CN115516128A - 真空处理设备和在真空处理设备中加热基板的方法 - Google Patents

真空处理设备和在真空处理设备中加热基板的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115516128A
CN115516128A CN202080100268.6A CN202080100268A CN115516128A CN 115516128 A CN115516128 A CN 115516128A CN 202080100268 A CN202080100268 A CN 202080100268A CN 115516128 A CN115516128 A CN 115516128A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lamp
sealed
vacuum
wire
filament
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080100268.6A
Other languages
English (en)
Inventor
克里斯托弗·马尔姆斯
丹尼尔·谢弗-科皮托
托拜西·伯格曼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN115516128A publication Critical patent/CN115516128A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541Heating or cooling of the substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/482Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)

Abstract

一种真空处理设备(400),包括:真空腔室(410),所述真空腔室具有腔室壁部分(202);灯(100),所述灯(100)包括灯主体(102),所述灯主体具有设置在所述真空腔室(410)内的第一密封内部部分(124)、密封部分(120)和在所述第一密封内部部分(124)与所述密封部分(120)之间的第二密封内部部分(122),所述第二密封内部部分(122)设置在所述真空腔室(410)内;灯丝(104),所述灯丝设置在所述第一密封内部部分(124)中;以及金属丝(106),所述金属丝电连接到所述灯丝(104)并设置在所述第二密封内部部分(122)中;所述设备进一步包括:散热件(130),所述散热件耦接到所述腔室壁部分(202)和所述第二密封内部部分。

Description

真空处理设备和在真空处理设备中加热基板的方法
技术领域
本公开内容的实施方式总体涉及一种真空处理设备和一种用于在真空处理设备中处理基板的方法。更特定地,本公开内容的实施方式涉及利用灯在真空处理设备或真空处理系统的真空腔室中加热基板。
背景技术
用于显示器制造、集成电路、太阳能技术和其他相关应用的基板、特别是半导体或玻璃基板通常在执行制造操作的一系列处理站中进行处理,所述制造操作诸如物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)。处理站可布置在群集工具或在直列式工具中。
处理操作可受益于特定处理条件,该特定处理条件可包括维持真空和特定基板温度。在群集工具内维持这些条件中的一些或全部是有益的,使得基板可从一个处理站传送到下一个处理站,而不要求针对每次工艺进行处理腔室的通风或基板的重新加热。
由于处理系统(例如,群集工具)的内部保持在真空中,因此可能需要经由装载锁定腔室插入基板,然后,在基板从其中通过之前将其抽空。
可提供装载锁定腔室的抽空,直到建立良好真空。根据真空腔室的泵抽速率和大小,可能出现时间延迟,这降低了系统的处理量。
鉴于上文,提供改进的真空处理设备和改进的处理基板的方法是有益的,特别是其中系统的处理量可不受到装载锁定腔室的泵抽的强烈影响。
发明内容
根据第一方面,提供了一种真空处理设备。所述真空处理设备具有带有腔室壁部分、盖和灯的真空腔室。所述灯具有灯主体,所述灯主体具有设置在所述真空腔室内的第一密封内部部分、密封部分和在所述第一密封内部部分与所述密封部分之间的第二密封内部部分。所述第二密封内部部分设置在所述真空腔室内。所述灯具有设置在所述第一密封内部部分中的灯丝(filament)和电连接到所述灯丝并设置在所述第二密封内部部分中的金属丝(wire)。所述设备进一步具有耦接到所述腔室壁部分和所述第二密封内部部分的散热件。
根据第二方面,提供了一种在根据本文描述的实施方式的真空处理设备中处理基板的方法。所述方法涉及将基板定位在所述真空处理设备中和操作所述真空处理设备的灯。
附图说明
为了可详细地理解本公开内容的上文记载的特征,可参考实施方式来得到上文简要地概述的本公开内容的更特别的描述。附图涉及本公开内容的实施方式并被描述如下。
图1a示出了根据本公开内容的第一实施方式的灯布置的示意性侧视图。
图1b示出了根据本公开内容的第二实施方式的灯布置的示意性侧视图。
图2示出了根据本公开内容的第三实施方式的灯布置的示意性前视图。
图3示出了根据本公开内容的实施方式的包括多个灯的辐射热源组件的示意图。
图4示出了根据本公开内容的实施方式的真空处理设备的示意性侧视图。
具体实施方式
现在将详细地参考各种实施方式,这些实施方式的一个或多个示例示出于各图中。每个示例以说明方式提供,并且不意在作为限制。例如,被示出或描述为一个实施方式的部分的特征可在任何其他实施方式上或结合任何其他实施方式使用以产生又一个实施方式。本公开内容旨在包括此类修改和变化。在以下对附图的描述内,相同的附图标记是指相同或类似的部件。一般来讲,仅描述了相对于单独的实施方式的差异。除非另有指明,否则一个实施方式中的部分或方面的描述也可适用于另一个实施方式中的对应的部分或方面。
根据本公开内容的一些实施方式,由于装载锁定腔室的抽空需要一定量的时间,因此抽空可有益地与基板加热操作结合。在装载锁定腔室中建立真空的同时,将基板加热到用于后续处理操作的温度。因此,可省略单独的加热操作和/或将可能降低处理量的用于泵抽装载锁定腔室的时间用于另外的目的,即,加热基板。
根据一些实施方式,可提供辐射热源、特别是灯或灯布置,诸如红外灯。辐射热源可在被基板吸收的波长或波长范围下操作。由于装载锁定腔室在减压或真空下操作相当长的时间,因此灯不能通过对流可靠地冷却。这可能造成灯的潜在过热。最易过热的部分是灯的密封件,在该密封件中,导体穿过灯主体,并且该密封件包括彼此直接接触的具有不同热膨胀系数的材料。当加热时,这些材料的不同膨胀将在密封件内导致应力,这最终会造成破裂或故障。
因此,在真空处理设备(诸如装载锁定腔室)中,常规灯布置可能不会以全额定功率持续地操作。本公开内容的实施方式提供一种改进的处理设备,其包括允许优选地以连续方式和/或在高功率或全额定功率下高效地使用灯的布置。
实施方式可涉及包括辐射热源的任何类型的真空处理腔室。
现在将进一步详细地参考本公开内容的各种实施方式,这些实施方式的一些示例示出于附图中。
每个图包括对虚拟坐标系中的方向的参考,x轴通常是真空处理设备的竖直轴线,y轴通常是水平轴线,通常对应于水平管状灯的径向方向,并且z轴通常是水平轴线,通常对应于水平管状灯的轴向方向。任何特征相对于该坐标系的方向不应当被理解为限制,而应当仅用作视觉辅助,以改善图的可理解性。
参考图1a,示出了灯100和散热件130的第一实施方式。灯100是管状灯,沿平行于z轴的轴线延伸。灯的部件可同轴地布置在灯主体102内。灯主体102可由熔融石英制成。灯主体可具有密封内部。密封内部可填充惰性气体。示出了灯100的一个端部,灯的第二端部未示出并可包括与第一端部相同或类似的元件。灯包括灯丝104和电连接到灯丝的金属丝106。灯丝104可以是镍铬灯丝。金属丝106从灯主体102的内部穿过密封件108延伸到灯主体102的外部。密封件108可包括与灯主体相同的材料。金属丝可设置在密封件108内部并焊接到密封件108。在灯主体的外部,金属丝106可用作提供电连接的端子110。灯主体102包括多个区段,这些区段由设置在其中的灯丝104和金属丝106限定。包括灯丝104的区段是第一密封内部部分124。包括金属丝106(例如,自由金属丝(free wire))的区段是第二密封内部部分122。在其中金属丝106与灯主体102接触的、包括密封件108内部的金属丝106的区段是密封部分120。特别地,可在灯主体102的两个端部上设置密封部分120。
灯主体102的第二密封内部部分122耦接到散热件130。在图1a的示例中,散热件030是固体主体。可在固体主体中提供冷却表面或冷却通道。冷却通道的尺寸对应于第二密封内部部分122中的灯主体102的外部尺寸。散热件130被配置为将热从第二密封内部部分122传递走。散热件可耦接到腔室壁部分(未示出)。腔室壁部分可被配置成用于耗散通过散热件130传递的热。
虽然图1a的灯100已经被描述为沿z轴延伸的管状灯,但是完全地在本公开内容的范围内的是,灯100可不同地成形,例如通过在第一密封内部部分124中沿x轴和/或y轴弯曲来不同地成形。
参考图1b,示出了灯100和散热件130的第二实施方式。灯100可包括与图1a示出的灯100相同的元件。灯主体102在第二密封内部部分122中沿y轴弯曲90°角。灯100的灯主体102具有密封部分120和第一密封内部部分124,密封部分120和第一密封内部部分124对应于在相应部分中沿金属丝106和灯丝108的轴向方向的在密封件108内的金属丝106和灯丝104。由于金属丝106在密封件108与灯丝104之间弯曲,因此第二密封内部部分122遵循同样的弯曲。
如果设置有灯100的真空处理设备被配置成用于沿x轴(例如,当沿z轴的可用空间有限时)从灯上方提供到端子110的电连接,则这种布置可能是有益的。在图1b中,散热件130以与如图1a所示的类似的方式耦接到灯100。散热件130的冷却表面或冷却通道沿x轴设置。散热件130可耦接到在所示的平面之外的腔室壁部分,即耦接在沿y轴的点处。替代地,散热件130可布置成使得散热件130沿x轴耦接到灯。
参考图2,在沿灯主体102的第二密封内部部分122内的金属丝106的轴向方向的横截面中示出了散热件组件200内的灯的另外的实施方式。该灯可以是根据本文描述的任何实施方式的灯。散热件组件200包括第一散热件部分204和第二散热件部分206。第一散热件部分可耦接到腔室壁部分202,例如,第一散热件部分可具有直接接触。散热件部分都包括沿z轴的凹陷部。凹陷部可各自具有类似半圆形的横截面,使得当散热件部分被连接时,形成圆柱形冷却通道,灯可插入该冷却通道中。冷却通道的尺寸可设定为使得在灯主体102与冷却通道之间存在小间隙208,使得灯主体102的热膨胀不造成机械应力或破损。
参考图3,示出了辐射热源组件300。热源组件300包括例如六个灯,每个灯对应于根据本文描述的任何实施方式的灯并具有灯主体102、灯丝104和金属丝106。根据应用,可使用不同类型和数量的灯,因而图3所示的辐射热源组件300仅是可能的实施方式的示例。灯具有沿z轴的两个端部,每个端部包括第二密封内部部分,其在图3中对应于灯主体102的包括金属丝106的部分。在两个端部处,灯由电连接304例如并联地电连接。电连接可以是可连接到电源单元(未示出)的汇流条。灯耦接到第一散热件部分204,例如安置在该第一散热件部分204内的凹陷部内,该第一散热件部分可以是与图2所示的散热件组件200的散热件相当的散热件的一部分。另外,第二散热件部分206被示出为用于第二端部。一个或多个所组装的散热件可沿灯的周边(例如灯的径向圆周)包围灯100的第二密封内部部分。散热件可用作辐射热源组件300中的灯的安装件。在图3的实施方式中,两个第一散热件部分204耦接到腔室壁部分302。第一散热件部分可被热耦接,使得热可从第一散热件部分204传递到腔室壁部分302。
在一个实施方式中,提供了一种真空处理设备。该真空处理设备可被配置成用于处理基板,特别是玻璃基板、半导体基板、陶瓷基板或用于电子或微电子制造工艺的任何种类的基板。基板的处理可包括提供真空。基板的处理可包括加热基板,优选地通过利用辐射热源来进行加热。
在一个实施方式中,真空处理设备包括真空腔室。真空腔室可被配置成用于在真空腔室内建立和/或维持真空。真空腔室也可被配置为允许气体(诸如工艺气体、惰性气体或空气)流入来对真空腔室加压。本公开内容的上下文中的真空可以是低真空,例如低于105Pa的压力。真空也可以是低于103Pa的中等真空或低于10-1Pa的高真空。根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式,压力可在从大气压到10-5Pa的范围内。真空腔室可被配置成用于接收、处理和/或传送一个或多个基板。根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式,真空腔室可以是装载锁定腔室。真空腔室可被配置成用于在加压状态或大气状态与真空状态之间反复循环。
参考图4,示出了包括辐射热源组件300的真空处理设备400。真空处理设备400具有真空腔室410,该真空腔室通过阀422经由连接件420流体地连接到真空泵424。在真空腔室410中,提供了基板保持器406,该基板保持器被配置为保持基板404,例如以用于处理或运输。可以是根据本公开内容的实施方式的辐射热源组件的辐射热源组件300设置在基板上方,例如由与基板相对的腔室壁部分412提供。在操作期间,辐射402从辐射热源组件300朝向基板404发射。基板可被加热,例如被均匀地加热。
在一个实施方式中,真空腔室具有腔室壁部分。腔室壁部分可以是真空腔室内的任何表面,并且例如可以是真空腔室的门、壁、底板或顶板。腔室壁部分不限于单个表面并可包括表面的组合(例如,两个壁区段)。
在一个实施方式中,真空处理设备包括灯。所述灯可以是电灯,更特定地是白炽灯。应当理解,在本公开内容的上下文中,术语“白炽灯”涉及辐射、特别是红外辐射的发射,并且不应被认为限于包括可见波长的发射。
灯可包括灯主体。灯主体可限定灯的整体几何形状。灯主体可具有适合于在其中设置灯丝的形状,诸如管状形状。主体可以是直的或弯曲的,例如形成I形、L形、U形、O形或任何其他二维或三维形状。主体可以是灯泡形的。灯主体可包括设置在灯主体上或内的反射器,诸如金反射器,使得辐射从灯以特定方向发射。灯主体可包括透明材料,使得由灯产生的辐射可穿过透明灯主体而不被吸收或吸收很少。灯主体可包括玻璃、石英或熔融石英、或者任何其他合适的材料。灯主体可包括漫射区段,使得从灯发射的辐射在通过漫射区段时被漫射。
在一些实施方式中,灯主体具有第一密封内部部分、第二密封内部部分和密封部分。典型地,第一密封内部部分和第二密封内部部分设置在真空腔室内。另外,密封部分可设置在真空腔室内。替代地,密封部分可设置在真空腔室外部,例如通过提供使密封部分穿过腔室壁部分的措施来设置。第一密封内部部分和第二密封内部部分涉及灯主体。灯主体、特别是第一密封内部部分和第二密封内部部分可包括灯的外表面。
灯可包括设置在第一密封内部部分中的灯丝。灯丝可以是直导体,诸如金属丝或纤维,或者金属丝束或纤维束,例如编织的灯丝。灯丝可盘绕,例如灯丝可以是单个绕圈。灯丝可具有轴向方向,该轴向方向可以是直的,或者该轴向方向可以是弯曲的,例如根据灯主体的形状而定,例如使得灯丝沿弯曲灯主体与内部灯主体具有基本上恒定的距离。盘绕灯丝或编织灯丝应当被理解为具有根据灯丝的主轴向方向的轴向方向,即灯丝延伸所沿的主方向,而不管灯丝结构如何。
灯可包括设置在第二密封内部部分中的金属丝。金属丝电连接到灯丝。金属丝典型地也机械地连接到灯丝,使得金属丝可单独地或与其他结构组合地为灯丝提供固定装置。金属丝可具有轴向方向,该轴向方向可以是直的,或者该轴向方向可以是弯曲的,例如根据灯主体的形状而定。金属丝可具有圆形或椭圆形横截面。金属丝还可沿金属丝的长度的一部分或沿金属丝的整个长度具有平坦、即片样结构。金属丝可焊接或夹紧到灯丝。金属丝还可设置在密封部分中,使得金属丝穿过密封件。金属丝可在灯主体的外部与灯主体的第一密封内部部分之间提供电连接。金属丝可(优选地在灯主体的外部上)包括端子或连接到端子,使得可将电力提供给金属丝以用于灯的操作。
灯主体可包括密封部分。密封部分可以是灯主体的一部分,其中金属丝被灯主体内的固体包围,使得该固体与金属丝直接接触。密封部分可形成在灯主体上。密封件可包括与灯主体相同的材料或由该材料构成。在一个有益实施方式中,密封部分可通过焊接灯主体、例如通过焊接灯主体的玻璃材料来形成。在另一个实施方式中,密封部分可通过将密封剂(例如,胶合剂)注入灯主体中来形成,使得胶合剂将金属丝密封在灯主体的密封部分内。
第一密封内部部分可与第二密封内部部分流体连通。第一密封内部部分和第二密封内部部分可一体地形成,例如设置在同一灯主体内。换句话说,可提供共同密封内部部分。金属丝和灯丝都可具有如上定义的轴向方向以及径向方向。第一密封内部部分可被定义为灯主体的沿灯丝的长度在灯丝的径向方向上相交的部分,并且第二密封内部部分可被定义为灯主体的沿金属丝的长度在金属丝的径向方向上相交且不位于密封部分内的部分。
在一些实施方式中,该设备可包括耦接到腔室壁部分和第二密封内部部分的散热件。散热件可热耦接到腔室壁部分和第二密封内部部分。散热件可机械地耦接到腔室壁部分和/或第二密封内部部分。在一个示例中,散热件可为灯提供机械支撑,例如通过在第二密封内部部分夹紧或保持灯主体来提供。散热件可被热耦接,使得散热件为第二密封内部部分提供冷却,例如通过将在灯的操作期间产生的热从第二密封内部部分传递到设备的冷的或冷却的部件,例如腔室壁部分,该冷的或冷却的部件可被主动冷却,例如水冷。根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式,散热件可耦接到腔室盖或腔室盖的一部分,特别是水冷或主动冷却的腔室盖。腔室盖可包括用于冷却流体的冷却通道。散热件可冷却灯主体,使得第二密封内部部分以及灯主体的密封部分即使在真空下也保持冷却。不超过密封部分的高温或最高额定温度。散热件可被配置为使得密封部分不超过300℃的温度,特别是使得密封部分不超过250℃的温度,更有利地使得密封部分不超过200℃。
在一个有益实施方式中,可选择灯丝,使得灯丝发射被要处理的基板吸收的波长或波长范围,例如,对于发射光谱具有高于102cm-1的线性衰减系数。根据基板的吸收光谱调整灯丝的色温可能是有益的。选择在调整到吸收光谱的特定温度下高效操作的灯丝可能是有益的。对于玻璃基板,选择“冷”灯丝可能是有益的,例如镍铬合金或碳纤维灯丝,其可发射长波长红外辐射(IR),在该辐射下玻璃不透明。对于半导体基板,使用“热”灯丝可能是有益的,例如钨丝,其以更短波长发射,在该波长下,基板不透明。本公开内容的实施方式可应用于灯类型、灯丝类型或基板的广泛组合。根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式,灯丝可以是镍铬合金灯丝、钨灯丝或碳纤维灯丝。
在一个有益实施方式中,灯主体的密封内部部分填充有气体,例如惰性气体。在一些实施方式中,灯主体的密封内部部分也可被抽空。在一些实施方式中,特别是当使用“热”灯丝时,气体可包括卤素,诸如氯、碘或溴。卤素可作为在灯操作时进入气态的化合物提供。
在一个有益实施方式中,金属丝可以是冷金属丝。如果金属丝沿轴向方向的电导率是灯丝的电导率的至少10倍,则金属丝可以是冷金属丝,使得在灯操作期间不会或很少发生金属丝的电阻加热。在另一个实施方式中,电导率比率可高于20,或更特别地高于50。作为冷金属丝的金属丝导致灯主体内的局部热发射,特别是沿灯丝,即灯的对应于灯主体的第一密封内部部分的区段的局部热发射,并且减少了第二密封内部部分中的发射。
在一个有益实施方式中,金属丝具有产生第二密封内部部分沿金属丝的轴向方向的长度的长度。有利地,选择金属丝的长度,使得第二密封内部部分的长度与在垂直于第二密封内部部分的长度方向的至少一个方向上的直径或大小的比率大于3,优选地大于5或甚至更优选地高于7。金属丝的绝对长度可超过50mm。与常规的灯相比,灯丝与密封部分的距离可更大。与常规的灯相比,密封部分可暴露于较少的辐射和/或传导热。如上所述,第二密封内部部分的长度与所述直径或大小的比率允许灯主体的相对较大的表面区域附接到散热件。
根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式,散热件可成形为与第二密封内部部分接触。散热件可至少部分地包围第二密封内部部分。可提供热传导。散热件可包括一个或多个部分或子组件,例如两个部分。两个散热件部分可包括凹陷部以形成对应于第二密封内部部分的形状的冷却表面。冷却表面可完全地或部分地包围第二密封内部部分。
散热件可包括金属或金属合金,优选地具有良好导热性的金属,诸如铝、银或铜。
在一个有益实施方式中,真空处理设备可被配置成用于在压力下和在真空下这两种情况下操作。真空处理设备可被配置成用于在压力循环条件(即交替的压力阶段和真空阶段,包括中间压力阶段)期间操作、特别是用于在压力循环条件期间操作辐射热源,例如灯。真空处理设备可被配置成用于在常压或减压下在非反应性气体(诸如空气或惰性气体)中处理基板或在反应性气体(诸如处理气体)中处理基板。真空处理设备可被配置成用于在对真空腔室抽真空期间加热基板,例如当真空处理设备是用于将基板装载到群集工具中的装载锁定腔室时。真空处理设备可被配置成用于在具有低于105Pa的压力的恒定压力或变化压力期间以全功率或高功率或以部分功率操作灯。真空也可以是低于103Pa的中等真空或低于10-1Pa的高真空。根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式,真空可在从大气压到10-5Pa的范围内。如果真空腔室装满,则压力可以是大气压,或者可能在一些操作条件期间超过、例如略微地超过大气压。
在一个实施方式中,灯可以是管状灯。管状灯可以是直的管状灯,或者可以是包括弯曲的管状灯主体的管状灯。灯主体可包括可彼此连接和/或流体连通的若干管状子组件,诸如两个平行管状主体。灯可沿灯的轴向方向具有第一端部和第二端部。第一端部可包括第一密封部分,并且第二端部可包括第二密封部分。另选地,第一端部可包括两个密封部分或其中设置有两条金属丝的单个密封部分,并且第二端部可没有密封部分。管状灯可具有第二密封内部部分,即在管状灯的每个端部上的第二密封内部,金属丝在其中与每个密封部分相邻地设置。管状灯可具有设置在第一密封内部部分中的灯丝,第一密封内部部分设置在灯的两个第二密封内部部分之间。如果灯仅具有一个密封部分,则相邻的第二密封内部部分可包括两条金属丝,并且第一密封内部部分可包括两条灯丝、或金属丝和灯丝的组合。灯丝可与灯主体同轴地布置。
在一个有益实施方式中,真空处理设备可包括两个或更多个灯的阵列。灯阵列可形成辐射热源。该阵列可包括管状灯。灯可具有第一端部部分和第二端部部分。灯的第一端部部分和第二端部部分可包括第二密封内部部分。真空处理设备可包括至少一个散热件、优选是两个散热件。散热件可布置在灯或灯阵列的每个端部部分处,使得第一端部部分具有第一散热件,该第一散热件冷却与灯阵列的第一端部部分相邻的第二密封内部部分,并且第二端部部分具有第二散热件,该第二散热件冷却与灯阵列的第二端部部分相邻的第二密封内部部分。可跨大的区域布置大量的灯,而可仅提供两个散热件。这可降低设备的成本、复杂性和空间限制。
在一个实施方式中,提供了一种用于在真空处理设备中处理基板的方法。该设备可以是根据本文描述的任何实施方式的真空处理设备。该方法可包括将基板定位在真空处理设备中,优选地定位在真空腔室中。该方法包括操作真空处理设备的灯来加热基板。可提供多个灯。该方法包括提供真空,特别是在加热基板期间。
本文描述的真空处理设备和在真空处理设备中处理基板的方法的实施方式可对特别是在减压或真空下利用灯的真空处理设备的辐射热源的效率、有效性、寿命和操作功率范围产生有益影响。可减少或防止密封部分或灯的过热。可提供散热件,使得由散热件冷却灯主体的第二密封内部部分。减少了在灯主体内从第一密封内部部分到密封部分的热传递。散热件可被布置为使得辐射被阻挡而不能辐照和加热密封部分。
虽然前述内容针对的是本公开内容的实施方式,但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下,可设想本公开内容的其他和进一步实施方式,并且本公开内容的范围由所附权利要求书确定。特别地,本书面描述使用示例来公开本公开内容,包括最佳模式,并且还使得本领域任何技术人员能够实践所描述的主题,包括制作和使用任何装置或系统,以及执行任何所并入的方法。尽管前述内容中已经公开了各种具体的实施方式,但是上文描述的实施方式的不互斥特征可彼此组合。专利保护范围由权利要求书限定,并且预期的是,其他示例在权利要求书的范围内,只要权利要求具有与权利要求的字面语言无不同的结构要素即可,或者只要权利要求包括与权利要求的字面语言无实质差异的等同结构要素即可。

Claims (16)

1.一种真空处理设备(400),包括:
真空腔室(410),所述真空腔室具有腔室壁部分(202);
灯(100),所述灯(100)包括:
灯主体(102),所述灯主体具有设置在所述真空腔室(410)内的第一密封内部部分(124)、密封部分(120)和在所述第一密封内部部分(124)与所述密封部分(120)之间的第二密封内部部分(122),所述第二密封内部部分(122)设置在所述真空腔室(410)内;
灯丝(104),所述灯丝设置在所述第一密封内部部分(124)中;以及
金属丝(106),所述金属丝电连接到所述灯丝(104)并设置在所述第二密封内部部分(122)中;
所述设备进一步包括:
散热件(130),所述散热件耦接到所述腔室壁部分(202)和所述第二密封内部部分。
2.根据权利要求1所述的真空处理设备,其中所述腔室壁部分(202)是腔室盖的一部分。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的设备,其中所述灯主体(102)包括玻璃、石英或熔融石英。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备,其中所述第一密封内部部分(124)与所述第二密封内部部分(122)流体连通,特别是一体地形成。
5.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述灯(100)是红外加热灯,特别是发射短波长红外到远红外的红外加热灯。
6.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述金属丝(106)是冷金属丝,所述冷金属丝和所述灯丝(104)具有至少10的每单位长度电导率比率。
7.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述散热件(130)被配置为冷却所述灯(100),使得所述密封部分(120)的温度在操作期间、特别是在真空操作期间不超过250℃。
8.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述第二密封内部部分(122)的长度与所述第二密封内部部分(122)的宽度的比率为至少3,特别是3至10。
9.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述第二密封内部部分(122)具有几何形状,并且所述散热件(130)具有对应于所述第二密封内部部分(122)的所述几何形状的几何形状。
10.根据权利要求9所述的设备,其中所述第二密封内部部分(122)具有主要是圆柱形的形状,使得所述第二密封内部部分(122)能被所述散热件(130)的主要是圆柱形的冷却表面或冷却通道部分地或完全地包围。
11.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述灯(100)被配置为用于在压力循环条件期间操作,所述压力循环包括从真空直至大气压的压力。
12.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述灯(100)是管状灯,所述管状灯包括具有第一端部和第二端部的管状灯主体(102),所述第一端部包括第一密封部分(120),并且所述第二端部包括第二密封部分(120),其中
所述灯具有设置在与所述第一密封部分(120)相邻的第二密封内部部分(122)中的第一金属丝(106)和设置在与所述第二密封部分(120)相邻的第二密封内部部分(122)中的第二金属丝(106)。
13.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述散热件(130)包括金属,特别是铝、铜、银、青铜、钢中的一种或多种。
14.根据前述权利要求中任一项所述的设备,其中所述设备包括至少两个灯(100)的阵列,所述灯具有第一端部部分和第二端部部分,所述设备进一步包括
第一散热件(130),所述第一散热件被配置成用于冷却所述第一端部部分,以及
第二散热件(130),所述第二散热件被配置成用于冷却所述第二端部部分,并且其中
所述第一散热件(130)和所述第二散热件(130)被配置为将热从所述至少两个灯(100)的所述第二密封内部部分(122)传递走。
15.一种辐射热源组件(300),包括:
一个或多个灯(100),每个灯(100)包括:
灯主体(102),所述灯主体具有第一密封内部部分(124)、密封部分(120)和在所述第一密封内部部分(124)与所述密封部分(120)之间的第二密封内部部分(122),所述第二密封内部部分(122);
灯丝(104),所述灯丝设置在所述第一密封内部部分(124)中;以及
金属丝(106),所述金属丝电连接到所述灯丝(104)并设置在所述第二密封内部部分(122)中;
所述辐射热源组件进一步包括:
散热件(130),所述散热件耦接到所述第二密封内部部分。
16.一种在根据权利要求1至14中任一项所述的真空处理设备(400)中处理基板(404)的方法;所述方法包括
将基板(404)定位在所述真空处理设备(400)中;以及
操作所述真空处理设备(400)的所述灯(100)。
CN202080100268.6A 2020-07-01 2020-07-01 真空处理设备和在真空处理设备中加热基板的方法 Pending CN115516128A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2020/068498 WO2022002383A1 (en) 2020-07-01 2020-07-01 Vacuum processing apparatus and method of heating a substrate in a vacuum processing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115516128A true CN115516128A (zh) 2022-12-23

Family

ID=71741755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080100268.6A Pending CN115516128A (zh) 2020-07-01 2020-07-01 真空处理设备和在真空处理设备中加热基板的方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN115516128A (zh)
WO (1) WO2022002383A1 (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6310323B1 (en) * 2000-03-24 2001-10-30 Micro C Technologies, Inc. Water cooled support for lamps and rapid thermal processing chamber
US20030183785A1 (en) * 2000-09-18 2003-10-02 Bar K.O. Kai Radiation source and device
CN1975987A (zh) * 2005-11-30 2007-06-06 优志旺电机株式会社 灯丝灯
CN102460650A (zh) * 2009-06-24 2012-05-16 佳能安内华股份有限公司 真空加热/冷却装置及磁阻元件的制造方法
CN103374698A (zh) * 2012-04-23 2013-10-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 加热腔室以及等离子体加工设备
CN104640661A (zh) * 2012-09-27 2015-05-20 欧利生电气株式会社 热处理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6310323B1 (en) * 2000-03-24 2001-10-30 Micro C Technologies, Inc. Water cooled support for lamps and rapid thermal processing chamber
US20030183785A1 (en) * 2000-09-18 2003-10-02 Bar K.O. Kai Radiation source and device
CN1975987A (zh) * 2005-11-30 2007-06-06 优志旺电机株式会社 灯丝灯
CN102460650A (zh) * 2009-06-24 2012-05-16 佳能安内华股份有限公司 真空加热/冷却装置及磁阻元件的制造方法
CN103374698A (zh) * 2012-04-23 2013-10-30 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 加热腔室以及等离子体加工设备
CN104640661A (zh) * 2012-09-27 2015-05-20 欧利生电气株式会社 热处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022002383A1 (en) 2022-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6600138B2 (en) Rapid thermal processing system for integrated circuits
US6707011B2 (en) Rapid thermal processing system for integrated circuits
US6350964B1 (en) Power distribution printed circuit board for a semiconductor processing system
US6369361B2 (en) Thermal processing apparatus
US8901518B2 (en) Chambers with improved cooling devices
CN104640661B (zh) 热处理装置
EP3361493B1 (en) Lamp for rapid thermal processing chamber
JPH08299784A (ja) トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構
US10356848B2 (en) Lamp heating for process chamber
KR20080104955A (ko) 필라멘트 램프 및 광조사식 가열 처리 장치
WO2008101044A2 (en) Lamp for rapid thermal processing chamber
US10026630B2 (en) Retention and insulation features for lamp
KR20110104421A (ko) 가열 장치
US7700899B2 (en) Heating device of the light irradiation type
EP1137053A2 (en) Water cooled support for lamps and rapid thermal processing chamber
CN108493126A (zh) 具有柔性支座的灯头印刷电路板
CN115516128A (zh) 真空处理设备和在真空处理设备中加热基板的方法
US8072128B2 (en) Filament lamp
JP4710255B2 (ja) 加熱ステージ
KR100906711B1 (ko) 급속열처리 장치
US4751372A (en) Vacuum chamber heater apparatus
US8488953B2 (en) Filament lamp
KR101501668B1 (ko) 램프 장치 및 램프 제조 방법
TWI703612B (zh) 低壓水銀燈
US4856458A (en) Photo CVD apparatus having no ultraviolet light window

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination