TWI498053B

TWI498053B - 電漿激發模組

Info

Publication number: TWI498053B
Application number: TW097150317A
Authority: TW
Inventors: Tung Ying Lin; Ming Hsien Ko; Hui Ta Chen; Chun Hao Chang
Original assignee: Ind Tech Res Inst
Priority date: 2008-12-23
Filing date: 2008-12-23
Publication date: 2015-08-21
Also published as: US20100156300A1; TW201026164A; US8604696B2

Description

電漿激發模組

本發明是有關於一種電漿激發模組，且特別是有關於一種感應耦合式(inductively coupled plasma,ICP)電漿激發模組。

電漿是包含離子或電子與自由基(radical)的氣體的電離態，而受到廣泛的應用。通常電漿處理是指將氣體轉變為電漿以及將電漿氣體沉積在基板上或將電漿氣體用於清洗(cleaning)、塗佈(coating)、濺鍍(sputtering)、電漿化學氣相沈積、離子植入、灰化(ashing)或蝕刻等。目前常見的電漿處理設備在運作時，當兩個電極之間形成強大的電場之後，被供應到這兩電極之間的製程氣體就會被離子化或解離而產生電漿。

現階段在顯示器的研發狀況，主要朝向大型化顯示器與軟性顯示器的研究與開發應用，其中商品化過程中最重要的課題為基板大面積下高均勻度的問題。傳統使用電容式電漿(capacitively coupled plasma,CCP)受限於電漿密度較小，設備之製程速率無法有效提升，因此感應耦合電漿(inductively coupled plasma,ICP)成為另一項極具潛力的技術。由於ICP所產生之電漿密度較高，所以一般也稱為高密度電漿源，其系統之特徵為具有產生電漿之感應耦合線圈。然而，在大面積ICP的設計上會遭遇到下列問題：(1)當線圈長度過長時會導致駐波的問題，影響能量傳遞的效率；(2)在大面積化時，電漿均勻度較難進行調整，尤其是在線圈邊緣的部分，容易造成電漿輔助鍍膜或電漿輔助蝕刻等製程受限。

中華民國專利TW 00449107提出將線圈埋入介電層中，且介電層會放置在腔體內與基板載台對向的位置。介電層可調整外型，改變電場耦合強度。然而，此種方式必須燒結適當的介電材料，才能進行線圈的安裝。且對於配置在介電材料中的線圈的散熱必須額外通以冷卻裝置，在成本上是相對高。由於線圈是嵌入於介電層中，當實測時若需要進行調整，反而相當不便，且進行大面積化時，燒結大面積之介電層、線圈埋設會更加困難。

美國專利US 6,868,800所提出的線圈設計採用了特殊的幾何外型，其線圈是由主幹與分支所構成的對稱結構。雖然可以避免線圈長度過長所產生的駐波現象，但其線圈的幾何外型十分複雜使得加工精度的要求會大幅提高，增加了加工上的困難度與成本。此外，此篇專利的供氣系統為單個側邊供氣的裝置，此種設計僅在低氣壓的狀態下，氣體分子的擴散狀態才會比較好，電漿密度才會比較均勻。

美國專利US 7,079,085提出以平行並聯且互相交錯的方式來進行線圈的設計，並利用兩線圈互補的方式來提高電漿的均勻性。此種線圈是由雙線所繞成的雙迴路線圈，且每個迴路間保持相鄰與平行。而單一迴路的線圈，其電源端與地端相鄰配置。因兩線圈為並聯式的結構，因此線圈總阻抗較小。此外，由於相鄰的兩線圈每隔一段距離會彼此平行交錯，且電源流動方向相反，可有互補的功能，以平衡電場分布。然而，此種設計用於大面積時其線圈的架構複雜且加工，且安裝較不便利。

本發明提供一種電漿激發模組，可以產生均勻的電漿。

本發明提出一種電漿激發模組，包括一腔體、多個線圈以及一多管路分支進氣系統。腔體具有一介電層。線圈配置於腔體之介電層外側，且各線圈並聯設置。多管路分支進氣系統環繞介電層並與腔體內部相連通。

在本發明之一實施例中，上述之各線圈包括至少二個線型主體，以及連接相鄰兩線型主體的連接部。各線型主體例如是彼此平行或不平行。連接部例如是具有彎曲構型或非彎曲構型。

在本發明之一實施例中，上述之各線圈與介電層之間的距離為可調整。

在本發明之一實施例中，上述之多管路分支進氣系統包括進氣管路、氣體進口介面以及多個噴嘴。進氣管路包括主要管路，及連接主要管路的多個分支管路。氣體進口介面連接進氣管路，且氣體進口介面配置於介電層與腔體之間。噴嘴配置於氣體進口介面中，以使進氣管路與腔體內部連通，其中各分支管路的末端連接至各噴嘴。噴嘴的氣體出口孔徑例如是可調整。

在本發明之一實施例中，上述各分支管路包括一第一分支與多個第二、第三至第N分支，其中N為正整數。第一分支連接主要管路。各第二分支連接第一分支的末端與各第三分支的前端。各第N-1分支連接各第N-2分支末端與各第N分支前端。各第N分支連接第N-1分支的末端與與噴嘴。各第N-1分支所連接的第N分支數量例如是相等。

在本發明之一實施例中，上述各分支管路的長度為相等。

在本發明之一實施例中，電漿激發模組更包括介電層支撐板，以將介電層鎖固於腔體上。

在本發明之一實施例中，電漿激發模組更包括氣體供給系統，連接至多管路分支進氣系統。氣體供給系統包括氣體源與質流控制裝置(mass flow controller,MFC)，其中質流控制裝置配置於多管路分支進氣系統與氣體源之間。

在本發明之一實施例中，電漿激發模組更包括電源系統，連接至線圈。電源系統包括高頻電源與匹配電路，其中匹配電路配置於線圈與高頻電源之間。

在本發明之一實施例中，電漿激發模組更包括真空抽氣系統，連接至腔體。真空抽氣系統包括真空泵與排氣管，其中排氣管配置於腔體與真空泵之間。

在本發明之一實施例中，上述之線圈的材料為金屬，其例如是鋁或銅。

在本發明之一實施例中，上述之介電層的材料為石英玻璃或陶瓷。

在本發明之一實施例中，上述之多管路分支進氣系統的材料為金屬。

在本發明之一實施例中，上述之腔體的材料為金屬。

基於上述，本發明之電漿激發模組利用並聯式電極線圈的大型化設計並搭配多管路分支進氣系統，可以同時改善電磁場均勻度與氣體流場均勻度，以達到電漿密度均勻化，而提升薄膜形成或蝕刻製程的均勻度。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

下列各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發明可用以實施之特定實施例。本發明之實施例中所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「內」、「外」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，下列使用的方向用語僅是用來說明，以使熟習此項技術者能夠據以實施，但並非用以限定本發明之範圍。

圖1是依照本發明之一實施例之一種電漿激發模組的剖面示意圖。

請參照圖1，電漿激發模組100包括腔體102、多個線圈120以及多管路分支進氣系統130。腔體102具有介電層110，介電層110例如是配置於腔體102的下部，且覆蓋開口104。線圈120配置於腔體102的介電層110外側，且各個線圈120彼此間隔一個距離而並聯。多管路分支進氣系統130環繞介電層110，並與腔體102內部相連通。

在一實施例中，電漿激發模組100還包括氣體供給系統140、電源系統150與真空抽氣系統160。氣體供給系統140連接至多管路分支進氣系統130，以提供氮氣、氬氣或其他適當的製程氣體至腔體102內。氣體供給系統140包括氣體源142與質流控制裝置(mass flow controller,MFC)144。質流控制裝置144配置於多管路分支進氣系統130與氣體源142之間。

電源系統150連接至線圈120，以導入高頻電壓至線圈120而產生電磁場。電源系統150包括高頻電源152與匹配電路154。匹配電路154配置於線圈120與高頻電源152之間，以達成較高的電源傳輸效率。

真空抽氣系統160連通至腔體102的抽氣口106，以將腔體102內的空氣抽出，而使腔體102內呈現真空狀態。真空抽氣系統160包括真空泵162與排氣管164。排氣管164配置於腔體102之抽氣口106與真空泵162之間。在此實施例中是以雙邊排氣的電漿激發模組100為例來作說明，亦即腔體102的兩側分別具有一個抽氣口106，且分別連接至真空抽氣系統160，但本發明並不限於此。

在本發明之一實施例中，電漿激發模組100藉由真空泵162對腔體102進行抽氣，直到壓力穩定後，再開啟氣體源142經質流控制裝置144設定氣體流量，製程氣體由氣體源142供給，經質流控制裝置144、多管路分支進氣系統130流入於腔體102內。待供給氣體至腔體102內之壓力穩定後，開啟高頻電源152供給高頻電壓，並搭配阻抗匹配電路154，對固定於介電層110外側的線圈120導入高頻電壓產生電磁場。經由線圈120的電感作用於腔體102內產生電磁場，使電子衝擊製程氣體之中性粒子，造成氣體電離，而於腔體102內產生密度均勻的電漿。

圖2是依照本發明之一實施例之一種電漿激發模組底部的立體示意圖。圖3是依照本發明之一實施例之一種電漿激發模組頂部的立體透視示意圖。為方便說明，在圖2與圖3中僅繪示腔體、介電層、線圈及多管路分支進氣系統的相對配置關係。圖4是隱藏圖3之腔體的局部立體透視示意圖。

請同時參照圖1、圖2、圖3與圖4，腔體102的底部具有開口104，作為進氣口以及配置感應線圈之用。腔體102的材料例如是金屬。介電層110覆蓋開口104，而構成腔體102的一面。介電層110的上表面會與腔體102內的真空接觸，而介電層110的下表面會與大氣接觸。介電層110的材料例如是石英玻璃或陶瓷。線圈120並聯配置於腔體102的外側，即線圈120配置於介電層110位於大氣側的下表面上。線圈120的材料例如是金屬，其可以為鋁或銅。多管路分支進氣系統130的管路例如是配置在線圈120的下方及環繞介電層110的周圍。多管路分支進氣系統130的管路末端分別具有多個氣體出口130a，且氣體出口130a例如是配置於介電層110位於腔體側的上方，而使多管路分支進氣系統130能夠與腔體102的內部相連通。

圖5是依照本發明之一實施例之介電層與線圈配置的底視示意圖。圖6A至圖6C分別是依照本發明之一實施例之線圈的示意圖。

請參照圖5，為多個線圈120並聯設置情形，其中，每一線圈120包括線型主體122與連接部124，連接部124連接相鄰兩個線型主體122。線型主體122彼此之間可以是平行也可以是互不平行。連接部124例如是具有彎曲構型。詳細說明的是，多個線型主體122排列在介電層110位於大氣的同一側，且連接部124例如是將至少兩個相鄰的線型主體122串聯起來，以構成單一的線圈結構。

在一實施例中，如圖6A所示，單一線圈120可以是由一個連接部124將兩個線型主體122串聯起來所組成的U型線圈。在另一實施例中，如圖6B所示，單一線圈120’可以是由兩個連接部124將三個線型主體122串聯起來所組成的。在又一實施例中，如圖6C所示，單一線圈120”可以是藉由三個連接部124將四個線型主體122串聯起來所組成的，也就是將兩個如圖6A所示之U型線圈120串聯起來。當然，在其他實施例中，連接部124也可以是具有非彎曲構型，例如連接部124為V形，則會使連接的兩線性主體122串聯變為V形線圈，本發明於此不作特別之限定。

此外，每個單一線圈120與介電層110之間的距離可以是相同或是不相同。在施加的高頻電壓為相同的情況下，當線圈120與介電層110之間的距離越近，腔體102內部所感應到的電場強度會越大；當線圈120與介電層110之間的距離越遠，腔體102內部所感應到的電場強度會越小。由於每個線圈120皆為平行並聯式的擺設方式，故可以調整個別單一線圈120與介電層110之間的距離，來調整特定區域的感應電場強度，以使電漿的均勻性獲得進一步的提升。也就是說，每個單一線圈120與介電層110之間的距離可以視需求逕行調整。此外，由於線圈120配置在大氣側，因此可以輕易地調整單一線圈120的位置，而使電場更均勻。

圖7A與圖7B分別是依照本發明之一實施例之線圈配置與電漿密度的關係示意圖。須注意的是，在圖7A與圖7B中所述之例示僅是為了詳細說明藉由調整每組線圈與介電層之間的距離所達成的效果，以使熟習此項技術者能夠據以實施，但並非用以限定本發明之範圍。

舉例來說，如圖7A所示，當每個線圈120與介電層110之間的距離皆相同時，會在兩側的位置P1與P3處量測到較大的電漿密度，而在中央的位置P2處量測到較小的電漿密度，因此此種線圈120配置之設計所產生的電漿分布不均勻。如圖7B所示，在藉由調整位於位置P1與P3處的線圈配置之後，亦即使位於位置P1與P3處的線圈120與介電層110之間的距離較位於位置P2處的線圈120與介電層110之間的距離來得大，會量測到更均勻的電漿密度分布。詳言之，當位於位置P1與P3的線圈120距離介電層110較遠時，腔體102內所感應的電場強度會較小，因此可以使位置P1與P3的電漿密度降低，而與位置P2的電漿密度呈現一致。

由於電漿密度與電場強度關係密切，因此要達成良好的電場強度，線圈間的距離是相當重要。本發明之一實施例所述之平面式線圈的結構簡單易於加工，多個並聯的線圈結構亦可避免駐波問題，且藉由並聯線圈的方式可以視需求調整線圈數來達成更大面積的線圈架構，而有利於顯示器等大面積電漿激發模組的需求。

圖8是依照本發明之一實施例之多管路分支進氣系統的立體示意圖。圖9是依照本發明之一實施例之噴嘴的立體示意圖。

請參照圖8，多管路分支進氣系統130包括進氣管路132、氣體進口介面134與噴嘴136。氣體進口介面134例如是具有框架構型，且連接進氣管路130。氣體進口介面134例如是配置於介電層(未繪示)與腔體(未繪示)之間。噴嘴136配置於氣體進口介面134中，並與進氣管路132的連接，以使進氣管路132可以與腔體內部連通。噴嘴136例如是具有可調整孔徑大小的氣體出口136a(如圖9所示)。利用調整氣體出口136a的孔徑大小來改變氣體噴出時的流速，可以作為微調氣場均勻性的手段。多管路分支進氣系統130的材料例如是金屬。

進氣管路132包括主要管路132a與分支管路132b、132c、132d、132e、132f。主要管路132a例如是連接氣體供給系統140，以使氣體源142所提供的製程氣體可以經由進氣管路132流入腔體102內。每個分支管路132f的最末端出口會各自連接一個噴嘴136。

如圖8所示，在一實施例中，主要管路132a位於中央，且會連接到四周方向的分支管路132b；每個分支管路132b會連接到兩個分支管路132c；每個分支管路132c會連接到兩個分支管路132d；每個分支管路132e會連接到兩個分支管路132f；而每個分支管路132f則會各自連接到一個噴嘴136。當氣體源142供應製程氣體至主要管路132a時，氣體會等分地流入分支管路132b，之後由各分支管路132b依序等分地流入分支管路132c、132d、132e、132f，因此經過數次等分的氣體會從分支管路132f經由噴嘴136流入腔體內。此外，任意組合的分支管路132b、132c、132d、132e、132f相連接所構成的長度例如是相等。也就是說，製程氣體從主要管路132a依序流經各分支管路132b、132c、132d、132e、132f至噴嘴136的流動距離皆相同。

藉由將進氣管路132依序等分成多個分支管路132b、132c、132d、132e、132f，並在分支管路的最末端都連接噴嘴136，如此一來利用漸進式的多管路分支進氣可有助於提升氣場均勻度。此外，在此實施例中每個分支管路僅會等分成兩個分支管路，而非將每個分支管路直接連接到等分的大量噴嘴，因此每次少量的等分管路更可以使每個噴嘴排出的氣體量更為一致。

特別說明的是，電漿密度也與氣場的均勻度有關，由於在較高的氣壓環境下，電漿擴散的效果較差，因此要達成均勻的電漿密度，氣場與電場的分布都必須要均勻。本發明之一實施例的多管路分支進氣系統，其特色除了多管路分支進氣外，還可以透過氣場模擬來調整不同位置噴嘴的氣孔直徑，藉此微調不同位置的出氣量來產生更均勻的氣場。利用多管路分支進氣作為均勻的供氣系統產生良好的氣場分布，可以使電漿密度更均勻。

圖10是依照本發明之另一實施例之一種電漿激發模組底部的立體示意圖。

請參照圖10，在一實施例中，電漿激發模組100更包括介電層支撐板112。介電層支撐板112配置於腔體102的下方，並使介電層110與氣體進口介面134夾持在腔體102與介電層支撐板112之間。介電層支撐板112可以將介電層110與多管路分支進氣系統130鎖固於腔體102上，使腔體102內部具有氣密性，亦即使腔體102內的反應氣體可以與外界空氣隔絕。在一實施例中，介電層支撐板112是以框架的構型壓覆在介電層110的輪廓上。介電層支撐板112的材料例如是金屬。

此外，本領域具有通常知識者應當知道，以上所介紹的並聯式線圈組及多管路分支進氣系統，可以分開個別使用於不同的電漿激發模組，而用以提升電場均勻度或提升氣場均勻度，並不限於上述實施例所示要同時配置在單一電漿激發模組中。

為證實本發明之電漿激發模組確實能夠提升電漿均勻性，接下來將以實驗例說明其特性。以下實驗例之說明僅是用來說明線圈配置對於電場的影響以及多管路分支進氣系統對於氣場的影響，但並非用以限定本發明之範圍。

實驗例

圖11A至圖11C分別為使用不同線圈配置之電場的分布圖。

如圖11A所示，當電漿激發模組中配置的單一線圈為U型線圈(如圖6A所示之線圈)時，可以獲得較均勻的電場分布。如圖11B所示，當電漿激發模組中配置的單一線圈為兩組U型線圈串聯(如圖6C所示之線圈)時，也可以獲得較均勻的電場分布。

此外，如圖11C所示，當電漿激發模組中配置的單一線圈為兩組U型線圈串聯，並使位於邊緣兩側位置P4、P5的線圈距離介電層較遠(如圖7B)時，還可以使電場分布的均勻度獲得更進一步的改善。

圖12A與圖12B分別為使用不同進氣管路分支配置之氣體量分布圖。圖12C為使用如圖12B所示之進氣管路分支配置之氣場的分布圖。

如圖12A所示，進氣管路是由主要管路連接到四周方向的四個分支管路，且每個分支管路再進一步等分成八個氣體出口，由結果可以發現，進氣量大都分布在位於中央部位的氣體出口處。也就是說，此種進氣管路分支配置的方式會使得氣體在經由分支管路往氣體出口流動時，氣體會集中在較靠近分支管路的氣體出口，而造成進氣不均勻。

如圖12B所示，在此實驗例中所使用的進氣管路分支配置是相同於圖8所示之實施例的多管路分支進氣系統。亦即，主要管路會連接到四周方向的四個分支管路，且每個分支管路又等分成兩個分支管路，直到四周方向的每側都具有十六個分支管路，且每個分支管路的最末端會個別連接一個噴嘴作為氣體出口。由結果可知，每個氣體出口都具有相近的氣體量，因此此種進氣管路分支配置可以使進氣的分布更均勻。

如圖12C所示，當使用圖12B所示使用的進氣管路分支配置時，可以獲得較均勻的氣場分布，而改善電漿激發模組的進氣系統。

整體而言，由以上實驗例的結果顯示：本發明之實施例的線圈配置以及多管路分支進氣系統分別可以使電場與氣場分布更均勻，因此電漿激發模組使用上述實施例的線圈或多管路分支進氣系統都可以產生更均勻的電漿。

綜上所述，本發明之電漿激發模組利用平面式並聯的線圈結構，其結構簡單易於加工，且多個並聯的結構亦可避免駐波問題產生。由於多個線圈為並聯式的配置，故可針對個別單一線圈與介電層之間的距離進行調整，以調整感應電場的強度，用來使電漿均勻性獲得提升。此外，藉由調整並聯的線圈數量可以達成更大面積的線圈架構，有利於顯示器等大面積ICP的需求。

再者，本發明之電漿激發模組利用多管路分支進氣系統進行漸進式的多管路分支進氣，因此可有助於產生良好的氣場分布，而使電漿密度更均勻。此外，每個分支管路的最末端都個別連接噴嘴，且可以調整噴嘴的的氣體出口孔徑，因此能夠藉由微調不同位置的出氣量來產生更均勻的氣場。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100．．．電漿激發模組

102．．．腔體

104．．．開口

106．．．抽氣口

110．．．介電層

112．．．介電層支撐板

120、120’、120”．．．線圈

122．．．線型主體

124．．．連接部

130．．．多管路分支進氣系統

130a、136a．．．氣體出口

132．．．進氣管路

132a．．．主要管路

132b、132c、132d、132e、132f．．．分支管路

134．．．氣體進口介面

136．．．噴嘴

140．．．氣體供給系統

142．．．氣體源

144．．．質流控制裝置

150．．．電源系統

152．．．高頻電源

154．．．匹配電路

160．．．真空抽氣系統

162．．．真空泵

164．．．排氣管

P1、P2、P3、P4、P5．．．位置

圖2是依照本發明之一實施例之一種電漿激發模組底部的立體示意圖。

圖3是依照本發明之一實施例之一種電漿激發模組頂部的立體透視示意圖。

圖4是隱藏圖3之腔體的局部立體透視示意圖。

圖5是依照本發明之一實施例之介電層與線圈配置的底視示意圖。

圖6A至圖6C分別是依照本發明之一實施例之線圈的示意圖。

圖7A與圖7B分別是依照本發明之一實施例之線圈配置與電漿密度的關係示意圖。

圖8是依照本發明之一實施例之多管路分支進氣系統的立體示意圖。

圖9是依照本發明之一實施例之噴嘴的立體示意圖。

圖11A至圖11C分別為使用不同線圈配置之電場的分布圖。

圖12A與圖12B分別為使用不同進氣管路分支配置之氣體量分布圖。

圖12C為使用如圖12B所示之進氣管路分支配置之氣場的分布圖。

102．．．腔體

106．．．抽氣口

110．．．介電層

120．．．線圈

130．．．多管路分支進氣系統

Claims

一種電漿激發模組，包括：一腔體，該腔體具有一介電層；多個線圈，配置於該腔體之介電層外側，各線圈係並聯設置；以及一多管路分支進氣系統，環繞該介電層並與該腔體內部相連通，其中該多管路分支進氣系統包括：一進氣管路，包括：一主要管路；以及多個分支管路，連接該主要管路；一氣體進口介面，連接該進氣管路，該氣體進口介面配置於該介電層與該腔體之間；以及多個噴嘴，配置於該氣體進口介面中，以使該進氣管路與該腔體內部連通，其中各該些分支管路的末端連接至各該些噴嘴，其中各該些噴嘴的氣體出口方向垂直於該些線圈的一法線方向，其中各該些分支管路包括：四個第一分支，連接該主要管路；以及多個第二、第三至第N分支，各該些第二分支連接該第一分支末端與各該些第三分支前端，各該些第N-1分支連接各該些第N-2分支末端與各該些第N分支前端，各該些第N分支連接第N-1分支末端與各該些噴嘴，其中N為正整數，且其中各該些第一分支連接該些第二分支的兩個，各該第二分支連接該些第三分支的兩個，且各該些第N-1分支連接該些第N分支的兩個。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，其中各線圈包括：至少二線型主體；以及一連接部，連接相鄰兩線型主體。
如申請專利範圍第2項所述之電漿激發模組，其中各該些線型主體彼此平行或不平行。
如申請專利範圍第2項所述之電漿激發模組，其中該連接部具有彎曲構型或非彎曲構型。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，其中各線圈與該介電層之間的距離為可調整。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，其中各該些噴嘴的氣體出口孔徑為可調整。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，其中各該些第N-1分支所連接的該些第N分支數量為相等。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，其中各該些分支管路的長度為相等。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，更包括一介電層支撐板，以將該介電層鎖固於該腔體上。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，更包括一氣體供給系統，連接至該多管路分支進氣系統。
如申請專利範圍第10項所述之電漿激發模組，其中該氣體供給系統更包括一氣體源與一質流控制裝置，其中該質流控制裝置配置於該多管路分支進氣系統與該氣體源之間。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，更包括一電源系統，連接至該些線圈。
如申請專利範圍第12項所述之電漿激發模組，其中該電源系統更包括一高頻電源與一匹配電路，其中該匹配電路配置於該些線圈與該高頻電源之間。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，更包括一真空抽氣系統，連接至該腔體。
如申請專利範圍第14項所述之電漿激發模組，其中該真空抽氣系統更包括一真空泵與一排氣管，其中該排氣管配置於該腔體與該真空泵之間。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，其中該些線圈的材料為金屬。
如申請專利範圍第16項所述之電漿激發模組，其中該些線圈的材料為鋁或銅。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，其中該介電層的材料為石英玻璃或陶瓷。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，其中該多管路分支進氣系統的材料為金屬。
如申請專利範圍第1項所述之電漿激發模組，其中該腔體的材料為金屬。