給系、12…排気系、13…サセプタ、15…ランプ加熱機構、16…ランプ、17…テーブル、18…駆動制御機構、19,20…回転軸、21…ブラシ、22…冷却ガス供給部、M1,M2…駆動系(モータ)。
Claims (6)
- ウェハを収容し真空中で少なくとも放電用ガス供給及び排気がなされる処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配備され前記ウェハ配置の基礎となるサセプタと、
前記サセプタを裏側から加熱するランプが複数配置されたテーブルを有するランプ加熱機構と、
前記ランプ加熱機構のテーブルを自転しつつ公転させる駆動制御機構と、
を具備したことを特徴とするCVD装置。 - 前記サセプタと前記ランプ加熱機構との間に設けられる石英製プレートをさらに具備したことを特徴とする請求項1記載のCVD装置。
- 前記ランプ加熱機構のランプは前記駆動制御機構の移動で少なくとも前記ウェハ加熱面全面を網羅するよう前記テーブルに配置されていることを特徴とする請求項1または2記載のCVD装置。
- 前記ランプ加熱機構のテーブルに前記ランプへの冷却ガスを供給する冷却機構をさらに具備したことを特徴とする請求項1〜3いずれか一つに記載のCVD装置。
- ウェハの載置されるサセプタの下部よりランプ加熱されCVD成膜される半導体装置の製造方法において、ランプ加熱は自転しつつ公転する駆動系によって常に移動しつつウェハの加熱面全面がサセプタを介して所定温度に保持され成膜が達成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記請求項1〜4いずれかに記載のCVD装置の利用を経て形成されたことを特徴とする半導体装置。
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---|---|---|---|
JP2003126577A JP2004335591A (ja) | 2003-05-01 | 2003-05-01 | Cvd装置及び半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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JP2003126577A JP2004335591A (ja) | 2003-05-01 | 2003-05-01 | Cvd装置及び半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103374698A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-10-30 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 加热腔室以及等离子体加工设备 |
CN103866295A (zh) * | 2012-12-14 | 2014-06-18 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种用于反应腔的基板加热及传输装置 |
KR20150128890A (ko) * | 2013-03-13 | 2015-11-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 효과적인 열 순환을 위한 모듈형 기판 히터 |
CN106435529A (zh) * | 2015-08-10 | 2017-02-22 | 英属开曼群岛商精曜有限公司 | 加热装置 |
CN114851409A (zh) * | 2022-04-14 | 2022-08-05 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种改善圆片成膜均匀性的加热方法 |
-
2003
- 2003-05-01 JP JP2003126577A patent/JP2004335591A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2016519418A (ja) * | 2013-03-13 | 2016-06-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 効率的な熱サイクリングのためのモジュール式基板ヒータ |
KR102176181B1 (ko) | 2013-03-13 | 2020-11-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 효과적인 열 순환을 위한 모듈형 기판 히터 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060704 |