JP2550118B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 [利用分野] 本発明はレーザ等の光により情報の記録・再生・消去
等を行う光磁気記録媒体に関する。更に詳細には、透明
合成樹脂基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有
した金属薄膜よりなる記録層を形成し、磁化光学効果に
より情報を記録再生する光磁気記録に用いられる耐環境
性の秀れた光磁気記録媒体に関する。
等を行う光磁気記録媒体に関する。更に詳細には、透明
合成樹脂基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有
した金属薄膜よりなる記録層を形成し、磁化光学効果に
より情報を記録再生する光磁気記録に用いられる耐環境
性の秀れた光磁気記録媒体に関する。
[従来技術] 光記録媒体は高密度・大容量の情報記録として種々の
研究開発が行なわれている。特に情報の消去可能な光磁
気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが発
表されており、その実用化が待望されている。
研究開発が行なわれている。特に情報の消去可能な光磁
気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが発
表されており、その実用化が待望されている。
上述の光磁気記録材料としては、例えば、特開昭52−
31703号公報記載のFe Tb,特開昭56−126907号公報記載
のFe Tb Gd,特開昭58−73746号公報記載のFe Tb Co,Fe
Co Dy,特開昭61−165846号公報記載のFe Nd等既に多く
の提案がある。しかし、これらの情報の消去可能な光磁
気記録媒体の実用化には、記録・再生特性のより一層の
向上及びその記録層を構成する記憶材料の大半は酸化等
の腐蝕を起こしやすい為、その耐酸化性を含めた耐久性
を向上させることが必要と言われている。
31703号公報記載のFe Tb,特開昭56−126907号公報記載
のFe Tb Gd,特開昭58−73746号公報記載のFe Tb Co,Fe
Co Dy,特開昭61−165846号公報記載のFe Nd等既に多く
の提案がある。しかし、これらの情報の消去可能な光磁
気記録媒体の実用化には、記録・再生特性のより一層の
向上及びその記録層を構成する記憶材料の大半は酸化等
の腐蝕を起こしやすい為、その耐酸化性を含めた耐久性
を向上させることが必要と言われている。
これに対して、例えば特開昭59−110052号公報には、
光メモリ素子の記録層を少なくとも一方が誘電体層であ
る2層の酸素を含有しない膜間に挟持することにより記
録層の酸化を防止することが提案されている。またこの
ような基板と記録層との間に誘電体を設けてカー回転角
を向上させることが広く知られている。そしてこの場合
においては誘電体層は酸素を含有していないことが必要
であり、誘電体層としてはAlN,MgF2,ZnS,CeF3,AlF3・3N
aF,Si3N4等の窒化物,弗化物等で形成されることが好ま
しいとされている。ところでこれらの中で耐環境性に秀
れているといわれるAlN,Si3N4等の窒化膜について検討
したところ、その製膜速度が遅いこと、また膜中ヒズミ
が大きく特にプラスチックス基板上に多層膜を形成した
場合、環境劣化試験によりグルーブに沿った剥離等が生
じる問題があり、耐酸化性とは別の面での耐久性での問
題があること等より一層の改善が必要なことがわかっ
た。
光メモリ素子の記録層を少なくとも一方が誘電体層であ
る2層の酸素を含有しない膜間に挟持することにより記
録層の酸化を防止することが提案されている。またこの
ような基板と記録層との間に誘電体を設けてカー回転角
を向上させることが広く知られている。そしてこの場合
においては誘電体層は酸素を含有していないことが必要
であり、誘電体層としてはAlN,MgF2,ZnS,CeF3,AlF3・3N
aF,Si3N4等の窒化物,弗化物等で形成されることが好ま
しいとされている。ところでこれらの中で耐環境性に秀
れているといわれるAlN,Si3N4等の窒化膜について検討
したところ、その製膜速度が遅いこと、また膜中ヒズミ
が大きく特にプラスチックス基板上に多層膜を形成した
場合、環境劣化試験によりグルーブに沿った剥離等が生
じる問題があり、耐酸化性とは別の面での耐久性での問
題があること等より一層の改善が必要なことがわかっ
た。
[発明の目的] 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、透明合成
樹脂基板上に誘電体層を介して記録層を有する耐久性の
良い光磁気記録媒体を目的とするものである。すなわ
ち、具体的には前記記録媒体の環境安定化をはかり特に
基板と誘電体層界面の劣化によるワレ,剥離を防止する
ことを第1の目的とする。また誘電体層と光磁気合金層
との界面の安定化を第2の目的とする。また、プラスチ
ック基板よりあるいは基板を通し光磁気記録層界面に侵
入する特にH2O等の劣化因子を抑制することを第3の目
的とする。
樹脂基板上に誘電体層を介して記録層を有する耐久性の
良い光磁気記録媒体を目的とするものである。すなわ
ち、具体的には前記記録媒体の環境安定化をはかり特に
基板と誘電体層界面の劣化によるワレ,剥離を防止する
ことを第1の目的とする。また誘電体層と光磁気合金層
との界面の安定化を第2の目的とする。また、プラスチ
ック基板よりあるいは基板を通し光磁気記録層界面に侵
入する特にH2O等の劣化因子を抑制することを第3の目
的とする。
[発明の構成,作用] 上述の目的は、以下の本発明により達成される。すな
わち本発明は透明合成樹脂基板上に誘電体層を介して光
磁気記録層、更には必要に応じ保護層を設けた光磁気記
録媒体において、前記誘電体層がIn及びSnからなる群か
ら選ばれた少なくとも一つの元素の酸化物からなり、電
気抵抗率が1×10-1Ω・cm以上の誘電性の透明酸化物層
であることを特徴とする光磁気記録媒体である。なお、
以下この発明の光磁気記録媒体を本発明媒体,透明酸化
物層In及び/又はSnの酸化物層という。
わち本発明は透明合成樹脂基板上に誘電体層を介して光
磁気記録層、更には必要に応じ保護層を設けた光磁気記
録媒体において、前記誘電体層がIn及びSnからなる群か
ら選ばれた少なくとも一つの元素の酸化物からなり、電
気抵抗率が1×10-1Ω・cm以上の誘電性の透明酸化物層
であることを特徴とする光磁気記録媒体である。なお、
以下この発明の光磁気記録媒体を本発明媒体,透明酸化
物層In及び/又はSnの酸化物層という。
本発明媒体において、In及び/又はSnの透明酸化物か
らなる誘電体層は、物理的堆積(Physical Vapor Depos
ition:PVD)法により形成される。
らなる誘電体層は、物理的堆積(Physical Vapor Depos
ition:PVD)法により形成される。
また本発明媒体において酸化物膜と光磁気膜との間に
金属チタン膜からなる保護層を設けることが耐酸化性,
耐透湿性の向上面から好ましい。金属チタン膜の膜厚は
記録・再生面から50Å以下、更には20Å以下が好まし
い。
金属チタン膜からなる保護層を設けることが耐酸化性,
耐透湿性の向上面から好ましい。金属チタン膜の膜厚は
記録・再生面から50Å以下、更には20Å以下が好まし
い。
本発明媒体の誘電体層はIn及び/又はSnの誘電性の酸
化物層で誘電体層の作用を奏するものであれば良いが、
記録特性面から電気抵抗率が1×10-1Ωcm以上の不良導
電性の充分酸化された酸化物が好ましい。かかる酸化物
としては例えば酸素濃度が充分高く、かつ欠陥等による
キャリアー濃度の少ない酸化インジウム(In2O3)膜及
び/又は錫酸化物(SnOx)膜である。またIn2O3及び/
又はSnOx酸化物中に不純物としてTa,Sb,F等を含んだも
のでも良い。中でもIn2O3膜或いは錫酸化物を含む主と
してIn2O3からなる酸化物膜が耐久面,読み取りレーダ
ー電力が低い面から好ましい。なお、この酸化物の錫酸
化物の含有量は30wt%以下、好ましくは7wt%以下であ
り、屈折率の面から更に好ましくは3wt%以下である。
化物層で誘電体層の作用を奏するものであれば良いが、
記録特性面から電気抵抗率が1×10-1Ωcm以上の不良導
電性の充分酸化された酸化物が好ましい。かかる酸化物
としては例えば酸素濃度が充分高く、かつ欠陥等による
キャリアー濃度の少ない酸化インジウム(In2O3)膜及
び/又は錫酸化物(SnOx)膜である。またIn2O3及び/
又はSnOx酸化物中に不純物としてTa,Sb,F等を含んだも
のでも良い。中でもIn2O3膜或いは錫酸化物を含む主と
してIn2O3からなる酸化物膜が耐久面,読み取りレーダ
ー電力が低い面から好ましい。なお、この酸化物の錫酸
化物の含有量は30wt%以下、好ましくは7wt%以下であ
り、屈折率の面から更に好ましくは3wt%以下である。
これらのIn2O3及び/又はSnOxの層は前述の通り、公
知の真空蒸着法,スパッタリング法等のPVD法で作られ
るが、高温高湿耐環境性試験で生じるハガレを生じさせ
ないためにプラスチック基板との接着性が大きい条件で
作製することが好ましい。この為にはスパッタリング法
が好ましい。
知の真空蒸着法,スパッタリング法等のPVD法で作られ
るが、高温高湿耐環境性試験で生じるハガレを生じさせ
ないためにプラスチック基板との接着性が大きい条件で
作製することが好ましい。この為にはスパッタリング法
が好ましい。
なお、本発明の誘電体層を構成するIn及び/又はSn金
属を含む誘電性の酸化膜には以下の通り透明導電層とし
て知られた膜例えば酸化インジウム膜,インジウム・錫
酸化物膜(ITO)等は含まれない。すなわに、透明導電
膜として知られている導電性の電気抵抗率が10-2−10-4
Ω・cmのIn及び/又はSn金属を含む酸化膜は熱伝導性も
良く、レーザ光によりスポット状に高温となる媒体記録
部よりの導電性酸化膜側への熱の散逸が起り、必要記録
レーザパワーが高くなること、またビット形状が乱れC/
Nが低下する。更に、高湿度雰囲気において鉄系合金層
と導電性酸化物層との間に電気化学的電流が流れ、光磁
気記録媒体の環境劣化を促進する。このため、In及び/
又はSn含有の導電性酸化物層は光磁気記録媒体への適用
は困難である。更に、電気抵抗率が10-4Ω・cm程度の導
電性のIn又は/及びSnを含む酸化物層はキャリア−濃度
が高くプラズマ振動による近赤外レーザ光に対する反射
損失が生じる。
属を含む誘電性の酸化膜には以下の通り透明導電層とし
て知られた膜例えば酸化インジウム膜,インジウム・錫
酸化物膜(ITO)等は含まれない。すなわに、透明導電
膜として知られている導電性の電気抵抗率が10-2−10-4
Ω・cmのIn及び/又はSn金属を含む酸化膜は熱伝導性も
良く、レーザ光によりスポット状に高温となる媒体記録
部よりの導電性酸化膜側への熱の散逸が起り、必要記録
レーザパワーが高くなること、またビット形状が乱れC/
Nが低下する。更に、高湿度雰囲気において鉄系合金層
と導電性酸化物層との間に電気化学的電流が流れ、光磁
気記録媒体の環境劣化を促進する。このため、In及び/
又はSn含有の導電性酸化物層は光磁気記録媒体への適用
は困難である。更に、電気抵抗率が10-4Ω・cm程度の導
電性のIn又は/及びSnを含む酸化物層はキャリア−濃度
が高くプラズマ振動による近赤外レーザ光に対する反射
損失が生じる。
さらにポリカーボネート,アクリル樹脂等の透明プラ
スチックディスク基板に通常In及び/又はSn金属を含む
酸化膜を透明導電膜として形成するためには通常膜形成
時100℃程度の基板加熱が必要となり、この熱的因子に
よりプラスチック基板表面のグルーブが乱れ良好な媒体
の実現は困難である。以上より本発明には上述の透明導
電膜は適用されない。
スチックディスク基板に通常In及び/又はSn金属を含む
酸化膜を透明導電膜として形成するためには通常膜形成
時100℃程度の基板加熱が必要となり、この熱的因子に
よりプラスチック基板表面のグルーブが乱れ良好な媒体
の実現は困難である。以上より本発明には上述の透明導
電膜は適用されない。
本発明媒体においては、透明酸化物層はインジウムあ
るいは錫の酸化物、更にはこれらの両金属を含む酸化物
からなる。
るいは錫の酸化物、更にはこれらの両金属を含む酸化物
からなる。
本発明媒体において、錫酸化物層は誘電性具体的には
その電気抵抗率が1×10-1Ω・cm以上の錫の酸化物であ
れば、いかなるものでも良い。好ましくは、記録・再生
に使用されるレーザー光の吸収が小さい点から1≦X≦
2のSnOxである。
その電気抵抗率が1×10-1Ω・cm以上の錫の酸化物であ
れば、いかなるものでも良い。好ましくは、記録・再生
に使用されるレーザー光の吸収が小さい点から1≦X≦
2のSnOxである。
In及び/又はSnを含む酸化物からなる誘電体層の屈折
率は読み出しレーザー光の波長に対して1.7以上でなけ
ればならず、更にカー回転角を適当に増加させる面から
は1.9以上が好ましい。
率は読み出しレーザー光の波長に対して1.7以上でなけ
ればならず、更にカー回転角を適当に増加させる面から
は1.9以上が好ましい。
次にIn及び/又はSn含有の酸化物層の効果を、従来技
術の対比しつつ説明する。
術の対比しつつ説明する。
透明プラスチック基板を用い、膜面反射によるカー回
転角を大きくする為基板と光磁気記録層との間に誘電体
層を設けた従来の光磁気記録媒体では、前述の通り誘電
体膜として代表的な公知のSiO,ZnS,AlN,Si3N4等を用い
ディスクを構成した場合、高温高湿及び又はヒートサイ
クルによる耐久性試験を行うとディスクに亀裂がはいり
光磁気特性が急に劣化することが観察された。これは本
発明者らの研究によれば、主にプラスチック基板界面で
の誘電体膜のはがれに起因する。
転角を大きくする為基板と光磁気記録層との間に誘電体
層を設けた従来の光磁気記録媒体では、前述の通り誘電
体膜として代表的な公知のSiO,ZnS,AlN,Si3N4等を用い
ディスクを構成した場合、高温高湿及び又はヒートサイ
クルによる耐久性試験を行うとディスクに亀裂がはいり
光磁気特性が急に劣化することが観察された。これは本
発明者らの研究によれば、主にプラスチック基板界面で
の誘電体膜のはがれに起因する。
ところが本発明による誘電体層にIn及び/又はSn金属
の誘電性の酸化膜を用いたディスクではおどろくべきこ
とにこの界面での劣化によるハクリは生じず、ディスク
の耐久性が著しく改善される作用があることを見出し
た。これは該In及び/又はSn金属の酸化膜とプラスチッ
ク界面、特にポリカーボネート基板との親和性が大きい
ことによるものと思われる。これらの改良は通常の環境
下での長期安定性と共にヒートサイクル,ヒートショッ
クに対して特に有効となる。また、さらに本発明の酸化
物膜の誘電体層と光磁気記録層との間にTiの薄膜を設け
ることにより酸化物表面に吸着するO2あるいはH2Oをト
ラップする作用があり、酸素による光磁気記録層の劣化
を防ぎ、耐久性をより増すことができる。Tiの熱膨脹率
は誘電体層と記録層の鉄系合金の熱膨脹率の中間値とな
るので、そのインターフェースでの熱的ショックに起因
するストレスが減少し、媒体は安定化する。保護層のチ
タンは酸化されるが、その屈折率は元々1.8以上であ
り、その変化は小さい。チタンは屈折率の酸化への依存
性が上述の小さい範囲にある限り合金であっても良い。
チタン保護層は記録・再生面から50Å以下の厚さが好ま
しく、この場合にこの層により光吸収は20%以下とな
る。厚み20Å以下のチタン保護層が該光吸収が5%以下
である点で更に好ましい。
の誘電性の酸化膜を用いたディスクではおどろくべきこ
とにこの界面での劣化によるハクリは生じず、ディスク
の耐久性が著しく改善される作用があることを見出し
た。これは該In及び/又はSn金属の酸化膜とプラスチッ
ク界面、特にポリカーボネート基板との親和性が大きい
ことによるものと思われる。これらの改良は通常の環境
下での長期安定性と共にヒートサイクル,ヒートショッ
クに対して特に有効となる。また、さらに本発明の酸化
物膜の誘電体層と光磁気記録層との間にTiの薄膜を設け
ることにより酸化物表面に吸着するO2あるいはH2Oをト
ラップする作用があり、酸素による光磁気記録層の劣化
を防ぎ、耐久性をより増すことができる。Tiの熱膨脹率
は誘電体層と記録層の鉄系合金の熱膨脹率の中間値とな
るので、そのインターフェースでの熱的ショックに起因
するストレスが減少し、媒体は安定化する。保護層のチ
タンは酸化されるが、その屈折率は元々1.8以上であ
り、その変化は小さい。チタンは屈折率の酸化への依存
性が上述の小さい範囲にある限り合金であっても良い。
チタン保護層は記録・再生面から50Å以下の厚さが好ま
しく、この場合にこの層により光吸収は20%以下とな
る。厚み20Å以下のチタン保護層が該光吸収が5%以下
である点で更に好ましい。
次に本発明媒体、すなわちIn及び/又はSnの誘電性透
明酸化物層の誘電体層を備えたもの、この誘電体層と記
録層との間にチタン保護層を備えたものにおける光磁気
記録層,合成樹脂基板,光磁気記録層の保護層について
説明する。
明酸化物層の誘電体層を備えたもの、この誘電体層と記
録層との間にチタン保護層を備えたものにおける光磁気
記録層,合成樹脂基板,光磁気記録層の保護層について
説明する。
本発明の光磁気記録層としては、光磁気効果により記
録,再生できるものであれば良く、公知の膜面に垂直な
方向に磁化容易方向を有し任意の反転磁区を作ることに
より光磁気効果に基いて情報の記録再生が可能な磁性金
属薄膜、例えばFe Tb合金系のFe Tb Co合金,Fe Tb Gd合
金等,FeCoDyNd,FeCoDyNdTi等のFe−Nd系の合金,Fe−Pr,
Fe−Sm,Fe−Ce系の各合金等が適用できる。
録,再生できるものであれば良く、公知の膜面に垂直な
方向に磁化容易方向を有し任意の反転磁区を作ることに
より光磁気効果に基いて情報の記録再生が可能な磁性金
属薄膜、例えばFe Tb合金系のFe Tb Co合金,Fe Tb Gd合
金等,FeCoDyNd,FeCoDyNdTi等のFe−Nd系の合金,Fe−Pr,
Fe−Sm,Fe−Ce系の各合金等が適用できる。
本発明における合成樹脂基板としてはポリカーボネー
ト樹脂,アクリル樹脂,エポキシ樹脂,4−メチル−ペン
テン樹脂などまたそれらの共重合体などが適用できる
が、機械強度,耐候性,耐熱性、透湿量の点でポリカー
ボネート樹脂が好ましい。
ト樹脂,アクリル樹脂,エポキシ樹脂,4−メチル−ペン
テン樹脂などまたそれらの共重合体などが適用できる
が、機械強度,耐候性,耐熱性、透湿量の点でポリカー
ボネート樹脂が好ましい。
本発明の光磁気記録層の基板と反対側に設ける保護膜
としては、誘電体及び/又は金属等が用いられる。保護
膜の場合は酸化物膜と異なりプラスチック基板との接着
性は特に問題とならないため誘電体としてはAlN,MgF2,Z
nS,CeF3,AlF3・3NaF,Si3N4,SiO,SiO2,TiO2,Zr2O3,In2O3
などの窒化物,弗化物,酸化物などが適用できる。また
金属としては熱伝導度の小さい物質、すなわちTi,Zr等
好ましい。これらは公知の真空蒸着法,スパッタリング
法で作製できる。
としては、誘電体及び/又は金属等が用いられる。保護
膜の場合は酸化物膜と異なりプラスチック基板との接着
性は特に問題とならないため誘電体としてはAlN,MgF2,Z
nS,CeF3,AlF3・3NaF,Si3N4,SiO,SiO2,TiO2,Zr2O3,In2O3
などの窒化物,弗化物,酸化物などが適用できる。また
金属としては熱伝導度の小さい物質、すなわちTi,Zr等
好ましい。これらは公知の真空蒸着法,スパッタリング
法で作製できる。
以上の通り本発明はプラスチック基板上に誘電性のIn
及び/又はSn金属の酸化膜を設けることにより耐環境性
が極めて秀れ且つカー回転角の向上により秀れた動特性
を有する光磁気媒体を実現したものである。
及び/又はSn金属の酸化膜を設けることにより耐環境性
が極めて秀れ且つカー回転角の向上により秀れた動特性
を有する光磁気媒体を実現したものである。
以下、本発明の実施例を説明する。
[実施例1] 直径200mm,厚さ1.2mmの円板で2.5μmピッチのグルー
ブを有するアクリル樹脂(PMMA)のディスク基板を3タ
ーゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(アネルバ
(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×10-7To
rr以下になるまで排気する。なお、基板1は水冷し、15
rpmで回転させた。
ブを有するアクリル樹脂(PMMA)のディスク基板を3タ
ーゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(アネルバ
(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×10-7To
rr以下になるまで排気する。なお、基板1は水冷し、15
rpmで回転させた。
次にAr,O2混合ガス(O220Vol%)を真空槽内に導入
し、圧力1×10-2Torrになるように混合ガスの流量を調
整し、直径100mm,厚さ5mmのInの円盤をターゲットと
し、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで高周波反応ス
パッタリングを行ない、誘電体層2としてIn2O3膜を約8
00Å堆積した。続いて、記録層3としてターゲットをFe
69Tb23Co8合金(添数字は組成(原子%)を示す)に変
えAr(アルゴン)ガス(5N)を真空槽に導入し上述と同
様の放電条件でFe Tb Co合金膜を約1000Å堆積した。
し、圧力1×10-2Torrになるように混合ガスの流量を調
整し、直径100mm,厚さ5mmのInの円盤をターゲットと
し、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで高周波反応ス
パッタリングを行ない、誘電体層2としてIn2O3膜を約8
00Å堆積した。続いて、記録層3としてターゲットをFe
69Tb23Co8合金(添数字は組成(原子%)を示す)に変
えAr(アルゴン)ガス(5N)を真空槽に導入し上述と同
様の放電条件でFe Tb Co合金膜を約1000Å堆積した。
最後に保護層4として誘電体層2と同様にIn2O3膜を
約800Å堆積した。
約800Å堆積した。
以上の順序で第1図(a)に示すPMMA/In2O3/TbFeCo/
In2O3の積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。この媒
体の1点(第1図(b)参照)の周囲を光学顕微鏡にて
観察し、欠点,剥離が無いことを確認した。
In2O3の積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。この媒
体の1点(第1図(b)参照)の周囲を光学顕微鏡にて
観察し、欠点,剥離が無いことを確認した。
この積層体を60℃,90%RHの恒温恒湿下に90時間放置
した。
した。
その後、光学顕微鏡にて前述の媒体の1点Aの周囲を
観察したが放置前と同様で欠点,剥離は無かった。ま
た、同一条件でIn2O3単独膜を作成し電気抵抗を測定し
たところ表面抵抗は10MΩ/sq以上、対応する電気抵抗率
の値は8×10Ω・cm以上の絶縁性膜であった。
観察したが放置前と同様で欠点,剥離は無かった。ま
た、同一条件でIn2O3単独膜を作成し電気抵抗を測定し
たところ表面抵抗は10MΩ/sq以上、対応する電気抵抗率
の値は8×10Ω・cm以上の絶縁性膜であった。
[比較例1] 直径200mm,厚さ1.2mmの円板で2.5μmピッチのグルー
ブを有するアクリル樹脂(PMMA)のディスク基板を3タ
ーゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(アネルバ
(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×10-7To
rr以下になるまで排気する。なお基板1は水冷し、15rp
mで回転させた。
ブを有するアクリル樹脂(PMMA)のディスク基板を3タ
ーゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(アネルバ
(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×10-7To
rr以下になるまで排気する。なお基板1は水冷し、15rp
mで回転させた。
次にAr,N2混合ガス(N250Vol%)を真空槽内に導入
し、圧力1×10-2Torrになるように混合ガスの流量を調
整し、直径100mm,厚さ5mmのSiの円盤をターゲットと
し、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで高周波反応ス
パッタリングを行ない、誘電体層2としてSin膜を約800
Å堆積した。
し、圧力1×10-2Torrになるように混合ガスの流量を調
整し、直径100mm,厚さ5mmのSiの円盤をターゲットと
し、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで高周波反応ス
パッタリングを行ない、誘電体層2としてSin膜を約800
Å堆積した。
続いて、記録層3としてターゲットをFe69Tb23Co8合
金(添数字は組成(原子%)を示す)に変え上述と同様
の放電条件でFe Tb Co合金膜を約1000Å堆積した。
金(添数字は組成(原子%)を示す)に変え上述と同様
の放電条件でFe Tb Co合金膜を約1000Å堆積した。
最後に保護層4として誘電体層2と同様にSiN膜を約8
00Å堆積した。
00Å堆積した。
以上の順序で第1図(a)に示すPMMA/SiN/TbFeCo/Si
Nの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。
Nの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。
実施例1と同様に、この媒体の1点A(第1図(b)
参照)の周囲を光学顕微鏡にて観察し、欠点,剥離が無
いことを確認した。
参照)の周囲を光学顕微鏡にて観察し、欠点,剥離が無
いことを確認した。
この積層体を60℃,90%RHの恒温恒湿下に90時間放置
した。
した。
その後、光学顕微鏡にて前述の媒体の1点Aの周囲を
観察すると、グルーブに沿った剥離が観察された。剥離
部分をX線マイクロアナライザー(XMA)により元素の
面分析を行なったところ誘電体層2の部分から剥離が生
じていることが確認された。
観察すると、グルーブに沿った剥離が観察された。剥離
部分をX線マイクロアナライザー(XMA)により元素の
面分析を行なったところ誘電体層2の部分から剥離が生
じていることが確認された。
実施例1,比較例1より本発明の有為性が示された。
[実施例2] 直性200mm,厚さ1.2mmの円板で1.6μmピッチのグルー
ブを有するポリカーボネート樹脂(PC)のディスク基板
を3ターゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(ア
ネルバ(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×
10-7Torr以下になるまで排気する。なお、基板1は水冷
し、15rpmで回転させた。
ブを有するポリカーボネート樹脂(PC)のディスク基板
を3ターゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(ア
ネルバ(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×
10-7Torr以下になるまで排気する。なお、基板1は水冷
し、15rpmで回転させた。
次にAr,O2混合ガス(O210Vol%)を真空槽内に導入
し、圧力1×10-2TorrになるようにAr,O2混合ガスの流
量を調整し、直径100mm,厚さ5mmのIn2O3焼結体の円盤を
ターゲットとし、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで
高周波反応スパッタリングを行ない、誘電体層2として
In2O3膜を約800Å堆積した。
し、圧力1×10-2TorrになるようにAr,O2混合ガスの流
量を調整し、直径100mm,厚さ5mmのIn2O3焼結体の円盤を
ターゲットとし、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで
高周波反応スパッタリングを行ない、誘電体層2として
In2O3膜を約800Å堆積した。
続いて、第1の保護層5としてターゲットをTiに変え
Arガス(5N)を真空槽内に導入し上述と同様の放電条件
でTi膜を約10Å堆積した。
Arガス(5N)を真空槽内に導入し上述と同様の放電条件
でTi膜を約10Å堆積した。
更に記録層3としてターゲットをFe69Tb23Co8合金
(添数字は組成(原子%)を示す)に変えArガス(5N)
を真空槽内に導入し上述と同様の放電条件でFe Tb Co合
金膜を約1000Åに堆積した。
(添数字は組成(原子%)を示す)に変えArガス(5N)
を真空槽内に導入し上述と同様の放電条件でFe Tb Co合
金膜を約1000Åに堆積した。
なお、上述の各膜形成のときIn2O3膜,Ti膜及びFe Tb
Co合金膜は直径200mmの基板上において中心から半径90m
mまで堆積する様にマスクが設置されている。
Co合金膜は直径200mmの基板上において中心から半径90m
mまで堆積する様にマスクが設置されている。
最後にこのマスクを取り外し基板全面に膜が堆積する
様にし、第2の保護層6としてTiターゲットに変え、上
述と同様の放電条件でTi膜を約200Å堆積した。
様にし、第2の保護層6としてTiターゲットに変え、上
述と同様の放電条件でTi膜を約200Å堆積した。
以上の順序で第2図に示す第2の保護層6により記録
層3を含む全層の側面まで被覆したPC/In2O3/Ti/Fe Tb
Co/Tiの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。
層3を含む全層の側面まで被覆したPC/In2O3/Ti/Fe Tb
Co/Tiの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。
この積層体のC/N[なお、C/N=S/N+10log(雑音帯
域)/(分解能帯域幅)]を測定した。この測定は光磁
気記録再生装置(ナカミチOMS−1000Type(III))を用
い、900rpmでディスクを回転させ1.024MHzの信号を5.0m
W半導体レーザ光で記録したのち、0.8mWの半導体レーザ
光で読み出した。印加磁界は500Oe(エルステッド)で
ある。結果を表1の実施例2に示す。
域)/(分解能帯域幅)]を測定した。この測定は光磁
気記録再生装置(ナカミチOMS−1000Type(III))を用
い、900rpmでディスクを回転させ1.024MHzの信号を5.0m
W半導体レーザ光で記録したのち、0.8mWの半導体レーザ
光で読み出した。印加磁界は500Oe(エルステッド)で
ある。結果を表1の実施例2に示す。
次にこの積層体を60℃,90%RHの恒温,恒湿下に500時
間放置した。その後のC/Nを測定した。結果を表1の実
施例2に示す。
間放置した。その後のC/Nを測定した。結果を表1の実
施例2に示す。
なお、得られたIn2O3膜の表面抵抗は10MΩ/sq以上で
電気抵抗率は8×10Ω・cm以上の絶縁性の膜であった。
電気抵抗率は8×10Ω・cm以上の絶縁性の膜であった。
[比較例2] 直性200mm,厚さ1.2mmの円板で1.6μmピッチのグルー
ブを有するポリカーボネート樹脂(PC)のディスク基板
を3ターゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(ア
ネルバ(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×
10-7Torr以下になるまで排気する。なお、基板1は水冷
し、15rpmで回転させた。
ブを有するポリカーボネート樹脂(PC)のディスク基板
を3ターゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(ア
ネルバ(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×
10-7Torr以下になるまで排気する。なお、基板1は水冷
し、15rpmで回転させた。
次にArガス(5N)を真空槽内に導入し、圧力1×10-2
TorrになるようにArガスの流量を調整し、直径100mm,厚
さ5mmのZnSの円盤をターゲットとし、放電電力100W,放
電周波数13.56MHzで高周波スパッタリングを行ない、誘
電体層2としてZnS膜を約800Å堆積した。
TorrになるようにArガスの流量を調整し、直径100mm,厚
さ5mmのZnSの円盤をターゲットとし、放電電力100W,放
電周波数13.56MHzで高周波スパッタリングを行ない、誘
電体層2としてZnS膜を約800Å堆積した。
続いて、記録層3としてターゲットをFe69Tb23Co8合
金(添数字は組成(原子%)を示す)に変え上述と同様
の放電条件でFe Tb Co合金膜を約1000Å堆積した。
金(添数字は組成(原子%)を示す)に変え上述と同様
の放電条件でFe Tb Co合金膜を約1000Å堆積した。
最後に保護層4としてZnSターゲートに変え、上述の
同様の放電条件でZnS膜を約800Å堆積した。
同様の放電条件でZnS膜を約800Å堆積した。
以上の順序で第1図(a)に示す積層構成で保護層4
により記録層3を含む全層の側面まで被覆したPC/ZnS/F
e Tb Co/ZnSの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。
により記録層3を含む全層の側面まで被覆したPC/ZnS/F
e Tb Co/ZnSの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。
この積層体のC/Nを実施例2と同じ条件で測定した。
結果を表1の比較例2に示す。
結果を表1の比較例2に示す。
次にこの積層体を60℃,90%RHの恒温恒湿下に500時間
放置した。その後のC/Nを測定した。ディスクを観察し
たところ媒体面に多くのワレが観測された。結果を表1
の比較例2に示す。
放置した。その後のC/Nを測定した。ディスクを観察し
たところ媒体面に多くのワレが観測された。結果を表1
の比較例2に示す。
表1から明らかなごとく本実施例2においてC/N及び
外観は全く変化していないのに対し、比較例2において
C/Nは51dBから44dBへ減少し、外観も腐蝕劣化と思われ
るシワが認められた。
外観は全く変化していないのに対し、比較例2において
C/Nは51dBから44dBへ減少し、外観も腐蝕劣化と思われ
るシワが認められた。
上述のごとく本発明の有為性が示された。
[実施例3] 直径200mm,厚さ1.2mmの円板で1.6μmピッチのグルー
ブを有するポリカーボネート樹脂(PC)のディスク基板
を3ターゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(ア
ネルバ(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×
10-7Torr以下になるまで排気する。なお、基板1は水冷
し、15rpmで回転させた。
ブを有するポリカーボネート樹脂(PC)のディスク基板
を3ターゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(ア
ネルバ(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×
10-7Torr以下になるまで排気する。なお、基板1は水冷
し、15rpmで回転させた。
次にAr,O2混合ガス(O220Vol%)を真空槽内に導入
し、圧力2×10-2TorrになるようにAr,O2混合ガスの流
量を調整し、直径100mm,厚さ5mmのSnO2焼結体の円盤を
ターゲットとし、放電電力50W,放電周波数13.56MHzで高
周波スパッタリングを行い、誘電体層2としてSnO2膜を
約800Å堆積した。
し、圧力2×10-2TorrになるようにAr,O2混合ガスの流
量を調整し、直径100mm,厚さ5mmのSnO2焼結体の円盤を
ターゲットとし、放電電力50W,放電周波数13.56MHzで高
周波スパッタリングを行い、誘電体層2としてSnO2膜を
約800Å堆積した。
続いて第1の保護層5としてターゲットをTiに変えAr
ガス(5N)を真空槽内に導入し上述と同様の放電条件で
Ti膜を約10Å堆積した。
ガス(5N)を真空槽内に導入し上述と同様の放電条件で
Ti膜を約10Å堆積した。
更に記録層3としてターゲットをTbFeCo複合ターゲッ
トに変えArガス(5N)を真空槽内に導入し上述と同様の
放電条件でFeTbCo合金膜を約1000Å堆積した。
トに変えArガス(5N)を真空槽内に導入し上述と同様の
放電条件でFeTbCo合金膜を約1000Å堆積した。
最後に第2の保護層6としてTiターゲットに変え、上
述と同様の放電条件でTiを約200Å堆積した。
述と同様の放電条件でTiを約200Å堆積した。
以上の順序で第2図に示す第2の保護層6により記録
層3を含む全層の側面まで被覆したPC/SnOx/Ti/FeTbCo/
Tiの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。
層3を含む全層の側面まで被覆したPC/SnOx/Ti/FeTbCo/
Tiの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。
この積層体のC/N[なお、C/N=S/N+10log(雑音帯
域)/(分解能帯域幅)]を測定した。この測定は光磁
気記録再生装置(ナカミチOMS−1000Tmpe(III))を用
い、900rpmでディスクを回転させ1.024MHzの信号を7.5m
W半導体レーザ光で記録したのち、0.8mWの半導体レーザ
光で読み出した。印加磁界は500Oe(エルステッド)で
ある。結果を表2の実施例3に示す。
域)/(分解能帯域幅)]を測定した。この測定は光磁
気記録再生装置(ナカミチOMS−1000Tmpe(III))を用
い、900rpmでディスクを回転させ1.024MHzの信号を7.5m
W半導体レーザ光で記録したのち、0.8mWの半導体レーザ
光で読み出した。印加磁界は500Oe(エルステッド)で
ある。結果を表2の実施例3に示す。
次にこの積層体を60℃,90%RHの恒温,恒湿下に500時
間放置した。その後のC/Nを測定した。結果を表2の実
施例3に示す。又ディスク面から観察したところ、腐蝕
劣化で見られるシワ,シミ等は見られなかった。表2に
は比較のため前述の比較例2の結果を併記してある。
間放置した。その後のC/Nを測定した。結果を表2の実
施例3に示す。又ディスク面から観察したところ、腐蝕
劣化で見られるシワ,シミ等は見られなかった。表2に
は比較のため前述の比較例2の結果を併記してある。
なお、得られたSnO2の膜の表面抵抗は10MΩ/sq以上で
電気抵抗率は8×10Ω・cm以上の絶縁性の膜であった。
更にその屈折率をエリプソメータ(溝尻光学(株)製)
を用いて測定したところ、このSnO2膜は波長830nmにお
いて2.0の屈折率を持つことがわかった。
電気抵抗率は8×10Ω・cm以上の絶縁性の膜であった。
更にその屈折率をエリプソメータ(溝尻光学(株)製)
を用いて測定したところ、このSnO2膜は波長830nmにお
いて2.0の屈折率を持つことがわかった。
表2から明らかなごとく本実施例3においてC/N及び
外観はほとんど変化していないのに対し、比較例2にお
いてC/Nは51dBから44dBへ減少し、外観も腐蝕劣化と思
われるシワが認められた。
外観はほとんど変化していないのに対し、比較例2にお
いてC/Nは51dBから44dBへ減少し、外観も腐蝕劣化と思
われるシワが認められた。
なお、実施例2よりも本例の方が半導体レーザによる
書き込みパワーが大きいのは、In2O3層よりSnOx層の屈
折率が小さいことによると思われる。
書き込みパワーが大きいのは、In2O3層よりSnOx層の屈
折率が小さいことによると思われる。
[実施例4] 耐食性評価の1つとして以下の検討を行なった。
1000Åの膜厚の誘電性のSnO2含有のIn2O3薄膜を水冷
した10×20mm角,1.2mm厚のガラス基板上に実施例2と同
様に高周波スパッタ法により形成した。スパッタ条件は
Ar/O2混合ガス(O2;20Vol%)でガス圧は1×10-2Torr,
ターゲットはIn−Sn(Sn;5wt%)合金であった。形成さ
れたSnO2含有のIn2O3膜は電気抵抗率が1×10Ω・cm
で、表面抵抗が100MΩ/sq以上で誘電体であった。
した10×20mm角,1.2mm厚のガラス基板上に実施例2と同
様に高周波スパッタ法により形成した。スパッタ条件は
Ar/O2混合ガス(O2;20Vol%)でガス圧は1×10-2Torr,
ターゲットはIn−Sn(Sn;5wt%)合金であった。形成さ
れたSnO2含有のIn2O3膜は電気抵抗率が1×10Ω・cm
で、表面抵抗が100MΩ/sq以上で誘電体であった。
光磁気膜は、同じ寸法の1.2mm厚のポリカーボネート
基板上に、実施例2と同様にFe69Co8Tb23合金ターゲッ
トを用い高周波マグネトロンスパッタ法でArガス雰囲気
下、形成した。
基板上に、実施例2と同様にFe69Co8Tb23合金ターゲッ
トを用い高周波マグネトロンスパッタ法でArガス雰囲気
下、形成した。
このようにして形成した2つの膜を電極にして、5cm
間隔で対向させて0.1mol/のNaCl溶液に浸し、120分間
で電極間に流れる電流を測定した。電流はわずかに流
れ、総電荷量は1.4×10-2クーロンであった。
間隔で対向させて0.1mol/のNaCl溶液に浸し、120分間
で電極間に流れる電流を測定した。電流はわずかに流
れ、総電荷量は1.4×10-2クーロンであった。
[比較例3] 1000Åの膜厚の誘電性のSnO2含有のIn2O3薄膜を実施
例2と同じ装置を用い、高周波スパッタ法により実施例
4と同じ寸法のガラス基板上に形成した。ターゲットは
In2O3−SnO2(5wt%SnO2)焼結ターゲットでAr雰囲気
中、1×10-2Torrのガス圧で基板温度は130℃とした。
形成されたSnO2含有のIn2O3膜は電気抵抗率が5×10-3
Ω・cmで表面抵抗が500Ω/sqの透明導電膜であった。
例2と同じ装置を用い、高周波スパッタ法により実施例
4と同じ寸法のガラス基板上に形成した。ターゲットは
In2O3−SnO2(5wt%SnO2)焼結ターゲットでAr雰囲気
中、1×10-2Torrのガス圧で基板温度は130℃とした。
形成されたSnO2含有のIn2O3膜は電気抵抗率が5×10-3
Ω・cmで表面抵抗が500Ω/sqの透明導電膜であった。
実施例4と同じのボリカーボネート上に形成したFeCo
Tbの光磁気膜を対向する電極とし、実施例4と同じよう
にして0.1mol/のNaCl溶液に浸したところ電極間にか
なりの電流が流れた。120分の間の電荷の総量は1.3クー
ロンであった。
Tbの光磁気膜を対向する電極とし、実施例4と同じよう
にして0.1mol/のNaCl溶液に浸したところ電極間にか
なりの電流が流れた。120分の間の電荷の総量は1.3クー
ロンであった。
前述の実施例4との比較により、高湿度雰囲気下では
比較例3の如き導電性の前記In2O3膜上に形成した光磁
気膜では局部電池が形成され劣化の原因となることが確
認され、実施例4の如き誘電性の前記In2O3膜ではかか
る劣化が大巾に改善されることが確認された。
比較例3の如き導電性の前記In2O3膜上に形成した光磁
気膜では局部電池が形成され劣化の原因となることが確
認され、実施例4の如き誘電性の前記In2O3膜ではかか
る劣化が大巾に改善されることが確認された。
[実施例5] 実施例2において、そのIn2O3層に替えてSnO2を7wt%
含有するIn2O3からなるターゲットを用いてSnO2含有のI
n2O3層を形成する以外は、実施例2と全く同様にして媒
体を作成した。得られた媒体はPC/In2O3(SnO2)/Ti/Fe
TbCo/Tiの構成であった。
含有するIn2O3からなるターゲットを用いてSnO2含有のI
n2O3層を形成する以外は、実施例2と全く同様にして媒
体を作成した。得られた媒体はPC/In2O3(SnO2)/Ti/Fe
TbCo/Tiの構成であった。
実施例2と同じテストをしたところ、実施例2と同様
の結果を得た。
の結果を得た。
[実施例6] 実施例2においてそのIn2O3層に代えて、SnO2を30wt
%含有するIn2O3からなるターゲットを用いてSnO2含有
のIn2O3層を形成した以外は、実施例2と全く同様にし
て媒体を作成した。得られた媒体はPC/In2O3(SnO2)/T
i/FeTbCo/Tiの構成であった。実施例2と同じテストを
したところ、実施例2と同様の結果を得た。
%含有するIn2O3からなるターゲットを用いてSnO2含有
のIn2O3層を形成した以外は、実施例2と全く同様にし
て媒体を作成した。得られた媒体はPC/In2O3(SnO2)/T
i/FeTbCo/Tiの構成であった。実施例2と同じテストを
したところ、実施例2と同様の結果を得た。
[実施例7] 直径200mm,厚さ1.2mmの円板で2.5μmピッチのグルー
ブを有するアクリル樹脂(PMMA)のディスク基板を3タ
ーゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(アネルバ
(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×10-7To
rr以下になるまで排気する。なお、基板1は水冷し、15
rpmで回転させた。
ブを有するアクリル樹脂(PMMA)のディスク基板を3タ
ーゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置(アネルバ
(株)製SPF−430型)の真空槽内に固定し、4×10-7To
rr以下になるまで排気する。なお、基板1は水冷し、15
rpmで回転させた。
次にAr,O2混合ガス(O220Vol%)を真空槽内に導入
し、圧力1×10-2Torrになるように混合ガスの流量を調
整し、直径100mm,厚さ5mmのInの円盤をターゲットと
し、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで高周波反応ス
パッタリングを行ない、誘電体層2としてIn2O3膜を約8
00Å堆積した。
し、圧力1×10-2Torrになるように混合ガスの流量を調
整し、直径100mm,厚さ5mmのInの円盤をターゲットと
し、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで高周波反応ス
パッタリングを行ない、誘電体層2としてIn2O3膜を約8
00Å堆積した。
続いて、ターゲットを記録層3堆積用のターゲットす
なわちNd7.5Dy17.5Fe52.5Co22.5合金(添数字は組成
(原子%)を示す)に変えAr(アルゴン)ガス(5N)を
真空槽に導入し上述と同様の放電条件でNdDyFeCo合金膜
を約1000Å堆積した。
なわちNd7.5Dy17.5Fe52.5Co22.5合金(添数字は組成
(原子%)を示す)に変えAr(アルゴン)ガス(5N)を
真空槽に導入し上述と同様の放電条件でNdDyFeCo合金膜
を約1000Å堆積した。
最後に保護層4として誘電体層2と同様にIn2O3膜を
約800Å堆積した。
約800Å堆積した。
以上の順序で第1図(a)に示すPMMA/In2O3/NdDyFeC
o/In2O3の積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。この
媒体の1点A(第1図(b)参照)の周囲を光学顕微鏡
にて観察し、欠点,剥離が無いことを確認した。
o/In2O3の積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。この
媒体の1点A(第1図(b)参照)の周囲を光学顕微鏡
にて観察し、欠点,剥離が無いことを確認した。
この積層体を60℃,90%RHの恒温高湿下に200時間放置
した。
した。
その後、光学顕微鏡にて上述の媒体の1点Aの周囲を
観察したが放置前と同様で欠点,剥離は無く、テスト前
に比し変化は無かった。
観察したが放置前と同様で欠点,剥離は無く、テスト前
に比し変化は無かった。
また、同一条件でIn2O3単独膜を作成し電気抵抗を測
定したところ表面抵抗は10MΩ/sq以上、対応する電気抵
抗率の値は8×10Ω・cm以上の絶縁性膜であった。
定したところ表面抵抗は10MΩ/sq以上、対応する電気抵
抗率の値は8×10Ω・cm以上の絶縁性膜であった。
[比較例4] 実施例2と同じ装置でIn2O3膜を作る時、基板温度を1
00℃,ターゲットをIn2O3(5wt%SnO2)焼結体,スパッ
タガスを純Arガス(5N)とする外は実施例2と同じ条件
でディスクを作成した。得られたIn2O3(SnO2)膜は、
表面抵抗500Ω/sq,電気抵抗率4×10-3Ω・cm以上の透
明導電膜であった。このディスクを900rpmで回転させ、
1.024MHzの信号を5.0mW半導体レーザ光で記録した後、
0.8mW半導体レーザ光で読み出したところC/Nは44dBであ
った。書き込みレーザ光パワーを8.5mWにあげたところ4
9dBの値が得られた。
00℃,ターゲットをIn2O3(5wt%SnO2)焼結体,スパッ
タガスを純Arガス(5N)とする外は実施例2と同じ条件
でディスクを作成した。得られたIn2O3(SnO2)膜は、
表面抵抗500Ω/sq,電気抵抗率4×10-3Ω・cm以上の透
明導電膜であった。このディスクを900rpmで回転させ、
1.024MHzの信号を5.0mW半導体レーザ光で記録した後、
0.8mW半導体レーザ光で読み出したところC/Nは44dBであ
った。書き込みレーザ光パワーを8.5mWにあげたところ4
9dBの値が得られた。
これより透明電極として用いられる導電性のIn2O3(S
nO2)膜を同一構成の多層膜として用いた媒体は、書き
込みレーザパワーのエネルギー損失が大きく好ましくな
いことが判明した。
nO2)膜を同一構成の多層膜として用いた媒体は、書き
込みレーザパワーのエネルギー損失が大きく好ましくな
いことが判明した。
第1図(a),(b)は実施例における積層体の断面
図,平面図である。 第2図は他の実施例における断面図である。 1:基板,2:誘電体層,3:記録層,4,5,6:保護層
図,平面図である。 第2図は他の実施例における断面図である。 1:基板,2:誘電体層,3:記録層,4,5,6:保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 和富 東京都日野市旭が丘4丁目3番2号 帝 人株式会社薄膜材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−209750(JP,A) 特開 昭58−215744(JP,A) 特開 昭63−197043(JP,A) 特開 昭63−195847(JP,A) 特開 昭63−149847(JP,A)
Claims (13)
- 【請求項1】透明合成樹脂基板上に透明誘電体層を介し
て光磁気記録層、更に必要に応じて保護層を設けた光磁
気記録媒体において、前記透明誘電体層がIn及びSnから
なる群から選ばれた少なくとも一つの元素の酸化物から
なる電気抵抗率が1×10-1・cm以上の誘電性の透明酸化
物層であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項2】前記透明酸化物層がIn2O3である特許請求
の範囲第1項記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項3】前記透明酸化物層がインジウム酸化物を主
成分として錫酸化物を含む混合酸化物である特許請求の
範囲第1項記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項4】前記インジウム酸化物がIn2O3であり錫酸
化物がSnO2である特許請求の範囲第3項記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項5】前記錫酸化物の含有量が30wt%以下である
特許請求の範囲第3項若しくは第4項記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項6】前記錫酸化物の含有量が7wt%以下である
特許請求の範囲第5項記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項7】前記錫酸化物の含有量が3wt%以下である
特許請求の範囲第6項記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項8】前記透明酸化物層が1≦X≦2のSnOXから
なる特許請求の範囲第1項記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項9】前記保護層として前記透明誘電体層と前記
記録層との間に金属チタン層を有する特許請求の範囲第
1項〜第8項記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項10】前記金属チタン層は厚さが50Å以下かつ
10Å以上である特許請求の範囲第9項記載の光磁気記録
媒体。 - 【請求項11】前記光磁気記録層の前記透明合成樹脂基
板側と反対側に第2の保護層を有する特許請求の範囲第
1項〜第10項記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項12】前記第2の保護層がIn及びSnからなる群
から選ばれた少なくとも1つの元素の酸化物層からなる
特許請求の範囲第11項記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項13】前記第2の保護層が金属チタンである特
許請求の範囲第11項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62322839A JP2550118B2 (ja) | 1986-12-26 | 1987-12-22 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP050,527 | 1986-12-26 | ||
JP61-308520 | 1986-12-26 | ||
JP30852086 | 1986-12-26 | ||
US5052787A | 1987-05-13 | 1987-05-13 | |
US050,527 | 1987-05-13 | ||
JP62322839A JP2550118B2 (ja) | 1986-12-26 | 1987-12-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63266651A JPS63266651A (ja) | 1988-11-02 |
JP2550118B2 true JP2550118B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=27338976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62322839A Expired - Lifetime JP2550118B2 (ja) | 1986-12-26 | 1987-12-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2550118B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58215744A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-15 | Yoshifumi Sakurai | 光熱磁気記録媒体 |
JPS62209750A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-14 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 光磁気記録媒体 |
JP2582059B2 (ja) * | 1986-12-12 | 1997-02-19 | 日本電信電話株式会社 | 光磁気記録媒体 |
JPS63195847A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-12 | Fujitsu Ltd | 光磁気デイスク |
JPS63197043A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-15 | Hitachi Ltd | 光デイスク |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62322839A patent/JP2550118B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63266651A (ja) | 1988-11-02 |
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