JP4903610B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
2…サセプタ(下部電極)
13…高周波電源
17…シャワーヘッド(上部電極)
19…静電チャック
20…静電チャック用電極
21…ヒータ
21a…ヒータのセンター区域
21b…ヒータのエッジ区域
22…静電チャック用電極ライン
25…ヒーター電源
25a,25b…ヒーター電源
26…ヒーターライン(高周波漏れライン)
26a,26b…ヒーターライン(高周波漏れライン)
27…インピーダンス調整回路
27a,27b…インピーダンス調整回路
47…電流計
51…インピーダンス調整回路
W…半導体ウェハ(被処理基板)
Claims (4)
- 処理容器内に第一の電極と第二の電極とを対向して配置し、前記第一の電極に高周波電源を接続して高周波を印加し、前記第一の電極と前記第二の電極との間にプラズマを発生させ、被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記第一の電極の近傍に設けられる誘電体と、
前記誘電体の内部に設けられる一体型の導電体と、
前記導電体に接続されると共に、前記第一の電極に印加される前記高周波をアースに流出させることができる高周波漏れラインと、
前記高周波漏れラインに設けられ、インピーダンスを調整して前記高周波漏れラインに流れる高周波を制御するインピーダンス調整回路と、を備え、
前記誘電体は、被処理基板を吸着する静電チャックであり、
前記導電体は、前記静電チャックの内部に設けられるヒータであり、
前記高周波漏れラインは、前記ヒータとヒーター電源とを接続するヒーターラインを兼用し、
前記ヒータのパターンは、前記静電チャックの内部において、被処理基板のセンター部分に対応するセンター区域と、被処理基板のエッジ部分に対応するエッジ区域とに区画され、
前記ヒータのセンター区域及びエッジ区域のそれぞれには、前記高周波漏れラインを兼用するヒーターラインが接続され、
前記ヒータのセンター区域及びエッジ区域に接続される二系統のヒーターラインのそれぞれには、前記ヒーター電源及び前記インピーダンス調整回路が設けられるプラズマ処理装置。 - 前記インピーダンス調整回路は、インピーダンスを変化させることができるように、容量を変化させることができる可変コンデンサ、及びインダクタンスを変化させることができる可変コイルの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第二の電極には、プラズマを発生させる高周波電源が接続され、
前記第一の電極には、前記第二の電極に接続される高周波電源よりも低い周波数の、プラズマ中のイオンを被処理基板に引き込むバイアス用の高周波電源が接続されることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ処理装置はさらに、
前記高周波漏れラインに流れる電流を計測する電流計を備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
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