CN103374698A - 加热腔室以及等离子体加工设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种加热腔室以及等离子体加工设备,其包括腔室本体、石英窗和加热灯,所述石英窗将所述腔室本体分隔为上子腔室和下子腔室,其中,所述加热灯设置于所述下子腔室内,并透过所述石英窗向所述上子腔室内辐射热量;在所述上子腔室内设置有采用导热材料制作的匀热板,被加工工件由所述匀热板承载,所述匀热板将吸收到的所述加热灯辐射的热量传导至所述被加工工件。上述加热腔室不仅可以缩小被加工工件的各区域之间的温差,从而提高工艺的均匀性,而且结构简单,制造成本较低。
Description
技术领域
本发明涉及微电子加工技术领域,具体地,涉及一种加热腔室以及等离子体加工设备。
背景技术
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,以下简称PVD)技术是微电子领域常用的加工技术,如,用于加工集成电路中的铜互连层。制作铜互连层主要包括去气、预清洗、Ta(N)沉积以及Cu沉积等步骤,其中,去气步骤是去除基片等被加工工件上的水蒸气及其它易挥发性杂质。在实施去气步骤时,需要将基片等被加工工件加热至300℃以上。图1为现有的PVD设备的结构示意图。请参阅图1,PVD设备包括加热腔室10,在加热腔室10的内部设置有密封石英窗13,借助密封石英窗13将加热腔室10分隔为上子腔室和下子腔室。其中,在下子腔室内的底部设有用于承载基片的支撑平台11,在支撑平台11的内部设置有加热丝组件111,用以加热设置于支撑平台11上的基片14。为了使基片14能够快速升温,提高PVD设备的加工效率,在上子腔室内的顶部设置有加热灯泡12,其通过辐射方式透过密封石英窗13对设置在支撑平台11表面的基片14进行加热。
如图2所示,为沿图1中A-A线的剖面图。加热灯泡12沿加热腔室10的周向排列设置。由于加热灯泡12离散配置,因而加热灯泡12向基片14的各区域辐射的热量不均匀,导致基片14各个区域的温度不均,从而导致工艺不均匀。而且,在加热基片14的过程中,由于基片14边缘区域的热散失速率高于其中心区域的热散失速率,导致基片14的中心区域与边缘区域存在温差,进一步降低了工艺的均匀性。
此外,上述PVD设备是借助加热丝组件111和加热灯泡13来加热基片14,这不仅增加了PVD设备的结构复杂性,而且还增加了PVD设备的制造成本。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种加热腔室以及等离子体加工设备,其不仅缩小了被加工工件的各区域之间的温差,从而提高了工艺的均匀性,而且结构简单,制造成本较低。
为实现本发明的目的而提供一种加热腔室,其包括腔室本体、石英窗和加热灯,所述石英窗将所述腔室本体分隔为上子腔室和下子腔室,其中,所述加热灯设置于所述下子腔室内,并透过所述石英窗向所述上子腔室内辐射热量;在所述上子腔室内设置有采用导热材料制作的匀热板,被加工工件由所述匀热板承载,所述匀热板将吸收到的所述加热灯辐射的热量传导至所述被加工工件。
其中,所述导热材料包括具有导热性能的陶瓷、石墨或金属。
其中,所述上子腔室保持真空状态或在所述上子腔室内充入惰性气体。
其中,在所述上子腔室室壁的内侧设置有支撑部件,用以支撑所述匀热板。
其中,所述支撑部件为支撑环,所述支撑环的外缘固定在所述上子腔室的室壁上;或者,所述支撑部件为沿所述上子腔室的内周缘分布的多个支撑板,所述支撑板的一端固定于所述上子腔的室壁上,另一端沿所述上子腔室的径向方向延伸;而且,多个所述支撑板的上表面在同一水平面。
其中,所述支撑部件为沿所述加热腔室的内周缘分布的多个凸部,所述凸部沿所述上子腔室的径向方向凸出;而且,多个所述凸部的上表面在同一水平面;或者,所述支撑部件为设置在所述上子腔室内侧的凸环,所述凸环沿所述上子腔室的径向方向凸出。
其中,在所述下子腔室内且位于所述加热灯的下方设置有反射板,用以将所述加热灯辐射的热量朝向所述匀热板辐射。
优选地,在所述反射板的内表面且靠近所述下子腔室的侧壁位置设置有侧反射板,用以减少所述加热灯辐射的热量自所述下子腔室侧壁的损失。
其中,在所述反射板的下表面贴合有冷却板,在所述冷却板内设置有冷却水管路,在所述冷却水管路内通入冷却水,借助所述冷却水对所述反射板进行冷却。
其中,在所述冷却板的下表面设置有用于固定所述加热灯的安装部件,在所述反射板和冷却板上且与所述安装部件相对应的位置处分别设置有贯穿其厚度的通孔,所述加热灯穿过所述通孔与所述安装部件连接。
本发明还提供一种等离子体加工设备,包括加热腔室,其采用本发明提供的上述加热腔室。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供的加热腔室,将匀热板设置在上子腔室内,被加工工件由匀热板承载,用于加热被加工工件的加热灯设置在匀热板的下方,加热灯首先加热匀热板,再借助匀热板间接地加热被加工工件。由于匀热板具有良好的导热性,能够将吸收的热量快速地传导,因此可以缩小匀热板不同区域的温差,从而缩小被加工工件不同区域的温差,进而可以提高加热腔室工艺的均匀性。而且,由于匀热板代替了结构复杂的支撑平台来承载被加工工件,从而简化了设备的结构,降低了设备的制造成本。
本发明提供的等离子体加工设备,其通过采用上述加热腔室,不仅可以缩小被加工工件不同区域的温差,从而提高加热腔室工艺的均匀性;而且,由于上述加热腔室采用匀热板代替结构复杂的支撑平台来承载被加工工件,从而简化了等离子体加工设备的结构,降低了等离子体加工设备的制造成本。
附图说明
图1为现有的PVD设备的结构示意图;
图2为沿图1中A-A线的剖面图;以及
图3为本发明一个具体实施例提供的加热腔室的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图来对本发明提供的加热腔室以及等离子体加工设备进行详细描述。
为了便于描述,本实施例将加热腔室水平放置,上子腔室是指位于密封石英窗上方的腔室。下子腔室是指位于密封石英窗下方的腔室。
图3为本发明一个具体实施例提供的加热腔室的结构示意图。请参阅图3,加热腔室包括腔室本体31、石英窗32、加热灯35和匀热板38。其中,石英窗32设置于腔室本体31内,并将腔室本体31分隔为上子腔室33和下子腔室34。在加热腔室的使用过程中,上子腔室33保持真空状态或充入惰性气体;下子腔室34与大气连通。
加热灯35借助安装部件351设置于下子腔室34的底部,其透过石英窗32向上子腔室33内辐射热量。
本实施例中,匀热板38采用导热性能良好的导热材料制作。优选采用导热性能优良且黑度(物体的实际辐射力与同温度下绝对黑体的辐射力之比值;通常黑度大的物体,其吸热能力也较强)较大的材料制作,如采用陶瓷、石墨或金属材料制作,用以提高匀热板38的吸热能力,从而提高加热效率。
匀热板38借助支撑部件固定在上子腔室33内,被加工工件40放置在匀热板38的上表面。在本实施例中,匀热板38首先吸收加热灯35辐射的热量,再将吸收的热量传导至被加工工件40,即加热灯35是间接地对被加工工件40进行加热。由于匀热板38具有良好的导热性,热量能够在其内快速地传导,从而缩小匀热板38不同区域的温差。利用温度均匀的匀热板38加热被加工工件40,可以缩小被加工工件40不同区域的温差,从而提高加热腔室工艺的均匀性。而且,本实施例匀热板38代替了结构复杂的支撑平台来承载被加工工件40,从而简化了加热腔室的结构,降低了加热腔室的制造成本。
在本实施例中,支撑部件为多个支撑板39,多个支撑板39沿上子腔室33的内周缘均匀分布,并且每个支撑板39的一端固定于上子腔室33的室壁的内侧,另一端朝向上子腔室33的径向方向延伸,而且,多个支撑板39的上表面在同一水平面。匀热板38的下表面且靠近边缘的位置处搭接或放置在支撑板39上。
优选地,本实施例提供的加热腔室还包括反射板36,用以将加热灯35辐射的热量朝向上子腔室33内辐射。具体地,反射板36设置于下子腔室34内且位于加热灯35的下方,并且在反射板36上且与安装部件351相对应的位置处设置有通孔,加热灯35穿过该通孔与安装部件351连接。
并且,为了减少热量的损失,提高加热灯35辐射的热量的利用率,在反射板36的内表面且靠近下子腔室34的侧壁位置设置有侧反射板361,借助侧反射板361可以减少加热灯35辐射的热量自下子腔室34侧壁的损失。在实际应用中,侧反射板361可以垂直于反射板36,也可以与反射板36呈一定的角度,只要能够使加热灯35辐射的热量朝向上子腔室33的方向汇聚即可。
优选地,本实施例提供的加热腔室还包括冷却板37,用以对反射板36进行冷却。具体地,冷却板37与反射板36的下表面贴合在一起,并且在冷却板37内设置有可通入冷却水的冷却水管路371,以借助冷却水对反射板36进行冷却。不难理解,在冷却板37上且与安装部件351相对应的位置处同样设置有通孔,加热灯35依次穿过反射板36上的通孔和冷却板37上的通孔而与安装部件351连接。
优选地,在下子腔室34的内侧还设有室壁冷却部件41,在室壁冷却部件41内设置有冷却水管路411,用以通过冷却水对腔室室壁进行冷却,从而防止在使用加热灯35加热时腔室室壁过热。
优选地,在安装部件351的下方还可以设置有保护罩42,用以保证加热灯35的电气安全。
需要说明的是,在本实施例中,支撑部件为多个支撑板39,但是本发明并不局限于此。实际上,支撑部件也可以为一支撑环,该支撑环的外缘固定在上子腔室33的室壁上;还可以为沿加热腔室的内周缘分布的多个凸部,该凸部沿上子腔室33的径向方向凸出,并且多个凸部的上表面在同一水平面;或者为设置在上子腔室33内侧的凸环,该凸环沿上子腔室33的径向方向凸出。
为了对本发明提供的加热腔室的加热效果与现有的加热腔室的加热效果进行比较,下面分别对现有的加热腔室和本发明提供的加热腔室进行试验模拟,以获得在分别使用二者进行加热时,被加工工件的中心区域和边缘区域的温度以及中心区域和边缘区域之间的温差。具体为:
表1为采用现有的加热腔室加热时被加工工件的温度表。
由表1可知,在采用现有的加热腔室加热时,被加工工件的中心区域与边缘区域之间的温差在50℃以上,与之相比,在采用本发明提供的加热腔室加热时,被加工工件的中心区域与边缘区域之间的温差在10℃以内。由上可知,采用本发明提供的加热腔室加热被加工工件,大大缩小了被加工工件的中心区域与边缘区域之间的温差,从而可以提高加热腔室工艺的均匀性。
表2为采用本发明提供的加热腔室加热时被加工工件的温度表。
由表2可知,当上子腔室保持真空状态(压强在10-6~10-5Torr的范围内)时,被加工工件的中心区域与边缘区域之间的温差为9.2℃,而当在上子腔室内充入惰性气体(压强为10Torr)时,被加工工件的中心区域与边缘区域之间的温差为8.6℃。由此可知,通过在上子腔室内充入惰性气体,可以进一步缩小被加工工件中心区域与边缘区域之间的温差,从而使被加工工件的温度更均匀。
由上可知,本发明提供的加热腔室,将匀热板设置在上子腔室内,被加工工件由匀热板承载,用于加热被加工工件的加热灯设置在匀热板的下方,加热灯首先加热匀热板,再借助匀热板间接地加热被加工工件。由于匀热板具有良好的导热性,能够将吸收的热量快速地传导,因此可以缩小匀热板不同区域的温差,从而缩小被加工工件不同区域的温差,进而可以提高加热腔室工艺的均匀性。而且,由于匀热板代替了结构复杂的支撑平台来承载被加工工件,从而简化了设备的结构,降低了设备的制造成本。
作为另一个技术方案,本发明还提供一种等离子体加工设备,其包括加热腔室,该加热腔室采用了本实施例提供的加热腔室。
本实施例提供的等离子体加工设备,其采用上述加热腔室,不仅可以缩小被加工工件不同区域的温差,从而可以提高加热腔室工艺的均匀性;而且,由于上述加热腔室采用匀热板代替结构复杂的支撑平台来承载被加工工件,从而简化了设备的结构,降低了设备的制造成本。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种加热腔室,包括腔室本体、石英窗和加热灯,所述石英窗将所述腔室本体分隔为上子腔室和下子腔室,其特征在于,所述加热灯设置于所述下子腔室内,并透过所述石英窗向所述上子腔室内辐射热量;
在所述上子腔室内设置有采用导热材料制作的匀热板,被加工工件由所述匀热板承载,所述匀热板将吸收到的所述加热灯辐射的热量传导至所述被加工工件。
2.根据权利要求1所述的加热腔室,其特征在于,所述导热材料包括具有导热性能的陶瓷、石墨或金属。
3.根据权利要求1所述的加热腔室,其特征在于,所述上子腔室保持真空状态或在所述上子腔室内充入惰性气体。
4.根据权利要求1所述的加热腔室,其特征在于,在所述上子腔室室壁的内侧设置有支撑部件,用以支撑所述匀热板。
5.根据权利要求4所述的加热腔室,其特征在于,所述支撑部件为支撑环,所述支撑环的外缘固定在所述上子腔室的室壁上;或者,
所述支撑部件为沿所述上子腔室的内周缘分布的多个支撑板,所述支撑板的一端固定于所述上子腔的室壁上,另一端沿所述上子腔室的径向方向延伸;而且,多个所述支撑板的上表面在同一水平面。
6.根据权利要求4所述的加热腔室,其特征在于,所述支撑部件为沿所述加热腔室的内周缘分布的多个凸部,所述凸部沿所述上子腔室的径向方向凸出;而且,多个所述凸部的上表面在同一水平面;或者
所述支撑部件为设置在所述上子腔室内侧的凸环,所述凸环沿所述上子腔室的径向方向凸出。
7.根据权利要求1所述的加热腔室,其特征在于,在所述下子腔室内且位于所述加热灯的下方设置有反射板,用以将所述加热灯辐射的热量朝向所述匀热板辐射。
8.根据权利要求7所述的加热腔室,其特征在于,在所述反射板的内表面且靠近所述下子腔室的侧壁位置设置有侧反射板,用以减少所述加热灯辐射的热量自所述下子腔室侧壁的损失。
9.根据权利要求7所述的加热腔室,其特征在于,在所述反射板的下表面贴合有冷却板,在所述冷却板内设置有冷却水管路,在所述冷却水管路内通入冷却水,借助所述冷却水对所述反射板进行冷却。
10.根据权利要求9所述的加热腔室,其特征在于,在所述冷却板的下表面设置有用于固定所述加热灯的安装部件,在所述反射板和冷却板上且与所述安装部件相对应的位置处分别设置有贯穿其厚度的通孔,所述加热灯穿过所述通孔与所述安装部件连接。
11.一种等离子体加工设备,包括加热腔室,其特征在于,所述加热腔室采用权利要求1-10任意一项权利要求所述加热腔室。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20131030 |
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |