TWI475931B - Induction coupling plasma processing device - Google Patents

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Description

感應耦合電漿處理裝置
本發明係關於對液晶顯示裝置(LCD)等之平面面板顯示器(FPD)製造用之基板等之被處理體施予電漿處理的感應耦合電漿處理裝置。
在液晶顯示裝置(LCD)等之製造工程中，為了對玻璃基板施予特定處理，使用電漿蝕刻裝置或電漿CVD成膜裝置等之各種電漿處理裝置。如此之電漿處理裝置，以往多使用電容耦合電漿處理裝置，但是近來則注目於感應耦合電漿(Inductively Coupled Plasma：ICP)處理裝置，該具有可以取得高真空度且高密度之電漿的大優點。
感應耦合電漿處理裝置係在收容被處理體之處理容器之介電體窗之外側，配置高頻天線，對處理容器內供給處理氣體，並且對該高頻天線供給高頻電力，依此使處理容器內產生感應耦合電漿，並藉由該感應耦合電漿，對被處理體施予特定電漿處理。作為感應耦合電漿處理裝置之高頻天線，大多使用平面狀構成特定圖形的平面天線。
在如此使用平面天線之感應耦合電漿處理裝置中，雖然在處理容器內之平面天線正下方之空間生成電漿，但是此時由於與天線正下方之各位置的電場強度呈比例持有高電漿密度區域和低電漿區域之分布，故平面天線之圖案形狀成為決定電漿密度分布之重要因素。
然而，一台感應耦合電漿處理裝置應對應之應用不限於一個，必須對應於多數應用。此時，為了在各個應用中，執行均勻處理，必須使電漿密度分布變化，因此，以使高密度區域及低密度區域之位置不同之方式，多數準備不同形狀之天線，因應應用執行更換天線。
但是，對應於多數應用準備多數天線，每次應用執行交換需要花費很多勞力，再者，近來由於LCD用之玻璃基板大型化，故天線製造費用也成為高價。再者，如此一來即使準備多數天線，在所提供的應用中不見得是最佳條件，不得不藉由調整製程條件來對應。
對此，在專利文獻1中，揭示有將渦旋形天線分割成內側部分和外側部分之兩個而設置，在至少一方之天線部分設置可變電容器等之阻抗調節手段，藉由依此所構成之阻抗調節，控制上述兩個天線部分之電流值，並控制被形成在處理室內之感應耦合電漿之密度分布的技術。
在上述專利文獻1之技術中，在渦旋形天線之內側部分和外側部分之正下方，雖然形成對應於藉由天線所形成之電場的強度之電漿，但是藉由電漿擴散於水平方向，能均勻控制電漿密度分布。但是，當基板之1邊長度超過1m而成為大型化之時，則無法充分發揮擴散效果，由於容易反映天線圖案之密、疏分布，故有電漿分布惡化之傾向。再者，如此一來，當基板為大型化之時，在天線配置區域電場強度分布產生差異，依此電漿分布也成為不均勻。
〔專利文獻1〕日本特開2007-311182號公報
本發明係鑑於如此之情形而所研究出，其目的為提供即使對大型基板，亦可以取得均勻電漿分布之感應耦合電漿處理裝置。
為了解決上述課題，本發明提供一種感應耦合電漿處理裝置，其特徵為；具備處理室，其係用以收容被處理體而施予電漿處理；載置台，其係用以在上述處理容器內載置被處理體；處理氣體供給系統，其係用以對上述處理室內供給處理氣體；排氣系統，其係用以將上述處理室內予以排氣；高頻天線，其係隔著介電體構件而被配置在上述處理室之外部，具有藉由供給高頻電力在上述處理室內形成感應電場的設置成同心狀之3個以上的天線部；和阻抗調節手段，其係用以調節包含上述各天線部之天線電路中之至少一個阻抗，依此控制上述天線部之電流值，上述各天線部構成多數天線線被配置成渦旋狀而所形成之多層天線，並且以在其配置區域形成均勻之電場的方式設定其捲繞方式，以在各天線部之配置區域間電場被均勻化之方式設定其捲數，被處理體構成矩形狀，上述天線部以成為略矩形狀之方式，配置天線線，上述天線部係以在略矩形狀 之各邊的中央部，較其他部分的捲數少之方式，設定捲繞方式之形態。
在本發明中，上述高頻天線係以從內側天線部朝向外側天線部捲數變少之方式設定各天線部的捲數為佳。
上述阻抗調節手段可以設為被連接於含有上述各天線部之天線電路中之至少一個，調節其被連接的天線電路之阻抗的構成。此時，上述阻抗調節手段具可以設為具有可變電容器者。再者，亦可以設為又具有控制手段之構成，其事先設定能取得最適合於每個運用之電漿密度分布的上述阻抗調節手段之調節參數，於選擇特定之應用時，以成為事先設定對應於其應用之上述阻抗調節手段之調節參數的最佳值之方式，控制上述阻抗調節手段。
若藉由本發明，因使用具有被設置成同心狀之3個以上天線部，當作在處理室內形成感應電場之高頻天線，故即使在基板之尺寸為大型之時，也難以產生隨著基板尺寸大型化而導致在各天線部之間的電漿密度下降的電漿不均勻。再者，各天線部構成多數天線線被配置成渦旋狀而所形成之多層天線，且以在其配置區域形成均勻之電場的方式設定其捲繞方式之形態，並以在各天線部之配置區域間能夠使電場均勻化之方式設定其捲數，故可以使隨著電場強度之不均勻而導致電漿不均勻之情形難以產生。
以下參照附件圖面針對本發明之實施型態予以說明。第1圖為表示本發明之一實施形態所涉及之感應耦合電漿處理裝置之剖面圖，第2圖為表示該感應耦合電漿處理裝置所使用之高頻天線之俯視圖。該裝置係使用於例如在FPD用玻璃基板上形成薄膜電晶體之時之金屬膜、ITO膜、氧化膜等之蝕刻或光阻膜之灰化處理。在此，就以FPD而言例示有液晶顯示器(LCD)、電激發光(Electro Luminescence：EL)顯示器，電漿顯示面板(PDP)等。
該電漿處理裝置具有由導電性材料，例如內壁面被陽極氧化處理之由鋁所構成之角筒形狀之氣密本體容器1。該本體容器1被組裝成可分解，藉由接地線1a被接地。本體容器1係藉由介電體壁2上下區分成天線室3及處理室4。因此，介電體壁2構成處理室4之天井壁。介電體壁2係由Al2 O3 等之陶瓷、石英等所構成。
在介電體壁2之下側部分，嵌入有處理氣體供給用之噴淋框體11。噴淋框體11係被設置成十字狀，成為從下方支撐介電體壁2之構造。並且，支撐上述介電體壁2之噴淋框體11，藉由多數根之吊桿(無圖示)，成為被吊於本體容器1之天井之狀態。
該噴淋框體11係由導電性材料，最佳為金屬，例如以不產生污染物之方式在其內面施予陽極氧化處理之鋁所構成。在該噴淋框體11形成有延伸於水平之氣體流路12，在該氣體流路12，連貫有朝下方延伸之多數氣體吐出孔12a。另外，在介電體壁2之上面中央，以連通於該氣體流路12之方式設置有氣體供給管20a。氣體供給管20a從本體容器1之天井朝其外側貫通，連接於含有處理氣體供給源及閥系統等之處理氣體供給系統20。因此，在電漿處理中，自處理氣體供給系統20被供給之處理氣體經氣體供給管20a被供給至噴淋框體11內，從其下面之氣體供給孔12a被吐出至處理室4內。
在本體容器1中之天線室3之側壁3a和處理室4之側壁4a之間，設置有突出於內側之支撐架5，在該支撐架5上載置介電體壁2。
在天線室3內，於介電體壁2上，以面對於介電體壁2之方式配置有高頻(RF)天線13。該高頻天線13係藉由由絕緣構件所構成之間隔物17而自介電體壁2間隔開。
第2圖為模式性表示高頻天線13之俯視圖。如該圖所示般，高頻天線13係同心配置外側天線部13a、內側天線部13b，和中間天線部13c而所構成，該外側天線部13a係在外側部分緊密配置天線線而所構成，該內側天線部13b係在內側部分緊密配置天線線而所構成，該中間天線部係在該些中間部分緊密配置天線線而所所構成。該些外側天線部13a、內側天線部13b以及中間天線部13c係構成將多數天線線形成渦旋狀之多層天線。
外側天線部13a係使4個天線線各偏移90°而配置成全體成為略矩形狀，其中央部成為空間。再者，成為經4個端子22a而對各天線線供電。再者，各天線之外端部為了使天線線之電壓分布變化，經電容器18a而被連接於天線室3之側壁而接地。但是，亦可不經電容器18a而直接接地，並且即使在端子22a之部分或天線線之途中，例如將電容器插入至例如彎曲部100a亦可。
再者，內側天線部13b係配置成在外側天線部13a之中央部之空間將4個天線線各偏移90°而使全體成為略矩形狀而構成。再者，成為經中央之4個端子22b而對各天線線供電。並且，各天線之外端部為了使天線線之電壓分布變化，經電容器18b而被連接於天線室3之上壁而接地(參照第1圖)。但是，亦可不經電容器18b而直接接地，並且即使在端子22b之部分或天線線之途中，例如將電容器插入至例如彎曲部100b亦可。
並且，在內側天線部13b之最外側之天線和外側天線部13a之最內側之天線之間，形成大空間，在其空間內設置有上述中間天線部13c。中間天線部13c係使4個天線線各偏移90°而配置成全體成為略矩形狀，其中央部成為空間。再者，成為經4個端子22c而對各天線線供電。再者，各天線之外端部為了使天線線之電壓分布變化，經電容器18c而被連接於天線室3之上壁而接地(參照第1圖)。但是，亦可不經電容器18c而直接接地，並且即使在端子22c之部分或天線線之途中，例如將電容器插入至例如彎曲部100c亦可。
在該些外側天線部13a、內側天線部13b以及中間天 線部13c之間，形成比各天線部之天線彼此之間隔更寬的特定間隙。
外側天線部13a、內側天線部13b、中間天線部13c係在該些配置區域，設定配置形態，使在該些配置區域中電場強度成為均勻。具體而言，在該些構成之矩形之各邊之中央部，捲數少於其他部分。再者，外側天線部13a、內側天線部13b、中間天線部13c係在該些配置區域，設定捲數，使在該些配置區域間電場強度能夠均勻化。具體而言，當將天線線配置成渦旋狀之時，一般因隨著往外側移動天線線之長度變長，電場強度變大，故以從內側之天線部朝向外側之天線部捲數減少之方式，例如在各邊之中央部中，內側天線13b成為4捲，中間天線部13c成為3捲，外側天線部13a成為2捲。
在天線室3之中央部附近，設置有供電至外側天線部13a之4根第1供電構件16a、供電至內側天線部13b之4根第2供電件16b及供電至中間天線13c之4根第3供電構件16c(在第1圖中僅一者僅圖式1根)，各第1供電構件16a之下端係被連接於外側天線部13a之端子22a，各第2供電構件16b之下端被連接於內側天線部13b之端子22b，各第3供電構件16c之下端被連接於中間天線部13c之端子22c。該些第1供電構件16a、第2供電構件16b及第3供電構件16c經整合器14並聯連接於高頻電源15。高頻電源15及整合器14被連接於供電線19，供電線19係在整合器14之下游側分歧成供電線19a、19b及19c ，供電線19a被連接於4根之第1供電構件16a，供電線19b被連接於4根之第2供電構件16b，供電線19c被連接於4根之第3供電構件16c。
在供電線19a中間裝設有可變電容器21a，在供電線19c中間裝設有可變電容器21c，在供電線19b中間不裝設可變電容器。然後，藉由可變電容器21a和外側天線部13a構成外側天線電路，藉由可變電容器21c和中間天線部13c構成中間天線電路。另外，內側天線電路僅以內側天線部13b構成。
如後述般，藉由調節可變電容器21a之電容，控制外側天線電路之阻抗，藉由調節可變電容器21c之電容，控制中間天線電路之阻抗，藉由該些控制，可以調整流動於外側天線電路、內側天線電路及中間天線電路之電流的大小關係。
在電漿處理中，自高頻電源15對高頻天線13供給感應電場形成用之例如頻率為13.56MHz之高頻電力，如此一來藉由供給高頻電力之高頻天線13，在處理室4內形成感應電場，藉由該感應電場，使自噴淋框體11所供給之處理氣體電漿化。此時之電漿密度分布，係藉由依據可變電容器21a、21b控制外側天線部13a、內側天線部13b及中間天線部13c之阻抗而被控制。
在處理室4內之下方，以夾著介電體壁2與高頻天線13對向之方式，設置有用以載置LCD玻璃基板G之載置台23。載置台23係由導電性材料，例如表面被陽極氧化 處理之鋁所構成。被載置於載置台23之LCD玻璃基板G係藉由靜電夾具(無圖式)被吸附保持。
載置台23係被收納於絕緣體框24內，並且被支撐於中空之支柱25。支柱25係邊將本體容器1之底部維持氣密狀態，邊被配設在本體容器1外之升降機構(無圖式)所支撐，於基板G之搬入搬出時，載置台23藉由升降機構在上下方向被驅動。並且，在收納載置台23之絕緣體框24和本體容器1之底部之間，配設有氣密包圍支柱25之波紋管26，依此即使藉由載置台23之上下移動，亦保證處理容器4內之氣密性。再者，在處理容器4之側壁4a，設置搬入搬出基板G之搬入搬出口27a，和開關此之閘閥27。
在載置台23藉由被設置在中空支柱25內之供電線25a，經整合器28連接有高頻電源29。該高頻電源29係在電漿處理中，對載置台23施加偏壓用之高頻電力，例如頻率為3.2MHz之高頻電力。藉由該偏壓用之高頻電力，被生成在處理室4內之電漿中之離子有效地被引入基板G。
並且，在載置台23內設置有用以控制基板G之溫度，由陶瓷加熱器等之加熱手段或冷媒流路等所構成之溫度控制機構，和溫度感測器(任一者皆無圖式)。相對於該些機構或構件之配管或配線，任一者通過中空之支柱25被導出至本體容器1外。
在處理室4之底部，經排氣管31連接有含有真空泵等之排器裝置30，藉由該排氣裝置30排氣處理室4，在電漿處理中，處理室4內被設定、維持在特定之真空氛圍(例如1.33Pa)。
在被載置於載置台23之基板G之背面側，形成有冷卻空間(無圖式)，設置有用以供給當作一定壓力之熱傳達用氣體之He氣體的He氣體流路41。如此一來，藉由將熱傳達用氣體供給至基板G之背面側，可以在真空下回避基板G之溫度上升或溫度變化。
該電漿處理裝置之各構成部成為被連接於由電腦所構成之控制部50而被控制之構成。再者，控制部50上，連接有由操作員為了管理電漿處理裝置而執行指令之輸入操作的鍵盤，或使電漿處理裝置之運轉狀況可視化而予以顯示之顯示器等所構成之使用者介面51。並且，在製程部50連接有記憶部52，該記憶部儲存有用以藉由製程部50之控制實現在電漿處理裝置所實行之各種處理的控制程式，或按處理條件使電漿處理裝置之各構成部實行處理之程式即是處理程式。處理程式係被記憶於記憶部52之中的記憶媒體。記憶媒體即使為硬碟般之固定者亦可，即使為CD-ROM、DVD等之可搬運性者亦可。再者，即使自其他裝置經例如專用線路適當傳送處理程式亦可。然後，依其所需，以來自使用者介面51之指示等自記億部52叫出任意處理程式，使控制部50實行，依此，在控制器50之控制下，執行電漿處理裝置之所欲處理。
接著，針對高頻天線13之阻抗控制予以說明。第3圖為表示高頻天線13之供電電路之圖式。如該圖所示般，來自高頻電源15之高頻電力經整合器14被供給至外側天線電路61a、內側天線電路61b及中間天線電路61c。在此，外側天線電路61a係由外側天線部13a和可變電容器21a所構成，中間天線電路61c由於係由中間天線電路13c和可變電容器21c所構成，故可以藉由調節可變電容器21a之位置變化其電容使外側天線電路61a之阻抗Zout 變化，且可以藉由調節可變電容器21c之位置變化其電容使中間天線電路61c之阻抗Zmiddle 變化。另外，內側天線電路61b僅由內側天線部13b所構成，其阻抗Zin 為固定。此時，外側天線電路61a之電流Iout 可以對應於阻抗Zout 之變化而變化，中間天線電路61c之電流Imiddle 可以對應於阻抗Zmiddle 之變化而變化。然後，內側天線電路61b之電流Iin 因應Zout 和Zmiddle 和Zin 而變化。因此，藉由可變電容器21a、21c之電容調節，使Zout 及Zmiddle 變化，可以使外側天線電路61a之電流Iout 和內側天線電路61b之電流Iin 和中間天線電路61c之電流Imiddle 自由變化。然後，如此一來，藉由控制流入於外側天線部13a之電流和流入於內側天線部13b之電流和流入中間天線部13c之電流，可以控制電漿密度分布。
接著，使用如上述般所構成之感應耦合電漿處理裝置，對LCD玻璃基板G施予電漿灰化處理之時之處理動作予以說明。
首先，在打開閘閥27之狀態下，自此藉由搬運機構(無圖式)，將基板G搬入至處理室4內，並載置於載置台23之載置面之後，藉由靜電夾具(無圖式)，將基板G固定於載置台23上。接著，從處理氣體供給系統20將處理氣體自噴淋框體11之氣體吐出孔12a吐出至處理室4內，並且藉由排氣裝置30經排氣管31使處理室4內予以真空排氣，依此將處理室內維持至例如0.66~26.6Pa左右之壓力氛圍。
再者，此時在基板G之背面側之冷卻空間，為了迴避基板G之溫度上升或溫度變化，經He氣體流路41，供給當作熱傳達用氣體之He氣體。
接著，自高頻電源15對高頻天線13施加例如13.56 MHz之高頻，藉此經介電體壁2在處理室4內形成介電體。藉由如此所形成之感應電場，在處理室4內使處理氣體電漿化，生成高密度之感應耦合電漿，藉由該電漿進行例如電漿灰化處理。
此時，高頻天線13之構造係如上述般，具有在外側部分將天線線緊密配置而構成之外側天線部13a，和在內側部分將天線線緊密配置而構成之內側天線部13b，和在該些之間緊密配置而構成之中間天線13c，故即使玻璃基板G之尺寸為1邊超過1m的大型基板之時，在各天線部之間亦難產生因電漿密度下降而導致的電漿不均勻。即是，上述專利文獻1所記載之僅以外側天線部和內側天線部構成高頻天線13之時，當直接擴大高頻天線13，以使對應於1邊超過1m之玻璃基板G時，由於要求保持電漿密度，不使介電體壁2和載置台23之間隙變化，故外側天線部和內側天線部之間隔變寬之部分，使得因為電漿擴散而導致均勻化效果下降，容易反映天線圖案之密、疏分布，電漿密度之分布惡化，但是若如本實施型態般，在外側天線部13a和內側天線部13b之間，設置中間天線部13c，如此一來可以迴避該情形。
再者，外側天線13a、內側天線部13b、中間天線部13c均勻配置天線之時，雖然在該些配置區域中電場強度成為不均勻，再者，在各天線部之配置區域間電場強度不均勻，但是在本實施型態中，因採用使因該些情形所引起之電場強度之不均勻極力不產生的配置型態，故難以產生電場強度不均勻以及電漿不均勻。
具體而言，矩形狀之外側天線部13a、內側天線部13b、中間天線部13c，雖然在其各邊之中央部具有電場強度變高之傾向，但是因在其部分之捲數比其他部分少，故在天線部之配置區域，可以使電場強度均勻。再者，當構成渦旋狀之天線時，雖然隨著往外側移動天線線之長度變長，電場強度變大，但是因以從內側之天線部朝向外側之天線部捲數減少之方式，更具體而言，在各邊之中央部中，內側天線13b成為4捲，中間天線部13c成為3捲，外側天線部13a成為2捲之方式，配置外側天線部13a、內側天線部13b、中間天線部13c，故可使各天線部之配置區域間的電場強度均勻化。
再者，高頻天線13係於外側天線部13a連接可變電容器21a，使能夠進行外側天線電路61a之阻抗調整，並於中間天線部13連接可變電容器21c，使能夠進行中間天線電路61c之阻抗調節，故可以使外側天線電路61之電流Iout 和內側天線電路61b之電流Iin 和中間天線電路61c之電流Imiddle 自由變化。即是，可以藉由調節可變電容器21a、21c之位置，控制流入外側天線部13a之電流，和流入於內側天線部13b之電流和流入中間天線部13c之電流。感應耦合電漿雖然係在高頻天線13之正下方之空間生成電漿，但是此時之各位置之電漿密度因與在各位置之電場強度呈比例，故藉由控制流入於外側天線部13a之電流和流入於內側天線部13b之電流和流入中間天線部13c之電流，可以控制電漿密度分布。
此時，每次運用把握最適合之電漿密度分布，藉由將事先所取得之其電漿密度分布的可變電容器21a、21c之位置設定於記憶部52，能夠藉由控制部50選擇每次運用最適合的可變電容器21a、21c之位置而可執行電漿處理。
如此一來，藉由可變電容器21a、21c的阻抗控制，因可以控制電漿密度分布，故不需要交換天線，不需要更換天線的勞力或對每次用運準備天線的成本。再者，可以藉由可變電容器21之位置調節執行極細的電流控制，能夠控制成因應運用取得最適合之電漿密度分布。
並且，本發明並不限定於上述實施型態，可作各種變形。例如，在上述實施型態中，雖然針對設置有3個天線部之時予以表示，但並不限定於此，即使對應於基板之大小，設置4個以上之天線部亦可。於設置4個天線部之時，可以如第4圖所示構成。即是，在第2圖之外側天線部13a之更外側，可以設為設置有最外側天線部13d之構成。在該例中，最外側天線部13d係以使4個天線線各偏移90°而配置成全體成為略矩形狀，並且邊的中央部成為1層。然後，成為經4個端子22d而被供電至最外側天線部13d之各天線，該些之外端部經電容器18d而被接地。並且，電容器18d並非需要。此時之高頻天線13之供電電路如第5圖所示般，在第3圖之供電電路，附加由最外側天線部13d和可變電容器21d所構成之最外側天線電路61d。可以藉由調節可變電容器21d之位置使變化其電容而使最外側天線電路61d之阻抗Zoutermost 變化，並且可以對應於阻抗Zoutermost 之變化而使最外側天線電路61D之電流Ioutcrmost 變化。
再者，在上述實施型態中，雖然舉出在內側天線部13b之邊的中央部為4捲，在中間天線13c之邊的中央部為3捲，在外側天線部13a之邊的中央部為2捲之例，但是並不限定於如此之構成。
並且，在上述實施型態中，雖然舉出將可變電容器連接於外側天線部13a和中間天線部13c之例，但是並不限定於此，若對外側天線部13a、中間天線部13c、內側天線部13b中之任兩個設置時，亦可以取得相同功能，且於限於欲調整之區域之時，即使對任一個設置亦可。
又，雖然在上述貫施型態中為了調整阻抗設置有可變電容器，但是即使為可變線圈等之其他阻抗調整手段亦可。
再者，雖然針對本發明適用於灰化裝置之時予以表示，但是並不限於灰化裝置，亦可以適用於蝕刻或CVD成膜等之其他電漿處理裝置。再者，雖然使用FPD基板以當作被處理體，但是本發明並不限定於此，亦可以適用於處理半導體晶圓等之其他基板之時。
1．．．本體容器
2．．．介電體壁(介電體構件)
3．．．天線室
4．．．處理室
13．．．高頻天線
13a．．．外側天線部
13b．．．內側天線部
13c．．．中間天線部
14．．．整合器
15．．．高頻電源
16a、16b、16c．．．供電構件
20．．．處理氣體供給系統
21a、21c．．．可變電容器
23．．．載置台
30．．．排氣裝置
50．．．控制部
51．．．使用者介面
52．．．記憶部
61a．．．外側天線電路
61b．．．內側天線電路
61c．．．中間天線電路
G．．．基板
第1圖為表示本發明之一實施型態所涉及之感應耦合電漿處理裝置之剖面圖。
第2圖為表示第1圖之感應耦合電漿處理裝置所使用之高頻天線之俯視圖。
第3圖為表示第1圖之感應耦合電漿處理裝置所使用之高頻天線之供電電路的圖式。
第4圖為表示高頻天線之其他例的俯視圖。
第5圖為表示第4圖之高頻天線之供電電路的圖式。
1．．．本體容器
1a．．．接地線
2．．．介電體壁(介電體構件)
3．．．天線室
3a．．．天線室之側壁
4．．．處理室
4a．．．處理室之側壁
5．．．支撐架
11．．．噴淋框體
12．．．氣體流路
12a．．．氣體吐出孔
13．．．高頻天線
13a．．．外側天線部
13b．．．內側天線部
13c．．．中間天線部
14．．．整合器
15．．．高頻電源
16a、16b、16c．．．供電構件
17．．．間隔物
18a、18b、18c．．．電容器
19a、19b、19c．．．供電線
20．．．處理氣體供給系統
21a、21c．．．可變電容器
23．．．載置台
24．．．絕緣體框
25．．．支柱
25a．．．供電線
26．．．波紋管
27．．．閘閥
27a．．．搬入搬出口
28．．．整合器
29．．．高頻電源
30．．．排氣裝置
31．．．排氣管
41．．．He氣體流路
50．．．控制部
51．．．使用者介面
52．．．記憶部
G．．．基板

Claims (5)

  1. 一種感應耦合電漿處理裝置，其特徵為；具備處理室，其係用以收容被處理體而施予電漿處理；載置台，其係用以在上述處理容器內載置被處理體；處理氣體供給系統，其係用以對上述處理室內供給處理氣體；排氣系統，其係用以將上述處理室內予以排氣；高頻天線，其係隔著介電體構件而被配置在上述處理室之外部，具有藉由供給高頻電力在上述處理室內形成感應電場的設置成同心狀之3個以上的天線部；和阻抗調節手段，其係用以調節包含上述各天線部之天線電路中之至少一個阻抗，依此控制上述天線部之電流值，上述各天線部構成多數天線線被配置成渦旋狀而所形成之多層天線，並且以在其配置區域形成均勻之電場的方式設定其捲繞方式，以在各天線部之配置區域間電場被均勻化之方式設定其捲數，被處理體構成矩形狀，上述天線部以成為略矩形狀之方式，配置天線線，上述天線部係以在略矩形狀之各邊的中央部，較其他部分的捲數少之方式，設定捲繞方式之形態。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中，上述高頻天線係以從內側天線部朝向外側天線部捲數 變少之方式設定各天線部的捲數。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中，上述阻抗調節手段係被連接於包含上述各天線部之天線電路中之至少一個，調節其連接的天線電路之阻抗。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中，上述阻抗調節手段具有可變電容器。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之感應耦合電漿處理裝置，其中，又具有控制手段，其事先設定能取得最適合於每個運用之電漿密度分布的上述阻抗調節手段之調節參數，於選擇特定之應用時，以成為事先設定對應於其應用之上述阻抗調節手段之調節參數的最佳值之方式，控制上述阻抗調節手段。
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