JP2000021801A - 枚葉式熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理容器の交換等を行う際にヒーターを上方
へ容易に移動させることができ、作業性の向上を図る。 【解決手段】 基板保持部１により被処理基板Ｗを一枚
ずつ下部の炉口２から上昇させて所定の熱処理を行う処
理容器３と、この処理容器３を上方から覆って加熱する
ヒーター４と、前記処理容器３から降下された被処理基
板Ｗの受渡しを行うために炉口２を熱遮蔽する遮熱シャ
ッター５を有するシャッター室６とを備えた枚葉式熱処
理装置において、前記ヒーター４の近傍に設けられた架
台３９にヒーター４を昇降移動するヒーター昇降機構４
０を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、枚葉式熱処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、被処理基板である半導体ウエハに酸化、拡散、成
膜、アニール等の処理を施すために、各種の熱処理装置
が使用されている。この熱処理装置としては、一度に多
数枚のウエハの熱処理が可能なバッチ式の熱処理装置
と、ウエハを一枚ずつ熱処理する枚葉式の熱処理装置と
が知られている。特に、枚葉式熱処理装置は、ウエハの
面内均一な熱処理および急速な昇降温を要する熱処理が
比較的容易に可能であることから、ウエハサイズの大型
化および半導体素子の微細化に伴い多く使用されるよう
になってきている。

【０００３】この枚葉式熱処理装置は、基板保持部によ
り被処理基板を一枚ずつ下部の炉口から上昇させて所定
の熱処理を行う処理容器と、この処理容器を上方から覆
って加熱するヒーターと、前記処理容器から降下された
被処理基板の受渡しを行うために炉口を熱遮蔽する遮熱
シャッターを有するシャッター室とを備えて構成されて
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記枚葉式
熱処理装置においては、基板保持部の軸心の調整、基板
保持部と基板搬送アームの軸心合わせやこれらの動きの
チェック等を炉口から覗きながら行う必要があるだけで
なく、処理容器を洗浄のために定期的に交換する必要が
ある。これらの作業を行う場合には、作業の邪魔になる
ヒーターをその都度ウインチ等で吊り上げなければなら
ず、作業が大変であった。

【０００５】そこで、本発明は、前述した課題を解決す
べくなされたもので、処理容器の交換等を行う際にヒー
ターを上方へ容易に移動させることができ、作業性の向
上が図れる枚葉式熱処理装置を提供することを目的とし
ている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明のうち請求項１記
載の枚葉式熱処理装置は、基板保持部により被処理基板
を一枚ずつ下部の炉口から上昇させて所定の熱処理を行
う処理容器と、この処理容器を上方から覆って加熱する
ヒーターと、前記処理容器から降下された被処理基板の
受渡しを行うために炉口を熱遮蔽する遮熱シャッターを
有するシャッター室とを備えた枚葉式熱処理装置におい
て、前記ヒーターの近傍に設けられた架台に、ヒーター
を昇降移動するヒーター昇降機構を設けたことを特徴と
する。

【０００７】請求項２記載の枚葉式熱処理装置は、請求
項１記載の枚葉式熱処理装置において、前記ヒーター昇
降機構が、ヒーターの周囲を着脱可能に支持する支持ア
ームを備えていることを特徴とする。

【０００８】請求項３記載の枚葉式熱処理装置は、請求
項１記載の枚葉式熱処理装置において、前記ヒーター昇
降機構が、ヒーターを任意の上昇位置で係止する係止機
構を備えていることを特徴とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基づいて詳述する。図１は本発明の実施の形態
である枚葉式熱処理装置におけるヒーター昇降機構を示
す概略的側面図、図２は同枚葉式熱処理装置の全体構成
を示す概略的側面図、図３は同枚葉式熱処理装置全体の
概略的平面図、図４は同枚葉式熱処理装置の処理容器部
分を示す断面図、図５は図１のヒーター昇降機構の正面
図、図６は同ヒーター昇降機構の概略的平面図、図７は
図６のＡ−Ａ線拡大断面図である。

【００１０】枚葉式熱処理装置は、図４に示すように、
被処理基板である例えば半導体ウエハＷを基板保持部
（ウエハホルダーともいう）１により支持して一枚ずつ
下部の炉口２から上昇させて所定の熱処理、例えば酸化
処理等を行うための熱処理炉を構成する処理容器３を備
えている。この処理容器３の周囲には、これを上方から
覆って加熱するためのヒーター４が設けられており、処
理容器３の下部には処理容器３から降下された処理済み
ウエハＷの受渡しを行うために、炉口２を熱遮蔽する遮
熱シャッター５を有するシャッター室６が設けられてい
る。

【００１１】前記処理容器３は、上端が閉塞され下端が
開口された石英製の円筒状の反応管からなっている。こ
の処理容器３は、同心状に配置された外管３ａと内管３
ｂの二重管構成になっていることが好ましい。外管３ａ
の下側部には処理ガス等を外管３ａと内管３ｂとの間に
導入するためのガス導入ノズル７が設けられている。ガ
ス導入ノズル７には、処理ガス等のガス源に通じる配管
が接続される（図示省略）。外管３ａには、酸素（Ｏ
2）ガスをパージしてヒータ４からウエハＷへの重金属
汚染を抑制ないし防止するためのガスパージ部８が表面
を覆うように一体形成されていることが好ましい。

【００１２】内管３ｂの頂部（上端部）には，ガス流入
口９が形成されており、内管３ｂの下側部には処理ガス
等を排気するためのガス排気ノズル１０が外管３ａを貫
通して設けられている。ガス排気ノズル１０には、処理
容器３内を減圧処理、微減圧処理ないし常圧処理のため
に例えば５０〜７６０Ｔｏｒｒの範囲で減圧排気が可能
な真空ポンプを備えた排気系が接続されている（図示省
略）。

【００１３】前記内管３ｂは、シャッター室６の上面部
（ベースプレートともいう）に開口形成された炉口２と
連通するようにしてシャッター室６の上面部に載置さ
れ、フランジ押え１１により固定されている。前記外管
３ａは、前記内管３ｂのフランジ押え１１の上面部に載
置され、フランジ押え１２により固定されている。これ
ら内管３ｂと外管３ａからなる処理容器３は、洗浄等の
ために取外可能（交換可能）になっている。

【００１４】前記ヒータ４は、処理容器３の上方にウエ
ハＷと対向するように面状に配置された抵抗発熱体から
なる主発熱体１３と、ウエハＷの周囲を囲むように配置
された抵抗発熱体からなる補助発熱体１４とを備えてい
る。これら主発熱体１３および補助発熱体１４を個別に
制御することによりウエハＷを面内均一に加熱できるよ
うになっている。主発熱体１３および補助発熱体１４
は、例えば発熱量の大きい二ケイ化モリブデン等からな
っていることが好ましい。

【００１５】前記ヒータ４は、処理容器３に覆い被せら
れる、上部が閉塞された円筒状の断熱材１５を有し、こ
の断熱材１５の天井部と内周上側部に前記主発熱体１３
と補助発熱体１４が取付けられている。また、断熱材１
５の内側には、発熱体１３，１４からウエハＷへの重金
属汚染の抑制ないし防止と、均熱性を図るために、例え
ば炭化ケイ素（ＳｉＣ）からなる均熱壁１６が設けられ
ていることが好ましい。また、断熱材１５の外側は、図
示しない冷却ジャケットで覆われている。前記ヒータ４
は、外管３ａのフランジ押え１２の上方に環状の断熱体
１７を介して支持されていると共に、内管３ｂのフラン
ジ押え１１にボルト１８で連結されて固定されている。

【００１６】前記シャッター室６は、金属材例えばアル
ミニウム合金により形成されている。このシャッター室
６内の露出部には、腐食性ガスの接触による腐食を防止
するために耐食性を有する被覆材がコーティングされて
いる（図示省略）。また、シャッター室６の壁部には、
内壁面に付着した腐食性ガスの結露を防止すべく内壁面
を所定の温度例えば１２０℃程度に加熱するための加熱
手段として、熱媒体温度制御装置であるチラーにより所
定の温度に制御された熱媒体例えばガルデン（商品名）
を循環させるため熱媒体通路１９が設けられている。

【００１７】前記基板保持部１は、ウエハＷを水平に載
置可能な形状に例えば石英により形成されており、下部
には例えば不透明石英からなる遮熱板２０を介して例え
ば石英製の昇降軸２１が連結されている。前記シャッタ
ー室６の底部には、処理容器３内から降下搬出された前
記基板保持部１の遮熱板２０を収容するための補助室２
２が設けられており、この補助室２２の底部を垂直に前
記昇降軸２１が昇降可能に貫通している。

【００１８】補助室２２の底部には、昇降軸２１の貫通
部をシールするための例えばＮ_２等の不活性ガスシール
からなる軸シール部材２５が設けられている。この軸シ
ール部材２５は、Ｎ_２等でのパージが可能であり、例え
ば９０〜１２０℃に温度制御されている。また、シール
性を向上させるために、軸シール部材２３と昇降機構２
４の昇降アーム２５との間には昇降軸２１を覆うように
ベローズ（図示省略）が設けられていることが好まし
い。前記昇降軸２１の下端は、ボールネジおよびリニア
ガイドからなる昇降機構２４の昇降アーム２５に連結さ
れており、これにより基板保持部１の昇降が行われるよ
うになっている。

【００１９】前記遮熱シャッター５は、炉口２を非接触
で開閉すべく一端の回動軸２６を中心に水平回動可能に
シャッター室６内に設けられている。この回動軸２６
は、シャッター室６の底部を回動可能に貫通しており、
シャッター室６の底部には、前記回動軸２６の貫通部を
シールするための例えば磁性流体シールからなる軸シー
ル部材２７が設けられている。前記回動軸２６には、モ
ータ等の回動機構２８が連結されている。

【００２０】遮熱シャッター５には、ウエハＷを搬送が
可能な温度例えば６００℃以下に冷却するために、遮熱
シャッターを所定の温度、例えば１００〜１５０℃程度
に冷却するために、熱媒体を循環させるための熱媒体通
路２９が遮熱シャッター５の全面に渡って設けられてい
る。この熱媒体通路２９を設けるには、遮熱シャッター
５を厚さ方向に二分割して、その分割面に熱媒体通路２
９を加工した後、両者をろう付けにより結合すればよ
い。前記シャッター室６の熱媒体通路１９に供給される
熱媒体と、前記遮熱シャッター５の熱媒体通路２９に供
給される熱媒体とは、例えばチラーにより個別に温度制
御されるようになっている。前記遮熱シャッター５の表
面には、耐熱性および耐食性のために、例えばセラミッ
クコート等が施されている。

【００２１】前記遮熱シャッター５は、炉口２を覆う遮
熱体３０を上面部に有している。遮熱シャッター５およ
び遮熱体３０は、炉口２からウエハＷに入射する輻射熱
を遮断するために炉口２の口径よりも大きく形成されて
いることが好ましい。この遮熱体３０は、耐熱性および
耐食性に優れ、しかも輻射熱を通さない材料、例えば内
部に多数の気泡を有する不透明石英からなる厚さの薄い
複数枚の遮熱板３０ａと、これら遮熱板３０ａを上下方
向に適宜間隔で積層した状態に支持するスペーサ部材３
０ｂとから構成されている。

【００２２】前記遮熱体３０は、洗浄や交換等のメンテ
ナンスのために遮熱シャッター５の上面部に着脱可能に
取付けられている。前記シャッター室６の側部（一側
部）には、遮熱シャッター５の一部が突出可能なメンテ
ナンス用の開口部３１が設けられ、遮熱シャッター５や
遮熱体３０のメンテナンスが容易にできるようになって
いる。前記開口部３１には、これを開閉可能に塞ぐ蓋３
２が取付けられている。

【００２３】また、前記シャッター室６の側部（他側
部）には、基板保持部１をシャッター室６内に降下さ
せ、遮熱シャッター５を閉じた状態で、側方から基板保
持部１に対するウエハＷの受渡しを行うための搬出入口
３３が設けられ、この搬出入口３３にはウエハＷの搬送
を行う多関節アームからなる搬送アーム（基板搬送アー
ム）３４を内部に具備した搬送室３５がゲートバルブ３
６を介して連結されている（図３参照）。搬送室３５の
周囲には、前記シャッター室６の他に、複数枚例えば２
５枚程度のウエハＷを収納したカセット（図示省略）を
気密に収容してセットするためのカセット室３７と、シ
ャッター室６で搬送可能な温度まで冷却された処理済み
のウエハＷを更にカセットに収納可能な温度例えば１０
０℃程度に冷却するための基板冷却室３８とが設けられ
ている。

【００２４】前記シャッター室６、基板冷却室３８およ
びカセット室３７は、搬送室３５を中心としてその周囲
に配置されており、ウエハＷを効率よく搬送できるよう
に構成されている。そして、前記搬送室３５の搬送アー
ム３４は、カセット室３７のカセットから未処理のウエ
ハＷを取り出してシャッター室６の基板保持部１に移載
し、熱処理後に基板保持部１から処理済みのウエハＷを
受け取り前記基板冷却室３８を介してカセットに戻すよ
うに構成されている。この場合、基板冷却室３８でウエ
ハＷを冷却している間に、カセット室３７のカセットか
ら未処理のウエハＷを取り出してカセット室６内の基板
保持部１上に移載するようにすることがスループットの
向上を図る上で好ましい。

【００２５】前記ヒーター４の近傍には、図２に示すよ
うに、ヒーター４を取り囲むように架台３９が立設され
ており、この架台３９には、図１、図５ないし図６に示
すように、ヒーター４を昇降移動するためのヒーター昇
降機構４０が設けられている。このヒーター昇降機構４
０は、ヒーター４の周囲を着脱可能に支持する平面略Ｕ
字状の支持アーム４１を備えており、この支持アーム４
１の両端部間は拡開しないように補強板４２を介して連
結されていることが好ましい。

【００２６】前記支持アーム４１の両端部および基部に
は、ヒーター４を着脱可能に支持するための支持ピン４
３が配設されている。支持ピン４３は、基部側がボルト
状に形成されており、円筒状のヒーター４に対して径方
向内方へ進退するように前記支持アーム４１の両端部お
よび基部に螺着されている。ヒーター４の上端には、そ
の周縁部に沿ってリング状の天板４４が設けられてお
り、この天板４４の下部には、図７にも示すように、前
記支持ピン４３を差込むための縦長穴状の孔部４５が設
けられている。

【００２７】前記ヒーター昇降機構４０は、支持アーム
４１の基部をリニアガイド４６を介して昇降移動可能に
支持する支持枠４７を有し、この支持枠４７が前記架台
３９の一側に固定されている。この支持枠４７には、支
持アーム４１を昇降移動するためのボールネジ４８が垂
直に取付けられている。前記支持枠４７の下部には、ボ
ールネジ４８を回転駆動するためのウオームギアを有す
るギアボックス４９が設けられ、架台３９の下側には、
ギアボックス４９内のウオームギアを手動により遠隔で
回転操作するための操作部５０が設けられている。

【００２８】この操作部５０には、ハンドル５１を連結
して回転操作される駆動スプロケット５２が設けられ、
この駆動スプロケット５２とギアボックス４９側の従動
スプロケット５３とに無端チェーン５４が巻き掛けられ
ている。架台３９には、無端チェーン５４の中間部を支
持して架台３９に沿って案内するための中間スプロケッ
ト５５が設けられている。なお、前記ギアボックス４９
は、ウオームギアにハンドル５１を直結して操作できる
ようにもなっている。

【００２９】前記ヒーター昇降機構４０は、ヒーター４
を任意の上昇位置で係止するための係止機構５６を備え
ている。この係止機構５６は、ヒーター４の側部に設け
られ、上下方向に係止用の多数の歯部５７を有するラッ
ク状の被係止部材５８と、支持枠４７側に軸支され、被
係止部材５８の歯部５７に歯合する爪部材５９とから主
に構成されている。操作部５０の近傍には、前記爪部材
５９を操作ケーブル（プッシュプルケーブル）６０を介
して被係止部材５８側に接触する作動位置と被係止部材
５８から離反した非作動位置に切換操作するためのプッ
シュプル式の切換ハンドル６１が設けられている。

【００３０】なお、図３において、６２は、シャッター
室６のメンテナンス用の開口部３１に臨んで設けられた
メンテナンスエリアである。従来の熱処理装置では後方
および側方の多方向をメンテナンスエリアとして確保し
ておかなければならなかったが、本発明の熱処理装置に
おいては一方向のみで容易にメンテナンスが可能であ
る。このメンテナンスエリア４３を囲むように処理ガス
等の供給を行うガスユニット、制御ボックス、チラー等
を含む熱媒体制御分配ユニット等が配設されている（図
示省略）。

【００３１】以上の構成からなる枚葉式熱処理装置にお
いては、搬送室３５の搬送アーム３４によりカセット室
３７のカセットから未処理のウエハＷが取り出され、ゲ
ートバルブ３６を介して搬出入口３３からシャッター室
６に搬入され、シャッター室６で待機している基板保持
部１上に移載される。すると、ゲートバルブ３６が閉じ
てシャッター室６が密閉されると共に、遮熱シャッター
５が開放され、基板保持部１の上昇によりウエハＷが炉
口２から処理容器３内の所定のプロセスエリアに上昇さ
れて所定の処理ガス雰囲気下で所定の熱処理、例えば酸
化処理が行われる。

【００３２】熱処理が終了し、基板保持部１の降下によ
り処理済みのウエハＷを処理容器３内からシャッター室
６内に降下すると、遮熱シャッター５が閉じ、ウエハＷ
が搬送可能な温度になるまで所定時間例えば６０秒程度
冷却される。ウエハＷの冷却が終了したなら、ゲートバ
ルブ３６を開け、搬送アーム３４により処理済みのウエ
ハＷをシャッター室６内の基板保持部１上から搬出して
基板冷却室３８に搬入し、ウエハＷをカセットに収納可
能な温度になるまで所定時間例えば６０秒程度強制的に
冷却する。

【００３３】前記基板冷却室３８で処理済みのウエハＷ
が冷却されている間に、搬送アーム３４によりカセット
室３７のカセットから未処理のウエハＷが取り出されて
前述と同様にシャッター室６に搬入され、更にウエハＷ
を処理容器３内に上昇搬入されて熱処理が開始される。
基板冷却室３８でのウエハＷの冷却が終了したなら、搬
送アーム３４によりウエハＷが基板冷却室３８から搬出
されてカセット室３７のカセットに戻され、以下同様の
サイクルでウエハＷの熱処理が一枚ずつ連続的に行われ
ることになる。

【００３４】前記枚葉式熱処理装置においては、処理容
器３の洗浄のための交換等のメンテナンスが要求され
る。処理容器３を交換する場合には、処理を全て終了し
た状態で、ヒーター４をシャッター室６上に固定してい
るボルト１８を緩めて固定を解除し、ヒーター４をヒー
ター昇降機構４０の作動により上昇移動させて処理容器
３上から退避させる。この場合、ヒーター昇降機構４０
の操作部５０もしくはギアボックス４９に連結したハン
ドル５１を回転操作すると、ギアボックス４９内のウオ
ームギアを介してボールネジ４８が回動され、このボー
ルネジ４８の回動により支持アーム４１がヒーター４の
周縁部を支持ピン４３を介して三点支持した状態でリニ
アガイド４６に従って上昇移動されるため、ヒーター４
を安定した状態で円滑に上昇移動させることができる。

【００３５】このようにヒーター４を処理容器３上から
容易に上昇移動することができるため、引き続き処理容
器３の交換作業も容易に行うことができ、作業性の向上
が図れる。ヒーター４を上昇移動させる場合には、係止
機構５６の爪部材５９を作動位置に切換ハンドル６１に
より切り換えておくことにより、ヒーター４を任意の上
昇位置で係止することができるため、支持ピン４３の破
損やハンドル５１の操作ミス等によりヒーター４が落下
したり、降下することを防止することができる。なお、
ヒーター４と処理容器３を連結していれば、ヒーター昇
降機構４０により処理容器３をヒーター４と一緒に昇降
させることも可能である。

【００３６】処理容器３の交換が完了したなら、係止機
構５６の爪部材５９を非作動位置に戻し、上記とは逆方
向へのハンドル５１の回転操作でヒーター４を下降移動
して処理容器３上に位置させ、ヒーター４をシャーター
室６上にボルト１８で固定すればよい。なお、支持アー
ム４１は、支持ピン４３を介してヒーター４の上部を常
時支持した状態にある。

【００３７】このように前記枚葉式熱処理装置によれ
ば、ヒーター４の近傍に設けられた架台３９に、ヒータ
ー４を昇降移動するヒーター昇降機構４０を設けている
ため、処理容器３の交換等を行う際にヒーター４を上方
へ容易に移動させることができ、処理容器３の交換は勿
論のこと、炉口２から覗きながら行う各種作業を容易に
行うことが可能となり、作業性の向上が図れる。また、
前記ヒーター昇降機構４０がヒーター４の周囲を着脱可
能に支持する支持アーム４１を備えているため、ヒータ
ー４のメンテナンスを行う際に運搬治具との間でヒータ
ー４の受渡しを容易に行うことが可能となり、作業性を
更に向上させることができる。更に、前記ヒーター昇降
機構４０がヒーター４を任意の上昇位置で係止する係止
機構５６を備えているため、上昇移動したヒーター４が
支持ピン４３の破損や操作ミス等の何らかの原因で落下
ないし降下するのを防止することができ、ヒーター４の
保護と安全性の向上が図れる。

【００３８】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、被処理基板として
は、半導体ウエハに限定されず、例えばガラス基板、Ｌ
ＣＤ基板等であってもよい。また、本発明は、酸化以外
に、例えば窒化、ＣＶＤ、拡散、アニール等の各種の熱
処理にも適用可能である。ヒーター昇降機構は、手動式
が好ましいが、電動式であってもよい。

【００３９】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００４０】（１）請求項１記載の枚葉式熱処理装置に
よれば、基板保持部により被処理基板を一枚ずつ下部の
炉口から上昇させて所定の熱処理を行う処理容器と、こ
の処理容器を上方から覆って加熱するヒーターと、前記
処理容器から降下された被処理基板の受渡しを行うため
に炉口を熱遮蔽する遮熱シャッターを有するシャッター
室とを備えた枚葉式熱処理装置において、前記ヒーター
の近傍に設けられた架台に、ヒーターを昇降移動するヒ
ーター昇降機構を設けているため、処理容器の交換等を
行う際にヒーターを上方へ容易に移動させることがで
き、作業性の向上が図れる。

【００４１】（２）請求項２記載の枚葉式熱処理装置に
よれば、前記ヒーター昇降機構がヒーターの周囲を着脱
可能に支持する支持アームを備えているため、ヒーター
のメンテナンスを行う際に運搬治具との間でヒーターの
受渡しを容易に行うことができ、作業性の向上が図れ
る。

【００４２】（３）請求項３記載の枚葉式熱処理装置に
よれば、前記ヒーター昇降機構がヒーターを任意の上昇
位置で係止する係止機構を備えているため、上昇移動し
たヒーターが何らかの原因で落下ないし降下するのを防
止することができ、ヒーターの保護と安全性の向上が図
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である枚葉式熱処理装置に
おけるヒーター昇降機構を示す概略的側面図である。

【図２】同枚葉式熱処理装置の全体構成を示す概略的側
面図である。

【図３】同枚葉式熱処理装置全体の概略的平面図であ
る。

【図４】同枚葉式熱処理装置の処理容器部分を示す断面
図である。

【図５】図１のヒーター昇降機構の正面図である。

【図６】同ヒーター昇降機構の概略的平面図である。

【図７】図６のＡ−Ａ線拡大断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） １ 基板保持部 ２ 炉口 ３ 処理容器 ４ ヒーター ５ 遮熱シャッター ６ シャッター室 ３９ 架台 ４０ ヒーター昇降機構 ４１ 支持アーム ５６ 係止機構

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板保持部により被処理基板を一枚ずつ
   下部の炉口から上昇させて所定の熱処理を行う処理容器
   と、この処理容器を上方から覆って加熱するヒーター
   と、前記処理容器から降下された被処理基板の受渡しを
   行うために炉口を熱遮蔽する遮熱シャッターを有するシ
   ャッター室とを備えた枚葉式熱処理装置において、前記
   ヒーターの近傍に設けられた架台に、ヒーターを昇降移
   動するヒーター昇降機構を設けたことを特徴とする枚葉
   式熱処理装置。
2. 【請求項２】 前記ヒーター昇降機構が、ヒーターの周
   囲を着脱可能に支持する支持アームを備えていることを
   特徴とする請求項１記載の枚葉式熱処理装置。
3. 【請求項３】 前記ヒーター昇降機構が、ヒーターを任
   意の上昇位置で係止する係止機構を備えていることを特
   徴とする請求項１記載の枚葉式熱処理装置。