JP2016519418A - 効率的な熱サイクリングのためのモジュール式基板ヒータ - Google Patents
効率的な熱サイクリングのためのモジュール式基板ヒータ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016519418A JP2016519418A JP2016500202A JP2016500202A JP2016519418A JP 2016519418 A JP2016519418 A JP 2016519418A JP 2016500202 A JP2016500202 A JP 2016500202A JP 2016500202 A JP2016500202 A JP 2016500202A JP 2016519418 A JP2016519418 A JP 2016519418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate support
- heater
- lamp
- perforated plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 176
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 title 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 35
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 allyl ether ketone Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000009419 refurbishment Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
しかしながら、多くの従来の基板加熱方式は、加熱ランプ時間(heating ramp time)が遅く、ならびに基板にわたって十分な温度均一性を与える能力が不十分である。これは、より長い処理時間をもたらし、さらに、不完全な処理をもたらすことがあり、それは、デバイス歩留および処理能力に重大な影響を与える。さらに、多くの従来のチャンバおよび関連する加熱デバイスは、大幅な手直しおよび中断時間なしに異なる加熱状態に適合できる方法で使用するように構成されていない。
それゆえに、基板の均一な加熱を可能にする改善された基板ヒータのための装置および方法が必要である。
別の実施形態では、基板処理チャンバのための基板支持体が提供される。基板支持体は、基板支持体表面および第1のエンクロージャを有する本体と、第1のエンクロージャに配設されたヒータであり、第1のエンクロージャと流体連通する第2のエンクロージャを含むヒータとを備える。
別の実施形態では、プロセスチャンバが提供される。プロセスチャンバは、処理容積部を含むハウジングと、処理容積部に配設される基板支持体とを含む。基板支持体は、基板支持体表面および第1のエンクロージャを有する本体と、第1のエンクロージャに配設されたヒータであり、ヒータと基板支持体表面との間の距離が調整可能である、ヒータとを含む。
本発明の上述で列挙した特徴を詳細に理解できるように、上述で簡単に要約した本発明のより詳細な説明を実施形態を参照して行うことができ、実施形態のいくつかを添付図面に示す。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態のみを示しており、それゆえに、本発明は他の同等に有効な実施形態を認めることができるので本発明の範囲を限定すると見なすべきでないことに留意されたい。
本明細書で説明する実施形態は、多数の電子デバイス製造プロセスでの使用を可能にする、設計がモジュール式である基板支持体のための装置および方法に関する。本明細書で説明するような基板支持体は、異なる製造プロセスに関係する様々な処理チャンバで利用することができる。例えば、本明細書で説明するような基板支持体は、堆積チャンバ、エッチングチャンバ、アニーリングチャンバ、注入チャンバ、発光ダイオード形成のためのチャンバ、ならびに他のプロセスチャンバで使用することができる。基板支持体は、カリフォルニア州、サンタクララのApplied Materials,Inc.から入手可能なプロセスチャンバで利用することができ、他の製造業者からのプロセスチャンバでも同様に利用することができる。1つの実施形態では、基板支持体は、基板支持体の本体に配設されたヒータを利用する。ヒータは、ランプアレイ(lamp array)を備えることができ、その上に位置づけられた基板の温度の閉ループ制御を可能にするコントローラおよび温度センサに結合され得る。ヒータは、基板との間の間隔を変更し、そうでなければ、その中の温度勾配を低減するために基板に対して垂直におよび/または回転式に移動可能とすることもできる。本明細書で説明する基板支持体は、より速いランプ時間を可能にし、温度均一性を向上させ、それは、処理能力を増加させ、所有コストを減少させる。
1つの実施形態では、1つまたは複数のガスが、第1のガス注入口424および第2のガス注入口426から処理容積部406に供給される。いくつかの実施形態では、第1のガス注入口424および第2のガス注入口426は、層流路428Aまたは噴射流路428Bのために構成される。流路428A、428Bの各々は、軸A’を横切って排気アセンブリ422の方に流れるように構成される。軸A’は、基板処理チャンバ400の長手軸A”に実質的に垂直である。
Claims (15)
- 基板処理チャンバのための基板支持体であって、
基板受け面をもつ上部プレートを有する本体と、
前記本体に配設され、前記上部プレートに対して移動可能である可動ヒータと
を備える、基板支持体。 - 前記ヒータが、複数のランプモジュールを備える、請求項1に記載の基板支持体。
- 前記ランプモジュールに位置合わせされた複数の開孔を有する有孔プレートをさらに備える、請求項2に記載の基板支持体。
- 前記複数のランプモジュールが、前記有孔プレートに対して移動可能である、請求項3に記載の基板支持体。
- 前記有孔プレートが、基板支持体表面に対して移動可能である、請求項4に記載の基板支持体。
- 前記ランプモジュールの各々が、ある長さを有するハウジングを備え、前記有孔プレートの前記開孔の各々を通って延びる前記ハウジングの長さが、調整可能である、請求項3に記載の基板支持体。
- 前記ランプモジュールが、複数のゾーンにグループ化され、各ゾーンが、個別に制御される、請求項2に記載の基板支持体。
- 基板処理チャンバのための基板支持体であって、
基板支持体表面、および前記基板支持体表面より下に配設された第1のエンクロージャを有する本体と、
前記第1のエンクロージャに配設されたヒータであり、前記第1のエンクロージャと流体連通する第2のエンクロージャを含み、前記基板支持体表面に対して移動可能であるヒータと
を備える、基板支持体。 - 前記ヒータが、前記本体の底部に結合された第1のシャフトを備えるステムアセンブリに結合され、第2のシャフトが前記第1のシャフト内に配設される、請求項8に記載の基板支持体。
- 前記第2のシャフトが前記ヒータに結合される、請求項9に記載の基板支持体。
- 前記ヒータが、個別に制御される複数のランプモジュールを備える、請求項8に記載の基板支持体。
- 前記ランプモジュールに位置合わせされた複数の開孔を有する有孔プレートをさらに備える、請求項11に記載の基板支持体。
- 前記有孔プレートおよび前記複数のランプモジュールの一方が、前記有孔プレートに対して移動可能である、請求項12に記載の基板支持体。
- 基板処理チャンバのための基板支持体であって、
基板受け面をもつ上部プレートを有する本体と、
前記本体に配設され、前記上部プレートを加熱するために光を放出するように構成された複数の熱源とを備え、前記複数の熱源の一部が、第2の熱源に対して少なくとも第1の熱源によって放出される前記光を独立に制御するように構成される、基板支持体。 - 前記複数の熱源が、前記上部プレートに対して移動可能である、請求項14に記載の基板支持体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361780090P | 2013-03-13 | 2013-03-13 | |
US61/780,090 | 2013-03-13 | ||
PCT/US2014/014768 WO2014163744A2 (en) | 2013-03-13 | 2014-02-05 | Modular substrate heater for efficient thermal cycling |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016519418A true JP2016519418A (ja) | 2016-06-30 |
JP6564764B2 JP6564764B2 (ja) | 2019-08-21 |
Family
ID=51522911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016500202A Expired - Fee Related JP6564764B2 (ja) | 2013-03-13 | 2014-02-05 | 効率的な熱サイクリングのためのモジュール式基板ヒータ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10403521B2 (ja) |
JP (1) | JP6564764B2 (ja) |
KR (1) | KR102176181B1 (ja) |
CN (1) | CN105074885B (ja) |
TW (1) | TWI625819B (ja) |
WO (1) | WO2014163744A2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201639063A (zh) * | 2015-01-22 | 2016-11-01 | 應用材料股份有限公司 | 批量加熱和冷卻腔室或負載鎖定裝置 |
US10497606B2 (en) * | 2015-02-09 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Dual-zone heater for plasma processing |
US9633886B2 (en) | 2015-04-16 | 2017-04-25 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Hybrid thermal electrostatic clamp |
US9685303B2 (en) * | 2015-05-08 | 2017-06-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus for heating and processing a substrate |
US10499461B2 (en) * | 2015-12-21 | 2019-12-03 | Intel Corporation | Thermal head with a thermal barrier for integrated circuit die processing |
US10720343B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-07-21 | Lam Research Ag | Method and apparatus for processing wafer-shaped articles |
US10573498B2 (en) * | 2017-01-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus including annular lamp assembly |
WO2023205591A1 (en) * | 2022-04-19 | 2023-10-26 | Lam Research Corporation | Liquid-cooled optical window for semiconductor processing chamber |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06151413A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-05-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 熱処理装置 |
JPH1187256A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
US5937142A (en) * | 1996-07-11 | 1999-08-10 | Cvc Products, Inc. | Multi-zone illuminator for rapid thermal processing |
US6156079A (en) * | 1998-10-21 | 2000-12-05 | Ho; Henry | Window support member for a semiconductor processing system |
JP2002313730A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2004335591A (ja) * | 2003-05-01 | 2004-11-25 | Seiko Epson Corp | Cvd装置及び半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2005123284A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Renesas Technology Corp | 半導体製造装置 |
JP2009532877A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の急速熱処理のための適応制御方法 |
JP2009253242A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Tokyo Electron Ltd | アニール装置 |
JP2011009500A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5525160A (en) * | 1993-05-10 | 1996-06-11 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Film deposition processing device having transparent support and transfer pins |
US6121579A (en) * | 1996-02-28 | 2000-09-19 | Tokyo Electron Limited | Heating apparatus, and processing apparatus |
US6108490A (en) * | 1996-07-11 | 2000-08-22 | Cvc, Inc. | Multizone illuminator for rapid thermal processing with improved spatial resolution |
US6207591B1 (en) * | 1997-11-14 | 2001-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and equipment for manufacturing semiconductor device |
US6280183B1 (en) | 1998-04-01 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for a thermal processing chamber |
JP2000021801A (ja) | 1998-07-01 | 2000-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式熱処理装置 |
TW466576B (en) * | 1999-06-15 | 2001-12-01 | Ebara Corp | Substrate processing apparatus |
NL1013984C2 (nl) | 1999-12-29 | 2001-07-02 | Asm Int | Werkwijze en inrichting voor het behandelen van substraten. |
KR100887360B1 (ko) * | 2001-01-23 | 2009-03-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP2003133299A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
US6768084B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-07-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Advanced rapid thermal processing (RTP) using a linearly-moving heating assembly with an axisymmetric and radially-tunable thermal radiation profile |
JP2004179426A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置のクリーニング方法 |
US7270713B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
US6942753B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
JP2006093557A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
US8709162B2 (en) * | 2005-08-16 | 2014-04-29 | Applied Materials, Inc. | Active cooling substrate support |
US20080072821A1 (en) | 2006-07-21 | 2008-03-27 | Dalton Jeremic J | Small volume symmetric flow single wafer ald apparatus |
JP5036274B2 (ja) | 2006-10-30 | 2012-09-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および熱処理方法 |
US7976634B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature CVD systems |
US7378618B1 (en) | 2006-12-14 | 2008-05-27 | Applied Materials, Inc. | Rapid conductive cooling using a secondary process plane |
US8652260B2 (en) * | 2008-08-08 | 2014-02-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for holding semiconductor wafers |
JP5341706B2 (ja) * | 2009-10-16 | 2013-11-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
US9640412B2 (en) * | 2009-11-20 | 2017-05-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for enhancing the cool down of radiatively heated substrates |
US8910644B2 (en) | 2010-06-18 | 2014-12-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for inducing turbulent flow of a processing chamber cleaning gas |
US20120317993A1 (en) | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for controlling workpiece temperature |
CN102409318B (zh) * | 2011-12-08 | 2013-08-21 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 热化学气相沉积反应器以及提高反应器中热辐射率的方法 |
-
2014
- 2014-02-04 US US14/172,754 patent/US10403521B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-02-05 WO PCT/US2014/014768 patent/WO2014163744A2/en active Application Filing
- 2014-02-05 JP JP2016500202A patent/JP6564764B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-02-05 CN CN201480013023.4A patent/CN105074885B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-02-05 KR KR1020157028047A patent/KR102176181B1/ko active IP Right Grant
- 2014-02-10 TW TW103104277A patent/TWI625819B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06151413A (ja) * | 1992-11-02 | 1994-05-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 熱処理装置 |
US5937142A (en) * | 1996-07-11 | 1999-08-10 | Cvc Products, Inc. | Multi-zone illuminator for rapid thermal processing |
JPH1187256A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-30 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
US6092299A (en) * | 1997-09-05 | 2000-07-25 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
US6156079A (en) * | 1998-10-21 | 2000-12-05 | Ho; Henry | Window support member for a semiconductor processing system |
JP2002313730A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-25 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2004335591A (ja) * | 2003-05-01 | 2004-11-25 | Seiko Epson Corp | Cvd装置及び半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2005123284A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Renesas Technology Corp | 半導体製造装置 |
JP2009532877A (ja) * | 2006-03-30 | 2009-09-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の急速熱処理のための適応制御方法 |
JP2009253242A (ja) * | 2008-04-11 | 2009-10-29 | Tokyo Electron Ltd | アニール装置 |
JP2011009500A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014163744A3 (en) | 2015-02-26 |
CN105074885A (zh) | 2015-11-18 |
WO2014163744A2 (en) | 2014-10-09 |
KR102176181B1 (ko) | 2020-11-09 |
US10403521B2 (en) | 2019-09-03 |
TW201436093A (zh) | 2014-09-16 |
TWI625819B (zh) | 2018-06-01 |
CN105074885B (zh) | 2018-06-19 |
JP6564764B2 (ja) | 2019-08-21 |
KR20150128890A (ko) | 2015-11-18 |
US20140263271A1 (en) | 2014-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6564764B2 (ja) | 効率的な熱サイクリングのためのモジュール式基板ヒータ | |
US11859307B2 (en) | Apparatus and methods for alignment of a susceptor | |
KR101624984B1 (ko) | 열처리 챔버에서 웨이퍼 지지부의 온도 측정 및 제어 장치 및 방법 | |
KR100978975B1 (ko) | 열 처리 챔버에서 웨이퍼 지지부의 온도 측정 및 제어 방법 | |
US6448536B2 (en) | Single-substrate-heat-processing apparatus for semiconductor process | |
US6353209B1 (en) | Temperature processing module | |
KR101084830B1 (ko) | 탑재대 구조체 | |
KR100423629B1 (ko) | 저항 가열 단일 웨이퍼 노 | |
US9842753B2 (en) | Absorbing lamphead face | |
CN105264649B (zh) | 用于热腔室应用及处理的光管窗结构 | |
KR20150031182A (ko) | 기판 온도 조절 장치 및 그것을 사용한 기판 처리 장치 | |
KR20220161467A (ko) | 열적 에칭을 위한 신속하고 정확한 온도 제어 | |
KR20170008834A (ko) | 저압 열 프로세스들을 위한 광 파이프 구조물 윈도우 | |
KR20180112794A (ko) | 전도성 층들이 매립된 세라믹 샤워헤드 | |
WO2014176174A1 (en) | Absorbing lamphead face | |
KR102495469B1 (ko) | 일괄 처리 챔버 | |
WO2021039271A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
WO2023192402A1 (en) | Radiative heat windows and wafer support pads in vapor etch reactors | |
TW202301475A (zh) | 旋轉器蓋 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181129 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190219 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190729 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6564764 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |