JP5795065B2 - プラズマ発生体及びプラズマ発生装置 - Google Patents
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Description
図1(a)は本発明の第1の実施形態に係るプラズマ発生体1の外観を示す斜視概略図であり、図1(b)は図1(a)のIb−Ib線における断面概略図である。
第1の実施形態のプラズマ発生体1において、幅W及び深さDを変化させたときの電界強度を計算した。
誘電体3の材料:セラミック
誘電体3(プラズマ発生体1)の厚さH:約1.0mm
内周面3dから電極9までの深さT:0.25mm
凹部3eの深さD:0.15mm
電極間距離S:0.5mm
凹部3eの幅W:0.5mm、0.3mm若しくは0.1mm
W(mm) E(kV/mm)
0.5 1.2
0.3 1.8
0.1 2.6
誘電体3の材料:セラミック
誘電体3(プラズマ発生体1)の厚さH:約1.0mm
内周面3dから電極9までの深さT:0.25mm
凹部3eの深さD:0.20mm、0.15mm、0.10mm
電極間距離S:0.3mm
凹部3eの幅W:0.1mm
D(mm) E(kV/mm)
0.20 3.1
0.15 3.2
0.10 2.7
図7(a)は、第2の実施形態のプラズマ発生体201(プラズマ発生装置251)を示す平面図であり、図7(b)は、図7(a)のVIIb−VIIb線における断面図であり、図7(c)は、図7(a)のVIIc−VIIc線における断面図である。
第2の実施形態のプラズマ発生体201において、幅W及び深さDを変化させたときの電界強度を計算した。
誘電体203の材料:セラミック
主面203aから電極209までの深さT:0.10mm
凹部203eの深さD:0.1mm
電極間距離S:1.0mm
凹部203eの幅W:0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm若しくは0.5mm
W(mm) E(kV/mm)
0.1 1.2
0.2 1.2
0.3 1.1
0.4 1.0
0.5 0.9
誘電体203の材料:セラミック
主面203aから電極209までの深さT:0.10mm
凹部203eの深さD:0.05mm、0.10mm、0.20mm、0.30mm、0.40mm、0.50mm、0.60mm、貫通
電極間距離S:1.0mm
凹部203eの幅W:0.1mm
D(mm) E(kV/mm)
0.05 1.2
0.10 1.6
0.20 2.1
0.30 2.3
0.40 2.5
0.50 2.7
0.60 2.9
貫通 2.9
図13は、第3の実施形態のプラズマ発生体301の要部を示す断面図である。
図14は、第4の実施形態のプラズマ発生装置451(プラズマ発生体401)を示す斜視図である。
Claims (7)
- 所定方向に貫通する複数の貫通孔を備えた誘電体と、
前記所定方向において互いに離間して対向するように前記誘電体に設けられるとともに前記誘電体によって互いに隔てられ、且つ、前記複数の貫通孔に対応する位置に複数の開口が形成されており、電圧が印加されることにより前記複数の貫通孔の内周面上にプラズマを発生させることが可能な一対の電極と、
を有し、
前記複数の貫通孔それぞれの内周面には、前記一対の電極間となる位置に、当該内周面から当該内周面の外周側への深さが、前記一対の電極の、当該内周面から当該内周面を囲む開口の縁部までの深さ以下の凹部が設けられている
プラズマ発生体。 - 所定面を有する誘電体と、
前記所定面下に埋設され、前記所定面に平行な層状であり、前記所定面に沿う方向において互いに離間して配置されるとともに前記誘電体によって互いに隔てられ、電圧が印加されることにより前記所定面上にプラズマを発生させることが可能な一対の電極と、
を有し、
前記所定面には、その平面視において前記一対の電極間となる位置に、前記一対の電極の少なくとも一方の電極の下面を超える深さの凹部が設けられている
プラズマ発生体。 - 前記一対の電極は、平面形状が櫛歯状であり、互いに噛み合うように配置されており、
前記凹部は、前記所定面の平面視において前記櫛歯状電極の複数の歯の間となる位置に設けられている
請求項2に記載のプラズマ発生体。 - 前記櫛歯状電極の間に設けられた前記凹部は、前記歯に沿って延びるように設けられている
請求項3に記載のプラズマ発生体。 - 前記櫛歯状電極の間に設けられた前記凹部は、前記歯に沿って複数設けられている請求項3に記載のプラズマ発生体。
- 所定面を有する誘電体と、
前記所定面に沿う方向において互いに離間して配置されるとともに前記誘電体によって互いに隔てられ、電圧が印加されることにより前記所定面上にプラズマを発生させることが可能な一対の電極と、
を有し、
前記所定面には、その平面視において前記一対の電極間となる位置に有底の凹部が設けられており、
前記凹部に多孔質体を更に有する
プラズマ発生体。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載のプラズマ発生体と、
前記一対の電極に電圧を印加することによりプラズマを発生させることが可能な電源装置と、
を有する
プラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013520600A JP5795065B2 (ja) | 2011-06-16 | 2012-06-15 | プラズマ発生体及びプラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011134090 | 2011-06-16 | ||
JP2011134090 | 2011-06-16 | ||
JP2013520600A JP5795065B2 (ja) | 2011-06-16 | 2012-06-15 | プラズマ発生体及びプラズマ発生装置 |
PCT/JP2012/065365 WO2012173229A1 (ja) | 2011-06-16 | 2012-06-15 | プラズマ発生体及びプラズマ発生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012173229A1 JPWO2012173229A1 (ja) | 2015-02-23 |
JP5795065B2 true JP5795065B2 (ja) | 2015-10-14 |
Family
ID=47357206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013520600A Expired - Fee Related JP5795065B2 (ja) | 2011-06-16 | 2012-06-15 | プラズマ発生体及びプラズマ発生装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9386678B2 (ja) |
JP (1) | JP5795065B2 (ja) |
WO (1) | WO2012173229A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6356516B2 (ja) * | 2014-07-22 | 2018-07-11 | 東芝メモリ株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP6581401B2 (ja) * | 2015-06-17 | 2019-09-25 | エクレール株式会社 | イオン及びオゾンの風を発生する装置 |
US20170211185A1 (en) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerhead with embedded conductive layers |
KR101813558B1 (ko) * | 2017-04-12 | 2018-01-03 | 주식회사 서린메디케어 | 프락셔널 플라즈마를 이용한 피부 치료장치 |
JP6917813B2 (ja) * | 2017-07-13 | 2021-08-11 | 日本特殊陶業株式会社 | プラズマリアクタ、空気清浄器 |
KR102127127B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-06-26 | 김세열 | 내장형 연면방전 구조물 |
JP7189086B2 (ja) * | 2019-06-04 | 2022-12-13 | 京セラ株式会社 | プラズマ発生装置用部品 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69032691T2 (de) * | 1989-12-07 | 1999-06-10 | Japan Science & Tech Corp | Verfahren und Gerät zur Plasmabehandlung unter atmosphärischem Druck |
JPH118042A (ja) | 1997-02-28 | 1999-01-12 | Toshiba Lighting & Technol Corp | イオン発生基板および電子写真記録装置 |
JP3654142B2 (ja) * | 2000-01-20 | 2005-06-02 | 住友電気工業株式会社 | 半導体製造装置用ガスシャワー体 |
GB0108740D0 (en) * | 2001-04-06 | 2001-05-30 | Bae Systems Plc | Turbulent flow drag reduction |
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EP1441577A4 (en) | 2002-02-20 | 2008-08-20 | Matsushita Electric Works Ltd | PLASMA PROCESSING DEVICE AND METHOD |
CA2513327A1 (en) * | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Dow Corning Ireland Limited | Plasma generating electrode assembly |
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EP1638377B1 (en) * | 2003-06-20 | 2013-04-03 | NGK Insulators, Ltd. | Plasma generating electrode, plasma generation device, and exhaust gas purifying apparatus |
EP1701597B1 (en) * | 2003-12-08 | 2012-08-22 | NGK Insulators, Ltd. | Plasma generating electrode, its manufacturing method, and plasma reactor |
JP4683547B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2011-05-18 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
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JP4994171B2 (ja) | 2006-09-27 | 2012-08-08 | 京セラ株式会社 | 放電素子、この放電素子を用いた放電モジュール、並びに、この放電モジュールを用いたオゾン発生装置及びイオン発生装置 |
JP5300211B2 (ja) | 2007-05-28 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | 管内流制御方法、管路要素、流体機器および流体機器システム |
DE112009000131T5 (de) * | 2008-01-18 | 2010-12-09 | Kyocera Corporation | Plasma-Generator und Entladungsvorrichtung und Reaktor, der einen Plasma-Generator verwendet |
US7938707B1 (en) * | 2008-07-07 | 2011-05-10 | Sandia Corporation | Methods for batch fabrication of cold cathode vacuum switch tubes |
WO2010058648A1 (ja) | 2008-11-22 | 2010-05-27 | 淀川ヒューテック株式会社 | マイクロプラズマを用いた表面改質処理方法及び接合方法 |
JP2011108615A (ja) | 2009-10-23 | 2011-06-02 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
JP5700974B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-04-15 | ダイハツ工業株式会社 | プラズマアクチュエータ |
JP2012102693A (ja) | 2010-11-12 | 2012-05-31 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ガス分解装置およびガス分解方法 |
JP2012212640A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Plasma Ion Assist Co Ltd | バリア放電イオナイザ |
US20140217882A1 (en) * | 2011-08-29 | 2014-08-07 | Kyocera Corporation | Plasma generator and plasma generating device |
US9117616B2 (en) * | 2012-07-13 | 2015-08-25 | Sp Tech Co., Ltd. | Dielectric barrier discharge-type electrode structure for generating plasma having conductive body protrusion on electrodes |
-
2012
- 2012-06-15 JP JP2013520600A patent/JP5795065B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-06-15 US US14/125,799 patent/US9386678B2/en active Active
- 2012-06-15 WO PCT/JP2012/065365 patent/WO2012173229A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9386678B2 (en) | 2016-07-05 |
JPWO2012173229A1 (ja) | 2015-02-23 |
WO2012173229A1 (ja) | 2012-12-20 |
US20140117834A1 (en) | 2014-05-01 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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