JP2002008993A - 流体回路部材及びその製造方法 - Google Patents

流体回路部材及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 流体経路穴及び分岐部の機能を低下させるこ
となく、高い信頼性を有する流体経路部材及びその製造
方法を提供する。 【解決手段】 アルミ板(10)(20)(30)を積
層し、アルミ板(10)のAガス経路穴(1)の分岐部
(2)はアルミ板(20)の複数のAガス経路穴(3)
に接続され、複数のAガス経路穴(3)はアルミ板(3
0)のAガス経路穴(4)にそれぞれ接続される。また
アルミ板(10)のBガス経路穴(5)はアルミ板(2
0)のBガス経路穴(6)に接続され、Bガス経路穴
(6)の分岐部(7)はアルミ板(30)の複数のBガ
ス経路穴(8)に接続される。アルミ板(10)の環状
突出部(13)は、アルミ板(20)の環状溝(25)
と、環状突出部(14)は環状溝(26)と組み合わせ
られる。またアルミ板(20)の環状突出部(23)
は、アルミ板(30)の環状溝(35)と、環状突出部
(24)は環状溝(36)と組み合わせ、鍛圧圧縮して
締結し、ガス分散プレートを製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、流体回路部材及び
その製造方法に係り、特に、半導体製造装置または液晶
製造装置の成膜に用いられるガスを分散して流出させる
成膜用ガス分散プレート及びその製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】半導体装置製造や液晶ガラス基板製造の
工程において、異種ガスを吹き付けて化学的気相成長
(CVD)等で成膜を行っている。このような成膜工程
において、異種のガスはガス毎に供給されて基板の直前
で均一に異種のガスを混合して基板に成膜するものであ
る。異種のガスを均一に混合させるには、基板の直前に
異種のガスを分散して供給しなければならず、また異種
のガスは混じらないようにガス毎に供給しなければなら
ないものである。
【0003】そこで、図26(a)(b)に示すよう
な、流体としてガスを段階的に分散して多数の穴から供
給するガス分散プレートについて検討を行った。図26
(a)はガス拡散プレートの断面図、図26(b)は平
面図である。図26(a)(b)に示すように、ガス拡
散プレートは金属部材(40)(41)(42)を積層
したものである。金属部材(40)には、Aガスの経路
穴(43)とその分岐部(44)及びBガスの経路穴
(47)が機械加工で形成され、金属部材(41)には
Aガスの経路穴(45)及びBガスの経路穴(48)と
その分岐部(49)が機械加工で形成され、金属部材
(42)にはAガスの経路穴(46)及びBガスの経路
穴(50)が機械加工で形成されており、これら金属部
材(40)(41)(42)をロウ付け接合、電子ビー
ムによる接合、ボルト締め接合して一体に積層した。
【0004】金属部材(40)(41)(42)を積層
したガス拡散プレートで、Aガスは経路穴(43)を通
り、分岐部(44)で分岐され、多数に分散され、経路
穴(45)(46)を通って流出し成膜域に供給され
る。またBガスは経路穴(47)(48)を通り、分岐
部(49)で分岐され、多数に分散された経路穴(5
0)を通って流出し成膜域に供給される。そしてAガス
とBガスは基板の直前で混合され、基板に膜を形成する
ものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記の図26に示した
ガス分散プレートは、ガスを分散して供給することがで
きものではあったが、ロウ付け接合、電子ビームによる
接合、ボルト締め接合ではシール性、ガス経路用穴の接
合部の状況等に問題があった。ロウ付け接合では、ロウ
付け時のガスの巻き込みにより生ずるピンホールによ
り、シール性が低下する点、ロウ等の成分からガスが発
生し、半導体製造や液晶基板製造として必要とする清浄
性を損なう点、ロウ材が接合の際に溶け出して、精密で
微細なガス経路用穴、分岐部を埋めることがあり、ガス
経路用穴の寸法・機能を損なう点等の問題があった。ロ
ウが接合の際に溶け出してガス経路用穴を埋めるという
問題を解決するために、ロウ付け箔を用いてみたが、ロ
ウ付け箔を精密で微細なガス経路用穴、分岐部の形状に
合わせように加工して配置する必要があり、それには工
数がかかりコスト高になるという問題があった。また耐
熱温度に限界があり、成膜時の約400℃前後の温度に
対応できないという問題があった。
【0006】電子ビームで溶解して接合する工法では、
金属部材に成形されている多数の精密で微細なガス経路
用穴若しくは分岐部の全てに対応してシール性を確保
し、穴詰まりがないように接合することは困難であっ
た。また電子ビーム接合は高真空チャンバー内で行われ
るもので、その高真空チャンバーのサイズに制約され
て、大型のガス分散プレートを製作することができず、
またコストが高いという問題があった。ボルト締めによ
る接合では、パッキンを配置してシールを性確保しする
ものであるが、パッキンを精密で微細なガス経路用穴、
分岐部の形状に合わせるように加工して配置するには、
パッキンを配置するスペースが必要でユーザーの要求に
一致した設計の自由度がなくなるという問題、工数がか
かりコスト高になるという問題があり、またパッキンで
はシールの完全性を確保することは困難であった。特に
これらの成膜は高温で行なわれることが多いため耐熱性
も問題となっており、ハッキンを用いる方法では耐熱温
度にも問題があった。本発明は、流体経路を形成した複
数の金属部材を積層したもので、その接合部で高いシー
ル性を有するとともに、その精度の高い流体経路穴及び
分岐部の機能を低下させることなく、また高真空・高温
下で使用しても高い信頼性を有する流体回路部材及びそ
の製造方法を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためのもので、流体経路及び/又は分岐部を形成
した複数の金属部材を積層し、流体を分散して流出させ
る流体回路部材であって、積層する金属部材の接合面を
鍛圧圧縮により接合したことを特徴とする優れたシール
性を有する金属部材を積層した流体回路部材である。ま
た本発明は、流体経路及び/又は分岐部を形成した複数
の金属部材を積層し、流体を分散して流出させる流体回
路部材であって、積層する金属部材の接合面の対向位置
に環状溝と環状突出部を設け、前記環状溝に前記環状突
出部を挿入し鍛圧圧縮により接合したことを特徴とする
優れたシール性を有する金属部材を積層した流体回路部
材である。また本発明は、流体経路及び/又は分岐部を
形成した複数の金属部材を積層し流体を分散して流出さ
せる流体回路部材は、流体経路及び/又は分岐部が流体
の種類毎に形成され、流体を種類毎に分散して流出させ
る流体回路部材であって、積層する金属部材の接合面の
対向位置で、かつ流体を種類毎に区画する位置に環状溝
と環状突出部を設け、前記環状溝に前記環状突出部を挿
入し鍛圧圧縮により接合したことを特徴とする優れたシ
ール性を有する金属部材を積層した流体回路部材であ
る。また本発明は、流体経路及び/又は分岐部を形成し
た複数の金属部材を積層し、流体を分散して流出させる
流体回路部材であって、積層する金属部材の接合面の対
向位置にそれぞれ環状溝を設け、前記それぞれの環状溝
に充満させる中間金属部材を挿入し鍛圧圧縮により接合
したことを特徴とする優れたシール性を有する金属部材
を積層した流体回路部材である。また本発明は、流体経
路及び/又は分岐部を形成した複数の金属部材を積層し
流体を分散して流出させる流体回路部材は、流体経路及
び/又は分岐部が流体の種類毎に形成され、流体を種類
毎に分散して流出させる流体回路部材であって、積層す
る金属部材の接合面の対向位置で、かつ流体を種類毎に
区画する位置にそれぞれ環状溝を設け、前記それぞれの
環状溝に充満させる中間金属部材を挿入し鍛圧圧縮によ
り接合したことを特徴とする優れたシール性を有する金
属部材を積層した流体回路部材である。
【0008】また本発明は、ガス経路及び/又は分岐部
を形成した複数の金属部材を積層し、ガスを分散して流
出させる成膜用ガス分散プレートであって、積層する金
属部材の接合面を鍛圧圧縮により接合したことを特徴と
する優れたシール性を有する金属部材を積層した成膜用
ガス分散プレートである。また本発明は、ガス経路及び
/又は分岐部を形成した複数の金属部材を積層し、ガス
を分散して流出させる成膜用ガス分散プレートであっ
て、積層する金属部材の接合面の対向位置に環状溝と環
状突出部を設け、前記環状溝に前記環状突出部を挿入し
鍛圧圧縮により接合したことを特徴とする優れたシール
性を有する金属部材を積層した成膜用ガス分散プレート
である。また本発明は、ガス経路及び/又は分岐部を形
成した複数の金属部材を積層しガスを分散して流出させ
る成膜用ガス分散プレートは、ガス経路及び/又は分岐
部がガスの種類毎に形成され、ガスを種類毎に分散して
流出させるものであって、積層する金属部材の接合面の
対向位置で、かつガスを種類毎に区画する位置に環状溝
と環状突出部を設け、前記環状溝に前記環状突出部を挿
入し鍛圧圧縮により接合したことを特徴とする優れたシ
ール性を有する金属部材を積層した成膜用ガス分散プレ
ートである。また本発明は、ガス経路及び/又は分岐部
を形成した複数の金属部材を積層し、ガスを分散して流
出させる成膜用ガス分散プレートであって、積層する金
属部材の接合面の対向位置にそれぞれ環状溝を設け、前
記それぞれの環状溝に充満させる中間金属部材を挿入し
鍛圧圧縮により接合したことを特徴とする優れたシール
性を有する金属部材を積層した成膜用ガス分散プレート
である。また本発明は、ガス経路及び/又は分岐部を形
成した複数の金属部材を積層しガスを分散して流出させ
る成膜用ガス分散プレートは、ガス経路及び/又は分岐
部がガスの種類毎に形成され、ガスを種類毎に分散して
流出させるものであって、積層する金属部材の接合面の
対向位置で、かつガスを種類毎に区画する位置にそれぞ
れ環状溝を設け、前記それぞれの環状溝に充満させる中
間金属部材を挿入し鍛圧圧縮により接合したことを特徴
とする優れたシール性を有する金属部材を積層した成膜
用ガス分散プレートである。
【0009】また本発明は、上記の流体経路及び/又は
分岐部を形成した複数の金属部材を積層した流体回路部
材において、積層する金属部材がアルミニウム又はアル
ミニウム合金部材であることを特徴とするものである。
また本発明は、上記の流体経路及び/又は分岐部を形成
した複数の金属部材を積層した流体回路部材において、
積層する金属部材に形成されている流体経路及び/又は
分岐部が、防食のための表面処理を施したものであるこ
とを特徴とするものである。また本発明は、上記の流体
経路及び/又は分岐部を形成した複数の金属部材を積層
した流体回路部材において、積層する金属部材がアルミ
ニウム又はアルミニウム合金部材であり、積層する金属
部材に形成されている流体経路及び/又は分岐部が防食
のための表面処理を施したものであることを特徴とする
ものである。また本発明は、上記のガス経路及び/又は
分岐部を形成した複数の金属部材を積層した成膜用ガス
分散プレートにおいて、積層する金属部材が、アルミニ
ウム又はアルミニウム合金部材であることを特徴とする
ものである。また本発明は、上記のガス経路及び/又は
分岐部を形成した複数の金属部材を積層した成膜用ガス
分散プレートにおいて、積層する金属部材に形成されて
いるガス経路及び/又は分岐部が、防食のための表面処
理を施したものであることを特徴とするものである。ま
た本発明は、上記のガス経路及び/又は分岐部を形成し
た複数の金属部材を積層した成膜用ガス分散プレートに
おいて、積層する金属部材がアルミニウム又はアルミニ
ウム合金部材であり、積層する金属部材に形成されてい
るガス経路及び/又は分岐部が防食のための表面処理を
施したものであることを特徴とするものである。
【0010】また本発明は、積層する金属部材に流体経
路及び/又は分岐路を形成し、かつ接合面の対向位置に
環状溝と環状突出部を設け、前記金属部材の接合面の流
体経路及び/又は分岐路を組み合わせ、また接合面の環
状溝に環状突出部を挿入し、積層する金属部材を鍛圧圧
縮して流体経路及び/又は分岐路を接続し、かつ環状溝
に環状突出部を充満させて締結部を形成することを特徴
とする優れたシール性を有する金属部材を積層した流体
回路部材の製造方法である。さらに本発明は、積層する
金属部材に流体経路及び/又は分岐路を形成し、かつ接
合面の対向位置にそれぞれ環状溝を設け、前記金属部材
の接合面の流体経路及び/又は分岐路を組み合わせ、ま
た接合面の前記環状溝に金属中間部材を挿入し、積層す
る金属部材を鍛圧圧縮して流体経路及び/又は分岐路を
接続し、かつ環状溝に金属中間部材を充満させて締結部
を形成することを特徴とする優れたシール性を有する金
属部材を積層した流体回路部材の製造方法である。
【0011】
【作用】本発明の流体回路部材は、気体、液体を問わず
任意の流体を通過させものであり、流体経路及び/又は
分岐部を形成した複数の金属部材を積層して流体を分散
させて流出させるもので、積層する金属部材の接合面を
鍛圧圧縮により接合することにより、優れたシール性を
有するものである。特に、積層する金属部材の接合面の
対向位置に環状溝と環状突出部を設け、環状溝に環状突
出部を挿入し鍛圧圧縮して締結することにより、高度な
シール性が確保され、流体が漏れ出すことがないもので
ある。また積層する金属部材の接合面の対向位置に、そ
れぞれ環状溝を設け、環状溝に充満させる中間金属部材
を挿入し鍛圧圧縮して締結することにより、高度なシー
ル性が確保され、流体が漏れ出すことがないものであ
る。特に、本発明の流体経路及び/又は分岐部を形成し
た複数の金属部材を積層し流体を分散して流出させる流
体回路部材が、ガス経路及び/又は分岐部でガスを分散
して流出させる成膜用ガス分散プレートで、高度なシー
ル性が確保され、ガスが漏れ出すことがないものであ
る。
【0012】また、本発明の流体回路部材は、積層する
複数の金属部材に形成される流体経路と分岐部が流体の
種類毎に形成されていることにより、異種の流体が種類
毎に流体経路と分岐部を通り、流体の種類毎に分散さ
せ、流体の種類毎に流出させることができるものであ
る。また、金属部材の接合面の環状溝と環状突出部が、
流体の種類毎に区画する位置に設けられ、環状溝に環状
突出部を挿入し鍛圧圧縮して締結することにより、流体
の種類毎に形成されている流体経路と分岐部のシール性
が確保され、金属部材の接合面の流体経路や分岐部の接
続部から流体が漏れ出すことがないものである。また、
金属部材の接合面の対向位置でかつ流体を種類毎に区画
する位置にそれぞれ環状溝を設け、それぞれの環状溝に
充満させる中間金属部材を挿入し鍛圧圧縮して締結する
ことにより、流体の種類毎に形成されている流体経路と
分岐部のシール性が確保され、金属部材の接合面の流体
経路や分岐部の接続部から流体が漏れ出すことがないも
のである。
【0013】また、本発明の複数の金属部材を積層した
流体回路部材は、ガス経路及び/又は分岐部がガスの種
類毎に形成されたもので、異種のガスをガス種類毎にガ
ス経路と分岐部で分散させ、ガス種類毎に流出させるこ
とができるものである。また、金属部材の接合面の環状
溝と環状突出部をガスを種類毎に区画する位置に設けて
鍛圧圧縮して締結することにより、ガスの種類毎のガス
経路と分岐部のシール性が確保され、接合面のガス経路
や分岐部の接続部からガスが漏れ出し、異種のガスがガ
ス分散プレートから流出する前に混合するというような
ことがなく、基板の直前で異種のガスを混合させて成膜
することができるものである。また、金属部材の接合面
のそれぞれに環状溝をガスを種類毎に区画する位置に設
け、環状溝に充満させる中間金属部材を挿入し鍛圧圧縮
して締結することにより、ガスの種類毎のガス経路と分
岐部のシール性が確保され、接合面のガス経路や分岐部
の接続部からガスが漏れ出し、異種のガスがガス分散プ
レートから流出する前に混合するというようなことがな
く、基板の直前で異種のガスを混合させて成膜すること
ができるものである。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について詳細
に説明する。本発明の流体回路部材は、気体、液体を問
わず任意の流体を分散させて流出させるもので、例えば
流体としてガスを分散して流出させる成膜用ガス分散プ
レートとして用られるもので、半導体製造や液晶基板ガ
ラス製造で使用される装置において、成膜用装置、具体
的には化学的気相成長(CVD)処理装置に使用される
ものであり、半導体製造や液晶基板ガラス製造装置の成
膜過程で異種のガスをガスの種類毎に分散させて吹き付
けるものである。例えば、化学的気相成長(CVD)処
理により成膜を行う場合には、異種ガスは、化学的気相
成長(CVD)処理の成膜直前まで混合することがない
ように、ガス分散プレートのガス経路や分岐部により、
ガスの種類毎に段階的、広域的に均一に分散させて目的
の基板に吹きつけるものである。異種のガスは、ガス毎
に均一に分散して吹きつけられるので、異種ガスは目的
の基板の直前で確実、かつ均一に混合することができ
る。ガスを均一に分散させて吹き付けるには、ガス分散
プレートの流出側に設けられるガス経路穴は、直径1m
m前後の小径穴を分散して多数設けることが好ましい。
【0015】本発明の流体回路部材の流体経路及び/又
は分岐部は、流体の種類毎に形成されているものであ
り、流体を種類毎に区画する位置に、接合面の環状溝と
環状突出部を設けるものである。具体的には、流体経路
穴の周り、分岐部の周り、金属部材の外周に設けること
が好ましい。また、本発明の流体回路部材の流体経路及
び/又は分岐部は、流体の種類毎に形成されているもの
で、流体を種類毎に区画する位置に、それぞれの接合面
に環状溝を設けるものであり、具体的には、それぞれの
接合面の環状溝は、流体経路穴の周り、分岐部の周り、
金属部材の外周に設けることが好ましい。本発明の流体
分散プレートにおいて、金属部材の流体経路は、分岐部
で広域的に分散させる。分岐部は金属部材の接合面に溝
を形成しするもので、この溝は接合面に広がるように設
けるものである。
【0016】本発明の流体回路部材は、積層する金属部
材としては、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ま
しい。アルミニウム又はアルミニウム合金部材の材質や
その製法については特定するものではないが、内部欠陥
の少ない圧延板、鍛造品を用いることが望ましい。また
積層するアルミニウム又はアルミニウム合金部材は同一
材料であると、鍛圧圧縮時の変形により接合部が圧着し
物理的に金属接合し易いが、別々の材料でも接合が可能
である。また、流体回路部材の要求される耐熱温度によ
ってアルミニウム合金の組成を変更したり、他の圧接可
能な金属材料に変更することが可能である。
【0017】また、本発明の積層する金属部材の接合面
の設けられる環状溝、環状突出部は、例えば機械加工に
より成形するが、機械加工と同等の寸法精度や表面性状
が得られれば他の加工方法によってもよい。例えばアル
ミニウム又はアルミニウム合金部材の接合面に形成され
た環状溝、環状突出部は、鍛圧前に、表面を洗浄するこ
とが望ましい。例えば、硝酸で表面の油とり、水洗し、
アルカリ溶液によりエッチングする苛性処理を行い、さ
らに水洗、硝酸での洗浄、水洗、湯洗等の工程を適宜組
みて表面を清浄にする。また積層する金属部材がアルミ
ニウム又はアルミニウム合金のときは、鍛圧圧接温度と
しては300〜500℃の範囲が好ましい。また、本発
明の積層する金属部材に形成されている流体経路及び/
又は分岐部の表面に、流体の種類に対応じて防食のため
に化学皮膜処理、陽極酸化処理等の表面処理を施すこと
が好ましい。具体的には、積層するアルミニウム又はア
ルミニウム合金部材に形成したガス経路及び/又は分岐
部にガスの種類に対応した防食のための化学皮膜処理、
陽極酸化処理等の表面処理を行い、成膜用ガス分散プレ
ートとするものである。
【0018】
【実施例1】本発明の実施例1について、図1〜図12
を参照して説明する。図1は本発明の実施例1のアルミ
板を積層したガス分散プレートの断面図、図2〜図8は
ガス分散プレートを構成するアルミ板を説明する図であ
る。図9は金属部材の積層を示す斜視図である。図10
〜図12は接合面の環状溝と環状突出部の鍛圧圧縮によ
る締結を示す図である。
【0019】図1、図2、図9に示すように、ガス分散
プレートは、ガス経路穴や分岐部を形成したアルミ板
(10)(20)(30)を積層したもので、Aガスと
Bガスの種類毎のガス経路及び分岐部により、段階的に
広域的に分散させて吹き付けるものである。アルミ板
(10)について、図3(a)(b)(c)及び図4
(a)(b)に示す。図3(a)はアルミ板(10)の
外側面(ガス流入側)の平面図、図3(b)はアルミ板
(10)の断面図、図3(c)はアルミ板(10)の接
合面の平面図である。図4(a)はアルミ板(10)の
外側面(ガス流入側)を示す斜視図、図4(b)はアル
ミ板(10)の接合面を示す斜視図である。アルミ板
(10)には、図3(a)(b)(c)及び図4(a)
(b)に示すように、外側面(11)から接合面(1
2)に通ずるAガスの経路穴(1)とH型で溝状のAガ
ス分岐部(2)、及びBガスの経路穴(5)が形成され
ている。また接合面(12)には外周に環状突出部(1
3)及びBガスの経路穴(5)の周囲に環状突出部(1
4)が形成されている。
【0020】アルミ板(20)について、図5(a)
(b)(c)及び図6(a)(b)に示す。図5(a)
はアルミ板(20)のアルミ板(10)との接合面の平
面図、図5(b)はアルミ板(20)の断面図、図5
(c)はアルミ板(20)のアルミ板(30)との接合
面の平面図である。図6(a)はアルミ板(20)のア
ルミ板(10)との接合面を示す斜視図、図6(b)は
アルミ板(20)のアルミ板(30)との接合面を示す
斜視図である。アルミ板(20)は、図5(a)(b)
(c)及び図6(a)(b)に示すように、接合面(2
1)から接合面(22)に通ずる複数(この図では6
個)のAガスの経路穴(3)が形成されている。Aガス
の経路穴(3)はアルミ板(10)に形成されているA
ガスのH型溝状の分岐部(2)に対応した位置に設けら
れている。また接合面(21)から接合面(22)に通
ずるBガスの経路穴(6)と肋骨型で溝状のBガス分岐
部(7)が形成されている。Bガスの経路穴(6)はア
ルミ板(10)のガス経路穴(5)に対応した位置に設
けられている。
【0021】アルミ板(20)の接合面(21)には、
外周に環状溝(25)及びBガスの経路穴(6)の周囲
に環状溝(26)が形成されている。環状溝(25)は
アルミ板(10)の接合面(12)の環状突出部(1
3)に対向した位置に形成されており、また環状溝(2
6)はアルミ板(10)の接合面(12)の環状突出部
(14)に対向した位置に形成されている。また、アル
ミ板(20)の接合面(22)には、外周に環状突出部
(23)及びAガスの経路穴(3)の周囲に環状突出部
(24)が形成されている。
【0022】アルミ板(30)について、図7(a)
(b)(c)及び図8(a)(b)に示す。図7(a)
はアルミ板(30)のアルミ板(20)との接合面の平
面図、図7(b)はアルミ板(30)の断面図、図7
(c)はアルミ板(30)の外側面(ガス流出側)の平
面図である。図8(a)はアルミ板(30)のアルミ板
(20)との接合面を示す斜視図、図8(b)はアルミ
板(30)の外側面(ガス流出側)を示す斜視図であ
る。アルミ板(30)は、図7(a)(b)(c)及び
図8(a)(b)に示すように、接合面(31)からガ
ス流出面(32)に通ずる複数(図では6個)のAガス
の経路穴(4)、及び複数(図では12個)のBガスの
経路穴(8)が形成されている。複数のAガス経路穴
(4)はアルミ板(20)の複数のAガス経路穴(3)
とそれぞれ対応した位置に設けられ、また複数のBガス
の経路穴(8)はアルミ板(20)に形成されている肋
骨型で溝状のBガス分岐部(7)に対応した位置に設け
られている。
【0023】また、アルミ板(30)の接合面(31)
には、外周に環状溝(35)及びAガスの経路穴(4)
の周囲に環状溝(36)が形成されている。外周の環状
溝(35)はアルミ板(20)の接合面(22)の環状
突出部(23)に対向した位置に形成され、環状溝(3
6)はアルミ板(20)の接合面(22)の環状突出部
(24)に対向した位置に形成されている。なお、アル
ミ板(30)には、Aガスの経路穴を6個、Bガスの経
路穴を12個図示してたが、これは図面を見やすく簡略
化したもので、実際には、多数のガス経路穴をガス分散
プレートに広域的に分散させて設けるものである。また
ガス分岐部としてH型、肋骨型のもの図示してたが、ガ
スを分岐して広域的に分散させるものであればよい。
【0024】このよう形成されたアルミ板(10)(2
0)(30)は、図2、図9に示すように積層される。
アルミ板(10)のAガス経路穴(1)の分岐部(2)
はアルミ板(20)の複数のAガス経路穴(3)に接続
され、複数のAガス経路穴(3)はアルミ板(30)の
Aガス経路穴(4)にそれぞれ接続される。またアルミ
板(10)のBガス経路穴(5)はアルミ板(20)の
Bガス経路穴(6)に接続され、Bガス経路穴(6)の
分岐部(7)はアルミ板(30)の複数のBガス経路穴
(8)に接続される。
【0025】また、アルミ板(10)の接合面(12)
の外周の環状突出部(13)は、アルミ板(20)の接
合面(21)の環状溝(25)と組み合わせられ、アル
ミ板(10)の接合面(12)の環状突出部(14)
は、アルミ板(20)の接合面(21)の環状溝(2
6)と組み合わせられる。また、アルミ板(20)の接
合面(22)の外周の環状突出部(23)は、アルミ板
(30)の接合面(31)の環状溝(35)と組み合わ
せられ、アルミ板(20)の接合面(22)の環状突出
部(24)は、アルミ板(30)の接合面(31)の環
状溝(36)と組み合わせられる。このように、アルミ
板(10)(20)(30)のAガス経路穴とその分岐
部及びBガス経路穴とその分岐部を合わせ、また環状溝
と環状突出部を組み合わせて鍛圧圧縮して締結し、アル
ミ板(10)(20)(30)を一体にしてガス分散プ
レートを製造するものである。
【0026】環状溝と環状突出部を組み合わされ、鍛圧
圧縮して締結される部分について、図10〜図12を参
照して説明する。図10〜図12は、図2に示す積層す
るアルミ板(10)とアルミ板(20)の環状溝と環状
突出部断面の一部を拡大して示した図である。まず、図
10に示すように、アルミ板(10)の接合面(12)
には、Bガス経路穴(5)の周に環状突出部(14)が
設けられ、アルミ板(20)の接合面(21)には、B
ガス経路穴(6)の周に環状溝(26)が設けられてい
る。次いで、図11に示すように、アルミ板(20)の
環状溝(26)に、アルミ板(10)の環状突出部(1
4)が挿入され、これを鍛圧圧縮することにより、図1
2に示すように、アルミ板(20)の環状溝(26)
に、アルミ板(10)の環状突出部(14)が充満して
締結するものである。
【0027】具体的に、環状溝と環状突出部の関係を説
明する。環状溝(26)の巾をa、深さをbとし、環状
突出部(14)の巾をc、高さをdとしたとき、つぎの
ような関係が好ましい。 a×b≦c×d b<d これらの関係で、鍛圧により環状溝(26)内に環状突
出部(14)を充満され、シール性が確保されるもので
ある。a>cとして、環状溝(26)に環状突出部(1
4)を挿入してが組み合わせ易いようにする。ただし、
a>cの関係を満たしていても、環状突出部(14)の
巾cが、環状溝(26)の巾aに比べて小さすぎると、
鍛圧したときに、環状突出部(14)が折れ曲がり、環
状溝(26)に環状突出部(14)が充満されないこと
になるので、環状突出部(14)の巾cは、環状溝(2
6)の巾aに比べて小さすぎないようにすることが好ま
しい。また、a≦cの場合でも環状突出部先端にテーパ
ーを付け、無理して圧入可能な場合は、シール性が確保
される。なお、環状突出部(14)と環状溝(26)に
ついて説明したが、他の環状突出部と環状溝も同様に挿
入され、これを鍛圧圧縮され締結される。
【0028】このように、アルミ板(10)(20)
(30)が積層されたガス分散プレートは、図1に示す
ように、Aガスは経路穴(1)を通り、分岐部(2)で
広域的に分散され、多数の経路穴(3)(4)を通って
流出し成膜域に供給される。またBガスは経路穴(5)
(6)を通り、分岐部(7)で広域的に分散され、多数
の経路穴(8)を通って流出し成膜域に供給される。A
ガスとBガスは基板の直前で混合され、基板(37)に
膜(38)を形成する。
【0029】図1に示すように、アルミ板(10)の接
合面(12)と金属部材(20)の接合面(21)は、
Bガスの経路穴(5)とガス経路穴(6)の接続部がそ
の周囲が環状突出部(14)と環状溝(26)で鍛圧圧
縮して締結されているのでシール性が確保され、この接
続部からBガスが漏れ出すことがなく、また他のガスが
入り込むこともない。また金属部材(10)の接合面
(12)と金属部材(20)の接合面(21)は、外周
の環状突出部(13)と環状溝(25)で鍛圧圧縮して
締結されているのでシール性が確保されいるので、ガス
分散プレートから外部にAガスが漏れ出すことがない。
同様に金属部材(20)の接合面(22)と金属部材
(30)の接合面(31)は、Aガスの経路穴(3)と
ガス経路穴(4)の接続部の周囲が環状突出部(24)
と環状溝(36)で鍛圧圧縮して締結されているのでシ
ール性が確保され、この接続部からAガスが漏れ出すこ
とがなく、また他のガスが入り込むこともない。また金
属部材(20)の接合面(22)と金属部材(30)の
接合面(31)は、外周の環状突出部(23)と環状溝
(35)で鍛圧圧縮して締結されているのでシール性が
確保されいるので、ガス分散プレートから外部にガスが
漏れ出すことがない。
【0030】
【実施例2】本発明の実施例2について、図13〜図1
5を参照して説明する。実施例2は、積層する金属部材
の接合面に設ける環状突出部と環状溝の位置についての
もう1つの実施例である。図13(a)は金属部材(1
0)の外側面(ガス流入側)の平面図、図13(b)は
金属部材(10)の断面図、図13(c)は金属部材
(10)の接合面の平面図である。図14(a)は金属
部材(20)の金属部材(10)との接合面の平面図、
図14(b)は金属部材(20)の断面図、図14
(c)は金属部材(20)の金属部材(30)との接合
面の平面図である。図15(a)は金属部材(30)の
金属部材(20)との接合面の平面図、図15(b)は
金属部材(30)の断面図、図15(c)は金属部材
(30)の外側面(ガス流出側)の平面図である。
【0031】金属部材(10)は、図13(a)(b)
(c)に示すように、Aガスの経路穴(1)とH型で溝
状の分岐部(2)及びBガスの経路穴(5)が形成さ
れ、接合面(12)にはH型のAガスの分岐部(2)の
周囲に環状突出部(15)及びBガスの経路穴(5)の
周囲に環状突出部(14)が形成されている。金属部材
(20)は、図14(a)(b)(c)に示すように、
Aガスの複数の経路穴(3)が金属部材(10)のH型
溝状の分岐部(2)に対応した位置に形成され、Bガス
の経路穴(5)に接続される経路穴(6)と肋骨型で溝
状のBガスの分岐部(7)が形成されている。金属部材
(20)の接合面(21)には、環状溝(27)及びガ
ス経路穴(6)の周囲に環状溝(26)が形成されてい
る。環状溝(27)は金属部材(10)の環状突出部
(15)に対向した位置に形成され、環状溝(26)は
金属部材(10)の環状突出部(14)に対向した位置
に形成されている。また、金属部材(20)の接合面
(22)には、外周に環状突出部(23)及びガス経路
穴(3)の周囲に環状突出部(24)が形成されてい
る。
【0032】金属部材(30)は、図15(a)(b)
(c)に示すように、Aガスの複数の経路穴(4)、及
びBガスの複数の経路穴(8)が形成されている。複数
のガス経路穴(4)は金属部材(20)の複数のガス経
路穴(3)とそれぞれ対応した位置に、複数のガス経路
穴(8)は肋骨型で溝状のBガスの分岐部(7)に対応
した位置に設けられている。また、金属部材(30)の
接合面(31)には、外周に環状溝(35)及びAガス
経路穴(4)の周囲に環状溝(36)が形成されてい
る。環状溝(35)は金属部材(20)の接合面(2
2)の環状突出部(23)に対向した位置に形成され、
環状溝(36)は金属部材(20)の接合面(22)の
環状突出部(24)に対向した位置に形成されている。
【0033】図13〜図15に示すように、ガス経路
穴、分岐部、環状突出部と環状溝を形成した金属部材
(10)(20)(30)を鍛圧圧縮して締結し、ガス
分散プレートを製造する。このガス分散プレートにおい
て、金属部材(10)の接合面(12)と金属部材(2
0)の接合面(21)は、ガス経路穴(5)とガス経路
穴(6)の接続部の周囲が環状突出部(14)と環状溝
(26)で鍛圧圧縮して締結され、また分岐部(2)と
複数のガス経路穴(3)の接続部の周囲が環状突出部
(15)と環状溝(27)で鍛圧圧縮して締結されてシ
ール性が確保され、ガスが漏れ出すことがなく、また入
り込むこともない。
【0034】金属部材(20)の接合面(22)と金属
部材(30)の接合面(31)は、図2〜図9で説明し
たと同様に、ガス経路穴(3)とガス経路穴(4)の接
続部の周囲が環状突出部(24)と環状溝(36)でシ
ールされ、また金属部材(20)の接合面(22)と金
属部材(30)の接合面(31)は、外周の環状突出部
(23)と環状溝(35)でシールされいるので、ガス
が漏れ出すことがなく、また入り込むこともないもので
ある。
【0035】
【実施例3】本発明の実施例3について、図16を参照
して説明する。実施例3は、4枚の金属部材を積層し、
3種類のガスをガスの種類毎に段階的・広域的に分散さ
せるガス分散プレートを示す。図16は、4枚の金属部
材を積層したガス分散プレートの断面図であり、4枚の
金属部材(71)(72)(73)(74)を積層した
ガス分散プレートについて説明する。金属部材(71)
と金属部材(72)は、外周の環状突出部(75)と環
状溝(76)、またガス経路穴の接続部の周囲が環状突
出部(81)と環状溝(82)で鍛圧圧縮して締結され
ている。なお環状突出部と環状溝による締結は、個々の
ガス経路、分岐部で異種のガスが混り合わないように設
けられるものであるが、図16では省略して一部のみを
図示した。金属部材(72)と金属部材(73)は、外
周の環状突出部(77)と環状溝(78)、またガス経
路穴の接続部の周囲が環状突出部(83)と環状溝(8
4)で鍛圧圧縮して締結されている。金属部材(73)
と金属部材(74)は、外周の環状突出部(79)と環
状溝(80)、またガス経路穴の接続部の周囲が環状突
出部(85)と環状溝(86)で鍛圧圧縮して締結され
ている。
【0036】4枚の金属部材(71)(72)(73)
(74)が積層されたガス分散プレートにおいて、Aガ
スは経路穴(101)を通り、分岐部(102)で広域
的に分散され、多数の経路穴(103)(104)(1
05)を通って流出し成膜域に供給される。またBガス
は経路穴(111)(112)(113)を通り、分岐
部(114)で広域的に分散され、多数の経路穴(11
5)から成膜域に供給される。またCガスは経路穴(1
21)(122)を通り、分岐部(123)で広域的に
分散され、多数の経路穴(124)(125)を通って
流出し成膜域に供給される。段階的に、広域的に分散さ
れたAガス、Bガス、Cガスは、ぞれぞれ多数の穴から
成膜域に供給され、基板の直前で混合され、膜を形成す
るものである。
【0037】
【実施例4】本発明の実施例4について、図17〜図1
9を参照して説明する。実施例4は、積層する金属部材
の接合面の対向位置にそれぞれ環状溝を設け、環状溝に
中間金属部材を挿入し鍛圧圧縮して締結するものであ
る。図17は、積層するアルミ板(10)とアルミ板
(20)のガス経路穴(5)とガス経路穴(6)の周囲
の締結部を拡大した図である。アルミ板(10)の接合
面(12)でガス経路穴(5)の周囲に環状溝(60)
を形成し、またアルミ板(20)の接合面(21)でガ
ス経路穴(6)の周囲に環状溝(59)を形成する。環
状溝(59)(60)には中間金属部材(61)が挿入
される。中間金属部材としてはアルミ板(10)(2
0)と同じ材質のアルミを用いることが好ましいが別の
アルミ材質でも可能である。
【0038】環状溝(59)(60)と中間金属部材
(61)は、環状溝(59)(60)の巾B,D、深さ
A,C、中間部材(61)の巾F、長さEのとき、A+
C≦E、(A×B+C×D)≦E×F、B≧F、D≧F
の関係に形成する。アルミ板(10)の環状溝(60)
とアルミ板(20)の環状溝(59)に金属中間部材
(61)を挿入し、鍛圧圧縮して環状溝(59)(6
0)に金属中間部材(61)を充満させて締結部を形成
する。これによりシール性が確保され、ガスは漏れない
ようになっている。
【0039】図18、図19は、積層するアルミ板(1
0)とアルミ板(20)のガス経路穴(5)とガス経路
穴(6)の周囲の締結部を拡大した図で、環状溝の形状
と中間金属部材のもう1つの例を示す図である。図18
に示したものは、アルミ板(10)の接合面(12)で
ガス経路穴(5)の周囲に断面台形の環状溝(63)を
形成し、またアルミ板(20)の接合面(21)でガス
経路穴(6)の周囲に断面台形の環状溝(62)を形成
し、環状溝(62)(63)の台形に対応する6角形の
金属中間部材(64)を挿入し、鍛圧圧縮して環状溝
(62)(63)に金属中間部材(64)を充満させて
締結部を形成し、シール性を確保されするものである。
【0040】図19に示したものは、アルミ板(10)
の接合面(12)でガス経路穴(5)の周囲に断面コの
字形の環状溝(66)を形成し、またアルミ板(20)
の接合面(21)でガス経路穴(6)の周囲に断面コの
字形の環状溝(65)を形成し、コの字形環状溝(6
5)(66)に長円形の金属中間部材(67)を挿入
し、鍛圧圧縮して環状溝(65)(66)に金属中間部
材(67)を充満させて締結部を形成し、シール性を確
保されするものである。図18に示した形状の環状溝と
中間金属部材は、環状溝の機械加工が容易であり、また
環状溝に中間部材を組み合わせるときに挿入が容易であ
る。図19に示した形状の中間金属部材は、環状溝に中
間部材を組み合わせるときに挿入が容易である。
【0041】
【実施例5】本発明の実施例5について、図20〜図2
2を参照して説明する。実施例5は、積層する金属部材
の接合面の対向位置に設けられる環状溝と環状突出部の
形状についての例を示す図である。図20に示したもの
は、アルミ板(10)の接合面(12)でガス経路穴
(5)の周囲に断面コの字形の環状突出部(53)を形
成し、アルミ板(20)の接合面(21)でガス経路穴
(6)の周囲に断面コの字形の環状溝(51)を形成し
たもので、環状溝(51)にテーパ(52)を設けて環
状溝に環状突出部の挿入を容易にしたものである。
【0042】図21に示したものは、アルミ板(10)
の接合面(12)でガス経路穴(5)の周囲にテーパ
(56)を設けた断面コの字形の環状突出部(55)に
形成し、アルミ板(20)の接合面(21)でガス経路
穴(6)の周囲に断面コの字形の環状溝(54)を形成
したもので、環状突出部(55)にテーパ(56)を設
けて環状溝に環状突出部の挿入を容易にしたものであ
る。図22に示したものは、アルミ板(10)の接合面
(12)でガス経路穴(5)の周囲に断面台形の環状突
出部(58)を形成し、アルミ板(20)の接合面(2
1)でガス経路穴(6)の周囲に断面台形の環状溝(5
7)を形成したもので、環状溝、環状突出部の機械加工
が容易であり、またその組み合わせるときに挿入が容易
なものである。
【0043】
【実施例6】本発明の実施例6について、図23〜図2
5を参照して説明する。図23は実施例6の金属部材の
積層を示す斜視図であり、図24(a)(b)、図25
は積層する金属部材の接合面の断面図である。実施例6
は、上記実施例1で説明したアルミ板(10)(20)
…を積層したガス分散プレートにおける、アルミ板(1
0)とアルミ板(20)のBガス経路穴(6)の接続に
ついて変形例を示したものである。図23に示すよう
に、アルミ板(10)には、外側面(11)から接合面
(12)に通ずるAガスの経路穴(1)と穴(69)が
形成されている。アルミ板(20)の接合面(21)に
は、外周に環状溝(25)、Aガスの経路穴(3)及び
Bガスの経路穴(6)が形成された円筒(68)が突出
している。図24(a)に示すように、アルミ板(1
0)の穴(69)は接合面(12)から外側面(11)
にテーパーが付けられている。アルミ板(20)の円筒
(68)はテーパーが付けられて、ガスの経路穴(6)
が形成されている。
【0044】アルミ板(10)(20)…を積層し、A
ガス経路穴とその分岐部及びBガス経路穴とその分岐部
を合わせ、また環状溝と環状突出部を組み合わせて鍛圧
圧縮して締結するものであるが、その際にアルミ板(1
0)の穴(69)に、テーパー付き円筒(68)を圧入
して、図24(b)に示すように、Bガス経路穴とする
ものである。図25は、アルミ板(10)の穴(69)
の接合面(12)側に、面取り部(70)を設けて、ア
ルミ板(20)のテーパー付き円筒(68)を挿入しや
すくしたものである。
【0045】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
積層する金属部材の接合面を鍛圧圧縮により接合するこ
とにより、優れたシール性を有するものである。特に流
体経路及び/又は分岐部を形成した複数の金属部材の接
合面の対向位置に環状溝と環状突出部を設けて鍛圧圧縮
して締結することにより高度なシール性が確保され、ガ
ス等の流体が漏れ出すことがないという効果を有するも
のであり、また流体経路及び/又は分岐部を形成した複
数の金属部材の接合面の対向位置のそれぞれに環状溝を
設けて中間金属部材を挿入して締結することにより高度
なシール性が確保され、ガス等の流体が漏れ出すことが
ないという効果を有するものである。
【0046】すなわち、機械加工した環状溝と環状突出
部を組み合わせを加圧鍛接して金属接合による高い圧着
状態を確保できることから、複雑且つ子細なガス等の流
体経路の優れたシール性を保つことができ、また積層プ
レート間も高圧加圧するため、良好な密着状態が得られ
るものである。さらに、締結用の環状溝と環状突出部を
機械加工して成形、鍛圧締結したもので、接合材等の介
在物を使わないことから、使用時に接合用の介在物等か
らの発生ガスがなく、装置の清浄を保つことができるも
のである。また接合時、ロウ付け工法に見られるロウの
溶け出し等がなく、精密加工した穴や溝をふさぐことも
ない。また、O(オー)リングのようなシール部材が不
要であり、積層した金属板(アルミニウム若しくはアル
ミニウム合金)の耐熱温度まで使用が可能である。また
耐熱温度によってアルミニウム合金の組成を変更した
り、他の圧接可能な金属材料に変更することが可能であ
る。
【0047】また、ガス経路や分岐部となる精密穴及び
溝は機械加工で形成することができるため設計の自由度
が大きい。ガス経路や分岐部の加工と同時に鍛圧接合に
必要な凹凸(環状溝と環状突出部)を加工すればよく、
接合は積層板を組み合わせて、同時に鍛圧することで、
安価な製造を可能とする。さらに、鍛圧時にはプレスに
よる加圧を行うことで済むので、大きなサイズにも対応
が容易であるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1のガス分散プレートの断面
【図2】 本発明の実施例1のガス分散プレートを構成
するアルミ板を示す図
【図3】 本発明の実施例1の金属部材の積層を示す図
【図4】 本発明の実施例1のガス分散プレートを構成
するアルミ板を示す図
【図5】 本発明の実施例1のガス分散プレートを構成
するアルミ板を示す図
【図6】 本発明の実施例1のガス分散プレートを構成
するアルミ板を示す図
【図7】 本発明の実施例1のガス分散プレートを構成
するアルミ板を示す図
【図8】 本発明の実施例1のガス分散プレートを構成
するアルミ板を示す図
【図9】 本発明の実施例1の金属部材の積層を示す図
【図10】 本発明の実施例1のアルミ板接合面の環状
溝と環状突出部を示す図
【図11】 本発明の実施例1のアルミ板接合面の環状
溝と環状突出部を示す図
【図12】 本発明の実施例1のアルミ板接合面の環状
溝と環状突出部を示す図
【図13】 本発明の実施例2の金属部材の環状突出部
と環状溝の位置を示す図
【図14】 本発明の実施例2の金属部材の環状突出部
と環状溝の位置を示す図
【図15】 本発明の実施例2の金属部材の環状突出部
と環状溝の位置を示す図
【図16】 本発明の実施例3のガス分散プレートの断
面図
【図17】 本発明の実施例4の金属部材の接合面の環
状溝を示す図
【図18】 本発明の実施例4の金属部材の接合面の環
状溝を示す図
【図19】 本発明の実施例4の金属部材の接合面の環
状溝を示す図
【図20】 本発明の実施例5の金属部材の接合面の環
状溝と環状突出部を示す図
【図21】 本発明の実施例5の金属部材の接合面の環
状溝と環状突出部を示す図
【図22】 本発明の実施例5の金属部材の接合面の環
状溝と環状突出部を示す図
【図23】 本発明の実施例6の金属部材の積層を示す
【図24】 本発明の実施例6の金属部材の接合面の断
面図
【図25】 本発明の実施例6の金属部材の接合面の断
面図
【図26】 従来技術を説明する図
【符号の説明】
1、3、4、5、6、8 ガス経路穴 2、7 ガス分岐部 10、20、30 アルミ板 13、14、23、24 環状突出部 25、26、35、36 環状溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4E087 AA10 BA04 BA20 CA53 HA00 HB15 4K030 EA05 KA10 5F045 EB10 EF05 EF11

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 流体経路及び/又は分岐部を形成した複
    数の金属部材を積層し、流体を分散して流出させる流体
    回路部材であって、積層する金属部材の接合面を鍛圧圧
    縮により接合したことを特徴とする優れたシール性を有
    する金属部材を積層した流体回路部材。
  2. 【請求項2】 流体経路及び/又は分岐部を形成した複
    数の金属部材を積層し、流体を分散して流出させる流体
    回路部材であって、積層する金属部材の接合面の対向位
    置に環状溝と環状突出部を設け、前記環状溝に前記環状
    突出部を挿入し鍛圧圧縮により接合したことを特徴とす
    る優れたシール性を有する金属部材を積層した流体回路
    部材。
  3. 【請求項3】 流体経路及び/又は分岐部を形成した複
    数の金属部材を積層し流体を分散して流出させる流体回
    路部材は、流体経路及び/又は分岐部が流体の種類毎に
    形成され、流体を種類毎に分散して流出させる流体回路
    部材であって、積層する金属部材の接合面の対向位置
    で、かつ流体を種類毎に区画する位置に環状溝と環状突
    出部を設け、前記環状溝に前記環状突出部を挿入し鍛圧
    圧縮により接合したことを特徴とする優れたシール性を
    有する金属部材を積層した流体回路部材。
  4. 【請求項4】 流体経路及び/又は分岐部を形成した複
    数の金属部材を積層し、流体を分散して流出させる流体
    回路部材であって、積層する金属部材の接合面の対向位
    置にそれぞれ環状溝を設け、前記それぞれの環状溝に充
    満させる中間金属部材を挿入し鍛圧圧縮により接合した
    ことを特徴とする優れたシール性を有する金属部材を積
    層した流体回路部材。
  5. 【請求項5】 流体経路及び/又は分岐部を形成した複
    数の金属部材を積層し流体を分散して流出させる流体回
    路部材は、流体経路及び/又は分岐部が流体の種類毎に
    形成され、流体を種類毎に分散して流出させる流体回路
    部材であって、積層する金属部材の接合面の対向位置
    で、かつ流体を種類毎に区画する位置にそれぞれ環状溝
    を設け、前記それぞれの環状溝に充満させる中間金属部
    材を挿入し鍛圧圧縮により接合したことを特徴とする優
    れたシール性を有する金属部材を積層した流体回路部
    材。
  6. 【請求項6】 ガス経路及び/又は分岐部を形成した複
    数の金属部材を積層し、ガスを分散して流出させる成膜
    用ガス分散プレートであって、積層する金属部材の接合
    面を鍛圧圧縮により接合したことを特徴とする優れたシ
    ール性を有する金属部材を積層した成膜用ガス分散プレ
    ート。
  7. 【請求項7】 ガス経路及び/又は分岐部を形成した複
    数の金属部材を積層し、ガスを分散して流出させる成膜
    用ガス分散プレートであって、積層する金属部材の接合
    面の対向位置に環状溝と環状突出部を設け、前記環状溝
    に前記環状突出部を挿入し鍛圧圧縮により接合したこと
    を特徴とする優れたシール性を有する金属部材を積層し
    た成膜用ガス分散プレート。
  8. 【請求項8】 ガス経路及び/又は分岐部を形成した複
    数の金属部材を積層しガスを分散して流出させる成膜用
    ガス分散プレートは、ガス経路及び/又は分岐部がガス
    の種類毎に形成され、ガスを種類毎に分散して流出させ
    るものであって、積層する金属部材の接合面の対向位置
    で、かつガスを種類毎に区画する位置に環状溝と環状突
    出部を設け、前記環状溝に前記環状突出部を挿入し鍛圧
    圧縮により接合したことを特徴とする優れたシール性を
    有する金属部材を積層した成膜用ガス分散プレート。
  9. 【請求項9】 ガス経路及び/又は分岐部を形成した複
    数の金属部材を積層し、ガスを分散して流出させる成膜
    用ガス分散プレートであって、積層する金属部材の接合
    面の対向位置にそれぞれ環状溝を設け、前記それぞれの
    環状溝に充満させる中間金属部材を挿入し鍛圧圧縮によ
    り接合したことを特徴とする優れたシール性を有する金
    属部材を積層した成膜用ガス分散プレート。
  10. 【請求項10】 ガス経路及び/又は分岐部を形成した
    複数の金属部材を積層しガスを分散して流出させる成膜
    用ガス分散プレートは、ガス経路及び/又は分岐部がガ
    スの種類毎に形成され、ガスを種類毎に分散して流出さ
    せるものであって、積層する金属部材の接合面の対向位
    置で、かつガスを種類毎に区画する位置にそれぞれ環状
    溝を設け、前記それぞれの環状溝に充満させる中間金属
    部材を挿入し鍛圧圧縮により接合したことを特徴とする
    優れたシール性を有する金属部材を積層した成膜用ガス
    分散プレート。
  11. 【請求項11】 積層する金属部材が、アルミニウム又
    はアルミニウム合金部材であることを特徴とする請求項
    1〜5のいずれかに記載の優れたシール性を有する金属
    部材を積層した流体回路部材。
  12. 【請求項12】 積層する金属部材に形成されている流
    体経路及び/又は分岐部が、防食のための表面処理を施
    したものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれ
    かに記載の優れたシール性を有する金属部材を積層した
    流体回路部材。
  13. 【請求項13】 積層する金属部材が、アルミニウム又
    はアルミニウム合金部材であり、積層する金属部材に形
    成されている流体経路及び/又は分岐部が、防食のため
    の表面処理を施したものであることを特徴とする請求項
    1〜5のいずれかに記載の優れたシール性を有する金属
    部材を積層した流体回路部材。
  14. 【請求項14】 積層する金属部材が、アルミニウム又
    はアルミニウム合金部材であることを特徴とする請求項
    6〜10のいずれかに記載の優れたシール性を有する金
    属部材を積層した成膜用ガス分散プレート。
  15. 【請求項15】 積層する金属部材に形成されているガ
    ス経路及び/又は分岐部が、防食のための表面処理を施
    したものであることを特徴とする請求項6〜10のいず
    れかに記載の優れたシール性を有する金属部材を積層し
    た成膜用ガス分散プレート。
  16. 【請求項16】 積層する金属部材が、アルミニウム又
    はアルミニウム合金部材であり、積層する金属部材に形
    成されているガス経路及び/又は分岐部が、防食のため
    の表面処理を施したものであることを特徴とする請求項
    6〜10のいずれかに記載の優れたシール性を有する金
    属部材を積層した成膜用ガス分散プレート。
  17. 【請求項17】 積層する金属部材に流体経路及び/又
    は分岐路を形成し、かつ接合面の対向位置に環状溝と環
    状突出部を設け、前記金属部材の接合面の流体経路及び
    /又は分岐路を組み合わせ、また接合面の環状溝に環状
    突出部を挿入し、積層する金属部材を鍛圧圧縮して流体
    経路及び/又は分岐路を接続し、かつ環状溝に環状突出
    部を充満させて締結部を形成することを特徴とする請求
    項2、3のいずれかに記載の流体回路部材または請求項
    7、8のいずれかに記載の成膜用ガス分散プレートの製
    造方法。
  18. 【請求項18】 積層する金属部材に流体経路及び/又
    は分岐路を形成し、かつ接合面の対向位置にそれぞれ環
    状溝を設け、前記金属部材の接合面の流体経路及び/又
    は分岐路を組み合わせ、また接合面の前記環状溝に金属
    中間部材を挿入し、積層する金属部材を鍛圧圧縮して流
    体経路及び/又は分岐路を接続し、かつ環状溝に金属中
    間部材を充満させて締結部を形成することを特徴とする
    請求項4、5のいずれかに記載の流体回路部材または請
    求項9、10のいずれかに記載の成膜用ガス分散プレー
    トの製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002126851A (ja) * 2000-10-24 2002-05-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 金属部材を接合したヒートプレートの製造方法
JP2002126852A (ja) * 2000-10-24 2002-05-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 流体回路部材の製造方法
WO2009107522A1 (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 有限会社 相田製作所 二部材の固定構造、及び工作機械の工具ホルダ
JP2010529663A (ja) * 2007-06-06 2010-08-26 アイクストロン、アーゲー 複数の拡散溶接枠を具備するガス分配器及びその製造方法
US8263908B2 (en) 2004-10-08 2012-09-11 Furukawa-Sky Aluminum Corp. Heater plate and a method for manufacturing the heater plate
JP5872089B1 (ja) * 2015-04-27 2016-03-01 中外炉工業株式会社 シャワープレート装置

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002058126A1 (fr) * 2001-01-22 2002-07-25 Tokyo Electron Limited Dispositif et procede de traitement
US6837966B2 (en) * 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
KR100558922B1 (ko) * 2004-12-16 2006-03-10 (주)퓨전에이드 박막 증착장치 및 방법
KR101272321B1 (ko) * 2005-05-09 2013-06-07 한국에이에스엠지니텍 주식회사 복수의 기체 유입구를 가지는 원자층 증착 장치의 반응기
KR100629358B1 (ko) * 2005-05-24 2006-10-02 삼성전자주식회사 샤워 헤드
US7958887B2 (en) * 2006-03-10 2011-06-14 Aradigm Corporation Nozzle pore configuration for intrapulmonary delivery of aerosolized formulations
US20100019058A1 (en) * 2006-09-13 2010-01-28 Vanderzwet Daniel P Nozzle assembly for cold gas dynamic spray system
US20080099147A1 (en) 2006-10-26 2008-05-01 Nyi Oo Myo Temperature controlled multi-gas distribution assembly
US11136667B2 (en) * 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US7789961B2 (en) * 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
JP5183935B2 (ja) 2007-02-26 2013-04-17 Ckd株式会社 流路ブロックの製造方法
US8211231B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-03 Eastman Kodak Company Delivery device for deposition
US8398770B2 (en) * 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8673080B2 (en) 2007-10-16 2014-03-18 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead
US8291857B2 (en) * 2008-07-03 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods for atomic layer deposition
US8071165B2 (en) * 2008-08-08 2011-12-06 International Solar Electric Technology, Inc. Chemical vapor deposition method and system for semiconductor devices
US9034142B2 (en) * 2009-12-18 2015-05-19 Novellus Systems, Inc. Temperature controlled showerhead for high temperature operations
US9184028B2 (en) 2010-08-04 2015-11-10 Lam Research Corporation Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control
US8869742B2 (en) * 2010-08-04 2014-10-28 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
WO2012122054A2 (en) 2011-03-04 2012-09-13 Novellus Systems, Inc. Hybrid ceramic showerhead
TW201347035A (zh) * 2012-02-02 2013-11-16 Greene Tweed Of Delaware 用於具有延長生命週期的電漿反應器的氣體分散板
US20140026816A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Applied Materials, Inc. Multi-zone quartz gas distribution apparatus
CN103074605A (zh) * 2012-12-26 2013-05-01 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 喷淋头及化学气相沉积设备
CN103736616B (zh) * 2013-12-31 2016-09-28 天津市德中技术发展有限公司 集液体的容纳与液体的喷射功能于一体的装置的制作方法
US9198300B2 (en) 2014-01-23 2015-11-24 Illinois Tool Works Inc. Flux management system and method for a wave solder machine
US9161459B2 (en) 2014-02-25 2015-10-13 Illinois Tool Works Inc. Pre-heater latch and seal mechanism for wave solder machine and related method
US10741365B2 (en) 2014-05-05 2020-08-11 Lam Research Corporation Low volume showerhead with porous baffle
CN105446275B (zh) * 2014-08-12 2018-05-25 北京北方华创微电子装备有限公司 气路界面显示方法和系统
US10378107B2 (en) 2015-05-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
TWI723024B (zh) * 2015-06-26 2021-04-01 美商應用材料股份有限公司 用於改良的氣體分配的遞迴注入設備
KR20180112794A (ko) * 2016-01-22 2018-10-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 전도성 층들이 매립된 세라믹 샤워헤드
US10665460B2 (en) * 2016-09-05 2020-05-26 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Vapor phase growth apparatus, method of manufacturing epitaxial wafer, and attachment for vapor phase growth apparatus
WO2018042876A1 (ja) * 2016-09-05 2018-03-08 信越半導体株式会社 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法
US11154162B2 (en) 2017-03-14 2021-10-26 Illinois Tool Works Inc. Cooking appliance and related heater assembly
KR102517783B1 (ko) * 2018-11-28 2023-04-04 (주)포인트엔지니어링 반도체 제조 공정용 또는 디스플레이 제조 공정용 프로세스 유체가 통과하는 접합부품
DE102019200012A1 (de) * 2019-01-02 2020-07-02 Hansgrohe Se Brausekopf mit Strahlscheibenhaltevorrichtung
US11666921B2 (en) 2019-06-10 2023-06-06 U.S. Mining, Inc. Systems and methods for crushing clay, transporting clay, and processing clay
KR20210016946A (ko) * 2019-08-06 2021-02-17 삼성전자주식회사 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리장치
KR102657134B1 (ko) * 2022-03-21 2024-04-11 김형수 다색 파운데이션 충진노즐

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1569990A (ja) * 1968-04-23 1969-06-06
US4768751A (en) * 1987-10-19 1988-09-06 Ford Motor Company Silicon micromachined non-elastic flow valves
EP0481788B1 (en) * 1990-10-18 1997-01-02 Canon Kabushiki Kaisha Process for preparing ink jet recording head
JP2509512B2 (ja) * 1993-03-05 1996-06-19 株式会社アイピーシー ドライブプレ―トの製造方法
US5489930A (en) * 1993-04-30 1996-02-06 Tektronix, Inc. Ink jet head with internal filter
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JP3345852B2 (ja) * 1998-06-18 2002-11-18 古河電気工業株式会社 半導体製造装置の基盤ホルダー及びその製造方法
US6376815B1 (en) * 1998-01-12 2002-04-23 Furukawa Electric Co., Ltd. Highly gas tight substrate holder and method of manufacturing the same
JP3552154B2 (ja) * 1998-01-12 2004-08-11 古河スカイ株式会社 アルミニウム又はアルミニウム合金部材からなる密封体、並びに半導体製造装置又は薄型ディスプレー製造装置の基板ホルダー及びそれを製造する方法
JP2000000584A (ja) 1998-06-16 2000-01-07 Sekisui Chem Co Ltd 浄化槽
US6110332A (en) * 1998-10-26 2000-08-29 The Regents Of The University Of California T-load microchannel array and fabrication method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002126851A (ja) * 2000-10-24 2002-05-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 金属部材を接合したヒートプレートの製造方法
JP2002126852A (ja) * 2000-10-24 2002-05-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 流体回路部材の製造方法
US8263908B2 (en) 2004-10-08 2012-09-11 Furukawa-Sky Aluminum Corp. Heater plate and a method for manufacturing the heater plate
JP2010529663A (ja) * 2007-06-06 2010-08-26 アイクストロン、アーゲー 複数の拡散溶接枠を具備するガス分配器及びその製造方法
WO2009107522A1 (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 有限会社 相田製作所 二部材の固定構造、及び工作機械の工具ホルダ
JP5872089B1 (ja) * 2015-04-27 2016-03-01 中外炉工業株式会社 シャワープレート装置

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