JP3721011B2 - 情報記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置、光磁気記憶装置 - Google Patents

情報記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置、光磁気記憶装置 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大量の情報を迅速かつ正確に格納するための情報記録媒体にかかり、特に、高性能でかつ高信頼性を有する情報記録用のディスクに用いる情報記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置及び光磁気記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の高度情報化社会の進展にはめざましいものがあり、各種形態の情報を統合したマルチメディアが急速に普及してきている。これを支える情報記録装置として磁気ディスク装置や光磁気ディスク装置がある。現在、磁気ディスク装置では、記録密度を向上させつつ小型化が図られている。それと並行して、ディスク装置の低価格化が急速に進められている。ところで、磁気ディスクの高密度化を実現するためには、(1)磁気ディスクと磁気ヘッドとの距離をつめること、(2)磁気記録媒体の保磁力を増大させること、(3)信号処理方法を工夫することなどが必須の技術である。中でも、磁気記録媒体においては、高密度記録を実現するために保磁力の増大が必須である。これに加えて、20Gb/in2を超える記録密度を実現するためには、磁化反転が生じる単位を小さくしなければならない。そのためには、磁性粒子のサイズを微細化することが必要で、これを実現する方法として、磁性膜の下にシード層を設けることが提案されている。その一例として、米国特許第4652499号をあげることができる。
【0003】
また、レーザー光を用いて記録や再生あるいは消去を行う光磁気ディスク装置においては、波長の短いレーザー光を用いて微小磁気ドメインを形成することが有効である。この場合、レーザー光の波長が短くなるとともに、記録媒体である希土類元素と鉄族元素の非晶質合金が示すKerr効果が減少するために、再生出力対ノイズ比(S/N)が小さくなり、安定した情報記録が行えない場合があった。この課題に対し、400nm以下の短波長領域でも大きなKerr効果を示すPtとCoを交互に積層した人工格子膜が提案されている。その例として、特開平1−251356号公報をあげることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来技術では、まず、磁気ディスクにおいては、シード層による情報記録用磁性膜の結晶粒の粒径分布制御には限度があり、微小な粒子や粗大化した粒子が共存している場合があった。磁化を反転させて情報を記録する場合に、微小な粒子は周囲の磁性粒子からの漏洩磁界の影響を受け、逆に粗大化した粒子は周囲の磁性粒子に相互作用を及ぼすために、20GB/inch2を超える超高密度記録を行う場合、安定した記録が行えない場合があった。この問題は、面内磁気記録用の磁性膜を備える磁気ディスクにおいても、Co−Cr系の垂直磁気記録用の磁性膜を備える磁気ディスクにおいても同様に生じる。
【0005】
一方、光磁気記録においては、PtとCoを交互に積層した人工格子膜を記録膜に用いると、400nm以下の短波長領域で大きなKerr回転角は得られるものの、磁壁の移動速度が大きく、特にマーク長記録を行う場合に、それがジッタの原因となり、安定した記録や再生が行うことができなかった。
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑み、超高密度記録を行うのに好適な情報記録媒体、すなわち磁気記録媒体あるいは光磁気記録媒体を提供することを目的とする。本発明は、また、超高密度記録に適した磁気記憶装置及び光磁気記憶装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記目的は、情報記録媒体中の磁性膜の磁化反転サイズの分布を制御することにより達成される。また、前記目的は、情報記録媒体中の磁性膜に磁壁移動のピンニングサイトとなる部分を設けることにより達成される。
すなわち、本発明による情報記録媒体は、基板と、基板上に形成された無機化合物膜と、無機化合物膜上に形成された磁性膜とを含み、無機化合物膜は、酸化コバルト、酸化鉄あるいは酸化ニッケルの内より選ばれる少なくとも1種類の酸化物の結晶粒の粒界に、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルあるいは酸化亜鉛の内より選ばれる少なくとも1種類の酸化物が非晶質状態で存在している膜であり、磁性膜は、Co層もしくはCoを主相とする合金層とPt,Pdの内より選ばれる少なくとも1種類の金属元素層とを交互に積層した人工格子多層膜であることを特徴とする。Coを主相とする合金としては、例えばCo−Cr,Co−Cr−Pt,Co−Cr−Taを用いることができる。
【0007】
無機化合物膜は、膜面に垂直な方向から見て、六角形の結晶粒が二次元的に規則配列したハニカム構造を有する。無機化合物膜中の結晶粒は、膜面内方向で見た結晶粒の粒径分布の標準偏差が平均粒径の10%以下である粒径分布を有するのが好ましい。また、無機化合物膜の膜厚は10nm以上、100nm以下であることが好ましい。ここで、膜厚の下限は無機化合物膜を安定して形成できる厚さであり、上限は無機化合物膜の有する内部応力により決定される。
【0008】
磁性膜は、無機化合物膜中の結晶粒と同じ結晶形を有し、無機化合物膜の結晶相上に磁性膜の結晶粒を柱状にエピタキシャル的に成長させて形成する。そうすることで、磁性膜の結晶粒は無機化合物膜の結晶粒に対応して存在し、無機化合物膜の粒界相に対応して非晶質あるいは多結晶の磁性粒子が存在する。ここで、人工格子多層構造の磁性膜を無機化合物膜上に形成するのに、第1層目の層をCo層とし、この第1層目のCo層を無機化合物膜の結晶粒からエピタキシャル成長させ、粒界相に形成されるCoは多結晶もしくは非晶質とした構造とするのが好ましい。
【0009】
磁性膜には、結晶構造の違いに起因して膜面方向に磁気特性の変化が生じる。すなわち、磁性膜は、無機化合物膜の結晶相の上にエピタキシャル成長した部分と粒界相の上に成長した部分とで磁気異方性、保磁力、飽和磁化の内の少なくとも1つの磁気特性が異なり、それにより、非晶質あるいは多結晶の領域で磁壁移動のピンニングサイトとすることにより、磁壁移動速度を制御することができる。このように、下層の無機化合物膜の構造を反映して磁性膜中に結晶構造の異なる部分を設けることにより、磁性膜中に磁気特性の分布を形成することができる。磁性膜中に磁気特性の分布を形成すると、情報を記録する場合に、磁性膜に形成される磁区における磁壁の移動速度を制御することができるので、形成される磁区のサイズあるいは位置の精度を向上することができる。
【0010】
本発明による情報記録媒体は、磁気記憶装置用の磁気記録媒体として、あるいは光磁気記憶装置用の光磁気記録媒体として用いることができる。基板は有機化合物製、無機化合物製あるいは金属製とすることができる。無機化合物製の基板としてはガラス基板が好適である。金属製の基板としては、AlあるいはAl合金からなる基板を用いることができる。無機化合物製あるいは金属製の基板上にNiP層を形成してもよい。有機化合物製の基板としては、ポリカーボネイト、ポリメチルメタアクリレート(PMMA)、アモルファスポリオレフィン(APO)、エポキシ樹脂などの高分子材料を用いることができる。
【0011】
本発明による磁気記憶装置は、磁気記録媒体と、磁気記録媒体を駆動する磁気記録媒体駆動部と、磁気記録媒体に対して記録及び再生を行う磁気ヘッドと、磁気ヘッドを駆動する磁気ヘッド駆動部と、磁気ヘッドの記録信号及び再生信号を処理する記録再生信号処理系とを備える磁気記憶装置において、磁気記録媒体として前述の情報記録媒体を用いたことを特徴とする。
【0012】
本発明による光磁気記憶装置は、光磁気記録媒体と、前記光磁気記録媒体を駆動する光磁気記録媒体駆動部と、前記光磁気記録媒体に対して記録及び再生を行う光ヘッドと、前記光ヘッドを駆動する光ヘッド駆動部と、前記光ヘッドの記録信号及び再生信号を処理する信号処理系と、前記光磁気記録媒体の光ヘッド近傍に磁界を印加する磁界印加手段とを備える光磁気記憶装置において、光磁気記録媒体として前述の情報記録媒体を用いたことを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
〔実施の形態1〕
磁気記録用の情報記録媒体(以下、磁気ディスクという)を作製した。また、その磁気ディスクを組み込んだ磁気ディスク装置を作製した。
【0014】
図1は、作製した磁気ディスクの断面模式図である。この磁気ディスクは、基板11上に、無機化合物膜12、磁性膜13、及び保護膜14を順に形成した積層構造を有する。磁気ディスク用の基板11として、直径2.5″のガラス基板を用いた。この基板11上に、CoOとSiO2をモル比で2:1に混合したものをターゲットに用い、純Arを放電ガスに使用して、スパッタ法により無機化合物膜12を形成した。形成した無機化合物膜12の厚さは30nmである。スパッタ時のAr圧力は3mTorr、投入RF電力は1kW/150mmφである。
【0015】
図2は、得られた無機化合物膜12の表面を透過電子顕微鏡(TEM)により観察した結果を示す概略図である。この図に示されているように、無機化合物膜12は、ほぼ正六角形の結晶粒21が二次元的に規則的に配列したハニカム構造を有していた。ここでは、CoO粉末とSiO2粉末をモル比で2:1に混合して焼結したターゲットを用いたが、CoOターゲットとSiO2ターゲットとを用いる二元同時スパッタ法によっても同様の構造の膜が得られる。
【0016】
図3は、この無機化合物膜12の断面をTEMによって観察した結果を示す概略図である。図3に示すように、無機化合物膜12の断面には、基板11に対して垂直方向に柱状の組織が観察された。柱状組織は、途中で結晶粒が大きくなることなく成長していることがわかった。
微小領域のEDX分析(μ−EDX分析)により結晶粒21とその粒界を分析したところ、結晶粒21はCoの酸化物であり、その粒界に存在しているのはSiO2であった。また、無機化合物膜12の結晶構造をθ−2θX線回折法により解析したところ、図4に示すX線回折プロファイルが得られた。図4の横軸は角度2θ、縦軸はX線回折強度の相対値である。図示するように、2θ=62.5°付近にCoOの(220)の回折ピークが観測され、他のピークは観測されなかった。格子像観察から、コバルト酸化物は結晶質であり、酸化シリコンは非晶質であることがわかった。格子定数を求めたところ、Coの値にほぼ等しかった。格子定数は、成膜条件、さらには、CoOにイオン半径の異なる金属(例えば、クロム、鉄、あるいはニッケルなど)を添加することで、あるいは、これらの金属の酸化物を添加することにより制御できる。
【0017】
次に、結晶粒21の膜面内での粒径分布を、以下の手順で測定した。TEM観察で得られた平面TEM像をコンピュータに画像情報として取り込み、同一視野中に観察された結晶粒像から無作為に250個の結晶粒を選び出した。この選出した各結晶粒について、コンピュータで画像処理することにより個々の結晶粒の輪郭を抽出し、輪郭で囲まれた内部の面積を計算することにより、各結晶粒が占める面積を得た。TEMで観察された結晶粒は略正六角形の形状をしていることから結晶粒の形状を正六角形と仮定し、画像処理操作から得られた各結晶粒の面積をもとに結晶粒の辺の長さを割り出し、結晶粒径を求めた。得られた結晶粒径について、例えば、5nm以上6nm未満の結晶粒径を持つ結晶粒の個数、6nm以上7nm未満の結晶粒径を持つ結晶粒の個数、7nm以上8nm未満の結晶粒径を持つ結晶粒の個数等々をカウントし、結晶粒径に対する結晶の頻度分布を求め、この分布を統計処理することにより、結晶粒径の平均値及び結晶粒径の分布の標準偏差を求めた。こうして求めた結晶粒の粒径分布は正規分布をしており、結晶粒21の粒径(対向する互いに平行な辺の間の寸法)aの平均は10nmであり、粒径分布の標準偏差σは0.9nmであった。また、結晶粒間の距離bは、2nmであった。
【0018】
次に、無機化合物膜表面のTEM像を用いて、1つの結晶粒の周囲に存在している結晶粒の数を以下の手順に従って求めた。TEM像観察から得られた平面TEM像をコンピュータに画像情報として取り込み、コンピュータで画像処理することにより結晶粒の粒界部分の輪郭を抽出した。この輪郭像から無作為に250個の結晶粒を選び出し、各結晶粒について隣接して存在している結晶粒の数、すなわち結晶粒の配位数を数えた。得られた配位数について、例えば5個の配位数を持つ結晶粒の数、6個の配位数を持つ結晶粒の数、7個の配位数を持つ結晶粒の数等々をカウントし、配位数に対する結晶の頻度分布を求め、この分布を統計処理することにより平均の配位数を求めた。250個の結晶粒について調べたところ、配位数は平均6.03個であった。このことによっても、粒径のそろった六角形を有する結晶粒が二次元的に規則的に配列してハニカム構造を形成していることが裏付けられる。
【0019】
無機化合物膜12の上に、磁性膜13として超構造多層膜(人工格子膜)をCo層とPt層を交互に積層することにより作製した。Co層とPt層の交互積層は2源同時スパッタ法により行い、その際、第1層目がCo層になるように、時間差を設けてスパッタ装置のシャッタを開放した。投入したDC電力は1kW/150mmφである。
【0020】
形成した磁性膜13の構造を断面TEMにより観察した。それによると、磁性膜の膜厚は、Co層が0.6nm、Pt層が1.8nmであった。また、磁性膜全体の膜厚は50nmであった。ここで、Co層の厚さとPt層(又はPd層)の厚さは、両者の厚さの比がPt(Pd):Co=2:1〜5:1で、かつ、Coの膜厚が1nm以下であるのが好ましい。Co層とPt層(又はPd層)の厚さがこの範囲にあると、良好な磁気特性を有する垂直磁化膜が得られる。また、磁性膜13と無機化合物膜12を結晶学的な観点から観察したところ、無機化合物膜12の結晶相上に形成されたCo膜はエピタキシャル成長しているのに対して、結晶粒界上に形成されたCo膜は微結晶の集合体かあるいは多結晶体であった。なお、ここでは磁性膜13の成膜にDCスパッタを用いたが、RFスパッタでも、また、イオンビームスパッタでもよく、スパッタの方式により磁性膜13の磁気特性や膜構造が左右されることはない。
【0021】
この磁気ディスクを一定方向に着磁した後に、その表面を偏光顕微鏡で観察したところ、無機化合物膜12の結晶相の上に相当する部分は良好な垂直磁化膜になっていたが、粒界の上に相当する部分は垂直磁化膜ではないことがわかった。これは、垂直方向に磁化している領域は、偏光板を回転させると明暗の反転が生じることよりわかる。無機化合物膜12の粒界の上に相当する部分は、グレイとなったままで明るさの変化は見られなかった。磁性膜13の磁気特性を測定したところ、得られた磁気特性は、保磁力が3.0kOeであり、垂直磁気異方性エネルギーが5×107erg/mlであった。
【0022】
最後に、保護膜14として、カーボン膜を5nmの膜厚に形成した。スパッタの条件は、投入DC電力密度が0.5kW/150mmφ、放電ガス圧力が5mTorrである。ここでは、スパッタガスにArを使用したが、窒素を含むガス、あるいは窒素と水素を含むガスを用いてもよい。窒素を含むガス、あるいは窒素と水素を含むガスを用いると粒子が微細化するために、得られる膜が緻密化し、保護性能を向上させることができる。
【0023】
このようにして作製した磁気ディスクの表面に潤滑剤として分子量3000以上の直鎖構造を持つ高分子剤を塗布したのち、図5に概略を示す磁気ディスク装置に組み込み、磁気ディスクの記録再生特性を評価した。この磁気ディスク装置は、図5(a)に概略平面図を、図5(b)にそのAA′断面図を示すように、磁気ディスク媒体駆動部32により回転駆動される磁気ディスク31、磁気ヘッド駆動部34により保持されて磁気ディスク31に対して記録および再生を行う磁気ヘッド33、磁気ヘッド33の記録信号および再生信号を処理する記録再生信号処理系65を備える周知の構成の装置である。
【0024】
記録には2.1Tの高飽和磁束密度の軟磁性膜を備えるリング型磁気ヘッドを用い、再生にはスピンバルブ磁気抵抗効果型ヘッドを用いた。ヘッド面と磁性膜13との距離は20nmである。この磁気ディスクに30GB/inch2に相当する信号をゾーンビットレコーディング方式で記録してディスクのS/Nを評価したところ、32dBの再生出力が得られた。また、このディスクのエラーレートを測定したところ、信号処理を行わない場合の値で、1×10-5以下であった。磁気力顕微鏡(MFM)で観察したところ、磁区の周囲の磁壁に存在するジグザグパターンも従来の媒体より著しく小さかった。
【0025】
また、この磁気ディスクに対して磁気ヘッドを用いて20Gb/in2に相当する信号を記録し、この記録パターンについて、記録操作終了直後と記録後2000時間放置後に再生操作を行い、得られる再生信号強度を比較したところ、2000時間経過後の再生信号強度は記録直後の再生信号強度の99%の出力を示し、記録信号の劣化はほとんど見受けられず、熱揺らぎや熱による減磁に起因した記録信号の減衰は発生しなかった。
【0026】
比較のために、無機化合物膜12を形成しない以外は同じ構造を有する磁気ディスクを前記と同様の条件で作製した。この比較用の磁気ディスクの記録再生特性を前記と同様の方法で評価したところ、磁壁が容易に移動するので磁区のエッジ位置が定まらず、本実施の形態の磁気ディスクと比べてジッタが4倍以上に増大した。また、磁区形状をMFMにより観察したところ、凹凸が存在しており、ノイズが3dB以上増大した。
【0027】
ここでは、無機化合物膜上に磁性膜を形成した例を述べたが、この無機化合物を用いて基板を作製し、その基板上に磁性膜を直接形成してもよい。また、本例では無機化合物膜の結晶相の材料として酸化コバルトを用いたが、酸化コバルトに代えて酸化鉄や酸化ニッケルを用いても同様の効果が得られた。また、結晶粒界に存在する材料として酸化シリコンを用いたが、酸化シリコン以外に酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルあるいは酸化亜鉛を用いても同様の効果が得られた。さらに、ここでは磁性膜としてCo/Pt人工格子多層膜の例を示したが、Co/Pd人工格子多層膜を用いても同様の結果が得られた。なお、無機化合物膜を形成する基板は、ガラス基板以外にAlやAl合金などの金属の基板を用いても、ガラス、AlやAl合金の基板上にNiPをメッキ法により形成した基板を用いても同様の効果が得られた。
【0028】
〔実施の形態2〕
光磁気記録用の情報記録媒体(以下、光磁気ディスクという)を作製した。また、その光磁気ディスクを組み込んだ光磁気ディスク装置を作製した。
図6は、作製した光磁気ディスクの断面模式図である。この光磁気ディスクは、基板41上に、無機化合物膜42、磁性膜43、磁気光学エンハンス膜44、及び光反射膜45を順に形成した積層構造を有する。基板41として、表面に案内溝を形成した直径130mmのポリカーボネイト基板を用いた。基板41は、基板中に含まれている水分を除去するため、成膜に先立って真空中で3時間ベーキング処理をおこなった。次に、スパッタ法により基板41上に無機化合物膜42を形成した。無機化合物膜42の成膜に当たり、ターゲットにはCoOとSiO2をモル比で2:1に混合したものを用い、放電ガスには純Arを使用した。スパッタ時の圧力は3mTorr、投入RF電力は1kW/150mmφである。形成した無機化合物膜42の厚さは65nmである。
【0029】
得られた無機化合物膜42の表面をTEMにより観察したところ、図2に示すように、ほぼ正六角形の結晶粒21が二次元的に規則的に配列したハニカム構造が観察された。また、無機化合物膜42の断面をTEMによって観察したところ、図3に示すように、無機化合物膜42の断面には、基板41に対して垂直方向に柱状の組織が観察された。柱状組織は、途中で寸法が大きくなることなく成長していた。
【0030】
微小領域のEDX分析(μ−EDX分析)により結晶粒21とその粒界を分析したところ、結晶粒21はCoの酸化物であり、その粒界に存在しているのはSiO2であった。また、無機化合物膜42の結晶構造をX線回折法により解析したところ、図4に示すように、2θ=62.5°付近にCoOの(220)の回折ピークが観測された。格子像観察から、コバルト酸化物は結晶質であり、酸化シリコンは非晶質であることがわかった。格子定数を求めたところ、Coの値にほぼ等しかった。
【0031】
次に、実施の形態1と同様の方法で無機化合物膜42中の結晶粒21の粒径分布を測定したところ、粒径分布は正規分布をしており、結晶粒21の粒径(対向する互いに平行な辺の間の寸法)aの平均は10nmであり、粒径分布の標準偏差σは0.9nmであった。また、結晶粒間の距離bは、2nmであった。無機化合物膜表面のTEM像を用いて、実施の形態1と同様の方法で1つの結晶粒の周囲に存在している結晶粒の数を求めたところ、平均6.02個であった。1つの結晶粒の周囲に存在している結晶粒の数が6.02個であるということによっても、粒径のそろった六角形を有する結晶粒が二次元的に規則的に配列してハニカム構造を形成していることが裏付けられる。
【0032】
次に、無機化合物膜42の上に、磁性膜43として超構造多層膜(人工格子膜)をCo層とPt層を交互に積層することにより作製した。Co層とPt層の交互積層は2源同時スパッタ法により行い、第1層目がCo層になるように、時間差を設けてスパッタ装置のシャッタを開放した。投入したDC電力は1kW/150mmφである。
【0033】
形成した磁性膜43の構造を断面TEMにより観察した。それによると、磁性膜の膜厚は、Co層が0.6nm、Pt層が1.8nmであった。また、磁性膜全体の膜厚は20nmであった。ここで、Co層の厚さとPt層(又はPd層)の厚さは、両者の厚さの比がPt(Pd):Co=2:1〜5:1で、かつ、Coの膜厚が1nm以下であるのが好ましい。Co層とPt層(又はPd層)の厚さがこの範囲にあると、良好な磁気特性を有する垂直磁化膜が得られる。また、磁性膜43と無機化合物膜42を結晶学的な観点から観察したところ、無機化合物膜42の結晶相上に形成されたCo膜はエピタキシャル成長しているのに対して、結晶粒界上に形成されたCo膜は微結晶の集合体かあるいは多結晶体であった。なお、ここでは磁性膜43の成膜にDCスパッタを用いたが、RFスパッタでも、また、イオンビームスパッタでもよく、スパッタの方式により磁性膜43の磁気特性や膜構造が左右されることはない。
【0034】
この光磁気ディスクを一定方向に着磁した後に、その表面を偏光顕微鏡で観察したところ、無機化合物膜42の結晶相の上に相当する部分は良好な垂直磁化膜になっていたが、粒界の上に相当する部分は垂直磁化膜ではないことがわかった。これは、垂直方向に磁化している領域は、偏光板を回転させると明暗の反転が生じることよりわかる。無機化合物膜42の粒界の上に相当する部分は、グレイとなったままで明るさの変化は見られなかった。
【0035】
次に、磁気光学エンハンス膜44として、窒化シリコン膜を15nmの膜厚に形成した。磁気光学エンハンス膜44は、ターゲットにSiを用い、放電ガスにAr/N2混合ガスを用いてスパッタ法で形成した。スパッタ時のAr/N2混合ガスの圧力は10mTorr、投入RF電力密度は500W/150mmφである。この膜の屈折率は2.1であった。最後に、光反射膜45としてAl95Ti5合金膜を膜厚50nmに形成した。
【0036】
この光磁気ディスクの光磁気特性を測定したところ、Kerr回転角が0.97°、保磁力が3.0kOe、飽和磁化が350emu/ml、垂直磁気異方性エネルギーは5×107erg/mlであった。また、キュリー温度は200℃、補償温度は120℃であった。 このようにして作製した光磁気ディスクを、図7に概略を示す光磁気ディスク装置に組み込み、光磁気ディスクの記録再生特性を評価した。この光磁気ディスク装置は、光磁気記録媒体51、光磁気記録媒体51を駆動するディスク駆動系52、光磁気記録媒体に対して記録及び再生を行う光ヘッド53、光ヘッド43の位置決めを行うサーボ機構系54、光ヘッドの記録信号及び再生信号を処理する信号処理系55、記録時に光磁気記録媒体の光ヘッド近傍に磁界を印加する磁界印加手段56、光ヘッド53のレーザ光源を駆動するレーザ駆動器57を備える周知の構成の装置である。
【0037】
光磁気ディスクに、(1,7)RLL方式により変調を行った情報をマーク長記録方式で記録を行った。用いたレーザー光源の波長は400nm、レンズの開口比NAは0.59、記録パルスの形状はマルチパルス、記録レーザーパワーは8mW、再生レーザーパワーは1.5mWである。ディスク1枚当たり640MB仕様で記録したところ、直径0.3μmの磁気ドメインが形成された。同じ波長のレーザー光を用いてこの情報を再生したところ、S/Nが35dBと良好な再生特性が得られた。
【0038】
ここで、無機化合物膜42は再生光が照射されると屈折率が増大し、その時に磁性膜43と基板41の間で多重干渉が生じるためKerr回転角が増大し、結果として再生信号出力が増大する。そのため、ある特定のマークに再生光が照射されると、その前後のマークからの信号は急激に減少し、クロストークによる再生時の分解能の低下を抑制できる。
【0039】
比較のために、無機化合物膜42を形成しない以外は同じ構造を有する光磁気ディスクを前記と同様の条件で作製した。この比較用の光磁気ディスクの記録再生特性を前記と同様の方法で評価したところ、磁壁が容易に移動するのでジッタが2倍以上に増大した。また、形成された磁気ドメインの形状をMFMにより観察したところ、円形の輪郭に不規則な凹凸が存在しており、ノイズレベルが5dB以上増大した。
【0040】
ここでは、ガラス基板上に磁性膜の結晶配向を制御するための無機化合物膜を形成した例を述べたが、この無機化合物を用いて基板を作製し、その基板上に磁性膜を直接形成してもよい。また、本例では無機化合物膜の結晶相の材料として酸化コバルトを用いたが、酸化コバルトに代えて酸化鉄や酸化ニッケルを用いても同様の効果が得られた。また、結晶粒界に存在する材料として酸化シリコンを用いたが、酸化シリコン以外に酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルあるいは酸化亜鉛を用いても同様の効果が得られた。さらに、ここでは磁性膜としてCo/Pt人工格子多層膜の例を示したが、Co/Pd人工格子多層膜を用いても同様の結果が得られた。なお、基板は、ポリカーボネイト以外に、アモルファスオレフィンやエポキシ樹脂、ポリメチルメタアクリレートなどを用いても同様の効果が得られた。
【0041】
【発明の効果】
本発明によれば、磁性膜中に磁気特性の分布が形成され、磁壁移動を妨げるピンニングサイトができるので、ジッタやディスクノイズを低減して高密度記録を達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】磁気ディスクの断面模式図。
【図2】無機化合物膜表面のTEM観察結果を示す模式図。
【図3】無機化合物膜の断面を示す模式図。
【図4】無機化合物膜のX線回折プロファイルを示す図。
【図5】磁気ディスク装置の概略図。
【図6】光磁気ディスクの断面模式図。
【図7】光磁気ディスク装置の概略図。
【符号の説明】
11…基板、12…無機化合物膜、13…磁性膜、14…保護膜、21…結晶粒、31…磁気ディスク媒体、32…磁気ディスク媒体駆動部、33…磁気ヘッド、34…磁気ヘッド駆動部、35…記録再生信号処理系、41…基板、42…無機化合物膜、43…磁性膜、44…磁気光学エンハンス膜、45…光反射膜、51…光磁気記録媒体、52…ディスク駆動系、53…光ヘッド、54…サーボ機構系、55…信号処理系、56…磁界印加手段、57…レーザ駆動器

Claims (7)

  1. 基板と、前記基板上に形成された無機化合物膜と、前記無機化合物膜上に形成された磁性膜とを含み、
    前記無機化合物膜は、酸化コバルトの結晶粒の粒界に酸化シリコンが非晶質状態で存在している膜であり、膜面内方向で六角形の結晶粒が二次元的に規則配列したハニカム構造を有し、
    前記磁性膜は、Co層とPt層とを交互に積層した人工格子多層膜であることを特徴とする情報記録媒体。
  2. 請求項記載の情報記録媒体において、前記無機化合物膜中の結晶粒は膜面内方向で見た結晶粒の粒径分布の標準偏差が平均粒径の10%以下である粒径分布を有することを特徴とする情報記録媒体。
  3. 請求項1又は2記載の情報記録媒体において、前記無機化合物膜は膜厚が10nm以上、100nm以下であることを特徴とする情報記録媒体。
  4. 請求項1〜のいずれか1項記載の情報記録媒体において、前記磁性膜は前記無機化合物膜の結晶相の上に成長した部分と粒界相の上に成長した部分とで磁気特性が異なることを特徴とする情報記録媒体。
  5. 請求項1〜のいずれか1項記載の情報記録媒体において、前記磁性膜のCo層が前記無機化合物膜と接していることを特徴とする情報記録媒体。
  6. 磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を駆動する磁気記録媒体駆動部と、前記磁気記録媒体に対して記録及び再生を行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを駆動する磁気ヘッド駆動部と、前記磁気ヘッドの記録信号及び再生信号を処理する記録再生信号処理系とを備える磁気記憶装置において、
    前記磁気記録媒体として請求項1〜のいずれか1項に記載の情報記録媒体を用いたことを特徴とする磁気記憶装置。
  7. 光磁気記録媒体と、前記光磁気記録媒体を駆動する光磁気記録媒体駆動部と、前記光磁気記録媒体に対して記録及び再生を行う光ヘッドと、前記光ヘッドを駆動する光ヘッド駆動部と、前記光ヘッドの記録信号及び再生信号を処理する信号処理系と、前記光磁気記録媒体の光ヘッド近傍に磁界を印加する磁界印加手段とを備える光磁気記憶装置において、
    前記光磁気記録媒体として請求項1〜のいずれか1項に記載の情報記録媒体
    を用いたことを特徴とする光磁気記憶装置。
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