JP2001266328A - 磁気記録媒体、およびその保護膜の濡れ性を改良する方法 - Google Patents
磁気記録媒体、およびその保護膜の濡れ性を改良する方法Info
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8408—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers protecting the magnetic layer
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/727—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カーボン保護膜の表面付近に高濃度の窒素含
有層を形成することにより、保護膜表面の表面エネルギ
ーを大きくして液体潤滑剤に対する濡れ性を高めた保護
膜を具え、ヘッドへの潤滑剤の移着がなく、ヘッドの浮
上を安定にすることができる高信頼性の磁気記録媒体を
提供する。 【解決手段】 非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層
の順次積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体
潤滑層を有する磁気記録媒体であって、その保護膜は、
膜の表面から３０Å以内に６〜２０ａｔ％の窒素含有層
を具えるように窒素プラズマ処理されて、水に対する接
触角が１０〜３０度である表面を有する。
有層を形成することにより、保護膜表面の表面エネルギ
ーを大きくして液体潤滑剤に対する濡れ性を高めた保護
膜を具え、ヘッドへの潤滑剤の移着がなく、ヘッドの浮
上を安定にすることができる高信頼性の磁気記録媒体を
提供する。 【解決手段】 非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層
の順次積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体
潤滑層を有する磁気記録媒体であって、その保護膜は、
膜の表面から３０Å以内に６〜２０ａｔ％の窒素含有層
を具えるように窒素プラズマ処理されて、水に対する接
触角が１０〜３０度である表面を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、現在、コンピュー
タの外部記録装置として主流となっている磁性膜を具え
たハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられる磁気
記録媒体に関し、詳しくは、記録層を形成する磁性膜を
ヘッドの衝撃、外界の腐蝕性物質などの腐食から保護す
る機能を有するカーボン保護膜と、カーボン保護膜上に
積層された液体潤滑層とを具えた磁気記録媒体に関す
る。さらに詳しくは、そのような磁気記録媒体のカーボ
ン保護膜の濡れ性を改良する方法、および濡れ性が改良
された保護膜を具えることにより高信頼性を実現した磁
気記録媒体に関する。
タの外部記録装置として主流となっている磁性膜を具え
たハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられる磁気
記録媒体に関し、詳しくは、記録層を形成する磁性膜を
ヘッドの衝撃、外界の腐蝕性物質などの腐食から保護す
る機能を有するカーボン保護膜と、カーボン保護膜上に
積層された液体潤滑層とを具えた磁気記録媒体に関す
る。さらに詳しくは、そのような磁気記録媒体のカーボ
ン保護膜の濡れ性を改良する方法、および濡れ性が改良
された保護膜を具えることにより高信頼性を実現した磁
気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＨＤＤに用いられる磁気記録媒体
の面記録密度は、開発段階で２０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2に
まで達し、年率６０％で向上している。このような磁気
記録の一層の高密度化により、一層小さな磁化領域を高
いＳＮ比で書き込むためには書き込み／読み出しヘッド
を記録媒体表面に一層近づけることが要求されるように
なった。現在、ヘッド浮上量は２０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2
で１９ｎｍ以下、５０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2で１５ｎｍ以
下と見積もられている。そして、今後も磁気記録の高密
度化に対応して磁気記録媒体とデータＲ／Ｗ用ヘッドと
の間隔を狭くすることが求められると予想される。した
がって、保護膜に関しても当然に薄膜化が必要となり、
従来、スパッタ法により薄膜化が行なわれている。
の面記録密度は、開発段階で２０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2に
まで達し、年率６０％で向上している。このような磁気
記録の一層の高密度化により、一層小さな磁化領域を高
いＳＮ比で書き込むためには書き込み／読み出しヘッド
を記録媒体表面に一層近づけることが要求されるように
なった。現在、ヘッド浮上量は２０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2
で１９ｎｍ以下、５０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ2で１５ｎｍ以
下と見積もられている。そして、今後も磁気記録の高密
度化に対応して磁気記録媒体とデータＲ／Ｗ用ヘッドと
の間隔を狭くすることが求められると予想される。した
がって、保護膜に関しても当然に薄膜化が必要となり、
従来、スパッタ法により薄膜化が行なわれている。
【０００３】スパッタ法は耐久性および耐蝕性を有する
保護膜を成膜することができるが、膜厚を８０Å以下に
することは困難である。そこで、スパッタ法に代わる次
世代カーボン保護膜の成膜プロセスとして、より高密度
な膜が得られるというプラズマＣＶＤ法が注目され活発
に研究が行なわれている。
保護膜を成膜することができるが、膜厚を８０Å以下に
することは困難である。そこで、スパッタ法に代わる次
世代カーボン保護膜の成膜プロセスとして、より高密度
な膜が得られるというプラズマＣＶＤ法が注目され活発
に研究が行なわれている。
【０００４】しかしながら、ＣＶＤ法により成膜された
カーボン保護膜は表面エネルギーが小さく濡れ性が悪
い。したがって、保護膜の上に液体潤滑層を形成するた
めに潤滑剤を塗布すると、潤滑剤が「だまり」になって
しまい、それが読み出しヘッドに移着してヘッドの浮上
が不安定になる。特に、信頼性試験のひとつであるＧＨ
Ｔ（Glide Height Test）の際に、このヘッド浮上の不
安定性が良品率の低下を招くという問題がある。
カーボン保護膜は表面エネルギーが小さく濡れ性が悪
い。したがって、保護膜の上に液体潤滑層を形成するた
めに潤滑剤を塗布すると、潤滑剤が「だまり」になって
しまい、それが読み出しヘッドに移着してヘッドの浮上
が不安定になる。特に、信頼性試験のひとつであるＧＨ
Ｔ（Glide Height Test）の際に、このヘッド浮上の不
安定性が良品率の低下を招くという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の課題
は、薄膜化されたカーボン保護膜の濡れ性を改良する方
法、および濡れ性が改良された保護膜を具えることによ
り、読み出しヘッドの浮上を安定化して高信頼性を有す
る磁気記録媒体を提供することにある。
は、薄膜化されたカーボン保護膜の濡れ性を改良する方
法、および濡れ性が改良された保護膜を具えることによ
り、読み出しヘッドの浮上を安定化して高信頼性を有す
る磁気記録媒体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な課題を解決するために、カーボン保護膜の表面の水に
対する接触角を一定範囲にした保護膜は、潤滑剤の濡れ
性に優れ、「だまり」が生じないこと、そして、保護膜
の表面付近に高濃度の窒素を存在させることにより、濡
れ性が改良できることを見出した。
な課題を解決するために、カーボン保護膜の表面の水に
対する接触角を一定範囲にした保護膜は、潤滑剤の濡れ
性に優れ、「だまり」が生じないこと、そして、保護膜
の表面付近に高濃度の窒素を存在させることにより、濡
れ性が改良できることを見出した。
【０００７】すなわち、本発明の第１の形態である磁気
記録媒体は、非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層の
順次積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体潤
滑層を有する磁気記録媒体であって、その保護膜は、水
に対する接触角が１０〜３０度、好ましくは１２〜２５
度である表面を有することを特徴とする。
記録媒体は、非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層の
順次積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体潤
滑層を有する磁気記録媒体であって、その保護膜は、水
に対する接触角が１０〜３０度、好ましくは１２〜２５
度である表面を有することを特徴とする。
【０００８】また、本発明の第２の形態である磁気記録
媒体は、非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層の順次
積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体潤滑層
を有する磁気記録媒体であって、その保護膜は、膜の表
面から３０Å以内に窒素濃度が６〜２０ａｔ％、好まし
くは９〜１８ａｔ％である窒素含有層を具えることを特
徴とする。
媒体は、非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層の順次
積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体潤滑層
を有する磁気記録媒体であって、その保護膜は、膜の表
面から３０Å以内に窒素濃度が６〜２０ａｔ％、好まし
くは９〜１８ａｔ％である窒素含有層を具えることを特
徴とする。
【０００９】さらにまた、本発明の第３の形態である保
護膜の濡れ性を改良する方法は、非磁性基板上にそれぞ
れ少なくとも１層の順次積層された磁性膜、カーボン保
護膜、および液体潤滑層を有する磁気記録媒体におい
て、その保護膜の表面から３０Å以内に窒素濃度が６〜
２０ａｔ％である窒素含有層を設けることを特徴とす
る。
護膜の濡れ性を改良する方法は、非磁性基板上にそれぞ
れ少なくとも１層の順次積層された磁性膜、カーボン保
護膜、および液体潤滑層を有する磁気記録媒体におい
て、その保護膜の表面から３０Å以内に窒素濃度が６〜
２０ａｔ％である窒素含有層を設けることを特徴とす
る。
【００１０】さらにまた、本発明の第４の形態である保
護膜の濡れ性を改良する方法は、非磁性基板上にそれぞ
れ少なくとも１層の順次積層された磁性膜、カーボン保
護膜、および液体潤滑層を有する磁気記録媒体におい
て、その保護膜の表面から３０Å以内に窒素含有層を設
けて保護膜表面の水に対する接触角を１０〜３０度に調
整することを特徴とする。
護膜の濡れ性を改良する方法は、非磁性基板上にそれぞ
れ少なくとも１層の順次積層された磁性膜、カーボン保
護膜、および液体潤滑層を有する磁気記録媒体におい
て、その保護膜の表面から３０Å以内に窒素含有層を設
けて保護膜表面の水に対する接触角を１０〜３０度に調
整することを特徴とする。
【００１１】上記第３および第４の形態において、保護
膜表面上の高窒素濃度の窒素含有層は、窒素プラズマ処
理により設けられることが好ましい。
膜表面上の高窒素濃度の窒素含有層は、窒素プラズマ処
理により設けられることが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、非磁性
基板上にそれぞれ少なくとも１層の順次積層された磁性
膜、カーボン保護膜、および液体潤滑層を有する。
基板上にそれぞれ少なくとも１層の順次積層された磁性
膜、カーボン保護膜、および液体潤滑層を有する。
【００１３】本発明で使用される非磁性基板は、アルミ
合金、ガラス、プラスチック基板など慣用のいかなる非
磁性基板でもよい。具体的なプラスチック基板として
は、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミ
ドなどから成る基板を挙げることができる。
合金、ガラス、プラスチック基板など慣用のいかなる非
磁性基板でもよい。具体的なプラスチック基板として
は、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミ
ドなどから成る基板を挙げることができる。
【００１４】基板は、２．５インチ、３インチ、３．３
インチ、３．５インチ、５インチのいずれの大きさのデ
ィスク基板であってもよく、またその形態も、ディスク
状に限られず、カード状、帯状などいかなる形態でもよ
い。なお、ここで示した大きさは公称値であり、当該技
術において汎用されているものであると理解されるべき
である。
インチ、３．５インチ、５インチのいずれの大きさのデ
ィスク基板であってもよく、またその形態も、ディスク
状に限られず、カード状、帯状などいかなる形態でもよ
い。なお、ここで示した大きさは公称値であり、当該技
術において汎用されているものであると理解されるべき
である。
【００１５】本発明で使用される磁性膜は、記録層とし
て使用できる強磁性金属を含み、具体的には、ＣｏＣｒ
ＴａＰｔ、ＣｏＣｒＴａＰｔ−Ｃｒ2Ｏ3、ＣｏＣｒＴａ
Ｐｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＺｒＯ2、ＣｏＣｒ
ＴａＰｔ−ＴｉＯ2、ＣｏＣｒＴａＰｔ−Ａｌ2Ｏ3など
を成分とする磁性膜である。
て使用できる強磁性金属を含み、具体的には、ＣｏＣｒ
ＴａＰｔ、ＣｏＣｒＴａＰｔ−Ｃｒ2Ｏ3、ＣｏＣｒＴａ
Ｐｔ−ＳｉＯ2、ＣｏＣｒＴａＰｔ−ＺｒＯ2、ＣｏＣｒ
ＴａＰｔ−ＴｉＯ2、ＣｏＣｒＴａＰｔ−Ａｌ2Ｏ3など
を成分とする磁性膜である。
【００１６】磁性膜の厚さは、２０ｎｍ以下であり、好
ましくは１０〜２０ｎｍである。磁性膜を複数用いて多
層構造の記録層としてもよい。
ましくは１０〜２０ｎｍである。磁性膜を複数用いて多
層構造の記録層としてもよい。
【００１７】保護膜は、記録層を形成する磁性膜をヘッ
ドの衝撃、外界の腐蝕性物質などの腐蝕から保護する機
能を有する。保護膜の厚さは８ｎｍ以下であり、好まし
くは３〜８ｎｍである。
ドの衝撃、外界の腐蝕性物質などの腐蝕から保護する機
能を有する。保護膜の厚さは８ｎｍ以下であり、好まし
くは３〜８ｎｍである。
【００１８】保護膜は、ＤＬＣ（Diamond-like Carbo
n）をプラズマＣＶＤ法により成膜して得ることができ
る。プラズマＣＶＤ法とは、原料となるガスを、熱エネ
ルギーではなく、電磁気的なエネルギーに加えて電子に
よって分解し、低温で薄膜を形成する方法である。具体
的には、気相成長によって成膜成長を行うＣＶＤに放電
を行なわせる装置を組み合わせた装置を用いて薄膜を形
成することができる。プラズマＣＶＤ法としては、フィ
ラメント方式イオンビーム−ＣＶＤ、電子サイクロトロ
ン共鳴−ＣＶＤ、高周波−ＣＶＤ、ホローカソード方式
イオンビーム−ＣＶＤ、電子ビーム励起プラズマ−ＣＶ
Ｄなどを挙げることができ、いずれの方法で成膜しても
よい。
n）をプラズマＣＶＤ法により成膜して得ることができ
る。プラズマＣＶＤ法とは、原料となるガスを、熱エネ
ルギーではなく、電磁気的なエネルギーに加えて電子に
よって分解し、低温で薄膜を形成する方法である。具体
的には、気相成長によって成膜成長を行うＣＶＤに放電
を行なわせる装置を組み合わせた装置を用いて薄膜を形
成することができる。プラズマＣＶＤ法としては、フィ
ラメント方式イオンビーム−ＣＶＤ、電子サイクロトロ
ン共鳴−ＣＶＤ、高周波−ＣＶＤ、ホローカソード方式
イオンビーム−ＣＶＤ、電子ビーム励起プラズマ−ＣＶ
Ｄなどを挙げることができ、いずれの方法で成膜しても
よい。
【００１９】ＤＬＣを成膜する際の原料ガスは、炭化水
素系ガス、例えば、メタン（ＣＨ4）、エチレン（Ｃ2Ｈ
4）、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、トルエン（Ｃ7Ｈ8）など
を用いる。プラズマ処理条件は、エッチング量を考慮し
てプラズマ処理されるＤＬＣを厚く成膜しておけばよ
く、当業者は容易に適宜選択することができる。
素系ガス、例えば、メタン（ＣＨ4）、エチレン（Ｃ2Ｈ
4）、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、トルエン（Ｃ7Ｈ8）など
を用いる。プラズマ処理条件は、エッチング量を考慮し
てプラズマ処理されるＤＬＣを厚く成膜しておけばよ
く、当業者は容易に適宜選択することができる。
【００２０】潤滑剤に対する保護膜の濡れ性について検
討した結果、保護膜の表面が一定の表面エネルギーを有
する場合に良好であることが見出された。保護膜の表面
エネルギーの指標として、本明細書においては、保護膜
表面の水に対する接触角を用いる。
討した結果、保護膜の表面が一定の表面エネルギーを有
する場合に良好であることが見出された。保護膜の表面
エネルギーの指標として、本明細書においては、保護膜
表面の水に対する接触角を用いる。
【００２１】接触角は、水平に調整した保護膜サンプル
の表面に一定量の水を滴下し、水滴の表面と保護膜表面
のなす角度を液側で測定した角度である。
の表面に一定量の水を滴下し、水滴の表面と保護膜表面
のなす角度を液側で測定した角度である。
【００２２】本発明で使用される保護膜は、その表面の
水に対する接触角が１０〜３０度であり、好ましくは１
２〜２５度である。水に対する接触角が３０度より大き
いと液体潤滑剤による「だまり」が発生し、一方、１０
度より小さいと潤滑剤が流れてしまってうまく塗布する
ことができない。
水に対する接触角が１０〜３０度であり、好ましくは１
２〜２５度である。水に対する接触角が３０度より大き
いと液体潤滑剤による「だまり」が発生し、一方、１０
度より小さいと潤滑剤が流れてしまってうまく塗布する
ことができない。
【００２３】このような表面エネルギーを有する保護膜
は、膜の表面から３０Å以内に窒素濃度が６〜２０ａｔ
％である窒素含有層を具えることにより提供される。膜
の表面から３０Å以内に設けられる窒素含有層の好まし
い窒素濃度は、９〜１８ａｔ％である。
は、膜の表面から３０Å以内に窒素濃度が６〜２０ａｔ
％である窒素含有層を具えることにより提供される。膜
の表面から３０Å以内に設けられる窒素含有層の好まし
い窒素濃度は、９〜１８ａｔ％である。
【００２４】窒素濃度が６ａｔ％より少ないとＧＨＴの
際にヘッドの浮上が不安定となり、一方、２０ａｔ％を
超えると保護膜としての耐久性が低下してしまい好まし
くない。図７に保護膜中の窒素量と、磁気記録媒体の耐
久性試験合格範囲および信頼性試験合格範囲との関係を
示す。
際にヘッドの浮上が不安定となり、一方、２０ａｔ％を
超えると保護膜としての耐久性が低下してしまい好まし
くない。図７に保護膜中の窒素量と、磁気記録媒体の耐
久性試験合格範囲および信頼性試験合格範囲との関係を
示す。
【００２５】表面付近に窒素が高濃度で存在するこのよ
うな保護膜は、窒素プラズマ処理を施すことにより得る
ことができる。窒素プラズマ処理の条件は、カーボン保
護膜の表面から３０Å以内に窒素を６〜２０ａｔ％、好
ましくは９〜１８ａｔ％存在させるように適宜選択され
る。
うな保護膜は、窒素プラズマ処理を施すことにより得る
ことができる。窒素プラズマ処理の条件は、カーボン保
護膜の表面から３０Å以内に窒素を６〜２０ａｔ％、好
ましくは９〜１８ａｔ％存在させるように適宜選択され
る。
【００２６】カーボン保護膜の表面から３０Å以内に窒
素を６ａｔ％存在させるように窒素プラズマ処理を施す
ことにより、その表面の水に対する接触角がおよそ３０
度で安定となる保護膜を作成でき、カーボン保護膜の表
面から３０Å以内に窒素を２０ａｔ％存在させるように
窒素プラズマ処理を施すことにより、その表面の水に対
する接触角がおよそ１０度で安定となる保護膜を作成で
きる。
素を６ａｔ％存在させるように窒素プラズマ処理を施す
ことにより、その表面の水に対する接触角がおよそ３０
度で安定となる保護膜を作成でき、カーボン保護膜の表
面から３０Å以内に窒素を２０ａｔ％存在させるように
窒素プラズマ処理を施すことにより、その表面の水に対
する接触角がおよそ１０度で安定となる保護膜を作成で
きる。
【００２７】図８に保護膜の窒素量と、安定した後の水
に対する接触角との関係を示す。
に対する接触角との関係を示す。
【００２８】保護膜の表面付近における高濃度の窒素含
有層の形成は、窒素プラズマ処理の他、イオン注入、Ｄ
ＬＣ成膜時の窒素ドープにより行うことができる。
有層の形成は、窒素プラズマ処理の他、イオン注入、Ｄ
ＬＣ成膜時の窒素ドープにより行うことができる。
【００２９】複数の保護膜を用いて多層構造としてもよ
い。
い。
【００３０】保護層の上に液体潤滑剤を塗布してなる潤
滑層を設ける。液体潤滑剤としては、パーフルオロ−ポ
リエーテルが使用され、その中でもＺ−ｄｏｌ（商品
名、アウジモント社製）が好ましい。
滑層を設ける。液体潤滑剤としては、パーフルオロ−ポ
リエーテルが使用され、その中でもＺ−ｄｏｌ（商品
名、アウジモント社製）が好ましい。
【００３１】本発明の磁気記録媒体においては、磁性膜
とカーボン保護膜と液体潤滑層とが順次積層されていれ
ばよく、さらに、必要な機能を有する層を非磁性基板と
磁性膜との間に設けることができる。通常、基板上には
下地層が設けられるが、その他、非磁性基板がプラスチ
ック基板である場合には、シード層と、下地層とを順次
積層してもよく、また、緩衝層と、シード層と、下地層
とを順次積層してもよい。
とカーボン保護膜と液体潤滑層とが順次積層されていれ
ばよく、さらに、必要な機能を有する層を非磁性基板と
磁性膜との間に設けることができる。通常、基板上には
下地層が設けられるが、その他、非磁性基板がプラスチ
ック基板である場合には、シード層と、下地層とを順次
積層してもよく、また、緩衝層と、シード層と、下地層
とを順次積層してもよい。
【００３２】シード層とは、磁気記録媒体の表面の平坦
性を向上させ、且つ保磁力も向上せしめることができる
層である。このような機能を有する層は、具体的には、
Ｔｉを主成分として含有する金属膜から成る。
性を向上させ、且つ保磁力も向上せしめることができる
層である。このような機能を有する層は、具体的には、
Ｔｉを主成分として含有する金属膜から成る。
【００３３】下地層は、下地層を形成する慣用のいかな
る成分から形成されてもよく、特に限定されない。具体
的には、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｗ、Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｍｏ、Ｃｒ
−Ｓｉ、Ｎｉ−Ａｌ、Ｃｏ67Ｃｒ33、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、
Ａｌ2Ｏ3などから成る。
る成分から形成されてもよく、特に限定されない。具体
的には、Ｃｒ、Ｃｒ−Ｗ、Ｃｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｍｏ、Ｃｒ
−Ｓｉ、Ｎｉ−Ａｌ、Ｃｏ67Ｃｒ33、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、
Ａｌ2Ｏ3などから成る。
【００３４】緩衝層は、シード層の成膜にあたり成膜粒
子が衝突してプラスチック基板表面に及ぼすダメージを
緩和することができるか、および／または、昇温降温に
ともなうプラスチック基板とシード層との膨張収縮の差
を緩和することができる層である。
子が衝突してプラスチック基板表面に及ぼすダメージを
緩和することができるか、および／または、昇温降温に
ともなうプラスチック基板とシード層との膨張収縮の差
を緩和することができる層である。
【００３５】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明は本実施例にのみ限定されるものではない。
本発明は本実施例にのみ限定されるものではない。
【００３６】（実施例１）図１は本実施例の磁気記録媒
体の概略断面図である。図１に示すように、アルミ合金
基板上に、Ｎｉ−Ｐめっきを施し、その上にスパッタ法
で２０ｎｍのＣｒ下地層および２０ｎｍのＣｏ磁性層を
成膜した。さらにその上に、以下に詳述されるフィラメ
ント方式イオンビーム−ＣＶＤにより、エチレン（Ｃ2
Ｈ4）を原料ガスとして用いてＤＬＣ膜を成膜した。
体の概略断面図である。図１に示すように、アルミ合金
基板上に、Ｎｉ−Ｐめっきを施し、その上にスパッタ法
で２０ｎｍのＣｒ下地層および２０ｎｍのＣｏ磁性層を
成膜した。さらにその上に、以下に詳述されるフィラメ
ント方式イオンビーム−ＣＶＤにより、エチレン（Ｃ2
Ｈ4）を原料ガスとして用いてＤＬＣ膜を成膜した。
【００３７】図３は、フィラメント方式イオンビーム−
ＣＶＤの原理図である。装置は、フィラメント１１０、
アノード電極１１１、マグネット１１２で構成され、フ
ィラメント１１０より発生した熱電子はアノード電圧に
よりアノード側に引き付けられ、アノード側から導入さ
れたガスと衝突し、プラズマを発生させる。マグネット
１１２は電子の飛行距離を長くして、ガスとの衝突回数
を増加させる。プラズマ中のイオンはアノード電圧で後
押しされ、さらにまた基板１１３に印加された負のバイ
アスにより引き付けられる。
ＣＶＤの原理図である。装置は、フィラメント１１０、
アノード電極１１１、マグネット１１２で構成され、フ
ィラメント１１０より発生した熱電子はアノード電圧に
よりアノード側に引き付けられ、アノード側から導入さ
れたガスと衝突し、プラズマを発生させる。マグネット
１１２は電子の飛行距離を長くして、ガスとの衝突回数
を増加させる。プラズマ中のイオンはアノード電圧で後
押しされ、さらにまた基板１１３に印加された負のバイ
アスにより引き付けられる。
【００３８】ＤＬＣ膜を成膜した後、その膜の表面から
３０Å以内に９ａｔ％の窒素が存在するように窒素ガス
を用いて窒素プラズマ処理を施して、膜の表面に高濃度
の窒素含有層を有する８ｎｍの保護膜を作成した。保護
膜表面の水に対する接触角は約２５度で安定した。図４
は、プラズマ処理後の放置時間に対する水の接触角の変
化を示す。
３０Å以内に９ａｔ％の窒素が存在するように窒素ガス
を用いて窒素プラズマ処理を施して、膜の表面に高濃度
の窒素含有層を有する８ｎｍの保護膜を作成した。保護
膜表面の水に対する接触角は約２５度で安定した。図４
は、プラズマ処理後の放置時間に対する水の接触角の変
化を示す。
【００３９】次に、保護膜の表面に、Ｚ−ｄｏｌ（商品
名、アウジモント社製）を塗布して２ｎｍの液体潤滑層
を形成した。
名、アウジモント社製）を塗布して２ｎｍの液体潤滑層
を形成した。
【００４０】得られた磁気記録媒体を用いてＧＨＴを行
ったところ、ヘッドの浮上が安定になり、良品率が約８
０％であった。
ったところ、ヘッドの浮上が安定になり、良品率が約８
０％であった。
【００４１】（実施例２）実施例１と同様に、アルミ合
金基板上に、Ｎｉ−Ｐめっきを施し、その上にスパッタ
法で２０ｎｍのＣｒ下地層および２０ｎｍのＣｏ磁性層
を成膜した。さらにその上に、実施例１のフィラメント
方式イオンビーム−ＣＶＤに代えて、以下に詳述される
ホローカソード方式イオンビーム−ＣＶＤにより、エチ
レン（Ｃ2Ｈ4）を原料ガスとして用いてＤＬＣ膜を成膜
した。
金基板上に、Ｎｉ−Ｐめっきを施し、その上にスパッタ
法で２０ｎｍのＣｒ下地層および２０ｎｍのＣｏ磁性層
を成膜した。さらにその上に、実施例１のフィラメント
方式イオンビーム−ＣＶＤに代えて、以下に詳述される
ホローカソード方式イオンビーム−ＣＶＤにより、エチ
レン（Ｃ2Ｈ4）を原料ガスとして用いてＤＬＣ膜を成膜
した。
【００４２】図５は、ホローカソード−ＣＶＤの原理図
である。装置は、ホローカソード２１０、アノード電極
２１１、マグネット２１２で構成され、ホローカソード
２１０より発生した熱電子はアノード電圧によりアノー
ド側に引き付けられ、アノード側から導入されたＡｒガ
スと衝突し、Ａｒ+を発生させ、アノード電圧により押
し出されたＡｒ+はガスと衝突し、プラズマを発生させ
る。マグネット２１２はプラズマ密度を制御する。プラ
ズマ中のイオンもアノード電圧で基板側へ押し出され
る。
である。装置は、ホローカソード２１０、アノード電極
２１１、マグネット２１２で構成され、ホローカソード
２１０より発生した熱電子はアノード電圧によりアノー
ド側に引き付けられ、アノード側から導入されたＡｒガ
スと衝突し、Ａｒ+を発生させ、アノード電圧により押
し出されたＡｒ+はガスと衝突し、プラズマを発生させ
る。マグネット２１２はプラズマ密度を制御する。プラ
ズマ中のイオンもアノード電圧で基板側へ押し出され
る。
【００４３】ＤＬＣ膜を成膜した後、その膜の表面から
３０Å以内に１８ａｔ％の窒素が存在するように窒素ガ
スを用いて窒素プラズマ処理を施して、膜の表面に高濃
度の窒素含有層を有する８ｎｍの保護膜を作成した。保
護膜表面の水に対する接触角は約１２度で安定した。図
６は、プラズマ処理後の放置時間に対する水の接触角の
変化を示す。
３０Å以内に１８ａｔ％の窒素が存在するように窒素ガ
スを用いて窒素プラズマ処理を施して、膜の表面に高濃
度の窒素含有層を有する８ｎｍの保護膜を作成した。保
護膜表面の水に対する接触角は約１２度で安定した。図
６は、プラズマ処理後の放置時間に対する水の接触角の
変化を示す。
【００４４】次に、保護膜の表面に、Ｚ−ｄｏｌ（商品
名、アウジモント社製）を塗布して２ｎｍの液体潤滑層
を形成した。
名、アウジモント社製）を塗布して２ｎｍの液体潤滑層
を形成した。
【００４５】得られた磁気記録媒体を用いてＧＨＴを行
ったところ、ヘッドの浮上が安定になり、良品率が約８
０％であった。
ったところ、ヘッドの浮上が安定になり、良品率が約８
０％であった。
【００４６】（比較例１）図２は従来の磁気記録媒体の
概略断面図である。本比較例では、図２に示すように、
アルミ合金基板上に、Ｎｉ−Ｐめっきを施し、その上に
スパッタ法でＣｒ下地層およびＣｏ磁性層を成膜し、さ
らにその上にプラズマＣＶＤ法でＤＬＣ保護膜を成膜し
た。保護膜表面の水に対する接触角は約６５度であっ
た。
概略断面図である。本比較例では、図２に示すように、
アルミ合金基板上に、Ｎｉ−Ｐめっきを施し、その上に
スパッタ法でＣｒ下地層およびＣｏ磁性層を成膜し、さ
らにその上にプラズマＣＶＤ法でＤＬＣ保護膜を成膜し
た。保護膜表面の水に対する接触角は約６５度であっ
た。
【００４７】次に、保護膜の表面に、Ｚ−ｄｏｌ（商品
名、アウジモント社製）を塗布して２ｎｍの液体潤滑層
を形成した。
名、アウジモント社製）を塗布して２ｎｍの液体潤滑層
を形成した。
【００４８】得られた磁気記録媒体を用いてＧＨＴを行
ったところ、ヘッドの浮上が不安定になり、良品率が約
０％であった。
ったところ、ヘッドの浮上が不安定になり、良品率が約
０％であった。
【００４９】
【発明の効果】本発明によると、カーボン保護膜の表面
付近に高濃度の窒素含有層を形成することにより、保護
膜表面の表面エネルギーを大きくして液体潤滑剤に対す
る濡れ性を高めた保護膜を提供することができる。その
ような保護膜を具える磁気記録媒体は、潤滑剤による
「だまり」の発生を防ぐことができるため、ヘッドへの
潤滑剤の移着がなく、ヘッドの浮上を安定にすることが
できる。したがって、本発明は、磁気記録の一層の高密
度化に十分に対応できる高信頼性の磁気記録媒体を提供
することができる。
付近に高濃度の窒素含有層を形成することにより、保護
膜表面の表面エネルギーを大きくして液体潤滑剤に対す
る濡れ性を高めた保護膜を提供することができる。その
ような保護膜を具える磁気記録媒体は、潤滑剤による
「だまり」の発生を防ぐことができるため、ヘッドへの
潤滑剤の移着がなく、ヘッドの浮上を安定にすることが
できる。したがって、本発明は、磁気記録の一層の高密
度化に十分に対応できる高信頼性の磁気記録媒体を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である磁気記録媒体の断面概
略図である。
略図である。
【図２】従来例の磁気記録媒体の断面概略図である。
【図３】フィラメント方式イオンビーム−ＣＶＤの原理
図である。
図である。
【図４】実施例１および比較例１の保護膜に関するプラ
ズマ処理後の放置時間に対する水の接触角の変化を示す
グラフである。
ズマ処理後の放置時間に対する水の接触角の変化を示す
グラフである。
【図５】ホローカソード方式イオンビーム−ＣＶＤの原
理図である。
理図である。
【図６】実施例２および比較例１の保護膜に関するプラ
ズマ処理後の放置時間に対する水の接触角の変化を示す
グラフである。
ズマ処理後の放置時間に対する水の接触角の変化を示す
グラフである。
【図７】保護膜中の窒素量と、磁気記録媒体の耐久性試
験合格範囲および信頼性試験（ＧＨＴ）合格範囲との関
係を示す図である。
験合格範囲および信頼性試験（ＧＨＴ）合格範囲との関
係を示す図である。
【図８】保護膜中の窒素量と、安定した後の水に対する
接触角との関係を示すグラフである。
接触角との関係を示すグラフである。
１、１１ 磁気記録媒体 ２、２１ 非磁性基板 ３、３１ めっき層 ４、４１ 下地層 ５、５１ 磁性膜 ６、６１ ＤＬＣ保護膜 ７ 保護膜中に設けられた窒素含有層 １１０ フィラメント １１１、２１１ アノード電極 １１２、２１２ マグネット １１３、２１３ 基板 １１４、２１４ 電源 １１５ バイアス電源 １１６ 電力制御装置 ２１０ ホローカソード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮里 真樹 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 吉原 眞紀 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 松尾 秀樹 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 松山 秀昭 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 AA02 AA04 AA05 FA06 5D112 AA07 BC05 BC09 GA22
Claims (7)
- 【請求項１】 非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層
の順次積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体
潤滑層を有する磁気記録媒体であって、前記保護膜は、
水に対する接触角が１０〜３０度である表面を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層
の順次積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体
潤滑層を有する磁気記録媒体であって、前記保護膜は、
水に対する接触角が１２〜２５度である表面を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層
の順次積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体
潤滑層を有する磁気記録媒体であって、前記保護膜は、
該膜の表面から３０Å以内に窒素濃度が６〜２０ａｔ％
である窒素含有層を具えることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項４】 非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層
の順次積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体
潤滑層を有する磁気記録媒体であって、前記保護膜は、
該膜の表面から３０Å以内に窒素濃度が９〜１８ａｔ％
である窒素含有層を具えることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項５】 非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層
の順次積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体
潤滑層を有する磁気記録媒体において、該保護膜の濡れ
性を改良する方法であって、前記保護膜の表面から３０
Å以内に窒素濃度が６〜２０ａｔ％である窒素含有層を
設けることを特徴とする保護膜の濡れ性を改良する方
法。 - 【請求項６】 非磁性基板上にそれぞれ少なくとも１層
の順次積層された磁性膜、カーボン保護膜、および液体
潤滑層を有する磁気記録媒体において、該保護膜の濡れ
性を改良する方法であって、前記保護膜の表面から３０
Å以内に窒素含有層を設けて保護膜表面の水に対する接
触角を１０〜３０度に調整することを特徴とする保護膜
の濡れ性を改良する方法。 - 【請求項７】 前記窒素含有層は、窒素プラズマ処理に
より設けられることを特徴とする請求項５または６に記
載の保護膜の濡れ性を改良する方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000137762A JP2001266328A (ja) | 2000-01-13 | 2000-05-10 | 磁気記録媒体、およびその保護膜の濡れ性を改良する方法 |
| US09/758,015 US20010031382A1 (en) | 2000-01-13 | 2001-01-10 | Magnetic recording medium and method for improving wettability of a protective film of the magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-4919 | 2000-01-13 | ||
| JP2000004919 | 2000-01-13 | ||
| JP2000137762A JP2001266328A (ja) | 2000-01-13 | 2000-05-10 | 磁気記録媒体、およびその保護膜の濡れ性を改良する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001266328A true JP2001266328A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=26583457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000137762A Pending JP2001266328A (ja) | 2000-01-13 | 2000-05-10 | 磁気記録媒体、およびその保護膜の濡れ性を改良する方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010031382A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001266328A (ja) |
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| JP2008140445A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体、磁気ヘッド、及び、磁気記録装置 |
| WO2008123445A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Hoya Corporation | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US7597973B2 (en) | 2003-05-28 | 2009-10-06 | Hoya Corporation | Magnetic disk and method of producing the same |
| US9076479B2 (en) | 2012-08-30 | 2015-07-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US9105292B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-08-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method of manufacturing same |
| JP5838416B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2016-01-06 | 株式会社ユーテック | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US9238350B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-01-19 | Taiyo Yuden Chemical Technology Co., Ltd. | Method for affixing water-and-oil-repellent layer to amorphous carbon film layer, and laminated body formed by said method |
| US9758873B2 (en) | 2012-09-14 | 2017-09-12 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manufacturing method for magnetic recording medium |
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| US6878403B2 (en) * | 2002-10-04 | 2005-04-12 | Guardian Industries Corp. | Method of ion beam treatment of DLC in order to reduce contact angle |
| US7192664B1 (en) | 2003-06-24 | 2007-03-20 | Seagate Technology Llc | Magnetic alloy containing TiO2 for perpendicular magnetic recording application |
| JP2005071480A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Sony Corp | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US7175926B2 (en) * | 2004-02-12 | 2007-02-13 | Seagate Technology Llc | Dual-layer carbon-based protective overcoats for recording media by filtered cathodic ARC deposition |
| JP2006099939A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-04-13 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板。 |
| JP5452928B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2014-03-26 | ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド | 磁気記録媒体の製造方法、及び積層体の製造方法 |
| US8685547B2 (en) | 2009-02-19 | 2014-04-01 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with enhanced writability and thermal stability |
| US20110195276A1 (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-11 | Seagate Technology Llc | Resist adhension to carbon overcoats for nanoimprint lithography |
| US9142240B2 (en) | 2010-07-30 | 2015-09-22 | Seagate Technology Llc | Apparatus including a perpendicular magnetic recording layer having a convex magnetic anisotropy profile |
| JP2013037731A (ja) * | 2011-08-04 | 2013-02-21 | Fuji Electric Co Ltd | 記録媒体 |
| JP2013037745A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP6311963B2 (ja) * | 2011-10-24 | 2018-04-18 | 株式会社ユーテック | 成膜方法及び磁気記録媒体の製造方法 |
| US8900465B1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-12-02 | WD Media, LLC | Methods for reducing surface roughness of magnetic media for storage drives |
| US9449633B1 (en) | 2014-11-06 | 2016-09-20 | WD Media, LLC | Smooth structures for heat-assisted magnetic recording media |
-
2000
- 2000-05-10 JP JP2000137762A patent/JP2001266328A/ja active Pending
-
2001
- 2001-01-10 US US09/758,015 patent/US20010031382A1/en not_active Abandoned
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| JP2008140445A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体、磁気ヘッド、及び、磁気記録装置 |
| WO2008123445A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Hoya Corporation | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US8309239B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-11-13 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
| JP5838416B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2016-01-06 | 株式会社ユーテック | 磁気記録媒体の製造方法 |
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|---|---|
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