JP2703003B2 - 光ディスク及びその製造方法 - Google Patents
光ディスク及びその製造方法Info
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- JP2703003B2 JP2703003B2 JP63306047A JP30604788A JP2703003B2 JP 2703003 B2 JP2703003 B2 JP 2703003B2 JP 63306047 A JP63306047 A JP 63306047A JP 30604788 A JP30604788 A JP 30604788A JP 2703003 B2 JP2703003 B2 JP 2703003B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザー光を用いて記録，再生，或いは消
去を行う光デイスクに係り、特にデイスクの信頼性向上
及びノイズ成分除去に好適な光デイスク及びその製造方
法に関する。
去を行う光デイスクに係り、特にデイスクの信頼性向上
及びノイズ成分除去に好適な光デイスク及びその製造方
法に関する。
近年の高度情報化社会の進展に伴い、高密度大容量の
フアイルメモリーへのニーズが高まつており、各所で研
究開発が活性化している。その中で、光デイスクはこれ
に応えるものとして注目されており、追記型光デイスク
がまず製品化されたのにつづき、書換え型光デイスクの
中で光磁気デイスクが最も実用化に近い段階にある。と
ころで光磁気デイスク実用化のポイントは、信頼性の確
保にあり、現在開発の中心にある。この問題に対して、
１）情報記録膜の耐食性向上、２）ピナホール密度の低
い有効な保護膜で覆う、等の手法がとられてきた。その
公知な例として、特開昭61−87306号，特開昭62−19574
3号をあげることができる。
フアイルメモリーへのニーズが高まつており、各所で研
究開発が活性化している。その中で、光デイスクはこれ
に応えるものとして注目されており、追記型光デイスク
がまず製品化されたのにつづき、書換え型光デイスクの
中で光磁気デイスクが最も実用化に近い段階にある。と
ころで光磁気デイスク実用化のポイントは、信頼性の確
保にあり、現在開発の中心にある。この問題に対して、
１）情報記録膜の耐食性向上、２）ピナホール密度の低
い有効な保護膜で覆う、等の手法がとられてきた。その
公知な例として、特開昭61−87306号，特開昭62−19574
3号をあげることができる。
上記従来技術は、、情報記録膜自身の耐食性向上及び
記録膜の保護という点に対しては有効であるが、腐食の
もう１つの大きな原因である物理的形状に起因するもの
に対する配慮がされておらず、ヘツダー部やプリピツト
さらには案内溝部等凹凸部分を中心に発生する腐食に対
して配慮がされておらず、デイスクの信頼性に問題があ
つた。
記録膜の保護という点に対しては有効であるが、腐食の
もう１つの大きな原因である物理的形状に起因するもの
に対する配慮がされておらず、ヘツダー部やプリピツト
さらには案内溝部等凹凸部分を中心に発生する腐食に対
して配慮がされておらず、デイスクの信頼性に問題があ
つた。
本発明は、デイスク基板上に存在する凹凸を平坦化す
る層を設け、形状に基づく腐食を抑制し、高信頼性を有
する光デイスクを提供することにある。
る層を設け、形状に基づく腐食を抑制し、高信頼性を有
する光デイスクを提供することにある。
光デイスク基板の表面に存在するプリピツトや案内溝
等の凹凸に由来する腐食を抑制する上記目的は、この凹
凸上にこれを平坦化するための層を形成した後に光記録
媒体を作製することにより達成される。この結果、腐食
に弱い褶曲部等がなくなり、保護膜による被覆度が向上
するので高信頼性を有する光デイスクが得られる。
等の凹凸に由来する腐食を抑制する上記目的は、この凹
凸上にこれを平坦化するための層を形成した後に光記録
媒体を作製することにより達成される。この結果、腐食
に弱い褶曲部等がなくなり、保護膜による被覆度が向上
するので高信頼性を有する光デイスクが得られる。
上記の平坦化を行う方法としては、基板上に形成する
第１層目の成膜速度の制御，成膜と同時に基板表面のミ
リングを行う、基板を加熱した状態で第１層目の膜を成
膜する、等が有効である。
第１層目の成膜速度の制御，成膜と同時に基板表面のミ
リングを行う、基板を加熱した状態で第１層目の膜を成
膜する、等が有効である。
このようにして作製したデイスクの信頼性テストは、
１規定の塩化ナトリウム水溶液中にデイスクを浸漬し、
光透過率の変化により定性的に比較し、変化の小さい試
料については欠陥レートの経時変化により評価した。そ
の結果上述のいずれの成膜手法を用いても大差なくデイ
スク表面に存在する凹凸をカバーできるので、デイスク
の信頼性を大幅に向上できた。
１規定の塩化ナトリウム水溶液中にデイスクを浸漬し、
光透過率の変化により定性的に比較し、変化の小さい試
料については欠陥レートの経時変化により評価した。そ
の結果上述のいずれの成膜手法を用いても大差なくデイ
スク表面に存在する凹凸をカバーできるので、デイスク
の信頼性を大幅に向上できた。
光デイスク基板表面に存在する凹凸を平坦化するため
の層を設けたことにより、凹凸を反映した膜の褶曲がな
くなるので、被覆の悪い部分が激減するので情報記録膜
の保護効果が高まり、高信頼性を有する光デイスクが得
られる。
の層を設けたことにより、凹凸を反映した膜の褶曲がな
くなるので、被覆の悪い部分が激減するので情報記録膜
の保護効果が高まり、高信頼性を有する光デイスクが得
られる。
［実施例１］ 第１図は本発明の一実施例により作製した光デイスク
の断面構造模式図である。表面に凹凸の案内溝を有する
デイスク基板１上に窒化シリコン下地膜２をスパツタ法
により形成した。スパツタに際し、ターゲツトをスパツ
タしてデイスク基板１上に被着させると同時に、基板表
面にミリングを施すことにより平坦化をはかつた。スパ
ツタの条件として、ターゲツトに窒化シリコン焼結体を
用い、放電ガスにAr/N2（＝80/20）混合標準ガスを使用
し、放電ガス圧:1×10-2（Torr）、投入RF電力密度4.2W
/cm2、にてスパツタを行なつた。それと同時にミリング
ガンよりAr/N2混合ガスをイオン化し、ミリングを行な
つた。ここで注意すべき点は、形成される下地膜２の屈
折率で、情報の記録位置決め及びその検出を行うための
トラツキング制御や、光を収束するためのオートフオー
カス機構を正常動作させるためには、基板材１と下地膜
材２との屈折率が異なつている必要があり、さらに、望
ましくは上記屈折率の差が0.4以上であることが好まし
い。本実施例で作製した膜の場合、屈折率は2.00、膜
厚:900Åであつた。一方基板材の屈折率は1.54であつ
た。
の断面構造模式図である。表面に凹凸の案内溝を有する
デイスク基板１上に窒化シリコン下地膜２をスパツタ法
により形成した。スパツタに際し、ターゲツトをスパツ
タしてデイスク基板１上に被着させると同時に、基板表
面にミリングを施すことにより平坦化をはかつた。スパ
ツタの条件として、ターゲツトに窒化シリコン焼結体を
用い、放電ガスにAr/N2（＝80/20）混合標準ガスを使用
し、放電ガス圧:1×10-2（Torr）、投入RF電力密度4.2W
/cm2、にてスパツタを行なつた。それと同時にミリング
ガンよりAr/N2混合ガスをイオン化し、ミリングを行な
つた。ここで注意すべき点は、形成される下地膜２の屈
折率で、情報の記録位置決め及びその検出を行うための
トラツキング制御や、光を収束するためのオートフオー
カス機構を正常動作させるためには、基板材１と下地膜
材２との屈折率が異なつている必要があり、さらに、望
ましくは上記屈折率の差が0.4以上であることが好まし
い。本実施例で作製した膜の場合、屈折率は2.00、膜
厚:900Åであつた。一方基板材の屈折率は1.54であつ
た。
これにひきつづき真空を破ることなく情報記録媒体３
をスパツタ法により作製した。スパツタターゲツトにTb
24.5Fe60.5Co12Nb3合金ターゲツトを用い、放電ガスにA
rを使用し、放電ガス圧力:5×10-3（Torr）、投入RF電
力密度:4.2W/cm2にてスパツタを行い、厚さ800Åの膜を
形成した。この膜の磁気性は、カー回転角：θＫ＝0.34
゜，保磁力:Hc＝10KOe,補償温度:Tcomp＝80℃，キユリ
ー温度:Tc＝200℃である。
をスパツタ法により作製した。スパツタターゲツトにTb
24.5Fe60.5Co12Nb3合金ターゲツトを用い、放電ガスにA
rを使用し、放電ガス圧力:5×10-3（Torr）、投入RF電
力密度:4.2W/cm2にてスパツタを行い、厚さ800Åの膜を
形成した。この膜の磁気性は、カー回転角：θＫ＝0.34
゜，保磁力:Hc＝10KOe,補償温度:Tcomp＝80℃，キユリ
ー温度:Tc＝200℃である。
最後に、この膜４全体を覆うように再び窒化シリコン
保護膜４をスパツタ法により形成した。ターゲツトにSi
3N4焼結体を、放電ガスにArをそれぞれ使用し、放電ガ
ス圧力:2×10-2Torr、投入RF電力密度:4.5W/cm2にてス
パツタを行い、1500Åの膜を形成した。このスパツタ条
件は内部応力が小さくかつピンホール密度が低くなる。
これはスパツタ条件の他作製装置によつても異なつてお
り、装置によりスパツタの最適条件は決められる。
保護膜４をスパツタ法により形成した。ターゲツトにSi
3N4焼結体を、放電ガスにArをそれぞれ使用し、放電ガ
ス圧力:2×10-2Torr、投入RF電力密度:4.5W/cm2にてス
パツタを行い、1500Åの膜を形成した。このスパツタ条
件は内部応力が小さくかつピンホール密度が低くなる。
これはスパツタ条件の他作製装置によつても異なつてお
り、装置によりスパツタの最適条件は決められる。
このようにして作製したデイスクの信頼性試験を以下
に述べる手法にて行なつた。まずデイスクを１規定塩化
ナトリウム水溶液中に浸漬し、デイスク全面に光を透過
させ、光の透過率の変化により評価した。比較のため
に、本発明の基板表面をミリングをスパツタと同時に行
う手法を用いずに作製した光デイスクについて同様の試
験を行なつた。その結果は第２図に示すとおりである。
すなわち、同図（ａ），（ｂ），（ｃ）は比較例を上記
水溶液にそれぞれ０分,60分,90分間浸漬したときの結果
であり同図（ｄ），（ｅ），（ｆ）は本実施例のデイス
クを０分,60分,90分間にわたつて同じ水溶液に浸漬した
結果を示している。その結果、本発明により下地層２を
平坦化してその上に各層を形成したデイスクではデイス
ク全面いずれの場所においても局部腐食がまつたく見ら
れないのに対し、下地層２を平坦化しないで作製したデ
イスクでは凹凸の大きいヘツダー部で放射状に局部腐食
が発生した。また、グループ部でも同様の腐食が発生し
た。このように、デイスクに接する層の表面が平坦化す
るように成膜することで、記録膜の被服率が向上するの
で、未被服部分をなくすことができるので局部腐食の発
生を抑制でき、デイスク基板の信頼性を向上させること
ができた。また、ミリング以外に基板にバイアス電圧を
印加したバイアススパツタ法によつても同一様の効果が
得られた。
に述べる手法にて行なつた。まずデイスクを１規定塩化
ナトリウム水溶液中に浸漬し、デイスク全面に光を透過
させ、光の透過率の変化により評価した。比較のため
に、本発明の基板表面をミリングをスパツタと同時に行
う手法を用いずに作製した光デイスクについて同様の試
験を行なつた。その結果は第２図に示すとおりである。
すなわち、同図（ａ），（ｂ），（ｃ）は比較例を上記
水溶液にそれぞれ０分,60分,90分間浸漬したときの結果
であり同図（ｄ），（ｅ），（ｆ）は本実施例のデイス
クを０分,60分,90分間にわたつて同じ水溶液に浸漬した
結果を示している。その結果、本発明により下地層２を
平坦化してその上に各層を形成したデイスクではデイス
ク全面いずれの場所においても局部腐食がまつたく見ら
れないのに対し、下地層２を平坦化しないで作製したデ
イスクでは凹凸の大きいヘツダー部で放射状に局部腐食
が発生した。また、グループ部でも同様の腐食が発生し
た。このように、デイスクに接する層の表面が平坦化す
るように成膜することで、記録膜の被服率が向上するの
で、未被服部分をなくすことができるので局部腐食の発
生を抑制でき、デイスク基板の信頼性を向上させること
ができた。また、ミリング以外に基板にバイアス電圧を
印加したバイアススパツタ法によつても同一様の効果が
得られた。
［実施例２］ 作製した光デイスクの断面構造を示す模式図は第３図
に示すとおりである。
に示すとおりである。
表面に凹凸の案内溝を有するデイスク基板１上に窒化
シリコン下地膜２をスパツタ法により形成した。スパツ
タの条件は、ターゲツトに窒化シリコン焼結体を用い、
放電ガスにAr−N2（＝20％N2−80％Ar）を使用し、放電
ガス圧５×10-3（Torr）、投入RF電力密度0.8W/cm2にて
スパツタを行なつた。このように成膜速度を低下させて
スパツタすることにより、平坦に近い下地膜２が得られ
た。ここで、下地層２は、TbFeCoNb光磁気記録膜と基板
との間で多重干渉を行なわせ、カー回転角をみかけ上増
大させる効果をもつ。つづいて、情報記録媒体３を厚さ
300Åに実施例１と同一の組成及びスパツタの条件にて
形成した。つづいて、保護膜４を厚さ200Åに実施例１
と同一の条件にて形成した。
シリコン下地膜２をスパツタ法により形成した。スパツ
タの条件は、ターゲツトに窒化シリコン焼結体を用い、
放電ガスにAr−N2（＝20％N2−80％Ar）を使用し、放電
ガス圧５×10-3（Torr）、投入RF電力密度0.8W/cm2にて
スパツタを行なつた。このように成膜速度を低下させて
スパツタすることにより、平坦に近い下地膜２が得られ
た。ここで、下地層２は、TbFeCoNb光磁気記録膜と基板
との間で多重干渉を行なわせ、カー回転角をみかけ上増
大させる効果をもつ。つづいて、情報記録媒体３を厚さ
300Åに実施例１と同一の組成及びスパツタの条件にて
形成した。つづいて、保護膜４を厚さ200Åに実施例１
と同一の条件にて形成した。
最後に金属第２保護膜５を以下に述べる条件にて500
Åの膜厚に形成した。ターゲツトはAl90Ni10合金ターゲ
ツトを用い、放電ガスに高純度Arを使用し、放電ガス圧
力１×10-2（Torr）、投入RF電力密度:2.1W/cm2にてス
パツタを行なつた。
Åの膜厚に形成した。ターゲツトはAl90Ni10合金ターゲ
ツトを用い、放電ガスに高純度Arを使用し、放電ガス圧
力１×10-2（Torr）、投入RF電力密度:2.1W/cm2にてス
パツタを行なつた。
このようにして作製したデイスクの信頼性試験を実施
例１と同一の条件を用いて行ない、評価法として欠陥レ
ートの経時変化を測定する手法を用いた。すなわち、デ
イスクを1mol/の塩化ナトリウム水溶液に浸漬し、発
生してくる欠陥をカウンターにより数えた。結果は第４
図に示すとおりである。それによると、本実施例は90分
の浸漬で初期４×10-6（件/bit）が1.5×10-4（件/bi
t）となつたのに対し、比較例では15分の浸漬で初期の
４×10-6（件/bit）が７×10-4（件/bit）と急激に増加
し、それ以降はヘツダー信号が読めなくなりデイスクの
制御が不可能となつた。このように、本実施例を用い、
デイスク基板上に形成する第１層目を平坦化することに
より、凹凸部での腐食を著しく抑制でき信頼性向上がは
かれた。
例１と同一の条件を用いて行ない、評価法として欠陥レ
ートの経時変化を測定する手法を用いた。すなわち、デ
イスクを1mol/の塩化ナトリウム水溶液に浸漬し、発
生してくる欠陥をカウンターにより数えた。結果は第４
図に示すとおりである。それによると、本実施例は90分
の浸漬で初期４×10-6（件/bit）が1.5×10-4（件/bi
t）となつたのに対し、比較例では15分の浸漬で初期の
４×10-6（件/bit）が７×10-4（件/bit）と急激に増加
し、それ以降はヘツダー信号が読めなくなりデイスクの
制御が不可能となつた。このように、本実施例を用い、
デイスク基板上に形成する第１層目を平坦化することに
より、凹凸部での腐食を著しく抑制でき信頼性向上がは
かれた。
［実施例３］ 本実施例は、窒化シリコンの下地膜２をデイスク基板
１上に形成する際に基板を80℃程度に加熱した状態で行
なつた場合である。作製したデイスクの構造は、実施例
２と同一で、第３図に示すとおりである。また、下地膜
２はデイスク基板１を80℃に加熱した以外は実施例２と
同一条件で作製し、情報記録媒体3,保護膜４、そして金
属第２保護膜５を順次、実施例２と同一条件にて形成し
た。
１上に形成する際に基板を80℃程度に加熱した状態で行
なつた場合である。作製したデイスクの構造は、実施例
２と同一で、第３図に示すとおりである。また、下地膜
２はデイスク基板１を80℃に加熱した以外は実施例２と
同一条件で作製し、情報記録媒体3,保護膜４、そして金
属第２保護膜５を順次、実施例２と同一条件にて形成し
た。
このようにして作製したデイスクを実施例２と同一の
評価法で信頼性を検討し、結果を第５図に示した。比較
例は、実施例１で用いたのと同一の手法で作製したもの
である。本実施例は、作製初期の４×10-6（件/bit）だ
つた欠陥レイトが、90分の1mol/塩化ナトリウム水溶
液浸漬で、４×10-5（件/bit）に増加した。これに対
し、比較例では、15分の浸漬で初期の４×10-6（件/bi
t）が７×10-4（件/bit）と急激に増大し、それ以降ヘ
ツダー信号が読めなくなりデイスクの制御が不可能とな
つた。このようにデイスク基板を加熱することで、デイ
スク基板上に形成する第１層目の下地膜を平坦化すると
ともに緻密化及び基板と下地膜との接着強度を増大でき
るので、凹凸部での腐食及び下地膜や保護膜のピンホー
ルによる局部腐食を抑制でき、信頼性向上がはかれた。
評価法で信頼性を検討し、結果を第５図に示した。比較
例は、実施例１で用いたのと同一の手法で作製したもの
である。本実施例は、作製初期の４×10-6（件/bit）だ
つた欠陥レイトが、90分の1mol/塩化ナトリウム水溶
液浸漬で、４×10-5（件/bit）に増加した。これに対
し、比較例では、15分の浸漬で初期の４×10-6（件/bi
t）が７×10-4（件/bit）と急激に増大し、それ以降ヘ
ツダー信号が読めなくなりデイスクの制御が不可能とな
つた。このようにデイスク基板を加熱することで、デイ
スク基板上に形成する第１層目の下地膜を平坦化すると
ともに緻密化及び基板と下地膜との接着強度を増大でき
るので、凹凸部での腐食及び下地膜や保護膜のピンホー
ルによる局部腐食を抑制でき、信頼性向上がはかれた。
［実施例４］ 本実施例は、デイスク基板表面の凹凸を平坦化するた
めの下地層として、鉛を含む水ガラスを基板表面にスピ
ン塗布法を用いて塗布したものである。作製したデイス
クの構造は、実施例１と同様で第１図に示すとおりであ
る。凹凸の案内溝を有するデイスク基板上に鉛アルコレ
ートとシリコンのアルコレートを主成分とするアルコー
ル溶液をスピン塗布し、110℃に加熱し、加水分解して
屈折率1.95の下地膜２を形成した。
めの下地層として、鉛を含む水ガラスを基板表面にスピ
ン塗布法を用いて塗布したものである。作製したデイス
クの構造は、実施例１と同様で第１図に示すとおりであ
る。凹凸の案内溝を有するデイスク基板上に鉛アルコレ
ートとシリコンのアルコレートを主成分とするアルコー
ル溶液をスピン塗布し、110℃に加熱し、加水分解して
屈折率1.95の下地膜２を形成した。
ここで重要な点は、塗布する溶液の粘度調整である。
形成した膜の厚さは、900Åであつた。ひきつづき、情
報記録媒体３及び保護膜４を順次積層した。その時の作
製手法やスパツタの条件は実施例１と同様である。
形成した膜の厚さは、900Åであつた。ひきつづき、情
報記録媒体３及び保護膜４を順次積層した。その時の作
製手法やスパツタの条件は実施例１と同様である。
このようにして作製した光デイスクの信頼性試験を前
実施例と同一の手法で行なつた。すなわち1mol/塩化
ナトリウム水溶液にデイスクを浸漬したときの欠陥レー
トの経時変化を第６図に示す比較例は、実施例１で用い
たデイスクと同一のものを用いた。本実施例で作製した
デイスクでは、作製初期の４×10-6（件/bit）だつた欠
陥レートが90分の浸漬で１×10-5（件/bit）に増加した
のに対し比較例では初期の４×10-6（件/bit）が15分の
浸漬で７×10-4（件/bit）と急激に増大し、それ以降は
ヘツダー信号が読めなくなり、デイスクの制御不可能と
なつた。このように、デイスク表面の凹凸と案内溝を平
坦化することで局部腐食を大幅に抑制できた。さらにデ
イスク表面に下地層２と同一の膜を形成すると、デイス
ク表面に傷がつくのを防止するハードコートとしても有
用であつた。
実施例と同一の手法で行なつた。すなわち1mol/塩化
ナトリウム水溶液にデイスクを浸漬したときの欠陥レー
トの経時変化を第６図に示す比較例は、実施例１で用い
たデイスクと同一のものを用いた。本実施例で作製した
デイスクでは、作製初期の４×10-6（件/bit）だつた欠
陥レートが90分の浸漬で１×10-5（件/bit）に増加した
のに対し比較例では初期の４×10-6（件/bit）が15分の
浸漬で７×10-4（件/bit）と急激に増大し、それ以降は
ヘツダー信号が読めなくなり、デイスクの制御不可能と
なつた。このように、デイスク表面の凹凸と案内溝を平
坦化することで局部腐食を大幅に抑制できた。さらにデ
イスク表面に下地層２と同一の膜を形成すると、デイス
ク表面に傷がつくのを防止するハードコートとしても有
用であつた。
本発明によれば、デイスク基板の表面に存在する凹凸
の案内溝上に下地膜を形成するのに、スパツタと同時に
基板表面ミリングしたり、成膜速度を制御したり、或い
はデイスク基板を加熱したりして膜表面を平坦化した上
に、他の記録媒体を形成することで、光記録膜の被服率
が向上するので、局部腐食が抑制でき、信頼性向上がは
かれる。
の案内溝上に下地膜を形成するのに、スパツタと同時に
基板表面ミリングしたり、成膜速度を制御したり、或い
はデイスク基板を加熱したりして膜表面を平坦化した上
に、他の記録媒体を形成することで、光記録膜の被服率
が向上するので、局部腐食が抑制でき、信頼性向上がは
かれる。
第１図、及び第３図は本発明の実施例により作製した光
デイスクの断面構造の模式図、第２図は、作製した光デ
イスクを1mol/食塩水中に浸漬したときに発生する局
部腐食発生状況を示すデイスクの平面図。第４図，第５
図及び第６図は、光デイスクを1mol/食塩水中に浸漬
したときの欠陥レートの経時変化の測定図である。 １……デイスク基板、２……下地膜、３……情報記録媒
体、４……保護膜、５……金属第２保護膜。
デイスクの断面構造の模式図、第２図は、作製した光デ
イスクを1mol/食塩水中に浸漬したときに発生する局
部腐食発生状況を示すデイスクの平面図。第４図，第５
図及び第６図は、光デイスクを1mol/食塩水中に浸漬
したときの欠陥レートの経時変化の測定図である。 １……デイスク基板、２……下地膜、３……情報記録媒
体、４……保護膜、５……金属第２保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 憲雄 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−243976（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−31049（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−208650（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−243977（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−10353（ＪＰ，Ａ)
Claims (11)
- 【請求項１】レーザ光を用いて情報を記録、再生或いは
消去を行う光ディスクにおいて、ディスク基板と異なる
屈折率を有する下地層を該基板表面に存在する凹凸を平
坦化するように設け、上記下地層の上に情報記録媒体を
設けたことを特徴とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項２】上記下地層と上記基板との屈折率差が0.4
以上であることを特徴とする請求項第１項記載の光ディ
スクの製造方法。 - 【請求項３】上記下地層は、スパツタリングあるいは真
空蒸着を行うと同時に、被着した膜面にミリングを施す
ことにより形成したことを特徴とする請求項第１項又は
第２項の何れかに記載の光ディスクの製造方法。 - 【請求項４】基板を室温以上に加熱した状態で上記下地
層を形成することを特徴とする請求項第１項乃至第３項
の何れかに記載の光ディスクの製造方法。 - 【請求項５】基板にバイアス電圧を印加した状態のもと
でスパツタリングを行うことにより上記下地層を形成す
ることを特徴とする請求項第１項乃至第３項の何れかに
記載の光ディスクの製造方法。 - 【請求項６】上記下地層に光学的に多重干渉効果をもた
せたことを特徴とする請求項第１項乃至第５項の何れか
に記載の光ディスクの製造方法。 - 【請求項７】上記下地層をスピン塗布により形成するこ
とを特徴とする請求項第１項記載の光ディスクの製造方
法。 - 【請求項８】レーザ光を用いて情報を記録、再生或いは
消去を行う光ディスクにおいて、 ディスク基板と、 上記ディスク基板と異なる屈折率を有し、該基板表面に
存在する凹凸を平坦化するように設けられた下地層と、 上記下地層の上に設けられた情報記録媒体とを具備する
ことを特徴とする光ディスク。 - 【請求項９】上記下地層と上記基板との屈折率差が0.4
以上であることを特徴とする請求項第８項記載の光ディ
スク。 - 【請求項１０】上記下地層は光学的に多重干渉効果を持
つことを特徴とする請求項第８項又は第９項の何れかに
記載の光ディスク。 - 【請求項１１】上記下地層は窒化シリコンを含むことを
特徴とする請求項第８項乃至第10項の何れかに記載の光
ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63306047A JP2703003B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 光ディスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63306047A JP2703003B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 光ディスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02152041A JPH02152041A (ja) | 1990-06-12 |
| JP2703003B2 true JP2703003B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=17952418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63306047A Expired - Fee Related JP2703003B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 光ディスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2703003B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2083865C (en) * | 1991-12-04 | 1998-09-29 | Masahiko Sekiya | Substrate for optical recording medium and magneto-optical recording medium using same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208650A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Pioneer Electronic Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS61243977A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Pioneer Electronic Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS61243976A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Pioneer Electronic Corp | 光磁気記録媒体 |
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| JPS6310353A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-16 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-12-05 JP JP63306047A patent/JP2703003B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02152041A (ja) | 1990-06-12 |
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