JPH08203059A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH08203059A JPH08203059A JP1347195A JP1347195A JPH08203059A JP H08203059 A JPH08203059 A JP H08203059A JP 1347195 A JP1347195 A JP 1347195A JP 1347195 A JP1347195 A JP 1347195A JP H08203059 A JPH08203059 A JP H08203059A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic recording
- recording medium
- magnetic
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】非晶質構造を有し、そのラマンスペクトルの主
ピークが１４４０ｃｍ~1付近に位置する保護膜３を備え
た磁気記録媒体。 【効果】保護膜３は主として単結合した炭素の非晶質構
造から成るので、耐久性，耐摺動性に優れた磁気記録媒
体が得られ、高密度な磁気記録が可能になる。
ピークが１４４０ｃｍ~1付近に位置する保護膜３を備え
た磁気記録媒体。 【効果】保護膜３は主として単結合した炭素の非晶質構
造から成るので、耐久性，耐摺動性に優れた磁気記録媒
体が得られ、高密度な磁気記録が可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ，ワープ
ロ等の電子機器の外部記憶装置として広く用いられてい
る磁気ディスク装置等の磁気記録媒体に関する。
ロ等の電子機器の外部記憶装置として広く用いられてい
る磁気ディスク装置等の磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタ磁気ディスクは、非磁性
金属，ガラス，カーボン，セラミックス，プラスチック
等の非磁性材料から成る基板上に、鉄，コバルト，ニッ
ケルまたはこれらの合金から成る金属薄膜磁性層と、炭
素のみから成る保護膜と、主鎖にパーフロロポリエーテ
ルを持つ高分子化合物からなる潤滑膜とが順次積層した
構成となっている。
金属，ガラス，カーボン，セラミックス，プラスチック
等の非磁性材料から成る基板上に、鉄，コバルト，ニッ
ケルまたはこれらの合金から成る金属薄膜磁性層と、炭
素のみから成る保護膜と、主鎖にパーフロロポリエーテ
ルを持つ高分子化合物からなる潤滑膜とが順次積層した
構成となっている。
【０００３】そして、このようなスパッタ磁気ディスク
の高記録密度化の達成には、スパッタ磁気ディスクの構
成の一部である金属薄膜磁性層の高保磁力化などによる
磁気特性の改善だけでは解決できず、保護膜の膜厚を薄
くすることで、磁気ヘッドとスパッタ磁気ディスクの隙
間を狭くし、磁気ヘッドからの磁界の広がりをできる限
り抑制することが有効な解決法となる。特に、磁気ヘッ
ドが媒体表面を走行して情報を読み書きするコンタクト
レコーディング方式が望ましい。しかし、保護膜の膜厚
が薄くなるにつれ金属薄膜磁性層が損傷，摩耗され易く
なり、使用寿命が低下するという問題が生じる。この問
題は、従来の非晶質炭素のみからなる保護膜では解決で
きず、解決手段として、従来の炭素膜に比べて諸特性が
ダイヤモンドに近いダイヤモンド状炭素の保護膜など種
々の提案がある。ダイヤモンド状炭素膜は１９７０代以
降から活発に研究が行われてきたが、とくに最近では磁
気記録媒体への応用研究も数多く報告されている。具体
的に例示すると、特開昭62-241124号，特開平1-172203
号，特開平1-208309号，特開平2-29919号公報がある。
の高記録密度化の達成には、スパッタ磁気ディスクの構
成の一部である金属薄膜磁性層の高保磁力化などによる
磁気特性の改善だけでは解決できず、保護膜の膜厚を薄
くすることで、磁気ヘッドとスパッタ磁気ディスクの隙
間を狭くし、磁気ヘッドからの磁界の広がりをできる限
り抑制することが有効な解決法となる。特に、磁気ヘッ
ドが媒体表面を走行して情報を読み書きするコンタクト
レコーディング方式が望ましい。しかし、保護膜の膜厚
が薄くなるにつれ金属薄膜磁性層が損傷，摩耗され易く
なり、使用寿命が低下するという問題が生じる。この問
題は、従来の非晶質炭素のみからなる保護膜では解決で
きず、解決手段として、従来の炭素膜に比べて諸特性が
ダイヤモンドに近いダイヤモンド状炭素の保護膜など種
々の提案がある。ダイヤモンド状炭素膜は１９７０代以
降から活発に研究が行われてきたが、とくに最近では磁
気記録媒体への応用研究も数多く報告されている。具体
的に例示すると、特開昭62-241124号，特開平1-172203
号，特開平1-208309号，特開平2-29919号公報がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の保護膜は、
これまでに実用化されているスパッタリングで形成した
炭素保護膜に比べると硬度が約２倍の硬質炭素から成
り、耐摩耗性に優れるが、膜厚が２０ｎｍ未満では使用
寿命が著しく悪くなるという問題を生じる。
これまでに実用化されているスパッタリングで形成した
炭素保護膜に比べると硬度が約２倍の硬質炭素から成
り、耐摩耗性に優れるが、膜厚が２０ｎｍ未満では使用
寿命が著しく悪くなるという問題を生じる。
【０００５】本発明の目的は、スパッタ磁気ディスクの
高記録密度化を達成し、コンタクト或はニアコンタクト
レコーディング方式おいて金属薄膜磁性層の損傷、摩耗
量増大、使用寿命低下を解決することにある。
高記録密度化を達成し、コンタクト或はニアコンタクト
レコーディング方式おいて金属薄膜磁性層の損傷、摩耗
量増大、使用寿命低下を解決することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、前記保護膜
として非晶質構造を有し、そのラマンスペクトルの主ピ
ーク位置が１４４０cm~1付近にある高強度炭素膜によっ
て達成できる。
として非晶質構造を有し、そのラマンスペクトルの主ピ
ーク位置が１４４０cm~1付近にある高強度炭素膜によっ
て達成できる。
【０００７】このような非晶質炭素膜の構造評価には検
出感度の優れるラマン分光法が最も頻繁に用いられる。
各種炭素材料のラマンスペクトルを比較すると次の通り
である。
出感度の優れるラマン分光法が最も頻繁に用いられる。
各種炭素材料のラマンスペクトルを比較すると次の通り
である。
【０００８】グラファイト結晶は縮合６員環の連なった
層からなる完全な対称構造体と見なされ、結合軸に沿っ
た面内の伸縮振動（Ｅ2gモード）がラマンスペクトルに
於いてシャープなピークとして１５８０cm~1に現れるこ
とで知られている。
層からなる完全な対称構造体と見なされ、結合軸に沿っ
た面内の伸縮振動（Ｅ2gモード）がラマンスペクトルに
於いてシャープなピークとして１５８０cm~1に現れるこ
とで知られている。
【０００９】一方、グラファイト結晶の乱れた非晶質構
造の炭素膜ではラマンスペクトルはブロードで、主ピー
クはこれよりも低波数側に位置する。このようなピーク
の広がりは炭素の骨格構造に於ける対称性の欠如により
振動の自由度が増すためと解釈できる。また、ピーク位
置がグラファイト結晶の場合に比べてより低波数に位置
するのは、炭素原子対の結合次数が低い部分での伸縮振
動や変角振動の寄与が加わることに起因すると推定され
る。
造の炭素膜ではラマンスペクトルはブロードで、主ピー
クはこれよりも低波数側に位置する。このようなピーク
の広がりは炭素の骨格構造に於ける対称性の欠如により
振動の自由度が増すためと解釈できる。また、ピーク位
置がグラファイト結晶の場合に比べてより低波数に位置
するのは、炭素原子対の結合次数が低い部分での伸縮振
動や変角振動の寄与が加わることに起因すると推定され
る。
【００１０】例えば、ＣＨ4ガスを炭素源とし、高周波
プラズマＣＶＤ法で形成した従来技術による非晶質炭素
膜では１５５０ｃｍ~1付近に主ピークが観測され、炭素
の単結合構造体であるダイヤモンド結晶では１３３０ｃ
ｍ~1付近にシャープなピークが観測される。すなわち、
結合次数が低い単結合型のダイヤモンド類似構造に近い
ほど主ピークの位置は低波数側にシフトすることにな
る。
プラズマＣＶＤ法で形成した従来技術による非晶質炭素
膜では１５５０ｃｍ~1付近に主ピークが観測され、炭素
の単結合構造体であるダイヤモンド結晶では１３３０ｃ
ｍ~1付近にシャープなピークが観測される。すなわち、
結合次数が低い単結合型のダイヤモンド類似構造に近い
ほど主ピークの位置は低波数側にシフトすることにな
る。
【００１１】一方、本発明の高強度炭素膜のラマンスペ
クトルの特徴は、図２に示すように主ピークが従来技術
の非晶質炭素膜の場合に比べて約１００cm~1も低波数側
に位置することである。それ故、Ｃ-Ｃの結合次数は低
く、単結合に近い非晶質構造から成るものと推定でき
る。このため、本発明の高強度炭素膜は光の吸収が少な
く、光学バンドギャップは２．０〜５．０ｅＶの範囲に
あり、抵抗率は１０10〜１０16Ωｃｍで、ヌープ硬度は
４０００〜８０００ｋｇ／ｍｍ2である。
クトルの特徴は、図２に示すように主ピークが従来技術
の非晶質炭素膜の場合に比べて約１００cm~1も低波数側
に位置することである。それ故、Ｃ-Ｃの結合次数は低
く、単結合に近い非晶質構造から成るものと推定でき
る。このため、本発明の高強度炭素膜は光の吸収が少な
く、光学バンドギャップは２．０〜５．０ｅＶの範囲に
あり、抵抗率は１０10〜１０16Ωｃｍで、ヌープ硬度は
４０００〜８０００ｋｇ／ｍｍ2である。
【００１２】このような高強度炭素膜は、炭素源として
ＣＨ4，Ｃ2Ｈ2等の炭化水素ガスを５〜５０％の割合で
水素に混合したガスを原料にマイクロ波ＣＶＤ法，有磁
場マイクロ波ＣＶＤ法，熱フィラメントＣＶＤ法，電子
衝撃ＣＶＤ法，アークプラズマＣＶＤ法等で形成され
る。同様の高強度炭素膜は、炭素源としてＣＯ，ＣＯ2
等の炭酸ガス、ＣＨ3ＯＨ，Ｃ2Ｈ5ＯＨ等のアルコール
を用いても形成できる。これらの方法に於ける膜成長機
構は、気相中の原子状水素による表面結合水素の脱離等
で発生する反応サイトに活性な炭素種がラジカル反応で
結合する。すなわち、固体表面に発生した反応サイトが
炭素の架橋結合により結ばれると同時に、余分な炭化水
素がプラズマ中のイオン衝撃等によるイオン効果で除去
され、単結合構造を主体とする炭素膜が成長する。
ＣＨ4，Ｃ2Ｈ2等の炭化水素ガスを５〜５０％の割合で
水素に混合したガスを原料にマイクロ波ＣＶＤ法，有磁
場マイクロ波ＣＶＤ法，熱フィラメントＣＶＤ法，電子
衝撃ＣＶＤ法，アークプラズマＣＶＤ法等で形成され
る。同様の高強度炭素膜は、炭素源としてＣＯ，ＣＯ2
等の炭酸ガス、ＣＨ3ＯＨ，Ｃ2Ｈ5ＯＨ等のアルコール
を用いても形成できる。これらの方法に於ける膜成長機
構は、気相中の原子状水素による表面結合水素の脱離等
で発生する反応サイトに活性な炭素種がラジカル反応で
結合する。すなわち、固体表面に発生した反応サイトが
炭素の架橋結合により結ばれると同時に、余分な炭化水
素がプラズマ中のイオン衝撃等によるイオン効果で除去
され、単結合構造を主体とする炭素膜が成長する。
【００１３】熱フィラメント法では反応種となるラジカ
ルを加熱されたフィラメントの近くを炭素源が通過する
ときに生成する。電子衝撃ＣＶＤ法では固体表面に吸着
した炭化水素等の炭素源に電子を照射して反応に寄与す
る活性種を生成する。一方、プラズマを利用した方法で
は１０10〜１０12cm~3程度の高密度プラズマを発生する
マイクロ波ＣＶＤ法，有磁場マイクロ波ＣＶＤ法などが
反応種の生成に有効である。このうち、有磁場マイクロ
波ＣＶＤ法は１〜０．０１Ｔｏｒｒの低い圧力範囲で成
膜できるため、特に大面積化やプラズマ制御が容易であ
るなど利点が多い。但し、プラズマ密度や基板温度が上
記の条件より更に高くなると単結合部分の構造は結晶化
して多結晶ダイヤモンド膜が形成される。多結晶ダイヤ
モンド膜になると平滑性が失われ、摩擦係数及び内部応
力の増大、潤滑剤付着性の劣化が生じるなど保護膜とし
て好ましくない性質も示すようになる。このときのラマ
ンスペクトルは結晶化したダイヤモンド構造による鋭い
ピークを１３３０ｃｍ~1に示すので、本発明の高強度炭
素膜とは区別できる。
ルを加熱されたフィラメントの近くを炭素源が通過する
ときに生成する。電子衝撃ＣＶＤ法では固体表面に吸着
した炭化水素等の炭素源に電子を照射して反応に寄与す
る活性種を生成する。一方、プラズマを利用した方法で
は１０10〜１０12cm~3程度の高密度プラズマを発生する
マイクロ波ＣＶＤ法，有磁場マイクロ波ＣＶＤ法などが
反応種の生成に有効である。このうち、有磁場マイクロ
波ＣＶＤ法は１〜０．０１Ｔｏｒｒの低い圧力範囲で成
膜できるため、特に大面積化やプラズマ制御が容易であ
るなど利点が多い。但し、プラズマ密度や基板温度が上
記の条件より更に高くなると単結合部分の構造は結晶化
して多結晶ダイヤモンド膜が形成される。多結晶ダイヤ
モンド膜になると平滑性が失われ、摩擦係数及び内部応
力の増大、潤滑剤付着性の劣化が生じるなど保護膜とし
て好ましくない性質も示すようになる。このときのラマ
ンスペクトルは結晶化したダイヤモンド構造による鋭い
ピークを１３３０ｃｍ~1に示すので、本発明の高強度炭
素膜とは区別できる。
【００１４】
【作用】本発明の高強度炭素膜は主として単結合した炭
素を主体とする非晶質構造から成り、硬度や抵抗率は大
きくダイヤモンドに近い性質を示す一方、平滑性，摩擦
係数，内部応力などは非晶質炭素膜と類似した性質を有
する耐摺動材料である。従って、本発明の高強度炭素膜
を保護膜として備えた磁気記録媒体、磁気ヘッド、その
他の摺動部品等では耐久性が向上する。
素を主体とする非晶質構造から成り、硬度や抵抗率は大
きくダイヤモンドに近い性質を示す一方、平滑性，摩擦
係数，内部応力などは非晶質炭素膜と類似した性質を有
する耐摺動材料である。従って、本発明の高強度炭素膜
を保護膜として備えた磁気記録媒体、磁気ヘッド、その
他の摺動部品等では耐久性が向上する。
【００１５】
【実施例】図１は、発明の一実施例を示す磁気ディスク
の断面図で、非磁性基板１と、磁気記録膜２と、保護膜
３と、潤滑膜４を積層した構造から成る。非磁性基板１
にはスパッタ磁気ディスクとして３０００〜６０００rp
mの回転に耐えてヘッドと接触しても変形しない特性を
有していれば特に限定されないが、一般的に慣用されて
いるものを例示すると、アルミニウム，アルミニウム−
マグネシウム合金，ＳＵＳ，黄銅等の非磁性金属、各種
ガラス，カーボン，アルミナ，シリカ，チタニア等のセ
ラミックス、ポリエステル，エポキシ樹脂，ポリカーボ
ネート樹脂，ポリアラミド樹脂，フッ素樹脂等のプラス
チック及びこれらを炭素繊維，ガラス繊維，金属繊維等
で補強した繊維強化プラスチックを用いることができ
る。また磁気記録膜２には、スパッタ磁気ディスクの磁
気記録膜として、磁気ヘッドで記録再生が可能なよう
に、例えば、保磁力が５００Ｏｅ以上で飽和磁化が７０
ｅｍｕ／ｇ以上の特性を有していればよく、特に限定さ
れないが、一般的に慣用されているものを例示すると、
鉄，コバルト，ニッケル、それらの合金及びそれらに珪
素，ホウ素，リン，バナジウム，ロジウム，亜鉛，銅，
銀，タングステン，マンガン，クロム，白金，希土類金
属などを添加したものを用いることができる。なお、本
実施例では非磁性基板１は板厚約２ｍｍのＡｌ製のディ
スク用基板にＮｉ-Ｐめっき膜を約１０μｍの厚さで形
成したものである。磁気記録膜２は、厚さ約１００ｎｍ
のＣｒ下地層と、厚さ約５０ｎｍのＣｏを主体とする合
金層の積層膜から成る。保護膜３は非晶質構造を有し、
ラマンスペクトルの主ピークが１４４３cm~1に位置する
膜厚２０ｎｍの高強度炭素膜である。潤滑剤４は、保護
膜３に付着したフッ素系潤滑剤であるパーフロロポリエ
ーテルからなる厚さ約５ｎｍの潤滑層である。
の断面図で、非磁性基板１と、磁気記録膜２と、保護膜
３と、潤滑膜４を積層した構造から成る。非磁性基板１
にはスパッタ磁気ディスクとして３０００〜６０００rp
mの回転に耐えてヘッドと接触しても変形しない特性を
有していれば特に限定されないが、一般的に慣用されて
いるものを例示すると、アルミニウム，アルミニウム−
マグネシウム合金，ＳＵＳ，黄銅等の非磁性金属、各種
ガラス，カーボン，アルミナ，シリカ，チタニア等のセ
ラミックス、ポリエステル，エポキシ樹脂，ポリカーボ
ネート樹脂，ポリアラミド樹脂，フッ素樹脂等のプラス
チック及びこれらを炭素繊維，ガラス繊維，金属繊維等
で補強した繊維強化プラスチックを用いることができ
る。また磁気記録膜２には、スパッタ磁気ディスクの磁
気記録膜として、磁気ヘッドで記録再生が可能なよう
に、例えば、保磁力が５００Ｏｅ以上で飽和磁化が７０
ｅｍｕ／ｇ以上の特性を有していればよく、特に限定さ
れないが、一般的に慣用されているものを例示すると、
鉄，コバルト，ニッケル、それらの合金及びそれらに珪
素，ホウ素，リン，バナジウム，ロジウム，亜鉛，銅，
銀，タングステン，マンガン，クロム，白金，希土類金
属などを添加したものを用いることができる。なお、本
実施例では非磁性基板１は板厚約２ｍｍのＡｌ製のディ
スク用基板にＮｉ-Ｐめっき膜を約１０μｍの厚さで形
成したものである。磁気記録膜２は、厚さ約１００ｎｍ
のＣｒ下地層と、厚さ約５０ｎｍのＣｏを主体とする合
金層の積層膜から成る。保護膜３は非晶質構造を有し、
ラマンスペクトルの主ピークが１４４３cm~1に位置する
膜厚２０ｎｍの高強度炭素膜である。潤滑剤４は、保護
膜３に付着したフッ素系潤滑剤であるパーフロロポリエ
ーテルからなる厚さ約５ｎｍの潤滑層である。
【００１６】図２は、メタンと水素の混合ガスを原料に
以下の条件で有磁場マイクロ波ＣＶＤ法により形成した
保護膜３のラマンスペクトルである。
以下の条件で有磁場マイクロ波ＣＶＤ法により形成した
保護膜３のラマンスペクトルである。
【００１７】原料ガス メタン １０ｓｃｃｍ 水素ガス １００ｓｃｃｍ 雰囲気厚 ０．３Ｔｏｒｒ μ波出力 １．２ｋＷ（２．４５ＧＨｚ） ラマンスペクトルは５１４．５ｎｍの励起波長で測定
し、主ピーク位置を読みとった。図３は、比較のためメ
タンを原料に以下の条件で高周波プラズマＣＶＤ法によ
り形成したダイヤモンド状炭素膜のラマンスペクトルで
ある。
し、主ピーク位置を読みとった。図３は、比較のためメ
タンを原料に以下の条件で高周波プラズマＣＶＤ法によ
り形成したダイヤモンド状炭素膜のラマンスペクトルで
ある。
【００１８】原料ガス メタン 雰囲気圧 ０．０５Ｔｏｒｒ ＲＦ電力 ０．５ｋＷ ラマンスペクトルは図２と同じく５１４．５ｎｍの励起
波長で測定したが、本発明の高強度炭素膜に比べて単結
合型炭素の寄与が少なく、主ピークは１５５０cm~1に位
置する。
波長で測定したが、本発明の高強度炭素膜に比べて単結
合型炭素の寄与が少なく、主ピークは１５５０cm~1に位
置する。
【００１９】表１は保護膜３及びダイヤモンド状炭素か
ら成る厚さ２０ｎｍの保護膜を備えた磁気ディスクにつ
いて、Ｒ３０のサファイアを摺動子を２０ｇの荷重で押
し付け、走行速度２ｍ／ｓで摺動テスト及び磁気ディス
ク装置に組み込んで行ったＣＳＳ寿命テストの結果を示
す。
ら成る厚さ２０ｎｍの保護膜を備えた磁気ディスクにつ
いて、Ｒ３０のサファイアを摺動子を２０ｇの荷重で押
し付け、走行速度２ｍ／ｓで摺動テスト及び磁気ディス
ク装置に組み込んで行ったＣＳＳ寿命テストの結果を示
す。
【００２０】
【表１】
【００２１】ＣＳＳ寿命テストはヘッドの始動から浮上
及び着地から停止に至る各スライディング時間６秒と浮
上時間１秒を１サイクルとして行った。耐摺動強度、Ｃ
ＳＳサイクル寿命に於て本発明の高強度保護膜を備えた
磁気ディスクの方が明らかに優れた結果を示した。
及び着地から停止に至る各スライディング時間６秒と浮
上時間１秒を１サイクルとして行った。耐摺動強度、Ｃ
ＳＳサイクル寿命に於て本発明の高強度保護膜を備えた
磁気ディスクの方が明らかに優れた結果を示した。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば磁気記録媒体の使用寿命
及び耐摩耗性の低下を防止できる。
及び耐摩耗性の低下を防止できる。
【図１】本発明の一実施例を示す磁気ディスクの断面
図。
図。
【図２】本発明の一実施例を示す磁気ディスクの保護膜
で測定したラマンスペクトル図。
で測定したラマンスペクトル図。
【図３】本発明の一実施例を示す磁気ディスクの保護膜
で測定したラマンスペクトルとの比較に用いたダイヤモ
ンド状炭素膜で測定したラマンスペクトル図。
で測定したラマンスペクトルとの比較に用いたダイヤモ
ンド状炭素膜で測定したラマンスペクトル図。
１…非磁性基板、２…磁気記録媒体、３…保護膜、４…
潤滑膜。
潤滑膜。
Claims (6)
- 【請求項１】非磁性基板上に、金属薄膜媒体と、保護膜
と、潤滑膜とを含んで順次積層する磁気記録媒体におい
て、前記保護膜が非晶質構造の炭素膜で、そのラマンス
ペクトルにおける１４４０±２０ｃｍ~1の波数領域に半
値幅８０〜１６０ｃｍ~1の主ピークを有することを特徴
する磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１に記載の炭素膜が、ヌープ硬度４
０００〜８０００ｋｇ／ｍｍ2である磁気記録媒体。 - 【請求項３】請求項１に記載の炭素膜が、比抵抗１０10
〜１０16Ωｃｍである磁気記録媒体。 - 【請求項４】請求項１に記載の炭素膜が、光学バンドギ
ャップ２．０〜５．０ｅＶである磁気記録媒体。 - 【請求項５】請求項１に記載の炭素膜が、膜厚２０ｎｍ
未満である磁気記録媒体。 - 【請求項６】請求項１に記載の炭素膜が、炭化水素ガ
ス，炭酸ガス，アルコールと水素とを含む原料にマイク
ロ波ＣＶＤ法，熱フィラメントＣＶＤ法，電子衝撃ＣＶ
Ｄ法，アークプラズマＣＶＤ法，有磁場マイクロ波ＣＶ
Ｄ法のいづれかで形成される磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1347195A JPH08203059A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1347195A JPH08203059A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203059A true JPH08203059A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11834055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1347195A Pending JPH08203059A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203059A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7326436B2 (en) | 2003-08-25 | 2008-02-05 | Sony Corporation | Magnetic recording medium and method of fabricating the same |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP1347195A patent/JPH08203059A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7326436B2 (en) | 2003-08-25 | 2008-02-05 | Sony Corporation | Magnetic recording medium and method of fabricating the same |
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