JPH01269258A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザー等の光により情報の記録、再生、消去
等を行う光記録媒体に関する。更に詳しくは、例えば、
透明プラスチック基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有した金属薄膜よりなる記録層を形成し、磁気光学
効果により情報を記録再生する光磁気記録等に用いられ
る耐環境性及び信頼性に優れた光記録媒体に関する。

（従来の技術） 近年、大容量メモリーの１つとして光ディスクの商品化
、開発が活発である。その中でも書替え可能な光磁気デ
ィスクの実用化研究が精力的に行われている。

光記録媒体は高密度・大容量の情報記録として種々の研
究開発が行われている。特に情報の消去可能な光磁気記
録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが発表さ
れており、その実用化が待望されている。

上述の光磁気記録材料としては、例えば、特開昭５２−
３１７０３号公報記載のＦｅ　Ｔｂ　、特開昭５６−１
２６９０７号記載のＦｅ　Ｔｂ　Ｇｄ　、特開昭５８−
７３７４６号公報記載のＦｅ　ｌ”ｂＣｏ、ＦｅＣｏＤ
ｙ、特開昭６１−１６５８４６号公報記載のＦｅ　Ｎｄ
等既に多くの提案がある。しかし、これらの情報の消去
可能な光磁気記録媒体の実用化には記録・再生特性のよ
り一層の向上及びその記録層を構成する記憶材料の大半
は酸化等の腐蝕を起こしやすい為、その耐酸化性を含め
た耐久性をを向上させることが必要と言われている。

これに対して、例えば特開昭５９−１１００５２号公報
には、光メモリ素子の記録層を少なくとも一方が誘電体
層である２層の酸素を含有しない膜間に挾持することに
より記録層の酸化を防止することが提案されている。そ
してこの場合において誘電体層は酸素を含有していない
ことが必要であり、誘電体層としてはＡＪＩＮ、ＭｇＦ
２　、Ｚｎ　Ｓ。

Ｃｅ　Ｆａ　、ＡＵＦａ　、３Ｎａ　Ｆ、Ｓ！　３　Ｎ
４等の窒化物、弗化物等で形成されることが好ましいと
されている。ところでこれらの中で耐環境性に秀れてい
るといわれるＡＪＩＮ、Ｓｉ　３　Ｎ４等の窒化膜につ
いて検討したところ、その製膜速度が遅いこと、また膜
中の原子の充填率が低くピンホール等の隙間が生じ易い
ため、環境劣化試験により、光磁気記録層の酸化等が生
じる問題があることがわかった。

（発明の目的） 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、透明合成樹
脂基板上に少なくとも光磁気合金層等の光記録層、更に
その上に保護層を設けた耐久性の良い光記録媒体を目的
とするものである。すなわち、具体的には前記記録媒体
の環境安定性をはかり、特に外部から光記録層への酸素
やＨ２Ｏの侵入による記録層の酸化等による劣化を防止
することを第１の目的とする。また、光記録層と保護層
との界面の安定化を第２の目的とする。

更に、光記録媒体構成として設けた有機膜保護層及び貼
合せ接着剤層の化学物質が無機保護層あるいは光記録層
への化学的作用を及ぼす可能性を防止することを第３の
目的とする。

（発明の構成） 本発明は、透明プラスチック基板層に、誘電体層、光記
録層及び保護層を積層した光記録媒体において、 （１）前記誘電体層が、ｉｎ金属及び／またはＳｎ金属
の電気抵抗率１Ｘ１０−’Ω・α以上である誘電性酸化
物からなり、 （２前記光記録層の前記透明プラスチック基板と反対側
の保護層が、光記録層に接した少くとも１０人の金属チ
タンの単層膜若しくは該金属チタン層とＩｎ４１ｉ１及
び／またはＳｎ金属の酸化物層とを積層した複層膜の無
機保護層と、該無機保護層上に積層した（メタ）アクロ
イル基当りの分子量が２００〜５００であるフェノール
系ノボラックエポキシ（メタ）アクリレートから主とし
てなる紫外線硬化型樹脂の有機保護層とからなる、 ことを特徴とする光記録媒体である。

更には有機保護層上にこれを接＠層として透明プラスチ
ック基板を、記録層が内側となるように貼り合わせた貼
合せ構造である光記録媒体である。

本発明におけるｉｎ及び／又はＳｎの誘電性の酸化物と
は、誘電体層の作用を奏するものであれば良いが、耐久
性面から電気抵抗率が１ｘ１０−’Ω・ｃｒｔｒ以上の
不良導電性の充分酸化された酸化物が好ましい。かかる
酸化物としては例えば酸素濃度が充分高く、かつ欠陥等
によるキャリアー濃度の少ない酸化インジウム（Ｉｎ２
０３）膜及び／又は錫酸化物（Ｓｎ　Ｏｘ　）膜である
。またＩｎｚＯ３ＩＩＩｉ！及び／又は錫酸化物（Ｓｎ
　Ｏｘ　）膜である。

またＩｎ２Ｏ３及び／又はＳｎ　Ｑｘ酸化物中に不純物
としてＴａ、Ｓｂ、Ｆ等を含んだものでも良い。中でも
、ＩｎｚＯａ膜或いは錫酸化物を含む主としてＩｎｚＯ
ａからなる酸化物膜が耐久性面。

読み取りレーザー電力が低い面から好ましい。なお、こ
の酸化物の錫酸化物の含有量は３０ｗｔ％以下、好まし
くは７ｗｔ％以下であり、屈折率の面から更に好ましく
は３ｗｔ％以下である。

これらのＩｎｚＯ３及び／又は５ｎＯｘの層は公知の真
空蒸着法、スパッタリング法等のＰＶＤ法で作られるが
、高温高湿耐環境性試験で生じるピンホールを生じさせ
ないために膜中原子の充填率が大きい条件で作製するこ
とが好ましい。この為にはスパッタリング法が好ましい
。

なお、本発明の誘電体層を構成するＩｎ及び／又はＳｎ
金属の誘電性の酸化膜には以下の通り透明導電層として
知られた膜例えば酸化インジウム膜、インジウム・錫酸
化物膜（ＩＴＯ）等は含まれない。すなわち、透明導電
膜として知られている導電性の電気抵抗率が１０−２−
１０→Ω・ｃＩＲのＩｎ及び／又はＳｎ金属の酸化膜は
熱伝導性も良く、レーザ光によりスポット状に高温とな
る媒体記録部より導電性酸化膜側への熱の散逸が起り、
必要記録レーザパワーが高くなること、またビット形状
が乱れＣ／Ｎが低下する。更に、高湿度雰囲気においで
鉄系合金層と導電性酸化物層との間に電気化学的電流が
流れ、光磁気記録媒体の環境劣化を促進する。このため
、Ｉｎ及び／又はＳｎの導電性酸化物層は光記録媒体へ
の適用は困難である。

更に、電気抵抗率が１０→Ω・α程度の導電性のＩｎ及
び又はＳｎの酸化物層はキャリアー濃度が高くプラズマ
振動による近赤外レーザ光に対する反射損失が生じる。

さらにポリカーボネート、アクリル樹脂等の透明プラス
チックディスク基板に通常１ｎ及び／又はＳｎ金属の酸
化膜を透明導電膜として形成するためには通常膜形成時
１００℃程度の基板加熱が必要となり、この熱的因子に
よりプラスチック基板の変形等が起こり、良好な媒体の
実現は困難である。以上より本発明には上述の透明８１
電膜は適用されない。

本発明においては、透明酸化物層はインジウムあるいは
錫の酸化物、更にはこれらの両金属を含む酸化物からな
る。

本発明において、錫酸化物層は誘電性具体的にはその電
気抵抗率がｌＸ１０−１Ω・１以上の錫の酸化物であれ
ば、いかなるものでも良い。好ましくは、記録・再生に
使用されるレーザー光の吸収が小さい点から１≦Ｘ≦２
のＳｎ　Ｏｘである。

ｌｎ及び／又はＳｎの酸化物からなる誘電体層の屈折率
は読み出しレーザー光の波長に対して１．７以上でなけ
ればならず、更にカー回転角を適当に増加させる面から
は１．９以上が好ましい。

本発明の光記録層としては、レーザー光を用いて再生及
び／又は記録する公知の光磁気、相変化等の種々の記録
層が挙げられるが、中でも光磁気合金層が好ましい。か
かる光磁気合金層としては、光磁気効果により記録、再
生できるものであれば良く、公知の膜面に垂直な方向に
磁化容易方向を有し任意の反転磁区を作ることにより光
磁気効果に基いて情報の記録再生が可能な磁性金属薄膜
、例えばＦｅ　Ｔｂ合金系のＦｅ　Ｔｂ　Ｃｏ合金、Ｆ
ｅ７’ｂ　Ｇｄ合金、Ｆｅ−Ｎｄ系の合金、　Ｄｙ　−
Ｎｄ−Ｆｅ　−Ｃｏ　、Ｆｅ　−Ｐｒ　、Ｆｅ−Ｃｅ等
が適用できる。

本発明における合成樹脂基板としてはポリカーボネート
樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、４−メチル−ペン
テン樹脂などまたそれらの共重合体などが適用できるが
、機械強度、耐候性、耐熱性、透湿量の点でポリカーボ
ネート樹脂が好ましい。

本発明における光記録媒体としては、耐酸化性。

耐透湿性の点から、前述の通り、透明プラスチック基板
側の酸化物膜と光記録膜のと間に、膜厚が少くとも１０
人である金属チタン膜からなる保護層を設けることが好
ましい。

上述の本発明の作用は以下のとおりである。光記録層例
えば光磁気合金層上に誘電体保護膜を設けた光磁気記録
媒体では、前述の通り誘電体膜として代表的な公知のＳ
ｉ　０．７ｎ　ｓ、ＡｕＮ。

Ｓ！　３Ｎ４等を用いディスクを構成した場合、高温高
湿及び／又はヒートサイクルによる耐久性試験を行うと
、光磁気合金層にＨ２Ｏ等による酸化が生じ、ピンホー
ル等の急激な劣化が起こる。これは主にこれら誘電体膜
がピンホールや亀裂等の隙間を生じ易い物質であるため
、その隙間からＨ２Ｏ等が光磁気合金層へ侵入するため
である。

ところが、本発明による保護層に金属チタン膜若しくは
金属チタン膜とｉｎ金属及び／又はＳｎ金属の誘電体の
酸化膜との積層膜からなる無機保護層を用いたディスク
ではおどろくべきことに光磁気合金膜の劣化によるピン
ホールは生じず、ディスクの耐久性が著しく改善される
作用があることを見出した。これは、該Ｉｎ金属及び／
又はＳｎ金属の酸化物膜が非常に原子充填度が高く、８
２０等が侵入する隙間がないこと、並びにＴｉ薄膜が酸
化物表面に吸着する０２あるいはＨ２Ｏをトラップする
と同時に酸化膜のもつＲ厳による光磁気合金層の酸化を
抑える作用があるためと思われる。これらの効果は、通
常の環境下での長期安定性と共にヒートサイクル・ヒー
トショックに対して特に有効となる。ここで該金属チタ
ン膜は、記録感度の面で膜厚５０Å以下が好ましい。

又、本発明における誘電体層にｌｎ金属及び／又はＳｎ
金属の誘電性の酸化膜を用い、この酸化膜と光磁気合金
膜の間に膜厚少くとも１０人の金属チタン膜を設けたデ
ィスクでは、この界面での劣化によるハクリは生じず、
ディスクの耐久性が著しく改善される作用があることを
見出した。これは該１ｎ金属及び／又はＳｎ金属の酸化
膜とプラスチック界面、特にポリカーボネート基板との
親和性が大きいこと、並びにＴｉ薄膜が酸化物表面に吸
着する０２あるいはＨ２Ｏをトラップし、またｌｎ金属
及び／又はＳｎ金属の酸化物が含有する酸素による光磁
気合金層の酸化を抑える作用があるためと思われる。

また、通常の環境下のみならず湿熱雰囲気下における長
期安定性、ヒートサイクル及びヒートショックに対する
耐久性、更には外部からの衝撃に対する膜面の保護とい
う観点から光記録媒体に有機保護層を設ける必要がある
。

この場合、光記録層の上に設けた無機保護層に加えて有
機保護層を設けることにより、次の２点が有利となる。

■　湿熱雰囲気下における長期耐久性のためには、数ミ
クロンオーダー以上め膜厚の保護層が必要であり、これ
をスパッタリング等の物理蒸着法によればかなり長時間
を要し生産性の点で問題がある。

一方、有機膜の場合、例えば０．１〜５００μｍのよう
に、かなり広範囲の膜厚に対し、スピンコードあるいは
ロールコート等の生産性の高い塗布法が活用できる。

■　有機保護層に用いる有機物には、光記録層に影響を
及ぼす微量の酸性成分や痕跡の不純物を含有することも
考えられ、光記録層と有機保護層の間に無機保護層、と
くに原子充填度の高いｉｎ金属及び／又はＳｎ金属の酸
化物等を設けることにより、長期に亘って光記録層を安
定に機能させることが可能となる。

本発明に用いる有機保護層としては、（メタ）アクロイ
ル基当りの分子量が２００〜５００、好ましくは２００
〜３００であるフェノール系ノボラックエポキシ（メタ
）アクリレートから主としてなる紫外線硬化型樹脂であ
る。（メタ）アクロイル基当りの分子量が２００より小
さい場合、得られる紫外線硬化膜が脆いものどなり、ま
た５００より大きい場合には架橋度の不足による低強度
の硬化膜となり、いずれも湿熱雰囲気下等での長期耐久
性が劣り好ましくない。

フェノール系ノボラックエポキシ（メタ）アクリレート
の具体的な例として、フェノールノボラックエポキシ（
メタ）アクリレート、クレゾールノボラックエポキシ（
メタ）アクリレート、α−ナフ１−−ルノボラックエポ
キシ（メタ）アクリレートなどを挙げることが出来る。

さらに、式（Ａ）における置換基Ｒに耐水性向上のため
、エチル、イソプロピル、【−ブチル。

ベンジルあるいはトリフロオロメチルの各基を導入する
ことも出来る。

δＨ さらに、上記有機膜を接着剤として作用させ、後述の第
３図または第４図の如く、片面記録膜を有する貼合せ媒
体あるいは両面記録膜を有する貼合せ媒体に適用するこ
とが出来る。

以上説明した通り、本発明は透明プラスチック基板上に
設けた光記録媒体の誘電体層としてｌｎ金属及び／又は
Ｓｎ金属を含む酸化物膜、保護層として金属チタン膜ま
たは金属チタン膜とＩｎ金属及び／又はｓｎ金属の酸化
物の積層からなる無機保護層と、さらにこの上に特定の
有礪保ｖ！７Ｌ層を積層した複合膜保護層を適用するこ
とにより、耐環境性が向上し、長期耐久性の優れた光記
録媒体を実現するものである。

以下に実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、
これに限定されるものではない。

実Ｍ例１ 第１図に示す積層構成の光磁気記録媒体を以下のように
して作成し評価した。なお、第１図において１は基板、
２は誘電体層、３は第１の保護層。

４は光磁気記録層、５は第１層５ａと第２層５ｂの複層
膜からなる無機保護層、６は有機保護層である。

すなわち、直径１３０ｍ　、厚さ１．２ｍの円盤で１．
６μｍピッチのグループを有するポリカーボネート樹脂
（ＰＣ）のディスク基板１を３ターゲツトの高周波マグ
ネトロンスパッタ装置（アネルバ＠Ｊ製５ＰＦ−４３０
型）の真空槽内に固定し、４Ｘ１０−７　Ｔ　ｏｒｒ以
下になるまで排気する。なお、膜形成において基板１は
水冷し、１５ｒｐｍで回転させた。

次にＡｒ、Ｏｚ混合ガス（Ｑ２１０ｖｏ１％）を真空槽
内に導入し、圧力１　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒになるよ
うにＡｒ　、Ｏｚ混合ガスの流量を調整し、直径１００
ｍ、厚さ５ｍのＩｎｚＯ３焼結体の円盤をターゲットと
し、放電電力１００Ｗ　、放電周波数１３．５６ＭＨ７
で高周波スパッタリングを行ない、誘電体層２としてＩ
ｎｚＯ３膜約８００人堆積した。

続いて第１の保護層３としてターゲットをＴ１に変えＡ
ｒガス（５Ｎ）を真空槽内に導入し上述と同様の放電条
件でＴｉ膜を約１０人堆積した。

更に記録層４としてターゲットをＦｅｚｆＴｂ２３ＣＯ
ａ合金（添数字は組成（原子％）を示す〉に変え、Ａｒ
ガス（５Ｎ）を真空槽内に導入し上述と同様の放電条件
でＦｅ　Ｔｂ　Ｃｏ合金膜を約１０００人堆積した。

次いでまた、無機保護層５の第１層５ａとしてもう一度
ターゲットをＴｉに変え、Ａｒガス（５Ｎ）を真空槽内
に導入し上述と同様の放電条件でＴｉ膜を約１５人堆積
した。

さらに無機保護層５の第２層５ｂとしてもう一度ターゲ
ットを１ｎ２０．＋焼結体に変え、Ａｒ。

０２混合ガス（０２２０ｖｏ１％）を真空槽内に導入し
、上述と同様の放電条件で１ｎｚｏ３膜を約８００人堆
積し下記構成の積層体を得た。

ＰＣ／　Ｉｎ　　２　０３　　（８００人）／Ｔｉ　　
（１０人）　／Ｆｅ　　Ｔｂ　　Ｃｏ　　（１０００人
）／Ｔｉ　　（１５人）／ｉｎ　　２　０３　　（，８
００Ａ） このディスクをスパッタＶ装置より取り出し、無機保護
層５の第２層５ｂ上に、更に有機保護層６として下記の
スピンコードによりフェノールノボラックエポキシアク
リレート系の紫外線硬化樹脂を厚さ１０μｍとなるよう
に塗布した。その直後、ディスクに紫外線を照射して紫
外線硬化樹脂を硬化させた。

ここで、紫外線硬化樹脂は次の組成のものを用いた。な
おｐｈｒはｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｈｕｎｄｒｅｄ　ｒｅ
ｓｉｎの略である。

・フェノールノボラックエポキシアクリレート（昭和高
分子社製）　　　　　　　　　４０ｗｔ％・トリメチロ
ールブＯバントリアクリレート（新中村化学社製）　　
　　　　　　　３＋ｈｖｔ％・ネオペンチルグリコール
ジアクリレート（新中村化学社！ｌ）　　　　　　　　
　３０ｗｔ％−Ｑ　ａｒＯｃｕｒ　　１１７３ （メルク社製）　　　　　　　　　　　２．０ｐｈｒこ
の積層体のＣ／Ｎを測定した。この測定は光磁気記録再
生装置（ナカミチＯＭ　Ｓ　−１０００Ｔ　Ｖｌ）ｅ（
■））を用い、９００ｒｐｍでディスクを回転させ１．
０２４Ｍ　Ｈｚの信号を５．０　ｍＷ半導体レーザ光で
記録したのち、０．８１１Ｍの半導体レーザ光で読み出
した。印加磁界は５００Ｑｅ　　（エルステッド）であ
る。結果を第１表の実施例１に示した。

ディスクを観察したところ、媒体面にピンホールはＩｌ
！測されなかった。

次にこの積層体を６０℃、９０％ＲＨの恒温、恒湿下に
１０００時間放置した。その後のＣ／Ｎを測定した。結
果を第１表の実施例１に示す。

また、ディスクを観察したが、ピンホールは観測されな
かった。

比較例１ 比較のため第２図に示す積層構成の光磁気記録媒体を作
成し、評価した。なお第２図において、数字は第１図と
同じである。

直径１３０ｓ＋、厚さ　１．２Ｍの円盤で１．６μｍピ
ッチのグループを有するポリカーボネート樹脂（ＰＣ）
のディスク基板１を３ターゲツトの高周波マグネトロン
スパッタ装置（アネルバ■ｌｌ５ＰＦ−４３０型）の真
空槽内に固定し、４　Ｘ　１０−７　Ｔ　Ｏｒｒ以下に
なるまで排気する。なお、膜形成において基板１は水冷
し、１５ｒｐｍで回転させた。

次にＡｒガス（５Ｎ）を真空槽内に導入し、圧力ｉ　Ｘ
　１０’　Ｔ　ＯｒｒになるようにＡ「ガスの流ｍを調
整し、直径１００＃ｌＩｍ　、厚さ５ｍのＺｎＳの円盤
をターゲットとし、放電電力１００Ｗ　、放電周波数１
３．５６ＭＨ２で高周波スパッタリングを行ない、誘電
体層２としてＺｎＳ膜を約８００人堆積した。

続いて、記録層４としてターゲットをＦｅａ！Ｔｂ　２
３　Ｃｏ　ａ合金（添数字は組成（原子％）を示す）に
変え上）ホと同様の放電条件でＦｅＴｂＣ０合金膜を約
ｉ　ｏｏｏ人堆積した。

最後に無磯保護層５としてＺｎＳターゲットに替え、上
述と同様の放電条件でＺｎ５ＩＩＩを約８００人堆積し
た。

以上の順序でＰＣ／Ｚｎ　Ｓ　（８００人）／Ｔｂ　　
Ｆｅ　　Ｃｏ　　（１０００人）　／Ｚｎ　　Ｓ　　（
８００人）なる構成の積層体すなわち光磁気記録媒体を
得た。

この上に、さらに、有機保護層６として、実施例１と同
じフェノールノボラックエポキシアクリレート系の樹脂
を約１０μｍ厚となるようスピンコードにより塗布し、
紫外線照射により硬化膜とした。

この積層体のＣ／Ｎを実施例１と同じ条件で測定した。

結果を第１表の比較例１に示す。

次にこの積層体を６０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿下に４
００ＦＲ間放置した。その後のＣ／Ｎを測定した。

ディスクを観察したところ媒体面に多くのピンホールが
観測された。結果を第１表の比較例１に示す。

比較例２ 比較例１において有機保護層６を設けない第３図に示す
構成の光磁気記録媒体すなわちＰＣ／Ｚｎ　Ｓ　／　Ｔ
　ｂ　Ｆ　ｅ　ＣＯ／　Ｚ　ｎ　Ｓ　カラナル光ｍ　気
記録媒体をそのまま、６０℃、９０％ＲＨの恒温、恒温
下に１００ｈｒ　ｆｉ置した。ディスクを観察したとこ
ろ、媒体全面にピンホールが多数発生し、かつ湿熱下で
の劣化により記録膜の一部が消失した。

以上の結果をまとめて次の第１表に示す。

第１表 第１表から明らかなように、本発明の実施例１は、６０
℃、　９０％ＲＨ下１０００ｈｒ経過後もＣ／Ｎ低下及
びピンホール発生が殆んどなく、比較例１及び比較例２
に対して耐久性の優れた媒体であることがわかる。

実施例２ 第１図の実施例１において第１の保護層３と無機保：１
層５の第２層５ｂを省略した第４図の積層構成の光磁気
記録媒体を作成し評価した。すなわち、直径１３０ｍ、
厚さ　１．２＃の円盤で１．６μｍピッチのグループを
有するポリカーボネート（ＰＣ）樹脂基板１を用い、実
施例１と同じようにして、ＰＣ／　ｌｎ　　２　０３　
　（７５０人）／Ｔｂ　　Ｆｅ　　Ｃ。

（６００人）／Ｔｉ　　（５５０人）なる積層体を得た
。

さらに、実施例１と同じフェノールノボラック系樹脂を
用いて厚み約１０μｍとなるようにスピンコードし、次
いで紫外線照射により樹脂を硬化させ保護膜を形成し、
第４図に示す構成の媒体を得た。

実施例１と同様にして、本媒体のＣ／Ｎを測定したとこ
ろ、５１　ｄＢであった。

次いで、本媒体を６０℃、９０％ＲＨの雰囲気下で１０
００ｈｒ経過した後に再びＣ／Ｎを測定した結果は５０
．５　ｄＢと殆んど変化なく、媒体面にピンホールは認
められなかった。

比較例３ 実施例２において、有機保護膜６としてフェノールノボ
ラックエポキシアクリレートをエステルアクリレート（
大日本インキ社！４．５Ｏ−１７）に替える以外、実施
例２と全く同様にして第４図の構成の光磁気記録媒体を
作成した。

本媒体のＣ／Ｎは５０．５　ｄＢであり、６０℃、９０
％ＲＨ雰囲気下で１０００ｈｒ経過後のＣ／Ｎは４５　
ｄＢに低下し、また媒体面にはピンホールが多数発生し
た。

これは有機保１１１Ｗ６として用いたエステルアクリレ
ート樹脂の耐湿熱性が劣るためである。

実施例３ 実施例１において、記録層４のターゲットにＮ　ｄ　ｉ
、ｒ　Ｄ　Ｖ　ＪＪ、ｔ　Ｆ　ｅ　ｒｈｒ（：、　Ｏｗ
ｒ金合金　添ｌ　字Ｇ、ｔ　１１　成（原子％）を示す
）を用いる以外は、実施例１と全く同様にして記録層４
がＮｄ　ＤＶ　Ｆｅ　Ｃｏでその他構成は実施例１と全
く同じの第１図の光磁気記録媒体・を作成した。

本媒体のＣ／Ｎは５０　ｄＢであり、６０℃、９０％Ｒ
Ｈ雰囲気下で１０００ｈｒ経過後のＣ／Ｎは４９．５　
ｄＢと殆んど低下なく、媒体面にクラックやピンホール
の発生は認められなかった。

実施例４ 実施例１と同様にして下記構成の積層体を得た。

なお、本例では無機保ｒ！Ｉｔ層５の積層順序を実施例
１とは逆の第１層５ａが酸化物のＩｎｚＯａ、第２層５
ｂが金属チタン層とする共に各層の膜厚を調整して第２
層の金属チタン層の反射を利用する方式の媒体とした。

ＰＣ／　ｉｎ　２　０３　　（６５０人）／Ｔｉ　　（
１５人）／Ｔｂ　　Ｆｅ　　Ｃｏ　　（４００人）／　
Ｉｎ　　２　０３　　（５００人）／Ｔｉ　　（５００
人） 次いで、この積層体の無機保護層５の上に接着層を兼ね
た有機保護層６として下記組成の紫外線硬化型樹脂をス
ピンコードにより約５０μ卯の厚さとなるように塗布し
、透明なポリカーボネート平板７を重ね合せ、紫外線照
射により硬化させて第５図に示す貼合せ構造の光磁気記
録媒体を得た。

・フェノールノボラックエポキシアクリレート（昭和高
分子社製）　　　　　　　　　４０ｗｔ％・トリメヂロ
ールプロパントリアクリレート（新中村化学社製）　　
　　　　　　　４０ｗｔ％・ネオペンチルグリコールジ
アクリレート（新中村化学社製）　　　　　　　　　２
０ｗｔ％−Ｄ　ａｒｏｃｕｒ　　１１７３ （メルク社製）　　　　　　　　　　　１．０ｐｈｒ本
貼合せ媒体のＣ／Ｎは５０．５　ｄＢであり、６０℃。

９０％ＲＨの雰囲気下で１０００ｈｒ経過した後のＣ／
Ｎは５０．Ｏｄ［３と殆んど変化なく、媒体面でのピン
ホール等の発生は認められなかった。

比較例４ 比較例１で得られた積層体［ＰＣ／Ｚｎ　Ｓ（８００人
）／Ｔｂ　　Ｆｅ　　Ｃｏ　　（１０００人）／Ｚｎ５
（８００人）］を用い、実施例４と同様にして第６図に
示す実施例４と同じ紫外線硬化樹脂の有機保護層６によ
りＰＣ平板７を貼合わせた貼合せ構造の光磁気記録媒体
を得た。

本貼合せ媒体のＣ／Ｎは５１．５　ｄＢであった。

６０℃、９０％ＲＨ雰囲気に本貼合せ媒体を５００ｈｒ
放置したところ、記録膜面にはキズ及びクラックが多数
発生した上、全面に亘ってピンホールも多数発生するな
ど媒体の劣化が著しく性能測定は困ガであった。

〈発明の効果） 前述したところから明らかなように、本発明によれば、
透明プラスチック基板上を用いる光記録媒体の誘電体層
をＩｎ金属及び／又はＳｎ金属の酸化物膜とし、保護層
を金属チタン膜若しくは金属チタン膜とｌｎ金属及び／
又はＳｎ金属の酸化物とを積層した複層膜からなる無機
保護層上に有機膜保護層−を積層した複合膜とすること
により、媒体の耐環境性が向上し、長期耐久性の優れた
光記録媒体を提供することが出来る。

また、貼合せ構造の媒体においても、湿熱雰囲気下にお
ける記録膜の劣化あるいは貼合せ媒体の接着力の低下も
なく、長期間安定した光記録媒体が得られる。

従って、本発明は上記記録膜劣化が問題となっているＦ
ｅＴｂＣ０あるいはＮｄ　ＤＩ／　Ｆｅ　Ｃｏ合金等で
代表される希土類金属と遷移金属の合金膜からなる光磁
気記録膜を用いる光磁気記録媒体において特に大きな効
果を奏する。このように、本発明は光記録媒体、就中光
磁気記録媒体の耐久性。

生産性向上に大きな寄与をなすものである。

【図面の簡単な説明】 第１図は実施例１及び実施例３の積層体部分断面図を示
す。以下同様に、第２図は比較例１．第３図は比較例２
．第４図は実施例２．第５図は実施例４．第６図は比較
例４の各々の積層体部分断面図を示す。 １：透明プラスチック基板 ２：誘電体層 ３：保護層−１ ４：光磁気記録層 ５：無機保護層 ６：有機保護層 ７：プラスチック平板 冨１１刃　　　　　　　１２国 第５図　　　　　　　　７に国

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明プラスチック基板上に、誘電体層、光記録層及
   び保護層を積層した光記録媒体において、 （１）前記誘電体層が、Ｉｎ金属及び／またはＳｎ金属
   の電気抵抗率１×１０＾−＾１Ω・ｃｍ以上である誘電
   性酸化物からなり、 （２）前記光記録層の前記透明プラスチック基板と反対
   側の保護層が、光記録層に接した少くとも１０Åの金属
   チタンの単層膜若しくは該金属チタン層とＩｎ金属及び
   ／または Ｓｎ金属の酸化物層とを積層した複層膜の無機保護層と
   、該無機保護層上に積層した（メタ）アクロイル基当り
   の分子量が２００〜５００であるフェノール系ノボラッ
   クエポキシ（メタ）アクリレートから主としてなる紫外
   線硬化型樹脂の有機保護層とからなる、 ことを特徴とする光記録媒体。 ２、前記光記録層の前記透明プラスチック基板側に接し
   て、少くとも１０Åの金属チタン層からなる保護層を設
   けた請求項第１項記載の光記録媒体。 ３、前記有機保護層が、 （１）少くとも２５重量％のフェノールノボラックエポ
   キシアクリレート （２）少くとも２０重量％のトリメチロールプロパント
   リアクリレート、またはトリメチロールプロパントリア
   クリレート及び他の３官能以上の（メタ）アクリル酸エ
   ステル （３）少くとも１０重量％の単官能及び／または２官能
   の（メタ）アクリル酸エステル （４）光重合開始剤からなる請求項第１項若しくは第２
   項記載の光記録媒体。 ４、前記有機保護層上に透明プラスチック平板を積層し
   た貼合せ構造である請求項第１項、第２項若しくは第３
   項記載の光記録媒体。 ５、前記光記録層が光磁気記録層である請求項第１項、
   第２項、第３項若しくは第４項記載の光記録媒体。