TW201421601A - 於基板處理系統中控制溫度 - Google Patents

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Juan Carlos Rocha-Alvarez
Amit Kumar Bansal
Ganesh Balasubramanian
jian-hua Zhou
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Applied Materials Inc
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Abstract

在此提供一種用於電漿處理基板的設備。該設備包含處理腔室、配置在該處理腔室中的基板支座以及耦接該處理腔室的蓋組件。該蓋組件包含耦接電源的導電氣體分配器(諸如面板)以及耦接導電氣體分配器的加熱器。分區阻隔板耦接該導電氣體分配器，且冷卻氣體帽蓋件耦接分區阻隔板。調諧電極可配置在該導電氣體分配器與腔室主體之間，以調整電漿的接地路徑。第二調諧電極可耦接基板支座，且偏壓電極也可耦接基板支座。

Description

於基板處理系統中控制溫度
此述的實施例關於半導體製造設備與方法。詳言之，此述的實施例關於半導體基板所用的電漿處理腔室。
50年來，積體電路上所形成的電晶體數目已大約每兩年變成兩倍。預計此兩年倍增趨勢(亦已知為摩爾定律)會持續，而在當前正設計中的未來製造程序中，形成在半導體晶片上的元件會從目前20至30奈米的臨界尺寸縮小至低於100埃。隨著元件幾何縮小，製造幾何(fabrication geometry)增加。如數年前300mm晶圓取代200mm晶圓，300mm晶圓將很快地被400mm晶圓取代。大面積半導體基板的處理在複雜精密度上有所增加，用於邏輯晶片的進而更大型的製造幾何可能觸手可及。
處理條件中的均勻度對於半導體製造而言一直都是相當重要的，且隨著元件的臨界尺寸持續減少且製造幾何增加，不均勻的容忍度也跟著減少。不均勻是由許多因素所造成，這些因素可能與元件性質、裝備特徵以及製造程序的化 學及物理環境相關。當半導體製造產業隨著摩爾定律進步，持續需要能夠非常均勻地處理的製造程序與裝備。
此述的實施例提供一種用於處理半導體基板的設備，該設備具有處理腔室、配置在該處理腔室中的基板支座以及蓋組件，該蓋組件包含耦接電力源的導電氣體分配器以及接觸該導電氣體分配器的加熱器。該蓋組件也可具有分區阻隔板，該分區阻隔板耦接導電氣體分配器，且提供多重分開的路徑以供處理氣體進入處理腔室內部。氣體帽蓋件(gas cap)提供至各種氣體路徑的門戶，且包括熱控制導管以循環流體。
電極可定位在導電氣體分配器與處理腔室之主體之間。該電極可以是調諧(tuning)電極，以調整腔室中的電漿條件，且該電極可以是環繞一部分處理空間的環形構件。該電極可耦接調諧電路，該調諧電路可以是LLC電路，該LLC電路包含電子控制器，諸如可變電容器，該電子控制器可用於調整處理腔室的接地路徑。電子感測器可用於監視電極108的電條件，且可耦接電子控制器以進行即時、閉路控制。
一或兩個電極也可耦接基板支座。一個電極可以是偏壓電極，且可耦接電力源。另一個電極可以是第二調諧電極，且可耦接第二調諧電路，該第二調諧電路具有第二電子感測器與第二電子控制器。
蓋組件的加熱器與熱控制導管可用於控制基板處理期間導電氣體分配器的溫度，同時第一調諧電極與第二調諧 電極可用於獨立地控制沉積速率與厚度的均勻度。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧腔室主體
104‧‧‧基板支座
106‧‧‧蓋組件
108‧‧‧第一電極
110‧‧‧隔離器
112‧‧‧隔離器
114‧‧‧導電氣體分配器
116‧‧‧加熱器
118‧‧‧開口
120‧‧‧處理空間
122‧‧‧第二電極
124‧‧‧第三電極
126‧‧‧開口
128‧‧‧第一調諧電路
130‧‧‧電子感測器
132‧‧‧電感器
134‧‧‧電子控制器
136‧‧‧第二調諧電路
138‧‧‧電子感測器
140‧‧‧電子控制器
142‧‧‧電力
144‧‧‧軸桿
146‧‧‧導管
148‧‧‧濾波器
150‧‧‧電力
152‧‧‧第一分區板
154‧‧‧氣室
156‧‧‧開口
158‧‧‧第二分區板
160‧‧‧氣室
162‧‧‧直通開口
164‧‧‧氣體帽蓋件
166‧‧‧門戶
168‧‧‧直通開口
170‧‧‧導管
172‧‧‧入口
174‧‧‧出口
176‧‧‧加熱元件
178‧‧‧門戶
180‧‧‧邊緣部分
200‧‧‧設備
202‧‧‧串接單元
204‧‧‧裝載閘組件
206‧‧‧裝載閘腔室
208‧‧‧腔室
210‧‧‧機器人
212‧‧‧處理氣體之供應源
300‧‧‧處理腔室
302‧‧‧調諧電路
304‧‧‧第二電感器
306‧‧‧第一電感器
400‧‧‧導電氣體分配器
402‧‧‧氣體通道
404‧‧‧開口
406‧‧‧側面
408‧‧‧支座插入開口
410‧‧‧儀器開口
412‧‧‧相接面
414‧‧‧RF連接件
416‧‧‧開口
418‧‧‧相接面
420‧‧‧凹口
422‧‧‧邊緣
424‧‧‧邊界
426‧‧‧邊界
430‧‧‧密封溝槽
432‧‧‧內徑
434‧‧‧外徑
436‧‧‧周邊環
藉由參考實施例(一些實施例說明於附圖中)，可獲得於上文中簡要總結的本發明之更特定的說明，而能詳細瞭解上述的本發明之特徵。然而應注意附圖僅說明此發明的典型實施例，因而不應將該等附圖視為限制本發明之範疇，因為本發明可容許其他等效實施例。
第1圖是根據一個實施例的處理腔室100的示意剖面圖。
第2圖是根據另一實施例的設備200的示意頂視圖。
第3圖是根據另一實施例的處理腔室的示意剖面圖。
第4A圖是可與第1圖或第3圖的處理腔室一併使用的導電氣體分配器的頂部透視圖。
第4B圖是第4A圖的導電氣體分配器的底部透視圖。
為了助於瞭解，如可能則使用相同的元件符號指定各圖共通的相同元件。應考量，一個實施例中揭露的元件可有利地用在其他實施例上，而無須特別記敘。
此述的實施例提供一種用於處理半導體基板的設備。第1圖是根據一個實施例的處理腔室100的示意剖面圖。處理腔室100特徵在於腔室主體102、配置在腔室主體102內的基板支座104以及蓋組件106，該蓋組件106耦接腔室主 體102並且將基板支座104包圍在處理空間120中。透過開口126提供基板至處理空間120，習知上，可使用門將該開口126密封以供處理。
蓋組件106包含電極108，該電極108配置成鄰接腔室主體102且將腔室主體102與蓋組件106的其他部件分開。電極108可以是環形或類似環的構件，且可以是環狀電極。電極108可為繞著處理腔室100周圍、環繞處理空間120的連續迴圈，或者，若期望的話，則可在選定的位置不連續。一對隔離器110與112接觸電極108且將電極108與導電氣體分配器114在電氣上以及熱上分開，該對隔離器之每一者可以是諸如陶瓷或金屬氧化物的介電材料，例如氧化鋁及/或氮化鋁。導電氣體分配器114可以是導電面板(face plate)，該導電面板熱接觸加熱器116且可實體接觸加熱器116。
在導電氣體分配器114是導電面板的實施例中，導電面板可以是平坦、導電、板狀的構件，該構件具有實質上均勻的厚度，且導電面板的表面可以實質上平行基板支座104的上表面。導電面板可以是金屬(諸如鋁或不鏽鋼)，且在一些實施例中，該導電面板可塗佈有介電材料，該介電材料諸如氧化鋁或氮化鋁。
加熱器116包括加熱元件176，該加熱元件176可以是電阻式元件，諸如設計成輻射熱的導電體，或者該加熱元件176可以是傳導元件，諸如用於加熱流體之導管。導電氣體分配器114特徵在於開口118，該等開口118容許處理氣體進入處理空間120。導電氣體分配器114的邊緣部分180 在沿著處理腔室100的側面上是可及的(accessible)，以使導電氣體分配器114耦接電力源142(諸如RF產生器)。也可使用DC電力、脈衝式DC電力與脈衝式RF電力。
包含第一分區板152與第二分區板158的分區阻隔板接觸導電氣體分配器114並且提供穿過蓋組件106的多重氣體路徑。雖然第1圖中所示的實施例是這樣的分區阻隔板的一種配置方式之範例，然而可理解有分區阻隔板的其他配置方式，包括具有超過兩個分區板的配置方式。第一分區板152具有一或多個氣室154，用於將處理氣體循環通過第一路徑，以穿過第一分區板中的開口156分配至處理空間120，該等開口156與導電氣體分配器114的開口118流體連通。第二分區板158也具有一或多個氣室160，用於將處理氣體循環通過第二路徑，以穿過第二分區板中的開口178分配至處理空間120，該等開口178與第一分區板152的直通(pass-through)開口162以及導電氣體分配器114的開口118流體連通。
氣體帽蓋件164配置成接觸第二分區板158，且該氣體帽蓋件164提供將處理氣體分別流入第一分區板152中的氣室154與第二分區板158中的氣室160的門戶，而使得處理氣體得以流至處理空間120，而不會在抵達處理空間120之前彼此接觸。氣體帽蓋件164特徵亦在於門戶166，該門戶166與第二分區板158及第一分區板152中的直通開口168流體連通，且與該等開口118中的一者流體連通，以將處理氣體穿過第三氣體路徑直接遞送進入處理空間120中(若期 望)。氣體帽蓋件164特徵亦在於導管170，該導管170用於將流體循環通過氣體帽蓋件164。該流體可以是熱控制流體，諸如冷卻流體。水是可用的冷卻流體之範例，但也可使用其他流體、液體與固體。透過入口172將熱控制流體提供至導管170，且透過出口174將熱控制流體從導管170抽出。氣體帽蓋件164與第一分區板152及第二分區板158熱連通，且與導電氣體分配器114熱連通。加熱器116與經熱控制的氣體帽蓋件164一起提供導電氣體分配器114的熱控制，以使從邊緣至中心及從基板至基板的溫度均勻。氣體透過門戶178從處理空間120排空，門戶178可耦接真空源(圖中未示)，該門戶178可位在沿著腔室主體上任何便利的位置，且若期望，則該門戶178可與泵送氣室相連。
電極108可耦接調諧電路128，該調諧電路128控制處理腔室100的接地路徑。調諧電路128包含電子感測器130與電子控制器134，該電子控制器134可以是可變電容器。調諧電路128可以是LLC電路，該LLC電路包含一或多個電感器132。電子感測器130可以是電壓或電流感測器，且可耦接電子控制器134以負擔一定程度的處理空間120內的電漿條件閉路控制。
第二電極122可耦接基板支座104。第二電極122可嵌在基板支座104內或耦接基板支座104的表面。第二電極122可以是板、穿孔板、篩、電線網(wire screen)或任何其他分佈的排列方式。第二電極122可以是調諧電極，且可透過導管146耦接第二調諧電路136，該導管146例如為具有 所選電阻(諸如50Ω)的電纜，且配置在基板支座104的軸桿144中。第二調諧電路136可具有第二電子感測器138與第二控制器140，該第二控制器140可以是第二可變電容器。第二電子感測器138可以是電壓或電流感測器，且可耦接第二電子控制器140，以對處理空間120中的電漿條件提供進一步的控制。
第三電極124可以是偏壓電極，該第三電極124可耦接基板支座104。該第三電極可透過濾波器148耦接第二電力源150，該濾波器可以是阻抗匹配電路。第二電力源150可以是DC電路、脈衝式DC電力、RF電力、脈衝式RF電力或前述電力之組合。
第1圖的蓋組件106與基板支座104可與用於電漿處理或熱處理的任何處理腔室一併使用。可與蓋組件106及基板支座104有利地一併使用的電漿處理腔室之一個範例是PRODUCER®平台與腔室，該平台與腔室可購自位在美國加州聖克拉拉市的應用材料公司。來自其他製造商的腔室也可與上述的部件一併使用。
操作中，處理腔室100負擔蓋組件106中溫度的即時控制與處理空間120中電漿條件的即時控制。基板配置在基板支座104上，且處理氣體根據任何期望的流動方案流過蓋組件106。對導電氣體分配器建立溫度設定點，且該溫度設定點透過操作加熱器116與循環冷卻流體通過導管170而受到控制。將電力耦接導電氣體分配器114，以在處理空間120中建立電漿。從在處理腔室100中處理第一基板開始，因為 導電氣體分配器114的溫度受到控制，所以較少電力透過加熱導電氣體分配器114與蓋組件106之其他部件散失，且導電氣體分配器114的溫度從中心至邊緣及從基板至基板受到穩定。如果期望，則可透過使用第三電極124使該基板經受電偏壓。
一旦在處理空間120中供給電漿能量後，電漿與第一電極108之間建立電位差。電位差也建立在電漿與第二電極122之間。電子控制器134與140則可用於調整接地路徑的流動性質，接地路徑由兩個調諧電路128與136表示。可將設定點傳送至第一調諧電路128與第二調諧電路136，以提供從中心至邊緣的電漿密度均勻度與沉積速率的獨立控制。在電子控制器皆為可變電容器的實施例中，電子感測器可調整可變電容器，以獨立地使沉積速率最大化且使厚度的不均勻最小化。
第2圖是根據另一實施例的設備200的示意頂視圖。設備200是處理腔室的集合，所有的處理腔室皆可為第1圖的處理腔室100的實施例，該等處理腔室耦接傳送室208與裝載閘(load-lock)組件204。處理腔室100大體上群集成串接單元202，每一串接單元具有單獨的處理氣體之供應源212。串接單元202定位在傳送室208周圍，該傳送室208一般具有機器人210以供調度基板。裝載閘組件204可特徵在於兩個裝載閘腔室206，這些裝載閘腔室206也是呈串接排列。
第3圖是根據另一實施例的處理腔室300的示意剖 面圖。第3圖的處理腔室300與第1圖的處理腔室100(包括導電氣體分配器114與加熱器116)大同小異。處理腔室300具有不同的調諧電路302，該調諧電路302耦接第二電極122。調諧電路302特徵在於感測器138(可為VI感測器)，該感測器138以並行之方式耦接第二電子控制器140與第一電感器306。第二電子控制器耦接第二電感器304。第一電感器306與第二電感器304二者皆接地。調諧電路302可以是具可變部件(諸如可變電容器或可變電感器)的LLC電路，且可與調諧電路128類似或相同。第1圖與第3圖實施例的不同調諧電路證實，可針對具不同靜態與可變部件的不同實施例設計調諧電路，該等不同靜態與可變部件是經設計以提供具不同的電特性的腔室電漿分佈曲線之調諧。
第4A圖是導電氣體分配器400的頂部透視圖，該導電氣體分配器400可與處理腔室100或處理腔室300一併使用。導電氣體分配器400是於具圓柱狀幾何以處理碟狀基板的腔室中所用的碟狀構件。氣體流過排列成同心圓列的複數個氣體通道402。第4A圖的實施例中，分配器400具有三列氣體通道，該等氣體通道的半徑為約25%至約95%之間的分配器400之半徑，例如約40%至約60%之間的分配器400之半徑。複數個開口404定位在分配器400的周邊區域。開口404可具有約x至約y之間的直徑，且可沿著分配器400的周圍以規律的角度間隔隔開。開口404可為附件開口、儀器開口或氣流開口。
分配器400的側面406具有複數個支座插入開口 408，該等支座插入開口408形成於該側面406中。支座插入開口408容許支座構件得以插入，以將分配器400夾至蓋堆疊及/或便利地移動分配器400。支座插入開口408可具有卵形或橢圓形的形狀，或可以是具實質上筆直側邊的伸展的圓形形狀。開口408一般具有橫切尺寸，該尺寸為至少約分配器400厚度的1/3，且一般而言開口408的經線(meridian)與分配器400的經線重合。換言之，開口408一般沿著分配器400的厚度置中。第4A圖的實施例中，開口408具有約1.75”的長軸尺寸(major dimension)，該長軸尺寸是沿著分配器400的周圍所測量，但長軸尺寸可介於約0.25”至約3”之間，或更大。在第4A圖的實施例中，開口408具有約0.5”的短軸尺寸(minor dimension，或稱橫切尺寸)。第4圖的分配器400可具有約0.25”至約3”之間的厚度，諸如約1”。開口408可繞分配器400周圍均等地隔開。第4A圖的實施例特徵在於三個以120度之角度分佈的支座插入開口408，但可設置任何實用數目的支座插入開口408。
複數個儀器開口410設置在分配器400的側面。儀器開口410可用於插入儀器或探針，以測量任何實用的參數。一般透過將溫度探針(諸如熱偶)插進儀器開口410的一或多者中而測量溫度。儀器開口410可具有任何便利的直徑。第4A圖的實施例中，儀器開口具有約0.2”的直徑。儀器開口410可耦接導管(圖中未示)，該導管延伸進入分配器400中達一距離以容納儀器的插入。在第4A圖的實施例中，導管沿著分配器400的半徑延伸進入分配器400中達約1.5”。導 管可於任何期望方向延伸進入分配器400中，該導管是沿著分配器400的半徑或分配器400的弦線。導管的輪廓是根據待插入的儀器之類型與待進行的測量之類型而選。第4A圖的實施例中，將熱偶插進儀器開口410中，如此則耦接每一開口410的導管具有容納熱偶的輪廓，同時該輪廓使分配器400的表面與熱偶緊密接近，而助於溫度的測量。儀器開口410可具有沿著分配器400的周圍上任何便利的角度間隔。第4A圖中，儀器開口410中的兩個開口是以90度的角度距離間隔開。
儀器開口410可位在分配器400側面上的相接面(abutment face)412。分配器400的每一儀器開口410與相接面412相連。相接面412提供儀器開口410周圍的平坦邊界，以使儀器完全插入。相接面412的面積大於儀器開口410的面積，以提供儀器接合的空間。相接面412的周圍尺寸對儀器開口410的直徑的比例可介於約3：1至約10：1之間，例如約7.5：1。第4A圖中，相接面412在周圍方向具有約0.75”至約2.0”之間的尺寸，例如約1.5”。相接面412可在橫切方向上具有多達分配器400之厚度的尺寸。分配器400的厚度對相接面412的橫切尺寸的比例可介於約3：1至約1：1之間。
分配器400在該分配器400的側面上具有RF連接件414。RF連接件414包含兩個開口416，該兩個開口416位在相接面418處。這兩個開口416各者皆從RF連接器容納RF電極，且相接面418提供平坦表面以供RF連接器完全接合。開口416可分隔約0.5”至約1.5”之間(諸如約0.75”)的 距離，該距離為中心至中心的距離。該兩個開口416各者可具有任何便利的直徑，以供連接至RF源。第4A圖的實施例中，開口416具有約0.4”的最小邊緣至邊緣分隔距離，每一開口416具有約0.35”的直徑。
第4B圖是導電氣體分配器400的底部透視圖。分配器400具有複數個定位凹口420，該等定位凹口420形成在分配器400的邊緣422中。定位凹口420提供一種手段以對腔室100或腔室300的相鄰部件上的定位特徵標注(register)分配器400。凹口420可在向外的軸向方向上開啟，以容許分配器400徑向的熱移動，同時將分配器於腔室100或腔室300中維持在實質上恆定的置中位置。凹口420可具有徑向深度與從分配器400的底部表面422起算的深度，該徑向深度介於約0.1”至約1”之間，例如約0.3”，而從該從分配器400的底部表面422起算的深度介於約0.1”至約0.5”之間，例如約0.11”。凹口420可繞分配器400周圍規則地或不規則地隔開，且可使用任何便利數目的凹口420。第4B圖中，三個凹口420以120度的角度間隔在分配器400的周圍附近間隔開。
第4B圖的凹口420具有相對於支座插入開口408的角度偏移(angular displacement)，該角度偏移介於約5度至約30度之間，諸如約16度。取決於支座插入開口408的橫切尺寸與凹口420的深度，凹口420可對準支座插入開口408。若凹口420中的一個凹口的邊界424與支座插入開口408中的一個支座插入開口的邊界426之間的距離大於約0.1”，則凹口420與開口408可對準或重疊。若不然，則可使 用任何便利的角度偏移。
分配器400具有在分配器400周邊附近沿著底部表面422的密封溝槽430。該密封溝槽430收納彈性構件(諸如O環)，該彈性構件在底部表面422與相鄰的腔室部件(諸如隔離器112)之間形成密封。密封溝槽430具有內徑432與外徑434。密封溝槽430的壁在外徑434處相對於內徑432升高，使得分配器400的周邊環436接觸相鄰腔室部件以提供密封界面，彈性構件壓抵該密封界面而形成該密封。密封溝槽430在密封溝槽底部比在頂部寬，以讓彈性部件留在密封溝槽430內側，且密封溝槽430在該密封溝槽頂部的寬度一般小於彈性構件的寬度，該彈性構件一旦插入通過密封溝槽430頂部時，即會伸縮式變形。
密封溝槽430接近分配器400的邊緣422。密封溝槽430的外徑434位在凹口420向內一距離處，該距離少於約0.1”，諸如約0.08”。在密封溝槽430的底部處，密封溝槽430的端緣(extremity)可離最近的凹口420之端緣一距離，該距離少於0.05”，諸如約0.03”。
雖然前述內容涉及本發明之實施例，但可不背離本發明之基本範疇而設計本發明之其他與進一步之實施例。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧腔室主體
104‧‧‧基板支座
106‧‧‧蓋組件
108‧‧‧第一電極
110‧‧‧隔離器
112‧‧‧隔離器
114‧‧‧導電氣體分配器
116‧‧‧加熱器
118‧‧‧開口
120‧‧‧處理空間
122‧‧‧第二電極
124‧‧‧第三電極
126‧‧‧開口
128‧‧‧第一調諧電路
130‧‧‧電子感測器
132‧‧‧電感器
134‧‧‧電子控制器
136‧‧‧第二調諧電路
138‧‧‧電子感測器
140‧‧‧電子控制器
142‧‧‧電力
144‧‧‧軸桿
146‧‧‧導管
148‧‧‧濾波器
150‧‧‧電力
152‧‧‧第一分區板
154‧‧‧氣室
156‧‧‧開口
158‧‧‧第二分區板
160‧‧‧氣室
162‧‧‧直通開口
164‧‧‧氣體帽蓋件
166‧‧‧門戶
168‧‧‧直通開口
170‧‧‧導管
172‧‧‧入口
174‧‧‧出口
176‧‧‧加熱元件
178‧‧‧門戶
180‧‧‧邊緣部分

Claims (15)

  1. 一種用於處理半導體基板的設備，包括：一處理腔室；一基板支座，配置在該處理腔室中；及一蓋組件，包含一導電氣體分配器與一加熱器，該導電氣體分配器耦接一電力源，該加熱器接觸該導電氣體分配器。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該蓋組件進一步包含一分區阻隔板，該分區阻隔板位在該導電氣體分配器與一氣體帽蓋件(gas cap)之間。
  3. 如請求項2所述之設備，其中該氣體帽蓋件包含一流體循環導管，且該氣體帽蓋件與該導電氣體分配器熱連通。
  4. 如請求項2所述之設備，其中該導電氣體分配器是一導電面板(face plate)。
  5. 如請求項3所述之設備，其中該導電氣體分配器具有多個開口，該分區阻隔板具有多個開口，該氣體帽蓋件具有多個開口，該氣體帽蓋件的該等開口與位在該分區阻隔板以及該導電氣體分配器中的多個開口流體連通，且該分區阻隔板的該等開口與該導電氣體分配器中的多個開口流體連通。
  6. 如請求項3所述之設備，其中該加熱器接觸該導電氣體分配器的一周邊。
  7. 如請求項3所述之設備，其中該導電氣體分配器包含一儀器開口。
  8. 如請求項7所述之設備，其中該導電氣體分配器進一步包含一支座插入開口。
  9. 如請求項8所述之設備，其中該導電氣體分配器進一步包含用於一RF連接件的一相接板(abutment plate)。
  10. 一種用於處理半導體基板的設備，包括：一處理腔室，包括一腔室主體；一基板支座，配置在該處理腔室中；及一蓋組件，包括一導電面板、一分區阻隔板與一冷卻氣體帽蓋件、以及一加熱環，該導電面板耦接一電力源，該分區阻隔板接觸該導電面板，該冷卻氣體帽蓋件接觸該分區阻隔板且與該導電面板熱連通，該加熱環配置成接觸該導電面板。
  11. 如請求項10所述之設備，其中該加熱環也與該分區阻隔板接觸。
  12. 如請求項11所述之設備，其中該導電面板包含一儀器開口與一支座插入開口。
  13. 如請求項12所述之設備，其中該加熱環包含一流體導管。
  14. 如請求項13所述之設備，其中該加熱環包含一電阻式加熱元件。
  15. 如請求項13或14所述之設備，其中該導電面板進一步包含用於一RF連接件的一相接板。
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