JP3578398B2 - 成膜用ガス分散プレート及びその製造方法 - Google Patents

成膜用ガス分散プレート及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3578398B2
JP3578398B2 JP2000187658A JP2000187658A JP3578398B2 JP 3578398 B2 JP3578398 B2 JP 3578398B2 JP 2000187658 A JP2000187658 A JP 2000187658A JP 2000187658 A JP2000187658 A JP 2000187658A JP 3578398 B2 JP3578398 B2 JP 3578398B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
aluminum
aluminum alloy
annular groove
type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000187658A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002008993A (ja
Inventor
克己 渡邊
昭 福地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Sky Aluminum Corp
Original Assignee
Furukawa Sky Aluminum Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Sky Aluminum Corp filed Critical Furukawa Sky Aluminum Corp
Priority to JP2000187658A priority Critical patent/JP3578398B2/ja
Priority to TW090109313A priority patent/TW508988B/zh
Priority to KR10-2001-0027061A priority patent/KR100433110B1/ko
Priority to EP01114529A priority patent/EP1168420A3/en
Priority to US09/883,771 priority patent/US6799735B2/en
Priority to CNB011220317A priority patent/CN1285762C/zh
Publication of JP2002008993A publication Critical patent/JP2002008993A/ja
Priority to US10/926,167 priority patent/US7150418B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3578398B2 publication Critical patent/JP3578398B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45574Nozzles for more than one gas
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45565Shower nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49405Valve or choke making
    • Y10T29/49412Valve or choke making with assembly, disassembly or composite article making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49405Valve or choke making
    • Y10T29/49412Valve or choke making with assembly, disassembly or composite article making
    • Y10T29/49416Valve or choke making with assembly, disassembly or composite article making with material shaping or cutting
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49405Valve or choke making
    • Y10T29/49412Valve or choke making with assembly, disassembly or composite article making
    • Y10T29/49416Valve or choke making with assembly, disassembly or composite article making with material shaping or cutting
    • Y10T29/49423Valve or choke making with assembly, disassembly or composite article making with material shaping or cutting including metal deforming

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜用ガス分散プレート及びその製造方法に係り、特に、半導体製造装置または液晶製造装置の成膜に用いられるガスを分散して流出させる成膜用ガス分散プレート及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置製造や液晶ガラス基板製造の工程において、異種ガスを吹き付けて化学的気相成長(CVD)等で成膜を行っている。このような成膜工程において、異種のガスはガス毎に供給されて基板の直前で均一に異種のガスを混合して基板に成膜するものである。異種のガスを均一に混合させるには、基板の直前に異種のガスを分散して供給しなければならず、また異種のガスは混じらないようにガス毎に供給しなければならないものである。
【0003】
そこで、図26(a)(b)に示すような、流体としてガスを段階的に分散して多数の穴から供給するガス分散プレートについて検討を行った。図26(a)はガス拡散プレートの断面図、図26(b)は平面図である。
図26(a)(b)に示すように、ガス拡散プレートは金属部材(40)(41)(42)を積層したものである。金属部材(40)には、Aガスの経路穴(43)とその分岐部(44)及びBガスの経路穴(47)が機械加工で形成され、金属部材(41)にはAガスの経路穴(45)及びBガスの経路穴(48)とその分岐部(49)が機械加工で形成され、金属部材(42)にはAガスの経路穴(46)及びBガスの経路穴(50)が機械加工で形成されており、これら金属部材(40)(41)(42)をロウ付け接合、電子ビームによる接合、ボルト締め接合して一体に積層した。
【0004】
金属部材(40)(41)(42)を積層したガス拡散プレートで、Aガスは経路穴(43)を通り、分岐部(44)で分岐され、多数に分散され、経路穴(45)(46)を通って流出し成膜域に供給される。またBガスは経路穴(47)(48)を通り、分岐部(49)で分岐され、多数に分散された経路穴(50)を通って流出し成膜域に供給される。そしてAガスとBガスは基板の直前で混合され、基板に膜を形成するものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記の図26に示したガス分散プレートは、ガスを分散して供給することができものではあったが、ロウ付け接合、電子ビームによる接合、ボルト締め接合ではシール性、ガス経路用穴の接合部の状況等に問題があった。ロウ付け接合では、ロウ付け時のガスの巻き込みにより生ずるピンホールにより、シール性が低下する点、ロウ等の成分からガスが発生し、半導体製造や液晶基板製造として必要とする清浄性を損なう点、ロウ材が接合の際に溶け出して、精密で微細なガス経路用穴、分岐部を埋めることがあり、ガス経路用穴の寸法・機能を損なう点等の問題があった。ロウが接合の際に溶け出してガス経路用穴を埋めるという問題を解決するために、ロウ付け箔を用いてみたが、ロウ付け箔を精密で微細なガス経路用穴、分岐部の形状に合わせように加工して配置する必要があり、それには工数がかかりコスト高になるという問題があった。また耐熱温度に限界があり、成膜時の約400℃前後の温度に対応できないという問題があった。
【0006】
電子ビームで溶解して接合する工法では、金属部材に成形されている多数の精密で微細なガス経路用穴若しくは分岐部の全てに対応してシール性を確保し、穴詰まりがないように接合することは困難であった。また電子ビーム接合は高真空チャンバー内で行われるもので、その高真空チャンバーのサイズに制約されて、大型のガス分散プレートを製作することができず、またコストが高いという問題があった。
ボルト締めによる接合では、パッキンを配置してシールを性確保しするものであるが、パッキンを精密で微細なガス経路用穴、分岐部の形状に合わせるように加工して配置するには、パッキンを配置するスペースが必要でユーザーの要求に一致した設計の自由度がなくなるという問題、工数がかかりコスト高になるという問題があり、またパッキンではシールの完全性を確保することは困難であった。特にこれらの成膜は高温で行なわれることが多いため耐熱性も問題となっており、ハッキンを用いる方法では耐熱温度にも問題があった。
本発明は、流体経路を形成した複数の金属部材を積層したもので、その接合部で高いシール性を有するとともに、その精度の高い流体経路穴及び分岐部の機能を低下させることなく、また高真空・高温下で使用しても高い信頼性を有する流体回路部材及びその製造方法を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためのもので、ガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し接合したガスを種類毎に分散して流出させる成膜用ガス分散プレートにおいて、アルミニウム又はアルミニウム合金部材にはガス経路及び/又は分岐部がガスの種類毎に形成され、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方には環状突出部を設け、ガス経路穴とその分岐部をガスが種類毎に分散して流出させるように合わせ、かつ前記環状溝に前記環状突出部を挿入し鍛圧圧縮して締結し、複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を一体にしたことを特徴とする優れたシール性を有し、積層した前記アルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能である成膜用ガス分散プレートである。
また、本発明は、ガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し接合したガスを種類毎に分散して流出させる成膜用ガス分散プレートにおいて、アルミニウム又はアルミニウム合金部材にはガス経路及び/又は分岐部がガスの種類毎に形成され、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方にも環状溝を設け、ガス経路穴とその分岐部をガスが種類毎に分散して流出させるように合わせ、かつそれぞれの環状溝に充満させる中間アルミニウム又はアルミニウム合金部材を挿入し、鍛圧圧縮して締結し、複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を一体にしたことを特徴とする優れたシール性を有し、積層した前記アルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能である成膜用ガス分散プレートである
【0008】
また、本発明の成膜用ガス分散プレートは、アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路が、一方にはガスの経路穴が形成された円筒、もう一方には前記円筒を挿入する穴が設けられていることを特徴とするものである。
また、本発明の成膜用ガス分散プレートは、積層するアルミニウム又はアルミニウム合金部材に形成されているガス経路及び/又は分岐部が、防食のための表面処理を施したものであることを特徴とするものである
【0009】
また、本発明は、ガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し接合したガスを種類毎に分散して流出させる成膜用ガス分散プレートの製造方法において、アルミニウム又はアルミニウム合金部材にガス経路及び/又は分岐部がガスの種類毎に形成し、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方には環状突出部を設け、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し、ガス経路穴とその分岐部をガスが種類毎に分散して流出させるように合わせ、かつ前記環状溝に前記環状突出部を挿入し、300〜500℃で鍛圧圧縮して締結し、複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を一体にすることを特徴とする優れたシール性を有し、積層した前記アルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能である成膜用ガス分散プレートの製造方法である
【0010】
さらに、本発明は、ガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し接合したガスを種類毎に分散して流出させる成膜用ガス分散プレートの製造方法において、アルミニウム又はアルミニウム合金部材にガス経路及び/又は分岐部がガスの種類毎に形成し、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方にも環状溝を設け、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し、ガス経路穴とその分岐部をガスが種類毎に分散して流出させるように合わせ、かつそれぞれの環状溝に充満させる中間アルミニウム又はアルミニウム合金部材を挿入し、300〜500℃で鍛圧圧縮して締結し、複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を一体にすることを特徴とする優れたシール性を有し、積層した前記アルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能である成膜用ガス分散プレートの製造方法である。
【0011】
【作用】
本発明の成膜用ガス分散プレートは、ガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金金属部材を積層してガスを分散させて流出させるもので、アルミニウム又はアルミニウム合金部材にはガス経路及び/又は分岐部がガスの種類毎に形成され、積層するアルミニウム又はアルミニウム合金部材にはガス経路及び/又は分岐部がガスの種類毎に形成され、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方には環状突出部を設け、ガス経路穴とその分岐部をガスが種類毎に分散して流出させるように合わせ、かつ前記環状溝に前記環状突出部を挿入し鍛圧圧縮して締結し、複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を一体にしたことにより、高度なシール性が確保され、外周あるいはガス経路途中においてガスが漏れ出すことがないものである。また積層したアルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能なものである。
【0012】
また、本発明の成膜用ガス分散プレートは、ガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層してガスを分散させて流出させるもので、アルミニウム又はアルミニウム合金部材にはガス経路及び/又は分岐部がガスの種類毎に形成され、積層するアルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方にも環状溝を設け、ガス経路穴とその分岐部をガスが種類毎に分散して流出させるように合わせ、かつそれぞれの環状溝に充満させる中間アルミニウム又はアルミニウム合金部材を挿入し、鍛圧圧縮して締結し、複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を一体にしたことにより高度なシール性が確保され、外周あるいはガス経路途中においてガスが漏れ出すことがないものである。また積層したアルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能なものである。
【0013】
このように、本発明の成膜用ガス分散プレートは、アルミニウム若しくはアルミニウム合金の接合面の対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方には環状突出部を設け、鍛圧圧縮して締結し一体にしたことにより、ガスの種類毎のガス経路と分岐部のシール性が確保され、接合面のガス経路や分岐部の接続部からガスが漏れ出し、異種のガスがガス分散プレートから流出する前に混合するというようなことがなく、基板の直前で異種のガスを混合させて成膜することができるものである。
また、本発明の成膜用ガス分散プレートは、アルミニウム若しくはアルミニウム合金の接合面の対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方にも環状溝を設け、それぞれの環状溝に充満させる中間アルミニウム又はアルミニウム合金部材を挿入し、鍛圧圧縮して締結し一体にしたことにより、ガスの種類毎のガス経路と分岐部のシール性が確保され、接合面のガス経路や分岐部の接続部からガスが漏れ出し、異種のガスがガス分散プレートから流出する前に混合するというようなことがなく、基板の直前で異種のガスを混合させて成膜することができるものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明の成膜用ガス分散プレートは、半導体製造や液晶基板ガラス製造で使用される装置において、成膜用装置、具体的には化学的気相成長(CVD)処理装置に使用されるものであり、半導体製造や液晶基板ガラス製造装置の成膜過程で異種のガスをガスの種類毎に分散させて吹き付けるものである。例えば、化学的気相成長(CVD)処理により成膜を行う場合には、異種ガスは、化学的気相成長(CVD)処理の成膜直前まで混合することがないように、ガス分散プレートのガス経路や分岐部により、ガスの種類毎に段階的、広域的に均一に分散させて目的の基板に吹きつけるものである。異種のガスは、ガス毎に均一に分散して吹きつけられるので、異種ガスは目的の基板の直前で確実、かつ均一に混合することができる。ガスを均一に分散させて吹き付けるには、ガス分散プレートの流出側に設けられるガス経路穴は、直径1mm前後の小径穴を分散して多数設けることが好ましい。
【0015】
本発明の成膜用ガス分散プレートガス経路及び/又は分岐部は、ガスの種類毎に形成されているものであり、ガスを種類毎に区画する位置に、接合面の環状溝と環状突出部を設けるものである。具体的には、ガス経路穴の周り、分岐部の周り、アルミニウム若しくはアルミニウム合金の外周に設ける
また、本発明の成膜用ガス分散プレートガス経路及び/又は分岐部は、ガスの種類毎に形成されているもので、ガスを種類毎に区画する位置に、それぞれの接合面に環状溝を設けるものであり、具体的には、それぞれの接合面の環状溝は、ガス経路穴の周り、分岐部の周り、アルミニウム若しくはアルミニウム合金の外周に設けることが好ましい。
本発明の成膜用ガス分散プレートにおいて、アルミニウム若しくはアルミニウム合金の部材のガス経路は、分岐部で広域的に分散させる。分岐部はアルミニウム若しくはアルミニウム合金部材の接合面に溝を形成しするもので、この溝は接合面に広がるように設けるものである。
【0016】
本発明の成膜用ガス分散プレートは、積層する部材としては、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。アルミニウム又はアルミニウム合金部材の材質やその製法については特定するものではないが、内部欠陥の少ない圧延板、鍛造品を用いることが望ましい。
また積層するアルミニウム又はアルミニウム合金部材は同一材料であると、鍛圧圧縮時の変形により接合部が圧着し物理的に金属接合し易いが、別々の材料でも接合が可能である。
また、成膜用ガス分散プレートの要求される耐熱温度によってアルミニウム合金の組成を変更したり、他の圧接可能な金属材料に変更することが可能である。
【0017】
また、本発明の積層するアルミニウム若しくはアルミニウム合金部材の接合面の設けられる環状溝、環状突出部は、例えば機械加工により成形するが、機械加工と同等の寸法精度や表面性状が得られれば他の加工方法によってもよい。アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に形成された環状溝、環状突出部は、鍛圧前に、表面を洗浄することが望ましい。例えば、硝酸で表面の油とり、水洗し、アルカリ溶液によりエッチングする苛性処理を行い、さらに水洗、硝酸での洗浄、水洗、湯洗等の工程を適宜組みて表面を清浄にする。また積層する金属部材がアルミニウム又はアルミニウム合金のときは、鍛圧圧接温度としては300〜500℃の範囲が好ましい。
また、本発明の成膜用ガス分散プレートは、積層するアルミニウム又はアルミニウム合金部材に形成したガス経路及び/又は分岐部にガスの種類に対応した防食のための化学皮膜処理、陽極酸化処理等の表面処理を施すことが好ましい。
【0018】
【実施例1】
本発明の実施例1について、図1〜図12を参照して説明する。
図1は本発明の実施例1のアルミ板を積層したガス分散プレートの断面図、図2〜図8はガス分散プレートを構成するアルミ板を説明する図である。図9は金属部材の積層を示す斜視図である。図10〜図12は接合面の環状溝と環状突出部の鍛圧圧縮による締結を示す図である。
【0019】
図1、図2、図9に示すように、ガス分散プレートは、ガス経路穴や分岐部を形成したアルミ板(10)(20)(30)を積層したもので、AガスとBガスの種類毎のガス経路及び分岐部により、段階的に広域的に分散させて吹き付けるものである。
アルミ板(10)について、図3(a)(b)(c)及び図4(a)(b)に示す。図3(a)はアルミ板(10)の外側面(ガス流入側)の平面図、図3(b)はアルミ板(10)の断面図、図3(c)はアルミ板(10)の接合面の平面図である。図4(a)はアルミ板(10)の外側面(ガス流入側)を示す斜視図、図4(b)はアルミ板(10)の接合面を示す斜視図である。
アルミ板(10)には、図3(a)(b)(c)及び図4(a)(b)に示すように、外側面(11)から接合面(12)に通ずるAガスの経路穴(1)とH型で溝状のAガス分岐部(2)、及びBガスの経路穴(5)が形成されている。また接合面(12)には外周に環状突出部(13)及びBガスの経路穴(5)の周囲に環状突出部(14)が形成されている。
【0020】
アルミ板(20)について、図5(a)(b)(c)及び図6(a)(b)に示す。図5(a)はアルミ板(20)のアルミ板(10)との接合面の平面図、図5(b)はアルミ板(20)の断面図、図5(c)はアルミ板(20)のアルミ板(30)との接合面の平面図である。図6(a)はアルミ板(20)のアルミ板(10)との接合面を示す斜視図、図6(b)はアルミ板(20)のアルミ板(30)との接合面を示す斜視図である。
アルミ板(20)は、図5(a)(b)(c)及び図6(a)(b)に示すように、接合面(21)から接合面(22)に通ずる複数(この図では6個)のAガスの経路穴(3)が形成されている。Aガスの経路穴(3)はアルミ板(10)に形成されているAガスのH型溝状の分岐部(2)に対応した位置に設けられている。また接合面(21)から接合面(22)に通ずるBガスの経路穴(6)と肋骨型で溝状のBガス分岐部(7)が形成されている。Bガスの経路穴(6)はアルミ板(10)のガス経路穴(5)に対応した位置に設けられている。
【0021】
アルミ板(20)の接合面(21)には、外周に環状溝(25)及びBガスの経路穴(6)の周囲に環状溝(26)が形成されている。環状溝(25)はアルミ板(10)の接合面(12)の環状突出部(13)に対向した位置に形成されており、また環状溝(26)はアルミ板(10)の接合面(12)の環状突出部(14)に対向した位置に形成されている。
また、アルミ板(20)の接合面(22)には、外周に環状突出部(23)及びAガスの経路穴(3)の周囲に環状突出部(24)が形成されている。
【0022】
アルミ板(30)について、図7(a)(b)(c)及び図8(a)(b)に示す。図7(a)はアルミ板(30)のアルミ板(20)との接合面の平面図、図7(b)はアルミ板(30)の断面図、図7(c)はアルミ板(30)の外側面(ガス流出側)の平面図である。図8(a)はアルミ板(30)のアルミ板(20)との接合面を示す斜視図、図8(b)はアルミ板(30)の外側面(ガス流出側)を示す斜視図である。
アルミ板(30)は、図7(a)(b)(c)及び図8(a)(b)に示すように、接合面(31)からガス流出面(32)に通ずる複数(図では6個)のAガスの経路穴(4)、及び複数(図では12個)のBガスの経路穴(8)が形成されている。複数のAガス経路穴(4)はアルミ板(20)の複数のAガス経路穴(3)とそれぞれ対応した位置に設けられ、また複数のBガスの経路穴(8)はアルミ板(20)に形成されている肋骨型で溝状のBガス分岐部(7)に対応した位置に設けられている。
【0023】
また、アルミ板(30)の接合面(31)には、外周に環状溝(35)及びAガスの経路穴(4)の周囲に環状溝(36)が形成されている。外周の環状溝(35)はアルミ板(20)の接合面(22)の環状突出部(23)に対向した位置に形成され、環状溝(36)はアルミ板(20)の接合面(22)の環状突出部(24)に対向した位置に形成されている。
なお、アルミ板(30)には、Aガスの経路穴を6個、Bガスの経路穴を12個図示してたが、これは図面を見やすく簡略化したもので、実際には、多数のガス経路穴をガス分散プレートに広域的に分散させて設けるものである。またガス分岐部としてH型、肋骨型のもの図示してたが、ガスを分岐して広域的に分散させるものであればよい。
【0024】
このよう形成されたアルミ板(10)(20)(30)は、図2、図9に示すように積層される。アルミ板(10)のAガス経路穴(1)の分岐部(2)はアルミ板(20)の複数のAガス経路穴(3)に接続され、複数のAガス経路穴(3)はアルミ板(30)のAガス経路穴(4)にそれぞれ接続される。またアルミ板(10)のBガス経路穴(5)はアルミ板(20)のBガス経路穴(6)に接続され、Bガス経路穴(6)の分岐部(7)はアルミ板(30)の複数のBガス経路穴(8)に接続される。
【0025】
また、アルミ板(10)の接合面(12)の外周の環状突出部(13)は、アルミ板(20)の接合面(21)の環状溝(25)と組み合わせられ、アルミ板(10)の接合面(12)の環状突出部(14)は、アルミ板(20)の接合面(21)の環状溝(26)と組み合わせられる。
また、アルミ板(20)の接合面(22)の外周の環状突出部(23)は、アルミ板(30)の接合面(31)の環状溝(35)と組み合わせられ、アルミ板(20)の接合面(22)の環状突出部(24)は、アルミ板(30)の接合面(31)の環状溝(36)と組み合わせられる。
このように、アルミ板(10)(20)(30)のAガス経路穴とその分岐部及びBガス経路穴とその分岐部を合わせ、また環状溝と環状突出部を組み合わせて鍛圧圧縮して締結し、アルミ板(10)(20)(30)を一体にしてガス分散プレートを製造するものである。
【0026】
環状溝と環状突出部を組み合わされ、鍛圧圧縮して締結される部分について、図10〜図12を参照して説明する。
図10〜図12は、図2に示す積層するアルミ板(10)とアルミ板(20)の環状溝と環状突出部断面の一部を拡大して示した図である。
まず、図10に示すように、アルミ板(10)の接合面(12)には、Bガス経路穴(5)の周に環状突出部(14)が設けられ、アルミ板(20)の接合面(21)には、Bガス経路穴(6)の周に環状溝(26)が設けられている。次いで、図11に示すように、アルミ板(20)の環状溝(26)に、アルミ板(10)の環状突出部(14)が挿入され、これを鍛圧圧縮することにより、図12に示すように、アルミ板(20)の環状溝(26)に、アルミ板(10)の環状突出部(14)が充満して締結するものである。
【0027】
具体的に、環状溝と環状突出部の関係を説明する。
環状溝(26)の巾をa、深さをbとし、環状突出部(14)の巾をc、高さをdとしたとき、つぎのような関係が好ましい。
a×b≦c×d
b<d
これらの関係で、鍛圧により環状溝(26)内に環状突出部(14)を充満され、シール性が確保されるものである。
a>cとして、環状溝(26)に環状突出部(14)を挿入してが組み合わせ易いようにする。ただし、a>cの関係を満たしていても、環状突出部(14)の巾cが、環状溝(26)の巾aに比べて小さすぎると、鍛圧したときに、環状突出部(14)が折れ曲がり、環状溝(26)に環状突出部(14)が充満されないことになるので、環状突出部(14)の巾cは、環状溝(26)の巾aに比べて小さすぎないようにすることが好ましい。また、a≦cの場合でも環状突出部先端にテーパーを付け、無理して圧入可能な場合は、シール性が確保される。なお、環状突出部(14)と環状溝(26)について説明したが、他の環状突出部と環状溝も同様に挿入され、これを鍛圧圧縮され締結される。
【0028】
このように、アルミ板(10)(20)(30)が積層されたガス分散プレートは、図1に示すように、Aガスは経路穴(1)を通り、分岐部(2)で広域的に分散され、多数の経路穴(3)(4)を通って流出し成膜域に供給される。またBガスは経路穴(5)(6)を通り、分岐部(7)で広域的に分散され、多数の経路穴(8)を通って流出し成膜域に供給される。AガスとBガスは基板の直前で混合され、基板(37)に膜(38)を形成する。
【0029】
図1に示すように、アルミ板(10)の接合面(12)と金属部材(20)の接合面(21)は、Bガスの経路穴(5)とガス経路穴(6)の接続部がその周囲が環状突出部(14)と環状溝(26)で鍛圧圧縮して締結されているのでシール性が確保され、この接続部からBガスが漏れ出すことがなく、また他のガスが入り込むこともない。また金属部材(10)の接合面(12)と金属部材(20)の接合面(21)は、外周の環状突出部(13)と環状溝(25)で鍛圧圧縮して締結されているのでシール性が確保されいるので、ガス分散プレートから外部にAガスが漏れ出すことがない。同様に金属部材(20)の接合面(22)と金属部材(30)の接合面(31)は、Aガスの経路穴(3)とガス経路穴(4)の接続部の周囲が環状突出部(24)と環状溝(36)で鍛圧圧縮して締結されているのでシール性が確保され、この接続部からAガスが漏れ出すことがなく、また他のガスが入り込むこともない。また金属部材(20)の接合面(22)と金属部材(30)の接合面(31)は、外周の環状突出部(23)と環状溝(35)で鍛圧圧縮して締結されているのでシール性が確保されいるので、ガス分散プレートから外部にガスが漏れ出すことがない。
【0030】
【実施例2】
本発明の実施例2について、図13〜図15を参照して説明する。
実施例2は、積層する金属部材の接合面に設ける環状突出部と環状溝の位置についてのもう1つの実施例である。
図13(a)は金属部材(10)の外側面(ガス流入側)の平面図、図13(b)は金属部材(10)の断面図、図13(c)は金属部材(10)の接合面の平面図である。図14(a)は金属部材(20)の金属部材(10)との接合面の平面図、図14(b)は金属部材(20)の断面図、図14(c)は金属部材(20)の金属部材(30)との接合面の平面図である。
図15(a)は金属部材(30)の金属部材(20)との接合面の平面図、図15(b)は金属部材(30)の断面図、図15(c)は金属部材(30)の外側面(ガス流出側)の平面図である。
【0031】
金属部材(10)は、図13(a)(b)(c)に示すように、Aガスの経路穴(1)とH型で溝状の分岐部(2)及びBガスの経路穴(5)が形成され、接合面(12)にはH型のAガスの分岐部(2)の周囲に環状突出部(15)及びBガスの経路穴(5)の周囲に環状突出部(14)が形成されている。
金属部材(20)は、図14(a)(b)(c)に示すように、Aガスの複数の経路穴(3)が金属部材(10)のH型溝状の分岐部(2)に対応した位置に形成され、Bガスの経路穴(5)に接続される経路穴(6)と肋骨型で溝状のBガスの分岐部(7)が形成されている。
金属部材(20)の接合面(21)には、環状溝(27)及びガス経路穴(6)の周囲に環状溝(26)が形成されている。環状溝(27)は金属部材(10)の環状突出部(15)に対向した位置に形成され、環状溝(26)は金属部材(10)の環状突出部(14)に対向した位置に形成されている。
また、金属部材(20)の接合面(22)には、外周に環状突出部(23)及びガス経路穴(3)の周囲に環状突出部(24)が形成されている。
【0032】
金属部材(30)は、図15(a)(b)(c)に示すように、Aガスの複数の経路穴(4)、及びBガスの複数の経路穴(8)が形成されている。複数のガス経路穴(4)は金属部材(20)の複数のガス経路穴(3)とそれぞれ対応した位置に、複数のガス経路穴(8)は肋骨型で溝状のBガスの分岐部(7)に対応した位置に設けられている。
また、金属部材(30)の接合面(31)には、外周に環状溝(35)及びAガス経路穴(4)の周囲に環状溝(36)が形成されている。環状溝(35)は金属部材(20)の接合面(22)の環状突出部(23)に対向した位置に形成され、環状溝(36)は金属部材(20)の接合面(22)の環状突出部(24)に対向した位置に形成されている。
【0033】
図13〜図15に示すように、ガス経路穴、分岐部、環状突出部と環状溝を形成した金属部材(10)(20)(30)を鍛圧圧縮して締結し、ガス分散プレートを製造する。このガス分散プレートにおいて、金属部材(10)の接合面(12)と金属部材(20)の接合面(21)は、ガス経路穴(5)とガス経路穴(6)の接続部の周囲が環状突出部(14)と環状溝(26)で鍛圧圧縮して締結され、また分岐部(2)と複数のガス経路穴(3)の接続部の周囲が環状突出部(15)と環状溝(27)で鍛圧圧縮して締結されてシール性が確保され、ガスが漏れ出すことがなく、また入り込むこともない。
【0034】
金属部材(20)の接合面(22)と金属部材(30)の接合面(31)は、図2〜図9で説明したと同様に、ガス経路穴(3)とガス経路穴(4)の接続部の周囲が環状突出部(24)と環状溝(36)でシールされ、また金属部材(20)の接合面(22)と金属部材(30)の接合面(31)は、外周の環状突出部(23)と環状溝(35)でシールされいるので、ガスが漏れ出すことがなく、また入り込むこともないものである。
【0035】
【実施例3】
本発明の実施例3について、図16を参照して説明する。
実施例3は、4枚の金属部材を積層し、3種類のガスをガスの種類毎に段階的・広域的に分散させるガス分散プレートを示す。
図16は、4枚の金属部材を積層したガス分散プレートの断面図であり、4枚の金属部材(71)(72)(73)(74)を積層したガス分散プレートについて説明する。
金属部材(71)と金属部材(72)は、外周の環状突出部(75)と環状溝(76)、またガス経路穴の接続部の周囲が環状突出部(81)と環状溝(82)で鍛圧圧縮して締結されている。なお環状突出部と環状溝による締結は、個々のガス経路、分岐部で異種のガスが混り合わないように設けられるものであるが、図16では省略して一部のみを図示した。
金属部材(72)と金属部材(73)は、外周の環状突出部(77)と環状溝(78)、またガス経路穴の接続部の周囲が環状突出部(83)と環状溝(84)で鍛圧圧縮して締結されている。
金属部材(73)と金属部材(74)は、外周の環状突出部(79)と環状溝(80)、またガス経路穴の接続部の周囲が環状突出部(85)と環状溝(86)で鍛圧圧縮して締結されている。
【0036】
4枚の金属部材(71)(72)(73)(74)が積層されたガス分散プレートにおいて、Aガスは経路穴(101)を通り、分岐部(102)で広域的に分散され、多数の経路穴(103)(104)(105)を通って流出し成膜域に供給される。
またBガスは経路穴(111)(112)(113)を通り、分岐部(114)で広域的に分散され、多数の経路穴(115)から成膜域に供給される。
またCガスは経路穴(121)(122)を通り、分岐部(123)で広域的に分散され、多数の経路穴(124)(125)を通って流出し成膜域に供給される。
段階的に、広域的に分散されたAガス、Bガス、Cガスは、ぞれぞれ多数の穴から成膜域に供給され、基板の直前で混合され、膜を形成するものである。
【0037】
【実施例4】
本発明の実施例4について、図17〜図19を参照して説明する。
実施例4は、積層する金属部材の接合面の対向位置にそれぞれ環状溝を設け、環状溝に中間金属部材を挿入し鍛圧圧縮して締結するものである。
図17は、積層するアルミ板(10)とアルミ板(20)のガス経路穴(5)とガス経路穴(6)の周囲の締結部を拡大した図である。アルミ板(10)の接合面(12)でガス経路穴(5)の周囲に環状溝(60)を形成し、またアルミ板(20)の接合面(21)でガス経路穴(6)の周囲に環状溝(59)を形成する。環状溝(59)(60)には中間金属部材(61)が挿入される。中間金属部材としてはアルミ板(10)(20)と同じ材質のアルミを用いることが好ましいが別のアルミ材質でも可能である。
【0038】
環状溝(59)(60)と中間金属部材(61)は、環状溝(59)(60)の巾B,D、深さA,C、中間部材(61)の巾F、長さEのとき、A+C≦E、(A×B+C×D)≦E×F、B≧F、D≧Fの関係に形成する。
アルミ板(10)の環状溝(60)とアルミ板(20)の環状溝(59)に金属中間部材(61)を挿入し、鍛圧圧縮して環状溝(59)(60)に金属中間部材(61)を充満させて締結部を形成する。これによりシール性が確保され、ガスは漏れないようになっている。
【0039】
図18、図19は、積層するアルミ板(10)とアルミ板(20)のガス経路穴(5)とガス経路穴(6)の周囲の締結部を拡大した図で、環状溝の形状と中間金属部材のもう1つの例を示す図である。
図18に示したものは、アルミ板(10)の接合面(12)でガス経路穴(5)の周囲に断面台形の環状溝(63)を形成し、またアルミ板(20)の接合面(21)でガス経路穴(6)の周囲に断面台形の環状溝(62)を形成し、環状溝(62)(63)の台形に対応する6角形の金属中間部材(64)を挿入し、鍛圧圧縮して環状溝(62)(63)に金属中間部材(64)を充満させて締結部を形成し、シール性を確保されするものである。
【0040】
図19に示したものは、アルミ板(10)の接合面(12)でガス経路穴(5)の周囲に断面コの字形の環状溝(66)を形成し、またアルミ板(20)の接合面(21)でガス経路穴(6)の周囲に断面コの字形の環状溝(65)を形成し、コの字形環状溝(65)(66)に長円形の金属中間部材(67)を挿入し、鍛圧圧縮して環状溝(65)(66)に金属中間部材(67)を充満させて締結部を形成し、シール性を確保されするものである。
図18に示した形状の環状溝と中間金属部材は、環状溝の機械加工が容易であり、また環状溝に中間部材を組み合わせるときに挿入が容易である。
図19に示した形状の中間金属部材は、環状溝に中間部材を組み合わせるときに挿入が容易である。
【0041】
【実施例5】
本発明の実施例5について、図20〜図22を参照して説明する。
実施例5は、積層する金属部材の接合面の対向位置に設けられる環状溝と環状突出部の形状についての例を示す図である。
図20に示したものは、アルミ板(10)の接合面(12)でガス経路穴(5)の周囲に断面コの字形の環状突出部(53)を形成し、アルミ板(20)の接合面(21)でガス経路穴(6)の周囲に断面コの字形の環状溝(51)を形成したもので、環状溝(51)にテーパ(52)を設けて環状溝に環状突出部の挿入を容易にしたものである。
【0042】
図21に示したものは、アルミ板(10)の接合面(12)でガス経路穴(5)の周囲にテーパ(56)を設けた断面コの字形の環状突出部(55)に形成し、アルミ板(20)の接合面(21)でガス経路穴(6)の周囲に断面コの字形の環状溝(54)を形成したもので、環状突出部(55)にテーパ(56)を設けて環状溝に環状突出部の挿入を容易にしたものである。
図22に示したものは、アルミ板(10)の接合面(12)でガス経路穴(5)の周囲に断面台形の環状突出部(58)を形成し、アルミ板(20)の接合面(21)でガス経路穴(6)の周囲に断面台形の環状溝(57)を形成したもので、環状溝、環状突出部の機械加工が容易であり、またその組み合わせるときに挿入が容易なものである。
【0043】
【実施例6】
本発明の実施例6について、図23〜図25を参照して説明する。
図23は実施例6の金属部材の積層を示す斜視図であり、図24(a)(b)、図25は積層する金属部材の接合面の断面図である。
実施例6は、上記実施例1で説明したアルミ板(10)(20)…を積層したガス分散プレートにおける、アルミ板(10)とアルミ板(20)のBガス経路穴(6)の接続について変形例を示したものである。
図23に示すように、アルミ板(10)には、外側面(11)から接合面(12)に通ずるAガスの経路穴(1)と穴(69)が形成されている。アルミ板(20)の接合面(21)には、外周に環状溝(25)、Aガスの経路穴(3)及びBガスの経路穴(6)が形成された円筒(68)が突出している。
図24(a)に示すように、アルミ板(10)の穴(69)は接合面(12)から外側面(11)にテーパーが付けられている。アルミ板(20)の円筒(68)はテーパーが付けられて、ガスの経路穴(6)が形成されている。
【0044】
アルミ板(10)(20)…を積層し、Aガス経路穴とその分岐部及びBガス経路穴とその分岐部を合わせ、また環状溝と環状突出部を組み合わせて鍛圧圧縮して締結するものであるが、その際にアルミ板(10)の穴(69)に、テーパー付き円筒(68)を圧入して、図24(b)に示すように、Bガス経路穴とするものである。
図25は、アルミ板(10)の穴(69)の接合面(12)側に、面取り部(70)を設けて、アルミ板(20)のテーパー付き円筒(68)を挿入しやすくしたものである。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、積層するアルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面を鍛圧圧縮により接合することにより、優れたシール性を有するものである。特にガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面の対向位置に環状溝と環状突出部を設けて鍛圧圧縮して締結することにより高度なシール性が確保され、ガス等の流体が漏れ出すことがないという効果を有するものであり、またガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面の対向位置のそれぞれに環状溝を設けて中間のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を挿入して締結することにより高度なシール性が確保され、ガス等の流体が漏れ出すことがないという効果を有するものである。
【0046】
すなわち、機械加工した環状溝と環状突出部を組み合わせを加圧鍛接して金属接合による高い圧着状態を確保できることから、複雑且つ子細なガス経路の優れたシール性を保つことができ、また積層プレート間も高圧加圧するため、良好な密着状態が得られるものである。
さらに、締結用の環状溝と環状突出部を機械加工して成形、鍛圧締結したもので、接合材等の介在物を使わないことから、使用時に接合用の介在物等からの発生ガスがなく、装置の清浄を保つことができるものである。また接合時、ロウ付け工法に見られるロウの溶け出し等がなく、精密加工した穴や溝をふさぐこともない。また、O(オー)リングのようなシール部材が不要であり、積層したアルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能である。また耐熱温度によってアルミニウム合金の組成を変更することが可能である
【0047】
また、ガス経路や分岐部となる精密穴及び溝は機械加工で形成することができるため設計の自由度が大きい。ガス経路や分岐部の加工と同時に鍛圧接合に必要な凹凸(環状溝と環状突出部)を加工すればよく、接合は積層板を組み合わせて、同時に鍛圧することで、安価な製造を可能とする。さらに、鍛圧時にはプレスによる加圧を行うことで済むので、大きなサイズにも対応が容易であるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1のガス分散プレートの断面図
【図2】本発明の実施例1のガス分散プレートを構成するアルミ板を示す図
【図3】本発明の実施例1の金属部材の積層を示す図
【図4】本発明の実施例1のガス分散プレートを構成するアルミ板を示す図
【図5】本発明の実施例1のガス分散プレートを構成するアルミ板を示す図
【図6】本発明の実施例1のガス分散プレートを構成するアルミ板を示す図
【図7】本発明の実施例1のガス分散プレートを構成するアルミ板を示す図
【図8】本発明の実施例1のガス分散プレートを構成するアルミ板を示す図
【図9】本発明の実施例1の金属部材の積層を示す図
【図10】本発明の実施例1のアルミ板接合面の環状溝と環状突出部を示す図
【図11】本発明の実施例1のアルミ板接合面の環状溝と環状突出部を示す図
【図12】本発明の実施例1のアルミ板接合面の環状溝と環状突出部を示す図
【図13】本発明の実施例2の金属部材の環状突出部と環状溝の位置を示す図
【図14】本発明の実施例2の金属部材の環状突出部と環状溝の位置を示す図
【図15】本発明の実施例2の金属部材の環状突出部と環状溝の位置を示す図
【図16】本発明の実施例3のガス分散プレートの断面図
【図17】本発明の実施例4の金属部材の接合面の環状溝を示す図
【図18】本発明の実施例4の金属部材の接合面の環状溝を示す図
【図19】本発明の実施例4の金属部材の接合面の環状溝を示す図
【図20】本発明の実施例5の金属部材の接合面の環状溝と環状突出部を示す図
【図21】本発明の実施例5の金属部材の接合面の環状溝と環状突出部を示す図
【図22】本発明の実施例5の金属部材の接合面の環状溝と環状突出部を示す図
【図23】本発明の実施例6の金属部材の積層を示す図
【図24】本発明の実施例6の金属部材の接合面の断面図
【図25】本発明の実施例6の金属部材の接合面の断面図
【図26】従来技術を説明する図
【符号の説明】
1、3、4、5、6、8 ガス経路穴
2、7 ガス分岐部
10、20、30 アルミ板
13、14、23、24 環状突出部
25、26、35、36 環状溝

Claims (6)

  1. ガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し接合したガスを種類毎に分散して流出させる成膜用ガス分散プレートにおいて、アルミニウム又はアルミニウム合金部材にはガス経路及び/又は分岐部がガスの種類毎に形成され、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方には環状突出部を設け、ガス経路穴とその分岐部をガスが種類毎に分散して流出させるように合わせ、かつ前記環状溝に前記環状突出部を挿入し鍛圧圧縮して締結し、複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を一体にしたことを特徴とする優れたシール性を有し、積層した前記アルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能である成膜用ガス分散プレート。
  2. ガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し接合したガスを種類毎に分散して流出させる成膜用ガス分散プレートにおいて、アルミニウム又はアルミニウム合金部材にはガス経路及び/又は分岐部がガスの種類毎に形成され、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方にも環状溝を設け、ガス経路穴とその分岐部をガスが種類毎に分散して流出させるように合わせ、かつそれぞれの環状溝に充満させる中間アルミニウム又はアルミニウム合金部材を挿入し、鍛圧圧縮して締結し、複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を一体にしたことを特徴とする優れたシール性を有し、積層した前記アルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能である成膜用ガス分散プレート。
  3. アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路が、一方にはガスの経路穴が形成された円筒、もう一方には前記円筒を挿入する穴が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の優れたシール性を有し、積層した前記アルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能である成膜用ガス分散プレート。
  4. 積層するアルミニウム又はアルミニウム合金部材に形成されているガス経路及び/又は分岐部が、防食のための表面処理を施したものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の優れたシール性を有し、積層した前記アルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能である成膜用ガス分散プレート。
  5. ガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し接合したガスを種類毎に分散して流出させる成膜用ガス分散プレートの製造方法において、アルミニウム又はアルミニウム合金部材にガス経路及び/又は分岐部がガスの種類毎に形成し、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方には環状突出部を設け、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し、ガス経路穴とその分岐部をガスが種類毎に分散して流出させるように合わせ、かつ前記環状溝に前記環状突出部を挿入し、300〜500℃で鍛圧圧縮して締結し、複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を一体にすることを特徴とする優れたシール性を有し、積層した前記アルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能である成膜用ガス分散プレートの製造方法。
  6. ガス経路及び/又は分岐部を形成した複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し接合したガスを種類毎に分散して流出させる成膜用ガス分散プレートの製造方法において、アルミニウム又はアルミニウム合金部材にガス経路及び/又は分岐部がガスの種類毎に形成し、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に、対向位置でかつガスの種類毎に形成されているガス経路穴の個々の周り及び/又は分岐部の周り並びに接合面の外周に、一方には環状溝もう一方にも環状溝を設け、前記アルミニウム又はアルミニウム合金部材を積層し、ガス経路穴とその分岐部をガスが種類毎に分散して流出させるように合わせ、かつそれぞれの環状溝に充満させる中間アルミニウム又はアルミニウム合金部材を挿入し、300〜500℃で鍛圧圧縮して締結し、複数のアルミニウム又はアルミニウム合金部材を一体にすることを特徴とする優れたシール性を有し、積層した前記アルミニウム若しくはアルミニウム合金の耐熱温度まで使用が可能である成膜用ガス分散プレートの製造方法。
JP2000187658A 2000-06-22 2000-06-22 成膜用ガス分散プレート及びその製造方法 Expired - Fee Related JP3578398B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000187658A JP3578398B2 (ja) 2000-06-22 2000-06-22 成膜用ガス分散プレート及びその製造方法
TW090109313A TW508988B (en) 2000-06-22 2001-04-18 Nozzle plate member for supplying fluids in dispersed manner and manufacturing method of the same
KR10-2001-0027061A KR100433110B1 (ko) 2000-06-22 2001-05-17 유체를 분산해서 공급하는 노즐 플레이트 부재 및 그제조방법
EP01114529A EP1168420A3 (en) 2000-06-22 2001-06-16 Nozzle plate member for supplying fluids in dispersed manner and manufacturing method of the same
US09/883,771 US6799735B2 (en) 2000-06-22 2001-06-18 Nozzle plate member for supplying fluids in dispersed manner and manufacturing method of the same
CNB011220317A CN1285762C (zh) 2000-06-22 2001-06-22 将流体分散后供给的喷嘴板部件及其制造方法
US10/926,167 US7150418B2 (en) 2000-06-22 2004-08-25 Nozzle plate member for supplying fluids in dispersed manner and manufacturing method of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000187658A JP3578398B2 (ja) 2000-06-22 2000-06-22 成膜用ガス分散プレート及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002008993A JP2002008993A (ja) 2002-01-11
JP3578398B2 true JP3578398B2 (ja) 2004-10-20

Family

ID=18687601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000187658A Expired - Fee Related JP3578398B2 (ja) 2000-06-22 2000-06-22 成膜用ガス分散プレート及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6799735B2 (ja)
EP (1) EP1168420A3 (ja)
JP (1) JP3578398B2 (ja)
KR (1) KR100433110B1 (ja)
CN (1) CN1285762C (ja)
TW (1) TW508988B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8263908B2 (en) 2004-10-08 2012-09-11 Furukawa-Sky Aluminum Corp. Heater plate and a method for manufacturing the heater plate

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4750258B2 (ja) * 2000-10-24 2011-08-17 古河スカイ株式会社 流体回路部材の製造方法
JP4750257B2 (ja) * 2000-10-24 2011-08-17 古河スカイ株式会社 金属部材を接合したヒートプレートの製造方法
CN1328766C (zh) * 2001-01-22 2007-07-25 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法
US6837966B2 (en) * 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
KR100558922B1 (ko) * 2004-12-16 2006-03-10 (주)퓨전에이드 박막 증착장치 및 방법
JP2008540840A (ja) * 2005-05-09 2008-11-20 エイエスエム・ジェニテック・コリア・リミテッド 複数の気体流入口を有する原子層堆積装置の反応器
KR100629358B1 (ko) * 2005-05-24 2006-10-02 삼성전자주식회사 샤워 헤드
US7958887B2 (en) * 2006-03-10 2011-06-14 Aradigm Corporation Nozzle pore configuration for intrapulmonary delivery of aerosolized formulations
WO2008031185A1 (en) * 2006-09-13 2008-03-20 Doben Limited Nozzle assembly for cold gas dynamic spray system
US20080099147A1 (en) 2006-10-26 2008-05-01 Nyi Oo Myo Temperature controlled multi-gas distribution assembly
US11136667B2 (en) * 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US7789961B2 (en) * 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
JP5183935B2 (ja) 2007-02-26 2013-04-17 Ckd株式会社 流路ブロックの製造方法
DE102007026349A1 (de) * 2007-06-06 2008-12-11 Aixtron Ag Aus einer Vielzahl diffusionsverschweißter Scheiben bestehender Gasverteiler
US8211231B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-03 Eastman Kodak Company Delivery device for deposition
US8398770B2 (en) * 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8673080B2 (en) 2007-10-16 2014-03-18 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead
WO2009107522A1 (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 有限会社 相田製作所 二部材の固定構造、及び工作機械の工具ホルダ
US8291857B2 (en) 2008-07-03 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods for atomic layer deposition
US8071165B2 (en) * 2008-08-08 2011-12-06 International Solar Electric Technology, Inc. Chemical vapor deposition method and system for semiconductor devices
US9034142B2 (en) * 2009-12-18 2015-05-19 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead for high temperature operations
US9184028B2 (en) 2010-08-04 2015-11-10 Lam Research Corporation Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control
US8869742B2 (en) * 2010-08-04 2014-10-28 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
KR101937115B1 (ko) 2011-03-04 2019-01-09 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 하이브리드 세라믹 샤워헤드
TW201347035A (zh) * 2012-02-02 2013-11-16 Greene Tweed Of Delaware 用於具有延長生命週期的電漿反應器的氣體分散板
US20140026816A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Applied Materials, Inc. Multi-zone quartz gas distribution apparatus
CN103074605A (zh) * 2012-12-26 2013-05-01 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 喷淋头及化学气相沉积设备
CN103736616B (zh) * 2013-12-31 2016-09-28 天津市德中技术发展有限公司 集液体的容纳与液体的喷射功能于一体的装置的制作方法
US9198300B2 (en) 2014-01-23 2015-11-24 Illinois Tool Works Inc. Flux management system and method for a wave solder machine
US9161459B2 (en) 2014-02-25 2015-10-13 Illinois Tool Works Inc. Pre-heater latch and seal mechanism for wave solder machine and related method
US10741365B2 (en) 2014-05-05 2020-08-11 Lam Research Corporation Low volume showerhead with porous baffle
CN105446275B (zh) * 2014-08-12 2018-05-25 北京北方华创微电子装备有限公司 气路界面显示方法和系统
JP5872089B1 (ja) * 2015-04-27 2016-03-01 中外炉工業株式会社 シャワープレート装置
US10378107B2 (en) 2015-05-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
TWI723024B (zh) 2015-06-26 2021-04-01 美商應用材料股份有限公司 用於改良的氣體分配的遞迴注入設備
US20170211185A1 (en) * 2016-01-22 2017-07-27 Applied Materials, Inc. Ceramic showerhead with embedded conductive layers
CN109661715B (zh) * 2016-09-05 2023-07-28 信越半导体株式会社 气相生长装置及外延晶片的制造方法
JP6628065B2 (ja) * 2016-09-05 2020-01-08 信越半導体株式会社 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント
US11154162B2 (en) 2017-03-14 2021-10-26 Illinois Tool Works Inc. Cooking appliance and related heater assembly
KR102517783B1 (ko) * 2018-11-28 2023-04-04 (주)포인트엔지니어링 반도체 제조 공정용 또는 디스플레이 제조 공정용 프로세스 유체가 통과하는 접합부품
DE102019200012A1 (de) * 2019-01-02 2020-07-02 Hansgrohe Se Brausekopf mit Strahlscheibenhaltevorrichtung
US11666921B2 (en) 2019-06-10 2023-06-06 U.S. Mining, Inc. Systems and methods for crushing clay, transporting clay, and processing clay
KR20210016946A (ko) * 2019-08-06 2021-02-17 삼성전자주식회사 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리장치
KR102657134B1 (ko) * 2022-03-21 2024-04-11 김형수 다색 파운데이션 충진노즐

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1569990A (ja) * 1968-04-23 1969-06-06
US4768751A (en) * 1987-10-19 1988-09-06 Ford Motor Company Silicon micromachined non-elastic flow valves
EP0481788B1 (en) * 1990-10-18 1997-01-02 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing ink jet recording head
JP2509512B2 (ja) * 1993-03-05 1996-06-19 株式会社アイピーシー ドライブプレ―トの製造方法
US5489930A (en) * 1993-04-30 1996-02-06 Tektronix, Inc. Ink jet head with internal filter
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JP3552154B2 (ja) * 1998-01-12 2004-08-11 古河スカイ株式会社 アルミニウム又はアルミニウム合金部材からなる密封体、並びに半導体製造装置又は薄型ディスプレー製造装置の基板ホルダー及びそれを製造する方法
JP3345852B2 (ja) * 1998-06-18 2002-11-18 古河電気工業株式会社 半導体製造装置の基盤ホルダー及びその製造方法
US6376815B1 (en) * 1998-01-12 2002-04-23 Furukawa Electric Co., Ltd. Highly gas tight substrate holder and method of manufacturing the same
JP2000000584A (ja) 1998-06-16 2000-01-07 Sekisui Chem Co Ltd 浄化槽
US6110332A (en) * 1998-10-26 2000-08-29 The Regents Of The University Of California T-load microchannel array and fabrication method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8263908B2 (en) 2004-10-08 2012-09-11 Furukawa-Sky Aluminum Corp. Heater plate and a method for manufacturing the heater plate

Also Published As

Publication number Publication date
CN1285762C (zh) 2006-11-22
US20050017100A1 (en) 2005-01-27
EP1168420A2 (en) 2002-01-02
US6799735B2 (en) 2004-10-05
KR20020000486A (ko) 2002-01-05
US20020005442A1 (en) 2002-01-17
US7150418B2 (en) 2006-12-19
KR100433110B1 (ko) 2004-05-28
JP2002008993A (ja) 2002-01-11
TW508988B (en) 2002-11-01
EP1168420A3 (en) 2006-09-13
CN1330169A (zh) 2002-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3578398B2 (ja) 成膜用ガス分散プレート及びその製造方法
US5644840A (en) Method of producing a plate-type heat exchanger
US20010030043A1 (en) Brazed plate heat exchanger utilizing metal gaskets and method for making same
US7009136B2 (en) Method of fabricating a bipolar plate assembly
US20080100004A1 (en) Laser welded multi-layered steel gasket assembly
KR100551108B1 (ko) 티탄제 플레이트식 열교환기의 제조방법
WO2005005562B1 (en) Plasma spraying for joining silicon parts
JP2002107089A (ja) プレート式熱交換器
JPH1082591A (ja) プレート型ヒートパイプおよびその製造方法
KR20160136241A (ko) 다부품 테이퍼진, 동심 매니폴드, 및 이 매니폴드를 제조하는 방법
JP4750258B2 (ja) 流体回路部材の製造方法
JPH09184694A (ja) 積層型熱交換器のコア
JP4032508B2 (ja) プレート・フィン型熱交換器のヘッダ取付構造及びヘッダ取付方法
JP4750257B2 (ja) 金属部材を接合したヒートプレートの製造方法
JP2000005884A (ja) 半導体製造装置の基盤ホルダー及びその製造方法
TW202028678A (zh) 均溫板及其製程
JPH0415390A (ja) 集中配管構造物の製造方法
JPS59150662A (ja) 鋼材と銅材との接合方法
JP3935661B2 (ja) プレート式熱交換器
JPS6358099A (ja) プレ−トフイン型熱交換器の製作方法
JP5271010B2 (ja) オイルクーラ
JP2002062079A (ja) プレート式熱交換器
JPH01273666A (ja) アルミニューム製積層型オイルクーラの製造方法
JPS63317256A (ja) 金属ベロ−ズの製造方法
JPS5938591A (ja) 積層型熱交換器

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040107

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20040202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040420

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040614

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20040614

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040707

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040709

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3578398

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090723

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090723

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100723

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100723

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130723

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S631 Written request for registration of reclamation of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631

S633 Written request for registration of reclamation of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees