JP2022511063A - 温度の影響を受けやすいプロセスのための改善された熱的結合を有する静電チャック - Google Patents
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Abstract
静電チャック（ＥＳＣ）と基板との間の熱的結合を改善するために内部ガスチャネルを有するＥＳＣ、ならびにＥＳＣを組み込む基板支持体およびプロセスチャンバの実施形態が、本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、静電チャックは、電極と、円板形状を有し、電極を覆う誘電体であって、中心領域および周辺領域を含み、中心開口を有する下面、ならびに中心領域内の第１の開口および周辺領域内の複数の第２の開口を有する上面を含み、上面が複数の突起を含み、複数の第２の開口のそれぞれの直径が２５．０ミルより大きい、誘電体と、下面から上面へ延びて誘電体内にプレナムを画定するガス分配チャネルとを含む。【選択図】 図３
Description
本開示の実施形態は、一般に基板処理機器に関し、より詳細には処理機器で使用される基板支持体に関する。
基板上に薄膜層を形成するために、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバなどの堆積チャンバが使用されることが多い。堆積プロセスは、高い真空圧を必要とする。堆積プロセス中に基板支持体上で基板を静電的に保持するために、静電チャックが使用されることが多い。静電チャックは、典型的に、１つまたは複数の電極が配置された誘電体を含む。静電チャックは、静電チャック上に基板が配置されたときに基板に熱的結合を提供するために埋め込まれた１つまたは複数のヒータを有することができる。
しかし、本発明者らは、特定の堆積プロセスが温度の影響を非常に受けやすいことを観察した。したがって、本発明者らは、静電チャックと基板との間に改善された熱的結合を有する、物理的気相堆積を介して材料を堆積させるための改善された装置を提供する。
静電チャック（ＥＳＣ）と基板との間の熱的結合を改善するために内部ガスチャネルを有するＥＳＣ、ならびにＥＳＣを組み込む基板支持体およびプロセスチャンバの実施形態が、本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、静電チャックは、電極と、円板形状を有し、電極を覆う誘電体であって、中心領域および周辺領域を含み、中心開口を有する下面、ならびに中心領域内の第１の開口および周辺領域内の複数の第２の開口を有する上面を含み、上面が複数の突起を含み、複数の第２の開口のそれぞれの直径が２５．０ミルより大きい、誘電体と、下面から上面へ延びて誘電体内にプレナムを画定するガス分配チャネルであって、中心開口から第１の開口へ延びる第１のチャネル、第１のチャネルから周辺領域内に配置された環状チャネルへ延びる複数の半径方向チャネル、および環状チャネルから複数の第２の開口へ延びる複数の第２のチャネルを含む、ガス分配チャネルと、誘電体内に配置されたヒータとを含む。
いくつかの実施形態では、基板支持体は、中空シャフトおよびペデスタルを含み、ペデスタルは、中空シャフトに結合されたハウジングと、電極を覆う誘電体であって、ハウジングに結合されており、誘電体の中心領域内の第１の開口および誘電体の周辺領域内の複数の第２の開口を有する上面、ならびに中心開口を有する下面を含む、誘電体と、中心開口から第１の開口へ延びる第１のチャネル、第１のチャネルから周辺領域内に配置された環状チャネルへ延びる複数の半径方向チャネル、および環状チャネルから複数の第２の開口へ延びる複数の第２のチャネルを含むプレナムであって、環状チャネルから複数の第２の開口までの複数の第２のチャネルの長さが１２０．０ミルより大きい、プレナムと、誘電体内に配置された１つまたは複数の加熱要素とを含む。
いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に配置されており、中空シャフトに結合されたペデスタルを有する基板支持体であって、ペデスタルが電極を覆う誘電体を有し、誘電体が上面および下面を含み、上面が、基板を受け取るように構成され、上面が、誘電体の中心領域内の第１の開口および誘電体の周辺領域内の複数の第２の開口を有し、下面が中心開口を有し、複数の第２の開口のそれぞれの直径が２５．０ミルより大きい、基板支持体と、誘電体内に配置されたヒータと、チャンバ本体の外側に配置されたガス供給から中心開口へ延びるガス導管と、中心開口から複数の第２の開口へ延びるガス分配チャネルであって、ガス導管と流体連結している、ガス分配チャネルとを含む。いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセスチャンバとすることができる。
本開示の他のさらなる実施形態は、以下に記載する。
上記に簡単に要約し、以下により詳細に論じる本開示の実施形態は、添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態にも適用することができるため、添付の図面は本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって範囲を限定すると見なされるべきではない。
理解を容易にするために、可能な場合、これらの図に共通する同一の要素を指すために同一の参照番号を使用する。これらの図は原寸に比例して描かれておらず、見やすいように簡略化されていることがある。さらなる記載がなくても、一実施形態の要素および特徴を他の実施形態に有益に組み込むことができる。
静電チャック（ＥＳＣ）と基板との間の熱的結合を改善するために内部ガスチャネルを有するＥＳＣ、ならびにＥＳＣを組み込む基板支持体およびプロセスチャンバの実施形態が、本明細書に提供される。内部ガスチャネルは、ＥＳＣの下面に配置された単一の入口から、ＥＳＣの上面に配置された複数の出口へ延びることができる。単一の入口は、たとえばアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）などを含む裏側ガス供給に結合される。裏側ガスは、内部ガスチャネルを通って流れ、ＥＳＣおよび基板の熱的結合を有利に改善し、基板が加熱されたときに基板にわたって改善された温度均一性を提供するように構成される。単一の入口からＥＳＣの上面の複数の出口へ延びる内部ガスチャネルは、ＥＳＣの上面の複数の出口に結合された複数の裏側ガス供給ラインと比較すると、単一の裏側ガス供給ラインへの容易な接続を提供する。
図１は、本開示のいくつかの実施形態によるプロセスチャンバ（たとえば、プラズマ処理チャンバ）の概略断面図である。いくつかの実施形態では、プラズマ処理チャンバは、物理的気相堆積（ＰＶＤ）処理チャンバである。しかし、異なるプロセス向けに構成された他のタイプの処理チャンバもまた、本明細書に記載する静電チャックの実施形態で使用することができ、または本明細書に記載する静電チャックの実施形態で使用するために修正することができる。
チャンバ１００は、基板処理中にチャンバ内部体積１２０内で準大気圧を維持するように好適に適合された真空チャンバである。チャンバ１００は、チャンバ内部体積１２０の上半分に位置する処理体積１１９を密閉する蓋１０４によって覆われたチャンバ本体１０６を含む。チャンバ１００はまた、様々なチャンバ部品に外接してそのような部品とイオン化プロセス材料との間の望ましくない反応を防止する１つまたは複数のシールド１０５を含むことができる。チャンバ本体１０６および蓋１０４は、アルミニウムなどの金属から作ることができる。チャンバ本体１０６は、接地１１５への結合を介して接地させることができる。
チャンバ内部体積１２０内には、たとえば半導体ウエハまたは静電的に保持することができる他の基板などの基板１２２を支持および保持するように、基板支持体１２４が配置される。基板支持体１２４は、概して、ペデスタル１３６を備えることができ、ペデスタル１３６は、静電チャック１５０（図２～図４に関して以下でより詳細に記載）と、静電チャック１５０を支持するための中空の支持シャフト１１２とを有する。静電チャック１５０は、１つまたは複数の電極１５４が配置された誘電体を含む。中空の支持シャフト１１２は、たとえば裏側ガス、プロセスガス、流体、冷却材、電力などを静電チャック１５０へ提供するための導管を提供する。
いくつかの実施形態では、中空の支持シャフト１１２は、上部処理位置（図１に示す）と下部伝達位置（図示せず）との間で静電チャック１５０の垂直運動を提供するアクチュエータまたはモータなどのリフト機構１１３に結合される。中空の支持シャフト１１２の周りにベローズアセンブリ１１０が配置され、静電チャック１５０とチャンバ１００の底面１２６との間に結合されて、静電チャック１５０の垂直運動を可能にしながらチャンバ１００内からの真空の損失を防止する可撓性の封止を提供する。ベローズアセンブリ１１０はまた、下部ベローズフランジ１６４を含み、下部ベローズフランジ１６４は、チャンバ真空の損失を防止するのを助けるために底面１２６に接触するＯリング１６５または他の好適な封止要素に接触している。
中空の支持シャフト１１２は、裏側ガス供給１４１、チャック電源１４０、およびＲＦ源（たとえば、ＲＦプラズマ電源１７０およびＲＦバイアス電源１１７）を静電チャック１５０に結合するための導管を提供する。いくつかの実施形態では、ＲＦプラズマ電源１７０によって供給されるＲＦエネルギーは、約４０ＭＨｚ以上の周波数を有することができる。裏側ガス供給１４１は、チャンバ本体１０６の外側に配置され、静電チャック１５０へ熱伝達ガスを供給する。いくつかの実施形態では、ＲＦプラズマ電源１７０およびＲＦバイアス電源１１７は、それぞれのＲＦ整合ネットワーク（ＲＦ整合ネットワーク１１６のみを示す）を介して、静電チャックに結合される。いくつかの実施形態では、基板支持体は、別法として、ＡＣ、ＤＣ、またはＲＦバイアス電力を含むことができる。
基板リフト１３０が、シャフト１１１に接続されたプラットフォーム１０８上に取り付けられたリフトピン１０９を含むことができ、シャフト１１１は、基板リフト１３０を上下させるための第２のリフト機構１３２に結合されており、したがって基板１２２を静電チャック１５０上に配置しまたは静電チャック１５０から取り出すことができる。静電チャック１５０は、リフトピン１０９を受け取るための貫通孔を含む。基板リフト１３０と底面１２６との間にベローズアセンブリ１３１が結合されて、基板リフト１３０の垂直運動中にチャンバ真空を維持する可撓性の封止を提供する。
静電チャック１５０は、静電チャック１５０の下面から静電チャック１５０の上面の様々な開口へ延びるガス分配チャネル１３８を含む。ガス分配チャネル１３８は、ガス導管１４２を介して裏側ガス供給１４１に流体連結している。ガス分配チャネル１３８は、電極１５４の下に延びる。ペデスタル１３６は、１つまたは複数のヒータを含む。たとえば、いくつかの実施形態では、ペデスタル１３６は、ペデスタル１３６の内側部分へ熱を提供するように構成された１つまたは複数の抵抗加熱要素３０８を有する内側ヒータ１４４を含む。いくつかの実施形態では、ペデスタル１３６は、ペデスタル１３６の周辺領域内に配置され、ペデスタル１３６の外側部分へ熱を提供するように構成された外側ヒータ１４８をさらに含むことができる。外側ヒータ１４８は、１つまたは複数の抵抗加熱要素３１０を含む。中空の支持シャフト１１２は、内側ヒータ１４４の加熱要素に電力を供給するように第１のリード１７２を介して内側ヒータ１４４に結合された電源（たとえば、ＡＣ電源１６２）をさらに含む。ＡＣ電源１６２はまた、第２のリード１７４を介して外側ヒータ１４８の加熱要素にも電力を供給することができる。別法として、第２のリード１７４は、内側ヒータ１４４に結合された電源とは独立した電源に結合することもできる。いくつかの実施形態では、内側ヒータ１４４は、ペデスタル１３６の中心領域内に配置される。いくつかの実施形態では、外側ヒータ１４８は、ペデスタル１３６の周辺領域内に配置される。電源によって内側ヒータ１４４に印加される電力は、外側ヒータ１４８に印加される電力とは異なってもよい。したがって、いくつかの実施形態では、基板支持体１２４は、デュアルゾーン温度制御を含む。
チャンバ１００は、真空システム１１４に結合されて真空システム１１４と流体連結しており、真空システム１１４は、チャンバ１００を排気するために使用されるスロットルバルブ（図示せず）および真空ポンプ（図示せず）を含む。スロットルバルブおよび／または真空ポンプを調整することによって、チャンバ１００内の圧力を調節することができる。チャンバ１００はまた、プロセスガス供給１１８に結合されてプロセスガス供給１１８と流体連結しており、プロセスガス供給１１８は、チャンバ１００内に配置された基板を処理するために１つまたは複数のプロセスガスをチャンバ１００へ供給することができる。
たとえば、動作の際、１つまたは複数のプロセスを実行するために、チャンバ内部体積１２０内にプラズマ１０２を生じさせることができる。チャンバ内部体積１２０付近またはチャンバ内部体積１２０内の１つまたは複数の電極１５４を介してプラズマ電源（たとえば、ＲＦプラズマ電源１７０）からの電力をプロセスガスへ結合し、プロセスガスに点火してプラズマ１０２を生じさせることによって、プラズマ１０２を生じさせることができる。いくつかの実施形態では、容量結合されたバイアス板（後述）を介してバイアス電源（たとえば、ＲＦバイアス電源１１７）から静電チャック１５０内の１つまたは複数の電極１５４へバイアス電力を提供し、プラズマからのイオンを基板１２２の方へ引き付けることもできる。静電チャックは、電極の上に特定の厚さを有することができる。この厚さは、電極の上の許容できる厚さ範囲を指定する仕様に基づくことができる。ジョンソン－ラーベック（Ｊ－Ｒ）タイプの静電チャックの場合、この厚さを約２００～３００μｍとすることができる。別法として、仕様は、静電チャックの許容できる厚さについて記載することもできる。
いくつかの実施形態では、たとえばチャンバ１００がＰＶＤチャンバである場合、基板１２２上に堆積させるためのソース材料を含むターゲット１６６を、チャンバ内部体積１２０内で基板の上に配置することができる。ターゲット１６６は、チャンバ１００の接地された導電部分、たとえば誘電体アイソレータを通るアルミニウムアダプタによって支持することができる。他の実施形態では、チャンバ１００は、同じチャンバを使用して異なる材料の層を堆積させるために、複数のターゲットをマルチカソード配置で含むことができる。
負の電圧またはバイアスをターゲット１６６に印加するために、制御可能なＤＣ電源１６８をチャンバ１００に結合することができる。ＲＦバイアス電源１１７を基板支持体１２４に結合して、基板１２２に対して負のＤＣバイアスを誘起することができる。加えて、いくつかの実施形態では、処理中に基板１２２上に負のＤＣ自己バイアスを形成することができる。いくつかの実施形態では、基板１２２上の堆積率の半径方向の分布の制御を容易にするために、ＲＦプラズマ電源１７０をチャンバ１００に結合して、ターゲット１６６にＲＦ電力を印加することもできる。動作の際、チャンバ１００内で生じたプラズマ１０２のイオンは、ターゲット１６６からのソース材料と反応する。この反応により、ターゲット１６６はソース材料の原子を放出し、次いでこれらの原子は基板１２２の方へ誘導され、したがって材料を堆積させる。
図２は、本開示の少なくともいくつかの実施形態による静電チャックの上面図を示す。静電チャックは、上面２０４を含む。１つまたは複数の貫通孔２１６が、リフトピン１０９を収容するように静電チャック１５０を通って延びる。図２に示すように、静電チャック１５０は、静電チャックの周辺領域内に配置された３つの貫通孔２１６を含む。上面は、静電チャック１５０の中心領域内に配置された第１の開口２０８を含む。いくつかの実施形態では、静電チャック１５０の上部周辺部分は、上面２０４に平行な下部平縁２１４を画定するノッチを含む。
上面は、静電チャック１５０の周辺領域内に配置された複数の第２の開口２１０を含む。図２に示すように、複数の第２の開口２１０は、第１の開口２０８の周りに規則的な間隔（たとえば、互いから等距離）で配置された８つの第２の開口を含む。いくつかの実施形態では、複数の第２の開口２１０は、第１の開口２０８の周りに単一の環状パターンで（たとえば、共通の直径に沿って）配置される。いくつかの実施形態では、複数の第２の開口２１０は、第１の開口２０８から約２００．０ｍｍ～約２８０．０ｍｍあけて配置される。いくつかの実施形態では、複数の第２の開口は、第１の開口２０８から約２２０．０ｍｍ～約２６０．０ｍｍあけて配置される。いくつかの実施形態では、複数の第２の開口２１０は、第１の開口２０８の周りに複数の環状パターンで配置される（たとえば、複数の異なる直径に沿って配置される）。図２は８つの第２の開口を示すが、複数の第２の開口２１０は、より多い開口またはより少ない開口からなることもできる。たとえば、いくつかの実施形態では、複数の第２の開口２１０は、４つの開口を含むことができる。いくつかの実施形態では、複数の第２の開口２１０は、１６個の開口を含むことができる。
上面２０４は、上面２０４から延びる複数の突起２０６を含む。複数の突起２０６は、突起２０６間に凹み２１２を画定する。凹み２１２は、基板１２２と静電チャック１５０との間の熱的結合を有利に改善するために、基板受取り面２２８上に基板が配置されている間に、静電チャック１５０の上面２０４にわたって裏側ガスを流すように構成される。突起２０６は、様々な形状を有することができ、異なるサイズとすることができる。いくつかの実施形態では、突起２０６のサイズおよび形状は、静電チャック１５０にわたって変動する。突起２０６（たとえば、突起２０６の上面）は、基板受取り面２２８をともに画定する。突起２０６の深さ、幅、および密度は、静電チャック１５０にわたって均一のガス分布を強化するように設計される。いくつかの実施形態では、静電チャック１５０の周辺領域に改善された熱的結合を有利に提供するために、静電チャック１５０の中心領域内の第１の組の突起２２６は、静電チャック１５０の周辺領域内の第２の組の突起２１８より大きい表面積または密度を有する。
静電チャック１５０は、静電チャック１５０の中心領域内に第１の熱電対開口２２０を含む。いくつかの実施形態では、静電チャック１５０は、静電チャック１５０の中心領域内に第２の熱電対開口２２２を含む。いくつかの実施形態では、第１の熱電対開口２２０および第２の熱電対開口２２２は、第１の開口２０８付近に配置される。いくつかの実施形態では、第１の熱電対開口２２０および第２の熱電対開口２２２は、第１の開口２０８の周りで互いに反対の位置に配置される。いくつかの実施形態では、静電チャック１５０は、静電チャック１５０の中心領域と周辺領域との間の境界面に第３の熱電対開口２２４を含む。
第１の熱電対開口２２０、第２の熱電対開口２２２、および第３の熱電対開口２２４は、静電チャック１５０内に埋め込むことができる熱電対を収容することができ、熱電対を使用して静電チャック１５０の温度を監視することができる。たとえば、熱電対からの信号をフィードバックループで使用して、ＡＣ電源１６２によって内側ヒータ１４４および外側ヒータ１４８に印加される電力を制御することができる。第１の熱電対開口２２０および第２の熱電対開口２２２の両方を中心領域内に有することで、冗長温度監視が提供され、フィードバックループに対するより正確な温度測定が可能になることが有利である。周辺領域または周辺領域付近に第３の熱電対開口２２４を有することで、周辺領域における温度監視が提供され、これは複数のヒータを有する基板支持体にとって有利である。
図３は、基板支持体の概略側面図を示す。基板支持体１２４はペデスタル１３６を含み、ペデスタル１３６は、底部３１６と、底部３１６から上方へ延びる側壁３１８とを有する。底部３１６および側壁３１８は、ペデスタル１３６のハウジングを形成する。静電チャック１５０は、側壁３１８上に位置する。細部を曖昧にしないために、静電チャック１５０の概略側面図には陰影が示されていない。底部３１６は、中空の支持シャフト１１２に結合される。底部３１６には、締め具３３６を介して冷却板３２８が結合される。冷却板３２８は、チャンバ１００に対して何らかの保守が実行されるまでの静電チャック１５０の冷却時間を有利に低減させるために、静電チャック１５０を冷却するように構成される。
静電チャック１５０は、中心領域３１２および周辺領域３２０を含む。いくつかの実施形態では、中心領域は、約１５０．０ｍｍ～約２１０．０ｍｍの直径を有する。周辺領域３２０は、中心領域の外縁部から静電チャック１５０の外縁部へ延びる。静電チャック１５０は、上面２０４とは反対の位置に下面３０６を含む。下面３０６は、中心領域３１２内に配置された中心開口３０２を含む。第１のチャネル３２４は、下面３０６の中心開口３０２から上面２０４の第１の開口２０８へ延びる。第１のチャネル３２４は、ガス導管１４２に流体結合される。半径方向チャネル２３４が、第１のチャネル３２４から周辺領域３２０内に配置された環状チャネル２４０へ延びる。複数の第２のチャネル３３０が、環状チャネル２４０から複数の第２の開口２１０へ延びる。いくつかの実施形態では、第１のチャネル３２４は、第２のチャネル３３０に類似した直径を有する。いくつかの実施形態では、第１のチャネル３２４は、第２のチャネル３３０の直径より大きい直径を有する。半径方向チャネル２３４および環状チャネル２４０は、電極１５４の下に配置される。したがって、電極１５４のチャッキング力は、ガス分配チャネル１３８の深さによる影響を受けない。いくつかの実施形態では、環状チャネル２４０から複数の第２の開口２１０までの複数の第２のチャネル３３０の長さは、１２０．０ミルより大きい。いくつかの実施形態では、複数の第２のチャネル３３０の長さは、約１６０．０ミル～約２００．０ミルである。
ガス分配チャネル１３８は、第１のチャネル３２４、半径方向チャネル２３４、環状チャネル２４０、および複数の第２のチャネル３３０によって画定されたプレナム３２２を含む。複数の第２のチャネル３３０は、第１のチャネル３２４とともに、静電チャック１５０の上面２０４にわたって裏側ガスを均一に分配することが有利である。複数の第２の開口２１０および第１の開口２０８は、改善されたガス伝導力にとって十分に大きいが、ガス点火を抑制するのに十分に小さい。いくつかの実施形態では、複数の第２の開口２１０および第１の開口２０８のそれぞれの直径は２５．０ミルより大きく、したがって裏側ガスは、改善されたガス伝導力にとって好適な速度で上面２０４へ流れることができる。いくつかの実施形態では、複数の第２の開口のそれぞれの直径は、約３６．０ｍｍ～約４２．０ｍｍである。
図４は、図２の静電チャックの断面上面図を示す。図４に示すように、ガス分配チャネル１３８は、第１のチャネル３２４から環状チャネル２４０へ延びる４つの半径方向チャネル２３４を含む。４つの半径方向チャネル２３４はそれぞれ、隣接する半径方向チャネル２３４から約９０度あけて半径方向外方へ延びる。いくつかの実施形態では、半径方向チャネル２３４は、第２のチャネル３３０に対応する位置で環状チャネル２４０に結合する。いくつかの実施形態では、半径方向チャネル２３４は、第２のチャネル３３０に対応しない位置で環状チャネル２４０に結合する。たとえば、いくつかの実施形態では、静電チャック１５０は、８つの第２のチャネル３３０および４つの半径方向チャネル２３４を含み、半径方向チャネル２３４はそれぞれ、隣接する第２のチャネル３３０間に延びる。いくつかの実施形態では、半径方向チャネル２３４は、隣接する第２のチャネル３３０間のほぼ中間に延び、したがって各第２のチャネル３３０間の距離は、最も近い半径方向チャネル２３４から等距離であり、裏側ガスは、第２のチャネル３３０のすべてへより均一に流れることができる。環状チャネル２４０は、第２のチャネル３３０の数を半径方向チャネル２３４の数より大きくすることを可能にすることが有利である。
上記は本開示の実施形態を対象としたが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することもできる。
Claims (15)
- 電極と、
円板形状を有し、前記電極を覆う誘電体であって、中心領域および周辺領域を含み、中心開口を有する下面、ならびに前記中心領域内の第１の開口および前記周辺領域内の複数の第２の開口を有する上面を含み、前記上面が複数の突起を含み、前記複数の第２の開口のそれぞれの直径が２５．０ミルより大きい、誘電体と、
前記下面から前記上面へ延びて前記誘電体内にプレナムを画定するガス分配チャネルであって、前記中心開口から前記第１の開口へ延びる第１のチャネル、前記第１のチャネルから前記周辺領域内に配置された環状チャネルへ延びる複数の半径方向チャネル、および前記環状チャネルから前記複数の第２の開口へ延びる複数の第２のチャネルを含む、ガス分配チャネルと、
前記誘電体内に配置されたヒータと
を備える静電チャック。 - 前記複数の半径方向チャネルのそれぞれが、隣接する第２のチャネル間に延びる、請求項１に記載の静電チャック。
- 前記複数の第２の開口が、前記第１の開口から等距離をあけて前記周辺領域に沿って規則的な間隔で配置された８つの第２の開口を含む、請求項２に記載の静電チャック。
- 前記複数の半径方向チャネルが、４つの半径方向チャネルを含む、請求項３に記載の静電チャック。
- 前記環状チャネルから前記複数の第２の開口までの前記複数の第２のチャネルの長さが、１２０．０ミルより大きい、請求項１～４のいずれか１項に記載の静電チャック。
- 前記複数の突起が、前記突起間に基板受取り面および凹みを画定し、前記凹みが、前記複数の突起上に基板が配置されている間に、前記誘電体にわたってガスを流すように構成される、請求項１～４のいずれか１項に記載の静電チャック。
- 前記複数の突起が、前記静電チャックの前記中心領域内に配置された第１の組の突起を含み、前記第１の組の突起が、前記静電チャックの前記周辺領域内に配置された第２の組の突起より大きい表面積を有する、請求項６に記載の静電チャック。
- 前記誘電体が、熱電対を収容するための開口を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の静電チャック。
- 前記ヒータが、前記中心領域内に配置された抵抗加熱要素を有する内側ヒータと、前記周辺領域内に配置された抵抗加熱要素を有する外側ヒータとを備える、請求項１～４のいずれか１項に記載の静電チャック。
- 中空シャフトと、
前記中空シャフトに結合されたハウジングと、
請求項１～４のいずれか１項に記載の静電チャックとを備え、前記誘電体が前記ハウジングに結合され、前記ヒータが、前記誘電体内に配置された１つまたは複数の加熱要素を備える、
基板支持体。 - 前記ペデスタルが、リフトピンを収容するための１つまたは複数の貫通孔を含む、請求項１０に記載の基板支持体。
- 前記ペデスタルが、前記ペデスタルの底部に結合された冷却板をさらに備える、請求項１０に記載の基板支持体。
- 前記１つまたは複数の加熱要素が、前記中心領域内に配置された第１の抵抗加熱要素と、前記周辺領域内に配置された第２の抵抗加熱要素とを備える、請求項１０に記載の基板支持体。
- 前記複数の第２の開口が、前記誘電体の前記周辺領域に沿って規則的な間隔で配置された８つの第２の開口を含む、請求項１０に記載の基板支持体。
- チャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置された請求項１０に記載の基板支持体と
を備えるプロセスチャンバ。
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