JP2882657B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光磁気メモリー，磁気記録，表示素子などに
用いられる光磁気記録媒体に関し、特に記録された情報
を磁気カー効果，ファラデー効果などの磁気光学効果を
利用して読み出すことのできる光磁気記録媒体に関する
ものである。
用いられる光磁気記録媒体に関し、特に記録された情報
を磁気カー効果，ファラデー効果などの磁気光学効果を
利用して読み出すことのできる光磁気記録媒体に関する
ものである。
［従来の技術］ 大量の情報を高密度に蓄積でき、しかも高速に情報を
読み出すことのできる光磁気メモリーが近年注目されて
いる。
読み出すことのできる光磁気メモリーが近年注目されて
いる。
光磁気記録媒体は、一般に透明基板上に記録層として
の希土類−遷移金属垂直磁化膜を有し、さらにカー効
果，ファラデー効果などを増幅するための干渉層として
の透明誘電体膜を基板と記録層の中間に設けた構造とな
っている。干渉層にはSiOまたはSiNが用いられている。
の希土類−遷移金属垂直磁化膜を有し、さらにカー効
果，ファラデー効果などを増幅するための干渉層として
の透明誘電体膜を基板と記録層の中間に設けた構造とな
っている。干渉層にはSiOまたはSiNが用いられている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、スパッタ法もしくは蒸着法によって基
板上にSiO膜を厚さ600〜1,500Åの範囲に成膜すると、S
iO膜にクラックが入り、あるいは基板とSiO膜との密着
不良によるピンホールが発生し易い。そのためにバイト
エラーレートが著しく増大し、光磁気記録媒体の信頼性
が損われる。この点を改善するために干渉膜中の酸素比
を制御することが試みられている。すなわち、干渉膜と
してSiOx（ただし、ｘ＜0.4）で表わされる酸化けい素
を使用すると干渉膜の基板との密着性および対クラック
性が改善される。しかし、この場合再生時のC/Nが低下
するという問題がある。
板上にSiO膜を厚さ600〜1,500Åの範囲に成膜すると、S
iO膜にクラックが入り、あるいは基板とSiO膜との密着
不良によるピンホールが発生し易い。そのためにバイト
エラーレートが著しく増大し、光磁気記録媒体の信頼性
が損われる。この点を改善するために干渉膜中の酸素比
を制御することが試みられている。すなわち、干渉膜と
してSiOx（ただし、ｘ＜0.4）で表わされる酸化けい素
を使用すると干渉膜の基板との密着性および対クラック
性が改善される。しかし、この場合再生時のC/Nが低下
するという問題がある。
本発明はこのような従来の欠点を解消し、基板との密
着性，対クラック性が高い干渉層を有し、かつ再生時の
C/Nの高い光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
着性，対クラック性が高い干渉層を有し、かつ再生時の
C/Nの高い光磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］ かかる目的を達成するために、本発明は基板上に干渉
層および記録層を有する光磁気記録媒体において、前記
干渉層が前記基板上に形成されたSiOxからなり、厚さt1
の第１の干渉膜とその上に形成されたSiOyからなり厚さ
t2の第２の干渉膜を有し、０≦ｘ≦0.4,0.4≦ｙ≦1.0
0、ｘ＜ｙかつ0.1≦t1/（t1＋t2）≦0.5であることを特
徴とする。
層および記録層を有する光磁気記録媒体において、前記
干渉層が前記基板上に形成されたSiOxからなり、厚さt1
の第１の干渉膜とその上に形成されたSiOyからなり厚さ
t2の第２の干渉膜を有し、０≦ｘ≦0.4,0.4≦ｙ≦1.0
0、ｘ＜ｙかつ0.1≦t1/（t1＋t2）≦0.5であることを特
徴とする。
［作 用］ 本発明においては、干渉層をそれぞれ酸素量の異なる
酸化シリコンからなる２層構造としているので、基板と
干渉層との密着性が改善され、さらに再生時のC/Nを向
上させることができる。
酸化シリコンからなる２層構造としているので、基板と
干渉層との密着性が改善され、さらに再生時のC/Nを向
上させることができる。
［実施例］ 以下に実施例によって本発明を詳細に説明する。
第１図に示すように、幅0.6μm,深さ700Å，ピッチ1.
6μｍのスパイラル溝が形成された直径130mmのポリカー
ボネート基板１を真空槽内にセットし、槽内を約10-7To
rrまで排気した後、それぞれ純度99.999％のアルゴンお
よび酸素を導入し、純度99.999％の単結晶シリコンをタ
ーゲットとした高周波マグネトロンスパッタ法によっ
て、基板上にSiOx膜２およびSiOy膜３を形成し、２層膜
からなる干渉膜とした。ついで、直流マグネトロンパッ
タ法によって厚さ800ÅのTbFeCo光磁気記録膜４を成膜
した。次に記録膜４の上に保護膜５としてSiOz（ｚ≦1.
0）を高周波マグネトロンスパッタ法で1,000Å厚に成膜
し、さらにスピンコータを用いて紫外線硬化樹脂を厚さ
20μｍ塗布し、紫外線を照射して硬化させ、保護層６と
した。このようにして作製された２個の光磁気ディスク
媒体のそれぞれに、ホットメルト接着剤７をロールコー
タを用いて厚さ50μｍ塗布し、接着剤面を対向させて貼
合せ、両面ディスクとした。なお、SiOz膜５と樹脂保護
層６との間にアルミニウム等の反射層を設けることも可
能である。
6μｍのスパイラル溝が形成された直径130mmのポリカー
ボネート基板１を真空槽内にセットし、槽内を約10-7To
rrまで排気した後、それぞれ純度99.999％のアルゴンお
よび酸素を導入し、純度99.999％の単結晶シリコンをタ
ーゲットとした高周波マグネトロンスパッタ法によっ
て、基板上にSiOx膜２およびSiOy膜３を形成し、２層膜
からなる干渉膜とした。ついで、直流マグネトロンパッ
タ法によって厚さ800ÅのTbFeCo光磁気記録膜４を成膜
した。次に記録膜４の上に保護膜５としてSiOz（ｚ≦1.
0）を高周波マグネトロンスパッタ法で1,000Å厚に成膜
し、さらにスピンコータを用いて紫外線硬化樹脂を厚さ
20μｍ塗布し、紫外線を照射して硬化させ、保護層６と
した。このようにして作製された２個の光磁気ディスク
媒体のそれぞれに、ホットメルト接着剤７をロールコー
タを用いて厚さ50μｍ塗布し、接着剤面を対向させて貼
合せ、両面ディスクとした。なお、SiOz膜５と樹脂保護
層６との間にアルミニウム等の反射層を設けることも可
能である。
２層の干渉膜の組成、すなわちSiOx,SiOyのｘおよび
ｙの値はスパッタ時のアルゴンと酸素の分圧によって制
御することができる。２層の膜のそれぞれの組成および
厚さを変化させて各種の試料を作製し、再生時のC/N
（信号・雑音比）を測定し、かつ耐久試験を行った。そ
の結果を第１表に示す。
ｙの値はスパッタ時のアルゴンと酸素の分圧によって制
御することができる。２層の膜のそれぞれの組成および
厚さを変化させて各種の試料を作製し、再生時のC/N
（信号・雑音比）を測定し、かつ耐久試験を行った。そ
の結果を第１表に示す。
C/Nの測定にはISO/IEC DP10089−１準拠の評価装置を
使用した。ディスク回転数1800rpm,記録周波数3.7MHz,
パルス幅60nsecで半径30mmの位置に最適記録パワーで信
号を記録し、1.5mWのレーザーパワーで再生し、スペク
トラムアナライザを使用してC/Nを測定した。
使用した。ディスク回転数1800rpm,記録周波数3.7MHz,
パルス幅60nsecで半径30mmの位置に最適記録パワーで信
号を記録し、1.5mWのレーザーパワーで再生し、スペク
トラムアナライザを使用してC/Nを測定した。
耐久試験は70℃,85％RHの恒温恒湿槽を使用した。デ
ィスクに過大な応力がかからぬ様、槽内に垂直に保持
し、2000時間後の外観を目視にて評価した。
ィスクに過大な応力がかからぬ様、槽内に垂直に保持
し、2000時間後の外観を目視にて評価した。
干渉膜の組成の分析にはパーキンエルマー社製ESCA51
00型を用い、アルゴンガスを使用して膜表面のエッチン
グを行い、SiとＯの原子比を測定し、さらに、シリコン
の存在形態を調べた。その結果SiOxのｘの値によってシ
リコンがSi,SiOおよびSiO2として存在する比率が変化す
ること、Siと結合しない酸素の割合も変化することが判
明した。第２表はその結果を示したもので、ｘが大きく
なると、Siとして存在する比率が減少し、O2のトラップ
効果が小さくなる。このことは第１の干渉層のｘが大き
すぎると保護効果が小さくすることを予想させるもので
ある。
00型を用い、アルゴンガスを使用して膜表面のエッチン
グを行い、SiとＯの原子比を測定し、さらに、シリコン
の存在形態を調べた。その結果SiOxのｘの値によってシ
リコンがSi,SiOおよびSiO2として存在する比率が変化す
ること、Siと結合しない酸素の割合も変化することが判
明した。第２表はその結果を示したもので、ｘが大きく
なると、Siとして存在する比率が減少し、O2のトラップ
効果が小さくなる。このことは第１の干渉層のｘが大き
すぎると保護効果が小さくすることを予想させるもので
ある。
第１表に示した測定結果について説明する。表中の試
料No.1,2および９は単層の干渉膜を有する光磁気記録媒
体であり、No.9はSiOxのｘが0.43であり、厚さが800Å
であることと同義である。
料No.1,2および９は単層の干渉膜を有する光磁気記録媒
体であり、No.9はSiOxのｘが0.43であり、厚さが800Å
であることと同義である。
第１表に見られるように、C/Nが改善され、かつ耐久
試験結果が良好なものは、試料No.5,6,7,8,10,11,12,15
および16である。試料No.2および３は耐久試験結果は良
好であるがC/Nの改善が乏しい。
試験結果が良好なものは、試料No.5,6,7,8,10,11,12,15
および16である。試料No.2および３は耐久試験結果は良
好であるがC/Nの改善が乏しい。
まず、第１層SiOxおよび第２層SiOyのｘおよびｙにつ
いて検討する。C/Nおよび耐久性が共に良好な試料は全
て０≦x0.4,0.4≦ｙ≦1.00の範囲のものである。No.9の
ように、ｘ＞0.4であると基板との密着性が悪く、鏡面
部（スパイラル溝部以外の平坦部）にクラックが生じ易
い。一方、ｙ＞1.00であると、膜が固くもろくなり、試
料No.13のようにクラックが生じ易くなる。
いて検討する。C/Nおよび耐久性が共に良好な試料は全
て０≦x0.4,0.4≦ｙ≦1.00の範囲のものである。No.9の
ように、ｘ＞0.4であると基板との密着性が悪く、鏡面
部（スパイラル溝部以外の平坦部）にクラックが生じ易
い。一方、ｙ＞1.00であると、膜が固くもろくなり、試
料No.13のようにクラックが生じ易くなる。
次に第１層SiOxの膜厚t1と第２層SiOyの膜厚t2との関
係について述べる。上述した良好な結果を示す試料のSi
OxおよびSiOyの厚さは0.1≦t1/（t1＋t2）≦0.5の範囲
内にある。この値が0.5より大きいと、試料No.3および
４に示すようにC/Nはほとんど改善されず、0.1より小さ
いと単層の試料No.9と同様に第１層の効果がなく、耐久
性に欠ける。
係について述べる。上述した良好な結果を示す試料のSi
OxおよびSiOyの厚さは0.1≦t1/（t1＋t2）≦0.5の範囲
内にある。この値が0.5より大きいと、試料No.3および
４に示すようにC/Nはほとんど改善されず、0.1より小さ
いと単層の試料No.9と同様に第１層の効果がなく、耐久
性に欠ける。
最後に干渉層の全厚について述べる。第１層SiOxと第
２層SiOyとを合わせた干渉層の全膜厚は第１表に示すよ
うに400〜1,000Åの範囲が好ましい。膜厚がこれより薄
いと保護効果が不十分でNo.14のようにピンホールが発
生し易く、これより厚いと膜の内部応力が大きくなり、
No.17のようにクラックを生じ易い。
２層SiOyとを合わせた干渉層の全膜厚は第１表に示すよ
うに400〜1,000Åの範囲が好ましい。膜厚がこれより薄
いと保護効果が不十分でNo.14のようにピンホールが発
生し易く、これより厚いと膜の内部応力が大きくなり、
No.17のようにクラックを生じ易い。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明に係る光磁気記録媒体に
おいては、干渉層を２層構造としているので、従来得ら
れなかった基板と干渉膜との密着性が得られ、さらにC/
Nを向上させることができる。耐久性2000時間は、約10
年の信頼性の保証に相当するものであり、高い信頼性と
すぐれた特性をもつ光磁気記録媒体を得ることができ
る。
おいては、干渉層を２層構造としているので、従来得ら
れなかった基板と干渉膜との密着性が得られ、さらにC/
Nを向上させることができる。耐久性2000時間は、約10
年の信頼性の保証に相当するものであり、高い信頼性と
すぐれた特性をもつ光磁気記録媒体を得ることができ
る。
第１図は本発明による光磁気記録媒体の実施例を説明す
るための模式的断面図である。 １……基板、 ２……SiOx膜、 ３……SiOy膜、 ４……記録層、 ５……SiOz保護膜、 ６……紫外線硬化樹脂保護膜、 ７……ホットメルト接着剤。
るための模式的断面図である。 １……基板、 ２……SiOx膜、 ３……SiOy膜、 ４……記録層、 ５……SiOz保護膜、 ６……紫外線硬化樹脂保護膜、 ７……ホットメルト接着剤。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 紳月 神奈川県平塚市真土2480番地 三菱樹脂 株式会社平塚工場内 (56)参考文献 特開 昭62−252548（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−235051（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−7240（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 521 G11B 7/24 534 G11B 7/24 535
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に干渉層および記録層を有する光磁
気記録媒体において、前記干渉層が前記基板上に形成さ
れたSiOxからなり、厚さt1の第１の干渉膜とその上に形
成されたSiOyからなり厚さt2の第２の干渉層を有し、０
≦ｘ≦0.4,0.4≦ｙ≦1.00、ｘ＜ｙかつ0.1≦t1（t1＋
t2）≦0.5であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記干渉層の厚さが400Å以上かつ1,000Å
以下であることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記
録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033683A JP2882657B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光磁気記録媒体 |
| EP19910102096 EP0442494A3 (en) | 1990-02-16 | 1991-02-14 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2033683A JP2882657B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03238638A JPH03238638A (ja) | 1991-10-24 |
| JP2882657B2 true JP2882657B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=12393236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2033683A Expired - Fee Related JP2882657B2 (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0442494A3 (ja) |
| JP (1) | JP2882657B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744887A (ja) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| DE19524409C1 (de) * | 1995-07-04 | 1996-08-08 | Siemens Ag | Filterschaltung mit veränderbarer Übertragungsfunktion |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5961011A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS61122956A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
| GB2184618A (en) * | 1985-12-11 | 1987-06-24 | Canon Kk | Magneto-optical memory medium |
| EP0316803A3 (en) * | 1987-11-16 | 1991-07-24 | Fuji Electric Co., Ltd. | Magneto-optical recording medium |
| DE3803013A1 (de) * | 1988-02-02 | 1989-08-10 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung eines flaechenfoermigen, mehrschichtigen, magneto-optischen aufzeichnungsmaterials |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP2033683A patent/JP2882657B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-14 EP EP19910102096 patent/EP0442494A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0442494A2 (en) | 1991-08-21 |
| JPH03238638A (ja) | 1991-10-24 |
| EP0442494A3 (en) | 1992-02-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |