KR20180112794A - 전도성 층들이 매립된 세라믹 샤워헤드 - Google Patents

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KR20180112794A
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showerhead
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데일 알. 두 보이스
카틱 자나키라만
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

샤워헤드를 위한 방법 및 장치가 제공된다. 일 실시예에서, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 샤워헤드가 개시된다. 샤워헤드는 복수의 플레이트들을 포함하는 바디 ― 복수의 플레이트들은 유전체 재료로 제조되고, 그 복수의 플레이트들을 통해 형성된 복수의 홀들을 가짐 ―, 및 바디 내의 상이한 위치들에서 플레이트들 사이에 배치된, 제1 전도성 층 및 제2 전도성 층을 포함한다.

Description

전도성 층들이 매립된 세라믹 샤워헤드
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 챔버에 관한 것으로, 더 구체적으로, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 가열식 지지 페데스탈(pedestal)에 관한 것이다.
[0002] 반도체 프로세싱은 다수의 상이한 화학적 및 물리적 프로세스들을 수반하며, 그 프로세스들에 의해, 기판 상에 미소한 집적 회로들이 생성된다. 집적 회로를 구성하는 재료들의 층들은 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 에피택셜 성장 등에 의해 생성된다. 재료의 층들 중 일부는 포토레지스터 마스크들, 및 습식 또는 건식 에칭 기법들을 사용하여 패터닝된다. 집적 회로들을 형성하기 위해 활용되는 기판은 실리콘, 갈륨 비소, 인화 인듐, 유리, 또는 다른 적절한 재료일 수 있다.
[0003] 집적 회로들의 제조 시에, 다양한 재료 층들의 증착 또는 에칭을 위해 플라즈마 프로세스들이 종종 사용된다. 플라즈마 프로세싱은 열적 프로세싱에 비해 다수의 이점들을 제공한다. 예컨대, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은 유사한 열적 프로세스들에서 달성가능한 것보다 더 낮은 온도들 및 더 높은 증착 레이트들로 증착 프로세스들이 수행될 수 있게 한다. 따라서, PECVD는 엄격한 써멀 버짓(thermal budget)들을 갖는 집적 회로 제작, 이를테면 VLSI(very large scale integrated circuit) 또는 ULSI(ultra-large scale integrated circuit) 디바이스 제작에 대해 유리하다.
[0004] 이들 프로세스들에서 사용되는 프로세싱 챔버들은 전형적으로, 프로세싱 동안 가스들을 분산시키기 위해, 그 프로세싱 챔버들 내에 배치된 가스 분배 플레이트 또는 샤워헤드를 포함한다. 이들 샤워헤드들 중 일부는 플라즈마 프로세스에서 전극으로서 기능할 수 있고, 전형적으로는 전기 전도성 재료로 형성된다. 샤워헤드와 기판 사이의 간격은 기판 상의 균일한 증착 및 균일한 플라즈마 형성을 촉진하기 위해 엄격하게 제어된다. 종래의 샤워헤드들은 전형적으로, 외부 가열 엘리먼트들에 의해, 섭씨 약 250도 내지 최대 섭씨 약 300도의 온도들까지 가열된다. 그러나, 종래의 샤워헤드들은 이들 온도들에서 구부러지거나 또는 휘어질 수 있으며(즉 “처짐(droop)”), 이는 바람직하지 않은 영향들, 이를테면 불균일한 증착 및/또는 불균일한 플라즈마 형성을 초래한다.
[0005] 따라서, 동작 온도들에서 휨에 저항하는 재료에 매립된 가열기를 갖는 샤워헤드가 필요하다.
[0006] 샤워헤드를 위한 방법 및 장치가 제공된다. 일 실시예에서, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 샤워헤드가 제공된다. 샤워헤드는 복수의 플레이트들을 포함하는 바디 ― 복수의 플레이트들은 유전체 재료로 제조되고, 그 복수의 플레이트들을 통해 형성된 복수의 홀들을 가짐 ―, 및 바디 내의 상이한 위치들에서 플레이트들 사이에 배치된, 제1 전도성 층 및 제2 전도성 층을 포함한다.
[0007] 다른 실시예에서, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 샤워헤드가 제공된다. 샤워헤드는, 제1 플레이트, 제2 플레이트, 및 제3 플레이트를 포함하는 바디 ― 플레이트들 각각은 유전체 재료로 제조되고, 그 플레이트들 각각을 통해 형성된 복수의 홀들을 가짐 ―, 제1 플레이트와 제2 플레이트 사이에 배치된 제1 전도성 층, 및 제2 플레이트와 제3 플레이트 사이에 배치된 제2 전도성 층을 포함한다.
[0008] 다른 실시예에서, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 샤워헤드가 제공된다. 샤워헤드는 복수의 플레이트들을 포함하는 바디 ― 복수의 플레이트들은 유전체 재료로 제조되고, 그 복수의 플레이트들을 통해 형성된 복수의 홀들을 가짐 ―, 및 바디 내의 상이한 위치들에서 플레이트들 사이에 배치된, 제1 전도성 층 및 제2 전도성 층을 포함하며, 여기서, 제1 전도성 층은 가열기 및 무선 주파수 전극을 포함한다.
[0009] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 플라즈마 시스템의 일부의 개략적인 단면도이다.
[0011] 도 2는 도 1의 샤워헤드의 일부의 분해도이다.
[0012] 도 3은 도 2의 라인들 3-3을 따른 샤워헤드의 평면도이다.
[0013] 도 4는 도 3의 샤워헤드의 일부의 확대된 평면도이다.
[0014] 도 5는 본원에서 설명되는 바와 같은 샤워헤드의 실시예들을 활용하는 플라즈마 시스템의 다른 실시예의 일부의 단면도이다.
[0015] 도 6은 도 1 또는 도 5의 플라즈마 시스템에서 사용될 수 있는 샤워헤드의 다른 실시예의 분해도이다.
[0016] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예에서 개시되는 엘리먼트들이 구체적인 설명 없이 다른 실시예들에 대해 유익하게 활용될 수 있다는 것이 고려된다.
[0017] 본 개시내용의 실시예들은 플라즈마 챔버들, 이를테면 증착 또는 에칭 프로세스들을 위해 사용되는 플라즈마 챔버들을 참조하여 아래에서 예시적으로 설명된다.
[0018] 도 1은 플라즈마 시스템(100)의 일부의 개략적인 단면도이다. 플라즈마 시스템(100)은 일반적으로, 측벽(110)을 갖는 프로세싱 챔버 바디(105)를 포함한다. 프로세싱 볼륨(115) 내외로 기판(미도시)을 이송하기 위해 슬릿 밸브 개구(112)가 측벽에 형성된다. 덮개 플레이트(120) 및 하단부(125) 뿐만 아니라 측벽(110)은 프로세싱 볼륨(115)을 한정한다. 프로세싱 볼륨(115)에서 기판을 지지하기 위해 페데스탈(도 1에 도시되지 않음)이 프로세싱 볼륨(115)에 위치된다.
[0019] 덮개 조립체(130)가 덮개 플레이트(120) 상에 배치된다. 덮개 조립체(130)는 프로세싱 볼륨(115)으로의 프로세싱 가스 전달 뿐만 아니라 전자기 에너지 전달을 가능하게 한다. 덮개 조립체(130)는 가스 박스(135), 블로커 플레이트 조립체(140), 샤워헤드 인터페이스 플레이트(145), 및 샤워헤드(150) 중 하나 또는 그 초과를 포함한다. 덮개 조립체(130)는 또한, 제1 또는 상부 무선 주파수(RF) 튜너 플레이트(155) 및 유전체 아이솔레이터 링(160)을 포함할 수 있다. 블로커 플레이트 조립체(140)는 상부 또는 제1 블로커 플레이트(165), 및 하부 또는 제2 블로커 플레이트(170)를 포함할 수 있다. 챔버 바디(105)에 덮개 조립체(130)를 고정시키기 위해 클램프 플레이트(172)가 사용될 수 있다.
[0020] 샤워헤드(150)는 샤워헤드(150)에 매립된 가열기(도 2에 도시됨)에 전력을 제공하기 위해 전력 공급부(175)에 커플링될 수 있다. 샤워헤드(150)는 또한, 프로세싱 볼륨(115)에 플라즈마를 인에이블링(enabling)하기 위해 RF 전력 소스(180)에 커플링될 수 있다. 부가적으로, 샤워헤드(150)는 샤워헤드(150)의 폐쇄-루프 온도 제어를 가능하게 하는 온도 제어 회로(185)에 커플링될 수 있다. 밀봉부들(190), 이를테면 탄성 중합체 O-링들이 프로세싱 볼륨(115)을 밀봉하기 위해 샤워헤드(150)의 둘레에 제공될 수 있다.
[0021] 도 2는 도 1의 샤워헤드(150)의 일부의 분해도이다. 샤워헤드(150)는 복수의 플레이트들, 이를테면 제1 플레이트(205), 제2 플레이트(210), 및 제3 플레이트(215)를 갖는 바디(200)를 포함한다. 플레이트들(205, 210, 및 215) 각각은 유전체 재료 또는 세라믹 재료의 하나 또는 그 초과의 층들로 제조될 수 있다. 일 실시예에서, 플레이트들(205, 210, 및 215)은 알루미늄 질화물(AlN)의 하나 또는 그 초과의 층들을 포함한다. 제1 전도성 층(220) 및 제2 전도성 층(225)으로서 도시된 전도성 재료 층이 플레이트들(205, 210, 및 215) 사이에 제공된다. 제1 전도성 층(220)은 열전대 트레이스(즉 와이어 또는 와이어들)일 수 있고, 제2 전도성 층(225)은 가열기 트레이스(즉 와이어 또는 와이어들)일 수 있다. 일 실시예에서, 제2 전도성 층(225)의 와이어들의 치수들은 약 0.03 인치의 폭과 약 0.007 인치의 두께로 이루어질 수 있다.
[0022] 홀들(230)이 바디(200)를 통해 가스들을 분산시키기 위해 플레이트들(205, 210, 및 215) 각각에 형성된다. 홀들(230)은 플레이트들(205, 210, 및 215)이 그린 상태(소결 전)에 있는 경우 레이저로 또는 기계적으로(즉 드릴링 방식으로) 형성될 수 있다. 제1 전도성 층(220) 및 제2 전도성 층(225)은 전기 연속성을 보장하기 위해 홀들(230) 주위에 형성된다. 홀들(230) 각각은 약 0.02 인치 내지 약 0.032 인치, 이를테면 약 0.026 인치 내지 약 0.03 인치의 직경을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 홀들(230)의 수는 약 9,000개 내지 약 10,000개이다.
[0023] 도 2에 도시된 플레이트들(205, 210, 및 215)은 분해되어 있고, 그리고 바디(200) 내에 제1 전도성 층(220) 및 제2 전도성 층(225)을 매립하기 위해 소결 프로세스에서 서로 융합될 수 있거나 또는 함께 가압될 수 있다. 제1 전도성 층(220) 및 제2 전도성 층(225)은 전도성 금속성 재료, 이를테면 구리, 알루미늄, 텅스텐, 또는 이들의 조합들일 수 있다. 제1 전도성 층(220) 및 제2 전도성 층(225)은 실크스크린 프린팅(silkscreen printing) 프로세스 또는 다른 종래의 증착 프로세스에 의해 플레이트들(205, 210, 및 215) 상에 증착될 수 있다. 플레이트들(205, 210, 및 215) 각각의 두께(235)는 약 1.5 미크론(μm) 내지 약 2 μm일 수 있다. 일부 실시예들에서, 플레이트들(205, 210, 및 215)이 서로 접촉하는 경우 그리고/또는 융합되는 경우에, 바디(200)의 두께는 약 5.0 μm 내지 약 6.5 μm일 수 있다.
[0024] 도 3은 도 2의 라인들 3-3을 따른 샤워헤드(150)의 평면도이다. 제2 전도성 층(225)은 플레이트(210) 상의 와이어 또는 와이어들로서 도시된다. 제2 전도성 층(225)은 샤워헤드(150) 내의 가열기(300)를 정의할 수 있다. 홀들(230)은 플레이트(210)를 통해 형성되고, 플레이트(215)(도시되지 않지만 플레이트(210) 아래에 있음) 상의 홀들과 동심이다. 단자들(305)은 전력 공급부(175)(도 1에 도시됨)에 가열기(300)를 커플링시키기 위해 제공될 수 있다. 부가적으로, 밀봉 구역(310)이 샤워헤드(150)의 둘레(315)에 배치될 수 있다. 밀봉 구역은 플레이트(205)(도 2에 도시됨) 상에 배치될 수 있고, 가열기(300)는 도 2에 도시된 플레이트(205)에 의해 덮일 수 있다.
[0025] 일부 실시예들에서, 샤워헤드(150)의 직경(320)(예컨대, 플레이트들(205, 210, 및 215)의 외측 치수)은 약 16.5 인치 내지 약 17.5 인치일 수 있다. 일부 실시예들에서, 밀봉 구역(310)의 폭(325)은 약 1 인치일 수 있다.
[0026] 도 4는 도 3의 샤워헤드(150)의 일부의 확대된 평면도이다. 홀들(230) 및 제2 전도성 층(225)은 본 도면에서 더 명확하게 도시된다. 단자들은 전력 공급부(175)에 커플링된 것으로 도시되고, 가열기(300)는 RF 전력 소스(180)에 커플링된다. 부가적으로, 하나 또는 그 초과의 저항성 온도 디바이스들(400 및 405)이 샤워헤드(150) 상에 도시된다. 저항성 온도 디바이스들(400 및 405)은 도 2에 도시된 제1 전도성 층(220)과 전기적으로 연통하는 열 센서들 또는 열전대들일 수 있다. 저항성 온도 디바이스들(400 및 405)은 가열기(300)의 온도를 제어하기 위해 제1 전도성 층(220)을 통해 온도 제어 회로(185)에 커플링될 수 있다. 저항성 온도 디바이스(400)는 과온 센서일 수 있는 한편, 저항성 온도 디바이스(405)는 제어 센서일 수 있다.
[0027] 도 5는 플라즈마 시스템(500)의 다른 실시예의 일부의 단면도이다. 플라즈마 시스템(500)은 일반적으로, 프로세싱 구역들(520A 및 520B)의 쌍을 정의하는, 측벽(110), 하단부(125) 및 내부 측벽(505)을 갖는 프로세싱 챔버 바디(105)를 포함한다. 프로세싱 구역들(520A 및 520B) 각각은 유사하게 구성되며, 간결성을 위해, 프로세싱 구역(520B) 내의 컴포넌트들만이 설명될 것이다.
[0028] 페데스탈(510)이 시스템(500)에서 하단 벽(516)에 형성된 통로(515)를 통해 프로세싱 구역(520B)에 배치된다. 페데스탈(510)은 페데스탈(510)의 상부 표면 상에 기판(미도시)을 지지하도록 적응된다. 페데스탈(510)은 원하는 프로세스 온도 내로 기판 온도를 가열 및 제어하기 위해 가열 엘리먼트들, 예컨대 저항성 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 페데스탈(510)은 원격 가열 엘리먼트, 이를테면 램프 조립체에 의해 가열될 수 있다.
[0029] 페데스탈(510)은 스템(526)에 의해 전력 아웃렛 또는 전력 박스(525)에 커플링되며, 그 전력 아웃렛 또는 전력 박스(525)는 프로세싱 구역(520B) 내의 페데스탈(510)의 높이 및 이동을 제어하는 구동 시스템을 포함할 수 있다. 스템(526)은 또한, 페데스탈(510)에 전력을 제공하기 위해 전력 인터페이스들을 포함한다. 전력 박스(525)는 또한, 전력 및 온도 표시기들을 위한 인터페이스들, 이를테면 열전대 인터페이스를 포함한다. 스템(526)은 또한, 전력 박스(525)에 분리가능하게 커플링되도록 적응된 베이스 조립체(529)를 포함한다. 원주 링(circumferential ring)(535)이 전력 박스(525) 위에 도시된다. 일 실시예에서, 원주 링(535)은 전력 박스(525)의 상부 표면과 베이스 조립체(529) 사이에 기계적 인터페이스를 제공하도록 구성된 기계적 스톱(stop) 또는 랜드(land)로서 적응된 숄더(shoulder)이다.
[0030] 하단부(125)에 형성된 통로(524)를 통해 로드(rod)(530)가 배치되고, 로드(530)는 페데스탈(510)을 통해 배치된 기판 리프트 핀들(532)을 가동시키기 위해 활용된다. 기판 리프트 핀들(532)은 슬릿 밸브 개구(112)를 통해 프로세싱 구역(520B) 내외로 기판을 이송하기 위해 활용되는 로봇(미도시)을 이용한 기판의 교환을 가능하게 하기 위해, 페데스탈로부터 기판을 선택적으로 이격시킨다.
[0031] 덮개 플레이트(120)가 챔버 바디(105)의 상단 부분에 커플링된다. 덮개 플레이트(120)는 도 1에서 설명된 바와 같은 덮개 조립체(130)를 수용한다. 덮개 조립체(130)는 가스 유입 통로(540)를 포함하며, 그 가스 유입 통로(540)는 본원에서 설명된 바와 같은, 블로커 플레이트 조립체(140) 및 샤워헤드(150)를 통해 프로세싱 구역(520B) 내로 반응물 및 세정 가스들을 전달한다. 본원에서 설명된 바와 같이, RF 소스(180)가 샤워헤드(150)에 커플링된다. RF 소스(180)는 샤워헤드(150)와 가열식 페데스탈(510) 사이의 플라즈마의 생성을 가능하게 하기 위해 샤워헤드(150)에 전력을 공급한다. 일 실시예에서, RF 소스(180)는 고 주파 무선 주파수(HFRF) 전력 소스, 이를테면 13.56 MHz RF 생성기일 수 있다. 다른 실시예에서, RF 소스(180)는 HFRF 전력 소스 및 저 주파 무선 주파수(LFRF) 전력 소스, 이를테면 300 kHz RF 생성기를 포함할 수 있다. 유전체 아이솔레이터 링(160)은 RF 전력이 덮개 플레이트(120)로 전도되는 것을 방지하기 위해 덮개 플레이트(120)와 덮개 조립체(130) 사이에 배치된다. 페데스탈(510)의 원하는 높이에 기판을 맞물리게 하는 섀도우 링(544)이 페데스탈(510)의 주변부 상에 배치될 수 있다.
[0032] 챔버 라이너 조립체(546)가 프로세싱 구역(520B) 내의 프로세싱 환경에 대한 측벽들(505, 110)의 노출을 방지하기 위해, 프로세싱 구역(520B) 내에서 챔버 바디(105)의 측벽들(505, 110)에 매우 근접하게 배치된다. 라이너 조립체(546)는 펌핑 시스템(550)에 커플링된 원주 펌핑 공동(548)을 포함하며, 그 펌핑 시스템(550)은 프로세싱 구역(520B)으로부터 가스들 및 부산물들을 배기하고, 프로세싱 구역(520B) 내의 압력을 제어하도록 구성된다. 복수의 배기 포트들(555)이 챔버 라이너 조립체(546) 상에 형성될 수 있다. 배기 포트들(555)은 시스템(500) 내의 프로세싱을 촉진하는 방식으로, 프로세싱 구역(520B)으로부터 원주 펌핑 공동(548)으로의 가스들의 유동을 가능하게 하도록 구성된다.
[0033] 일 실시예에서, 플라즈마 시스템(500)은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 시스템에서 활용된다. 본 개시내용으로부터 이익을 얻도록 적응될 수 있는 PECVD 시스템들의 예들은 PRODUCER® SE CVD 시스템, PRODUCER® GTTM CVD 시스템, 또는 DXZ® CVD 시스템을 포함하며, 이들 모두는 캘리포니아, 산타클라라의 어플라이드 머티어리얼스 인코포레이티드로부터 상업적으로 입수가능하다. Producer® SE CVD 시스템(예컨대, 200 mm 또는 300 mm)은 기판들 상에 박막들, 이를테면 전도성 막들, 실란들, 탄소-도핑된 실리콘 산화물들 및 다른 재료들을 증착하기 위해 사용될 수 있는 2개의 격리된 프로세싱 구역들을 갖는다. 예시적인 실시예가 2개의 프로세싱 구역들을 포함하고 있지만, 단일 프로세싱 구역 또는 2개 초과의 프로세싱 구역들을 갖는 시스템들에서 본 개시내용이 유리하게 사용될 수 있다는 것이 고려된다. 또한, 특히 에칭 챔버들, 이온 주입 챔버들, 플라즈마 처리 챔버들, 및 박리 챔버들을 포함하는 다른 플라즈마 챔버들에서 본 개시내용이 유리하게 활용될 수 있다는 것이 고려된다. 추가로, 다른 제조자들로부터 입수가능한 플라즈마 프로세싱 챔버들에서 본 개시내용이 유리하게 활용될 수 있다는 것이 고려된다.
[0001] 도 6은 도 1 또는 도 5의 플라즈마 시스템에서 사용될 수 있는 샤워헤드(600)의 다른 실시예의 분해도이다. 샤워헤드(600)는 복수의 플레이트들, 이를테면 제1 플레이트(205), 제2 플레이트(210), 및 제3 플레이트(215)를 갖는 바디(605)를 포함하며, 도 2의 실시예와 유사하게 그 복수의 플레이트들 사이에 제1 전도성 층(220) 및 제2 전도성 층(225)이 배치된다. 그러나, 본 실시예에 따른 샤워헤드(600)는 제4 플레이트(610) 및 제3 전도성 층(615)을 포함한다. 제3 전도성 층(615)은 구리, 알루미늄, 텅스텐, 또는 다른 전도성 금속과 같은 금속성 재료 층일 수 있다. 플레이트(610)는 도 2의 플레이트들(205, 210, 및 215)과 유사한 유전체 또는 세라믹 재료일 수 있다. 플레이트들(205, 210, 215, 및 610)은 도 2의 플레이트들(205, 210, 및 215)과 동일한 두께를 가질 수 있다. 제3 전도성 층(615)은 RF 전극으로서 기능할 수 있는 한편, 제1 전도성 층(220) 및 제2 전도성 층(225)은 도 2에서 설명된 바와 같이 기능할 수 있다. 제3 전도성 층(615)은 페데스탈(미도시)과 함께 플라즈마 형성을 가능하게 하기 위해, 도시된 바와 같이 RF 전력 소스(180)에 커플링될 수 있다. 일 실시예에서, 제3 전도성 층(615)은 약 0.03 인치의 폭과 약 0.007 인치의 두께의 치수들을 갖는 와이어들의 메시 또는 어레이일 수 있다. 제3 전도성 층(615)은 실크스크린 프린팅 프로세스 또는 다른 종래의 증착 프로세스에 의해 플레이트(205) 또는 플레이트(610) 상에 증착될 수 있다.
[0002] 도 6에 도시된 플레이트들(205, 210, 215, 및 610)은 분해되어 있고, 그리고 바디(605) 내에 제1 전도성 층(220), 제2 전도성 층(225), 및 제3 전도성 층(615)을 매립하기 위해 소결 프로세스에서 서로 융합될 수 있거나 또는 함께 가압될 수 있다. 일부 실시예들에서, 플레이트들(205, 210, 215, 및 610)이 서로 접촉하는 경우 그리고/또는 융합되는 경우에, 바디(605)의 두께는 약 6.0 μm 내지 약 7.5 μm일 수 있다.
[0003] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 고안될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 반도체 프로세싱 챔버를 위한 샤워헤드로서,
    유전체 재료로 제조된 복수의 융합된 플레이트들을 포함하는 바디(body) ― 상기 융합된 플레이트들 각각은 상기 융합된 플레이트들 각각을 통해 형성된 복수의 홀들을 포함함 ―; 및
    상기 바디 내의 상이한 위치들에서 상기 융합된 플레이트들 사이에 배치된, 제1 전도성 층 및 제2 전도성 층
    을 포함하는,
    샤워헤드.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전도성 층은 가열기를 포함하는,
    샤워헤드.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 전도성 층은 전극을 포함하는,
    샤워헤드.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 전도성 층은 저항성 온도 디바이스의 일부를 포함하는,
    샤워헤드.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 융합된 플레이트들 사이에 배치된 제3 전도성 층을 더 포함하며, 상기 제3 전도성 층은 가열기를 포함하는,
    샤워헤드.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 전도성 층은 전극을 포함하는,
    샤워헤드.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 전도성 층은 저항성 온도 디바이스의 일부를 포함하는,
    샤워헤드.
  8. 반도체 프로세싱 챔버를 위한 샤워헤드로서,
    제1 플레이트, 제2 플레이트, 및 제3 플레이트를 포함하는 바디 ― 플레이트들 각각은 유전체 재료로 제조되고, 상기 플레이트들 각각을 통해 형성된 복수의 홀들을 가짐 ―;
    상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트 사이에 배치된 제1 전도성 층; 및
    상기 제2 플레이트와 상기 제3 플레이트 사이에 배치된 제2 전도성 층
    을 포함하는,
    샤워헤드.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 전도성 층은 가열기를 포함하는,
    샤워헤드.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 전도성 층은 전극을 포함하는,
    샤워헤드.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 전도성 층은 저항성 온도 디바이스의 일부를 포함하는,
    샤워헤드.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 전도성 층은 전극을 포함하는,
    샤워헤드.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 전도성 층은 저항성 온도 디바이스의 일부를 포함하는,
    샤워헤드.
  14. 반도체 프로세싱 챔버를 위한 샤워헤드로서,
    복수의 융합된 플레이트들을 포함하는 바디 ― 상기 복수의 융합된 플레이트들은 유전체 재료로 제조되고, 상기 복수의 융합된 플레이트들을 통해 형성된 복수의 홀들을 가짐 ―; 및
    상기 바디 내의 상이한 위치들에서 상기 융합된 플레이트들 사이에 배치된, 제1 전도성 층 및 제2 전도성 층
    을 포함하며,
    상기 제1 전도성 층은 가열기 또는 무선 주파수 전극을 포함하는,
    샤워헤드.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제2 전도성 층은 저항성 온도 디바이스의 일부를 포함하는,
    샤워헤드.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190032211A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 Lam Research Corporation Monolithic ceramic gas distribution plate
JP2021521648A (ja) 2018-04-17 2021-08-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 加熱されるセラミック面板
JP7042170B2 (ja) * 2018-06-22 2022-03-25 日本特殊陶業株式会社 シャワーヘッド用ガス分配体

Family Cites Families (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2553762A (en) * 1946-11-01 1951-05-22 Gyuris John Electrical heating element and method of making the same
US3099575A (en) * 1959-10-20 1963-07-30 Engelhard Ind Inc Thermocouple
US3334263A (en) * 1964-11-12 1967-08-01 Gen Electric High frequency electron discharge device having a grooved cathode and electrodes therefor
US3424603A (en) * 1965-10-06 1969-01-28 Us Air Force Method for the manufacture of pyrolytically coated filaments
US3406366A (en) * 1966-01-13 1968-10-15 Ibm Electrical temperature sensor device
US3444501A (en) * 1966-05-16 1969-05-13 Ibm Thermistor and method of fabrication
US3885992A (en) * 1972-09-20 1975-05-27 Us Energy Thermocouple and method of making same
US3890456A (en) * 1973-08-06 1975-06-17 United Aircraft Corp Process of coating a gas turbine engine alloy substrate
US3999040A (en) * 1974-02-01 1976-12-21 Delphic Research Laboratories, Inc. Heating device containing electrically conductive composition
US3945217A (en) * 1974-04-04 1976-03-23 Whirlpool Corporation Refrigeration system defrost control
US4190467A (en) * 1978-12-15 1980-02-26 Western Electric Co., Inc. Semiconductor device production
US4320286A (en) * 1979-12-07 1982-03-16 Sierracin Corporation Heater element
US4413766A (en) * 1981-04-03 1983-11-08 General Electric Company Method of forming a conductor pattern including fine conductor runs on a ceramic substrate
US4980557A (en) * 1988-06-06 1990-12-25 Extrel Corporation Method and apparatus surface ionization particulate detectors
US4962441A (en) * 1989-04-10 1990-10-09 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic wafer blade clamp
US5108785A (en) * 1989-09-15 1992-04-28 Microlithics Corporation Via formation method for multilayer interconnect board
DE69111493T2 (de) * 1990-03-12 1996-03-21 Ngk Insulators Ltd Wafer-Heizgeräte für Apparate, zur Halbleiterherstellung Heizanlage mit diesen Heizgeräten und Herstellung von Heizgeräten.
US5206482A (en) * 1990-11-08 1993-04-27 Smuckler Jack H Self regulating laminar heating device and method of forming same
US5315473A (en) * 1992-01-21 1994-05-24 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic chuck and excitation method
US5800618A (en) * 1992-11-12 1998-09-01 Ngk Insulators, Ltd. Plasma-generating electrode device, an electrode-embedded article, and a method of manufacturing thereof
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
US6089182A (en) * 1995-08-17 2000-07-18 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US6055150A (en) * 1996-05-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Multi-electrode electrostatic chuck having fuses in hollow cavities
US5948704A (en) * 1996-06-05 1999-09-07 Lam Research Corporation High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US5820723A (en) * 1996-06-05 1998-10-13 Lam Research Corporation Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US6090210A (en) * 1996-07-24 2000-07-18 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas flow control in a process chamber
US5993594A (en) * 1996-09-30 1999-11-30 Lam Research Corporation Particle controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US6033585A (en) * 1996-12-20 2000-03-07 Lam Research Corporation Method and apparatus for preventing lightup of gas distribution holes
US6035868A (en) * 1997-03-31 2000-03-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for control of deposit build-up on an inner surface of a plasma processing chamber
US6286451B1 (en) * 1997-05-29 2001-09-11 Applied Materials, Inc. Dome: shape and temperature controlled surfaces
JP3746594B2 (ja) * 1997-06-20 2006-02-15 日本碍子株式会社 セラミックスの接合構造およびその製造方法
US5896259A (en) * 1997-08-05 1999-04-20 Raytheon Company Preheating device for electronic circuits
US5997649A (en) * 1998-04-09 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Stacked showerhead assembly for delivering gases and RF power to a reaction chamber
US5886866A (en) * 1998-07-06 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a combination electrode structure for substrate chucking, heating and biasing
US6094334A (en) * 1999-03-02 2000-07-25 Applied Materials, Inc. Polymer chuck with heater and method of manufacture
US6320736B1 (en) * 1999-05-17 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Chuck having pressurized zones of heat transfer gas
US6423949B1 (en) * 1999-05-19 2002-07-23 Applied Materials, Inc. Multi-zone resistive heater
JP4005268B2 (ja) * 1999-06-01 2007-11-07 日本碍子株式会社 セラミックスと金属との接合構造およびこれに使用する中間挿入材
US20040016746A1 (en) * 1999-12-29 2004-01-29 Ibiden Co., Ltd. Ceramic heater
JP3654142B2 (ja) * 2000-01-20 2005-06-02 住友電気工業株式会社 半導体製造装置用ガスシャワー体
JP2005175508A (ja) * 2000-01-20 2005-06-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ガスシャワー体
US6237528B1 (en) * 2000-01-24 2001-05-29 M.E.C. Technology, Inc. Showerhead electrode assembly for plasma processing
JP3578398B2 (ja) * 2000-06-22 2004-10-20 古河スカイ株式会社 成膜用ガス分散プレート及びその製造方法
US6439115B1 (en) * 2000-08-30 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Uphill screen printing in the manufacturing of microelectronic components
US6620520B2 (en) * 2000-12-29 2003-09-16 Lam Research Corporation Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
US6632323B2 (en) * 2001-01-31 2003-10-14 Plasmion Corporation Method and apparatus having pin electrode for surface treatment using capillary discharge plasma
US6830622B2 (en) * 2001-03-30 2004-12-14 Lam Research Corporation Cerium oxide containing ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and methods of manufacture thereof
US6786175B2 (en) * 2001-08-08 2004-09-07 Lam Research Corporation Showerhead electrode design for semiconductor processing reactor
US20030037879A1 (en) * 2001-08-24 2003-02-27 Applied Materials, Inc. Top gas feed lid for semiconductor processing chamber
US20030070760A1 (en) * 2001-10-15 2003-04-17 Plasmion Corporation Method and apparatus having plate electrode for surface treatment using capillary discharge plasma
US6946033B2 (en) * 2002-09-16 2005-09-20 Applied Materials Inc. Heated gas distribution plate for a processing chamber
US7132625B2 (en) * 2002-10-03 2006-11-07 Ppg Industries Ohio, Inc. Heatable article having a configured heating member
KR20040070008A (ko) * 2003-01-29 2004-08-06 쿄세라 코포레이션 정전척
US20060105182A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Applied Materials, Inc. Erosion resistant textured chamber surface
US7221553B2 (en) * 2003-04-22 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Substrate support having heat transfer system
US20040222210A1 (en) * 2003-05-08 2004-11-11 Hongy Lin Multi-zone ceramic heating system and method of manufacture thereof
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
US7879182B2 (en) * 2003-12-26 2011-02-01 Foundation For Advancement Of International Science Shower plate, plasma processing apparatus, and product manufacturing method
TWI281833B (en) * 2004-10-28 2007-05-21 Kyocera Corp Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater
US9215788B2 (en) * 2005-01-18 2015-12-15 Alma Lasers Ltd. System and method for treating biological tissue with a plasma gas discharge
US20060162661A1 (en) * 2005-01-22 2006-07-27 Applied Materials, Inc. Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition
JP2006210727A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
JP2007088411A (ja) * 2005-06-28 2007-04-05 Hitachi High-Technologies Corp 静電吸着装置およびウエハ処理装置ならびにプラズマ処理方法
US7672110B2 (en) * 2005-08-29 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having textured contact surface
JP2007242777A (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP2007258610A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd アルミナ焼成体
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
JP5245268B2 (ja) * 2006-06-16 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び熱処理装置
US9275887B2 (en) * 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US7589950B2 (en) * 2006-10-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
JP5654238B2 (ja) * 2006-12-28 2015-01-14 ネーデルランツ オルガニサティー フォール トゥーゲパストナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズーク テーエンオー 表面誘電体バリア放電プラズマユニット、および表面プラズマを発生させる方法
JP2008205219A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Masato Toshima シャワーヘッドおよびこれを用いたｃｖｄ装置
JP4903610B2 (ja) * 2007-03-27 2012-03-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20080299326A1 (en) * 2007-05-30 2008-12-04 Asm Japan K.K. Plasma cvd apparatus having non-metal susceptor
JP5058727B2 (ja) * 2007-09-06 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 天板構造及びこれを用いたプラズマ処理装置
CN101809717B (zh) * 2007-09-25 2012-10-10 朗姆研究公司 用于等离子处理设备的喷头电极总成的温度控制模块
US20090095222A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-16 Alexander Tam Multi-gas spiral channel showerhead
JP5466951B2 (ja) * 2008-01-18 2014-04-09 京セラ株式会社 プラズマ発生体、プラズマ発生体を用いた放電装置および反応装置
JP4709238B2 (ja) * 2008-02-08 2011-06-22 株式会社日立製作所 Ｃｕ系配線用材料およびそれを用いた電子部品
JP4450106B1 (ja) * 2008-03-11 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び処理装置
JP5396745B2 (ja) * 2008-05-23 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5433171B2 (ja) * 2008-06-16 2014-03-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料温度の制御方法
JP2011530833A (ja) * 2008-08-12 2011-12-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 静電チャックアセンブリ
TWI498053B (zh) * 2008-12-23 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 電漿激發模組
JP5361457B2 (ja) * 2009-03-06 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極
JP5683822B2 (ja) * 2009-03-06 2015-03-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極
KR101386552B1 (ko) * 2009-08-20 2014-04-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 방법과 플라즈마 에칭 처리 장치 및 방법
KR20120063484A (ko) * 2009-09-17 2012-06-15 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치용 가스 공급 기구
JP5675138B2 (ja) * 2010-03-25 2015-02-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20120074126A1 (en) * 2010-03-26 2012-03-29 Applied Materials, Inc. Wafer profile modification through hot/cold temperature zones on pedestal for semiconductor manufacturing equipment
JP5740203B2 (ja) * 2010-05-26 2015-06-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造
KR101772723B1 (ko) * 2010-06-28 2017-08-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법
JP5597456B2 (ja) * 2010-06-29 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 誘電体の厚さ設定方法、及び電極に設けられた誘電体を備える基板処理装置
US9969022B2 (en) * 2010-09-28 2018-05-15 Applied Materials, Inc. Vacuum process chamber component and methods of making
KR101843609B1 (ko) * 2011-03-04 2018-05-14 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 하이브리드 세라믹 샤워헤드
TWI534291B (zh) * 2011-03-18 2016-05-21 應用材料股份有限公司 噴淋頭組件
JP5795065B2 (ja) * 2011-06-16 2015-10-14 京セラ株式会社 プラズマ発生体及びプラズマ発生装置
WO2013031800A1 (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 京セラ株式会社 プラズマ発生体及びプラズマ発生装置
JP6389181B2 (ja) * 2012-09-19 2018-09-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板を結合する方法
US9018022B2 (en) * 2012-09-24 2015-04-28 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly in a capacitively coupled plasma processing apparatus
US9685356B2 (en) * 2012-12-11 2017-06-20 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having metal bonded protective layer
US9449795B2 (en) * 2013-02-28 2016-09-20 Novellus Systems, Inc. Ceramic showerhead with embedded RF electrode for capacitively coupled plasma reactor
JP6050722B2 (ja) * 2013-05-24 2016-12-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びフィルタユニット
JP6463755B2 (ja) * 2013-08-16 2019-02-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 半導体装置のためのシーリング溝の方法
US10217615B2 (en) * 2013-12-16 2019-02-26 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and component thereof including an optical fiber for determining a temperature thereof
TWI663681B (zh) * 2014-02-07 2019-06-21 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 靜電夾具以及製造其之方法
US10249511B2 (en) * 2014-06-27 2019-04-02 Lam Research Corporation Ceramic showerhead including central gas injector for tunable convective-diffusive gas flow in semiconductor substrate processing apparatus
KR102164611B1 (ko) * 2014-07-02 2020-10-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 매립형 광섬유들 및 에폭시 광학 확산기들을 사용하는 기판들의 온도 제어를 위한 장치, 시스템들, 및 방법들
US10008404B2 (en) * 2014-10-17 2018-06-26 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly for high temperature processes
US9666467B2 (en) * 2014-11-21 2017-05-30 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Detachable high-temperature electrostatic chuck assembly
JP6361495B2 (ja) * 2014-12-22 2018-07-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US10008399B2 (en) * 2015-05-19 2018-06-26 Applied Materials, Inc. Electrostatic puck assembly with metal bonded backing plate for high temperature processes
US9673025B2 (en) * 2015-07-27 2017-06-06 Lam Research Corporation Electrostatic chuck including embedded faraday cage for RF delivery and associated methods for operation, monitoring, and control
US10186437B2 (en) * 2015-10-05 2019-01-22 Lam Research Corporation Substrate holder having integrated temperature measurement electrical devices
JP2019504481A (ja) * 2015-12-07 2019-02-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 静電チャックを使用した基板の固定と開放のための方法及び装置
US10249526B2 (en) * 2016-03-04 2019-04-02 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly for high temperature processes
US20180148835A1 (en) * 2016-11-29 2018-05-31 Lam Research Corporation Substrate support with varying depths of areas between mesas and corresponding temperature dependent method of fabricating
US20180204747A1 (en) * 2017-01-17 2018-07-19 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having surface features to improve thermal performance

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