JP2550118B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［利用分野］ 本発明はレーザ等の光により情報の記録・再生・消去
等を行う光磁気記録媒体に関する。更に詳細には、透明
合成樹脂基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有
した金属薄膜よりなる記録層を形成し、磁化光学効果に
より情報を記録再生する光磁気記録に用いられる耐環境
性の秀れた光磁気記録媒体に関する。

［従来技術］ 光記録媒体は高密度・大容量の情報記録として種々の
研究開発が行なわれている。特に情報の消去可能な光磁
気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システムが発
表されており、その実用化が待望されている。

上述の光磁気記録材料としては、例えば、特開昭52−
31703号公報記載のFe Tb,特開昭56−126907号公報記載
のFe Tb Gd,特開昭58−73746号公報記載のFe Tb Co,Fe
Co Dy,特開昭61−165846号公報記載のFe Nd等既に多く
の提案がある。しかし、これらの情報の消去可能な光磁
気記録媒体の実用化には、記録・再生特性のより一層の
向上及びその記録層を構成する記憶材料の大半は酸化等
の腐蝕を起こしやすい為、その耐酸化性を含めた耐久性
を向上させることが必要と言われている。

これに対して、例えば特開昭59−110052号公報には、
光メモリ素子の記録層を少なくとも一方が誘電体層であ
る２層の酸素を含有しない膜間に挟持することにより記
録層の酸化を防止することが提案されている。またこの
ような基板と記録層との間に誘電体を設けてカー回転角
を向上させることが広く知られている。そしてこの場合
においては誘電体層は酸素を含有していないことが必要
であり、誘電体層としてはAlN,MgF₂,ZnS,CeF₃,AlF₃・3N
aF,Si₃N₄等の窒化物，弗化物等で形成されることが好ま
しいとされている。ところでこれらの中で耐環境性に秀
れているといわれるAlN,Si₃N₄等の窒化膜について検討
したところ、その製膜速度が遅いこと、また膜中ヒズミ
が大きく特にプラスチックス基板上に多層膜を形成した
場合、環境劣化試験によりグルーブに沿った剥離等が生
じる問題があり、耐酸化性とは別の面での耐久性での問
題があること等より一層の改善が必要なことがわかっ
た。

［発明の目的］ 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、透明合成
樹脂基板上に誘電体層を介して記録層を有する耐久性の
良い光磁気記録媒体を目的とするものである。すなわ
ち、具体的には前記記録媒体の環境安定化をはかり特に
基板と誘電体層界面の劣化によるワレ，剥離を防止する
ことを第１の目的とする。また誘電体層と光磁気合金層
との界面の安定化を第２の目的とする。また、プラスチ
ック基板よりあるいは基板を通し光磁気記録層界面に侵
入する特にH₂O等の劣化因子を抑制することを第３の目
的とする。

［発明の構成，作用］ 上述の目的は、以下の本発明により達成される。すな
わち本発明は透明合成樹脂基板上に誘電体層を介して光
磁気記録層、更には必要に応じ保護層を設けた光磁気記
録媒体において、前記誘電体層がIn及びSnからなる群か
ら選ばれた少なくとも一つの元素の酸化物からなり、電
気抵抗率が１×10^-1Ω・cm以上の誘電性の透明酸化物層
であることを特徴とする光磁気記録媒体である。なお、
以下この発明の光磁気記録媒体を本発明媒体，透明酸化
物層In及び／又はSnの酸化物層という。

本発明媒体において、In及び／又はSnの透明酸化物か
らなる誘電体層は、物理的堆積（Physical Vapor Depos
ition:PVD）法により形成される。

また本発明媒体において酸化物膜と光磁気膜との間に
金属チタン膜からなる保護層を設けることが耐酸化性，
耐透湿性の向上面から好ましい。金属チタン膜の膜厚は
記録・再生面から50Å以下、更には20Å以下が好まし
い。

本発明媒体の誘電体層はIn及び／又はSnの誘電性の酸
化物層で誘電体層の作用を奏するものであれば良いが、
記録特性面から電気抵抗率が１×10^-1Ωcm以上の不良導
電性の充分酸化された酸化物が好ましい。かかる酸化物
としては例えば酸素濃度が充分高く、かつ欠陥等による
キャリアー濃度の少ない酸化インジウム（In₂O₃）膜及
び／又は錫酸化物（SnOx）膜である。またIn₂O₃及び／
又はSnOx酸化物中に不純物としてTa,Sb,F等を含んだも
のでも良い。中でもIn₂O₃膜或いは錫酸化物を含む主と
してIn₂O₃からなる酸化物膜が耐久面，読み取りレーダ
ー電力が低い面から好ましい。なお、この酸化物の錫酸
化物の含有量は30wt％以下、好ましくは7wt％以下であ
り、屈折率の面から更に好ましくは3wt％以下である。

これらのIn₂O₃及び／又はSnOxの層は前述の通り、公
知の真空蒸着法，スパッタリング法等のPVD法で作られ
るが、高温高湿耐環境性試験で生じるハガレを生じさせ
ないためにプラスチック基板との接着性が大きい条件で
作製することが好ましい。この為にはスパッタリング法
が好ましい。

なお、本発明の誘電体層を構成するIn及び／又はSn金
属を含む誘電性の酸化膜には以下の通り透明導電層とし
て知られた膜例えば酸化インジウム膜，インジウム・錫
酸化物膜（ITO）等は含まれない。すなわに、透明導電
膜として知られている導電性の電気抵抗率が10^-2−10^-4
Ω・cmのIn及び／又はSn金属を含む酸化膜は熱伝導性も
良く、レーザ光によりスポット状に高温となる媒体記録
部よりの導電性酸化膜側への熱の散逸が起り、必要記録
レーザパワーが高くなること、またビット形状が乱れC/
Nが低下する。更に、高湿度雰囲気において鉄系合金層
と導電性酸化物層との間に電気化学的電流が流れ、光磁
気記録媒体の環境劣化を促進する。このため、In及び／
又はSn含有の導電性酸化物層は光磁気記録媒体への適用
は困難である。更に、電気抵抗率が10^-4Ω・cm程度の導
電性のIn又は／及びSnを含む酸化物層はキャリア−濃度
が高くプラズマ振動による近赤外レーザ光に対する反射
損失が生じる。

さらにポリカーボネート，アクリル樹脂等の透明プラ
スチックディスク基板に通常In及び／又はSn金属を含む
酸化膜を透明導電膜として形成するためには通常膜形成
時100℃程度の基板加熱が必要となり、この熱的因子に
よりプラスチック基板表面のグルーブが乱れ良好な媒体
の実現は困難である。以上より本発明には上述の透明導
電膜は適用されない。

本発明媒体においては、透明酸化物層はインジウムあ
るいは錫の酸化物、更にはこれらの両金属を含む酸化物
からなる。

本発明媒体において、錫酸化物層は誘電性具体的には
その電気抵抗率が１×10^-1Ω・cm以上の錫の酸化物であ
れば、いかなるものでも良い。好ましくは、記録・再生
に使用されるレーザー光の吸収が小さい点から１≦Ｘ≦
２のSnOxである。

In及び／又はSnを含む酸化物からなる誘電体層の屈折
率は読み出しレーザー光の波長に対して1.7以上でなけ
ればならず、更にカー回転角を適当に増加させる面から
は1.9以上が好ましい。

次にIn及び／又はSn含有の酸化物層の効果を、従来技
術の対比しつつ説明する。

透明プラスチック基板を用い、膜面反射によるカー回
転角を大きくする為基板と光磁気記録層との間に誘電体
層を設けた従来の光磁気記録媒体では、前述の通り誘電
体膜として代表的な公知のSiO,ZnS,AlN,Si₃N₄等を用い
ディスクを構成した場合、高温高湿及び又はヒートサイ
クルによる耐久性試験を行うとディスクに亀裂がはいり
光磁気特性が急に劣化することが観察された。これは本
発明者らの研究によれば、主にプラスチック基板界面で
の誘電体膜のはがれに起因する。

ところが本発明による誘電体層にIn及び／又はSn金属
の誘電性の酸化膜を用いたディスクではおどろくべきこ
とにこの界面での劣化によるハクリは生じず、ディスク
の耐久性が著しく改善される作用があることを見出し
た。これは該In及び／又はSn金属の酸化膜とプラスチッ
ク界面、特にポリカーボネート基板との親和性が大きい
ことによるものと思われる。これらの改良は通常の環境
下での長期安定性と共にヒートサイクル，ヒートショッ
クに対して特に有効となる。また、さらに本発明の酸化
物膜の誘電体層と光磁気記録層との間にTiの薄膜を設け
ることにより酸化物表面に吸着するO₂あるいはH₂Oをト
ラップする作用があり、酸素による光磁気記録層の劣化
を防ぎ、耐久性をより増すことができる。Tiの熱膨脹率
は誘電体層と記録層の鉄系合金の熱膨脹率の中間値とな
るので、そのインターフェースでの熱的ショックに起因
するストレスが減少し、媒体は安定化する。保護層のチ
タンは酸化されるが、その屈折率は元々1.8以上であ
り、その変化は小さい。チタンは屈折率の酸化への依存
性が上述の小さい範囲にある限り合金であっても良い。
チタン保護層は記録・再生面から50Å以下の厚さが好ま
しく、この場合にこの層により光吸収は20％以下とな
る。厚み20Å以下のチタン保護層が該光吸収が５％以下
である点で更に好ましい。

次に本発明媒体、すなわちIn及び／又はSnの誘電性透
明酸化物層の誘電体層を備えたもの、この誘電体層と記
録層との間にチタン保護層を備えたものにおける光磁気
記録層，合成樹脂基板，光磁気記録層の保護層について
説明する。

本発明の光磁気記録層としては、光磁気効果により記
録，再生できるものであれば良く、公知の膜面に垂直な
方向に磁化容易方向を有し任意の反転磁区を作ることに
より光磁気効果に基いて情報の記録再生が可能な磁性金
属薄膜、例えばFe Tb合金系のFe Tb Co合金,Fe Tb Gd合
金等,FeCoDyNd,FeCoDyNdTi等のFe−Nd系の合金,Fe−Pr,
Fe−Sm,Fe−Ce系の各合金等が適用できる。

本発明における合成樹脂基板としてはポリカーボネー
ト樹脂，アクリル樹脂，エポキシ樹脂,4−メチル−ペン
テン樹脂などまたそれらの共重合体などが適用できる
が、機械強度，耐候性，耐熱性、透湿量の点でポリカー
ボネート樹脂が好ましい。

本発明の光磁気記録層の基板と反対側に設ける保護膜
としては、誘電体及び／又は金属等が用いられる。保護
膜の場合は酸化物膜と異なりプラスチック基板との接着
性は特に問題とならないため誘電体としてはAlN,MgF₂,Z
nS,CeF₃,AlF₃・3NaF,Si₃N₄,SiO,SiO₂,TiO₂,Zr₂O₃,In₂O₃
などの窒化物，弗化物，酸化物などが適用できる。また
金属としては熱伝導度の小さい物質、すなわちTi,Zr等
好ましい。これらは公知の真空蒸着法，スパッタリング
法で作製できる。

以上の通り本発明はプラスチック基板上に誘電性のIn
及び／又はSn金属の酸化膜を設けることにより耐環境性
が極めて秀れ且つカー回転角の向上により秀れた動特性
を有する光磁気媒体を実現したものである。

以下、本発明の実施例を説明する。

［実施例１］ 直径200mm,厚さ1.2mmの円板で2.5μｍピッチのグルー
ブを有するアクリル樹脂（PMMA）のディスク基板を３タ
ーゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置（アネルバ
（株）製SPF−430型）の真空槽内に固定し、４×10^-7To
rr以下になるまで排気する。なお、基板１は水冷し、15
rpmで回転させた。

次にAr,O₂混合ガス（O₂20Vol％）を真空槽内に導入
し、圧力１×10^-2Torrになるように混合ガスの流量を調
整し、直径100mm,厚さ5mmのInの円盤をターゲットと
し、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで高周波反応ス
パッタリングを行ない、誘電体層２としてIn₂O₃膜を約8
00Å堆積した。続いて、記録層３としてターゲットをFe
₆₉Tb₂₃Co₈合金（添数字は組成（原子％）を示す）に変
えAr（アルゴン）ガス（5N）を真空槽に導入し上述と同
様の放電条件でFe Tb Co合金膜を約1000Å堆積した。

最後に保護層４として誘電体層２と同様にIn₂O₃膜を
約800Å堆積した。

以上の順序で第１図（ａ）に示すPMMA/In₂O₃/TbFeCo/
In₂O₃の積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。この媒
体の１点（第１図（ｂ）参照）の周囲を光学顕微鏡にて
観察し、欠点，剥離が無いことを確認した。

この積層体を60℃,90％RHの恒温恒湿下に90時間放置
した。

その後、光学顕微鏡にて前述の媒体の１点Ａの周囲を
観察したが放置前と同様で欠点，剥離は無かった。ま
た、同一条件でIn₂O₃単独膜を作成し電気抵抗を測定し
たところ表面抵抗は10MΩ/sq以上、対応する電気抵抗率
の値は８×10Ω・cm以上の絶縁性膜であった。

［比較例１］ 直径200mm,厚さ1.2mmの円板で2.5μｍピッチのグルー
ブを有するアクリル樹脂（PMMA）のディスク基板を３タ
ーゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置（アネルバ
（株）製SPF−430型）の真空槽内に固定し、４×10^-7To
rr以下になるまで排気する。なお基板１は水冷し、15rp
mで回転させた。

次にAr,N₂混合ガス（N₂50Vol％）を真空槽内に導入
し、圧力１×10^-2Torrになるように混合ガスの流量を調
整し、直径100mm,厚さ5mmのSiの円盤をターゲットと
し、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで高周波反応ス
パッタリングを行ない、誘電体層２としてSin膜を約800
Å堆積した。

続いて、記録層３としてターゲットをFe₆₉Tb₂₃Co₈合
金（添数字は組成（原子％）を示す）に変え上述と同様
の放電条件でFe Tb Co合金膜を約1000Å堆積した。

最後に保護層４として誘電体層２と同様にSiN膜を約8
00Å堆積した。

以上の順序で第１図（ａ）に示すPMMA/SiN/TbFeCo/Si
Nの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。

実施例１と同様に、この媒体の１点Ａ（第１図（ｂ）
参照）の周囲を光学顕微鏡にて観察し、欠点，剥離が無
いことを確認した。

この積層体を60℃,90％RHの恒温恒湿下に90時間放置
した。

その後、光学顕微鏡にて前述の媒体の１点Ａの周囲を
観察すると、グルーブに沿った剥離が観察された。剥離
部分をＸ線マイクロアナライザー（XMA）により元素の
面分析を行なったところ誘電体層２の部分から剥離が生
じていることが確認された。

実施例1,比較例１より本発明の有為性が示された。

［実施例２］ 直性200mm,厚さ1.2mmの円板で1.6μｍピッチのグルー
ブを有するポリカーボネート樹脂（PC）のディスク基板
を３ターゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ（株）製SPF−430型）の真空槽内に固定し、４×
10^-7Torr以下になるまで排気する。なお、基板１は水冷
し、15rpmで回転させた。

次にAr,O₂混合ガス（O₂10Vol％）を真空槽内に導入
し、圧力１×10^-2TorrになるようにAr,O₂混合ガスの流
量を調整し、直径100mm,厚さ5mmのIn₂O₃焼結体の円盤を
ターゲットとし、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで
高周波反応スパッタリングを行ない、誘電体層２として
In₂O₃膜を約800Å堆積した。

続いて、第１の保護層５としてターゲットをTiに変え
Arガス（5N）を真空槽内に導入し上述と同様の放電条件
でTi膜を約10Å堆積した。

更に記録層３としてターゲットをFe₆₉Tb₂₃Co₈合金
（添数字は組成（原子％）を示す）に変えArガス（5N）
を真空槽内に導入し上述と同様の放電条件でFe Tb Co合
金膜を約1000Åに堆積した。

なお、上述の各膜形成のときIn₂O₃膜,Ti膜及びFe Tb
Co合金膜は直径200mmの基板上において中心から半径90m
mまで堆積する様にマスクが設置されている。

最後にこのマスクを取り外し基板全面に膜が堆積する
様にし、第２の保護層６としてTiターゲットに変え、上
述と同様の放電条件でTi膜を約200Å堆積した。

以上の順序で第２図に示す第２の保護層６により記録
層３を含む全層の側面まで被覆したPC/In₂O₃/Ti/Fe Tb
Co/Tiの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。

この積層体のC/N［なお、C/N＝S/N＋10log（雑音帯
域）／（分解能帯域幅）］を測定した。この測定は光磁
気記録再生装置（ナカミチOMS−1000Type（III））を用
い、900rpmでディスクを回転させ1.024MHzの信号を5.0m
W半導体レーザ光で記録したのち、0.8mWの半導体レーザ
光で読み出した。印加磁界は500Oe（エルステッド）で
ある。結果を表１の実施例２に示す。

次にこの積層体を60℃,90％RHの恒温，恒湿下に500時
間放置した。その後のC/Nを測定した。結果を表１の実
施例２に示す。

なお、得られたIn₂O₃膜の表面抵抗は10MΩ/sq以上で
電気抵抗率は８×10Ω・cm以上の絶縁性の膜であった。

［比較例２］ 直性200mm,厚さ1.2mmの円板で1.6μｍピッチのグルー
ブを有するポリカーボネート樹脂（PC）のディスク基板
を３ターゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ（株）製SPF−430型）の真空槽内に固定し、４×
10^-7Torr以下になるまで排気する。なお、基板１は水冷
し、15rpmで回転させた。

次にArガス（5N）を真空槽内に導入し、圧力１×10^-2
TorrになるようにArガスの流量を調整し、直径100mm,厚
さ5mmのZnSの円盤をターゲットとし、放電電力100W,放
電周波数13.56MHzで高周波スパッタリングを行ない、誘
電体層２としてZnS膜を約800Å堆積した。

続いて、記録層３としてターゲットをFe₆₉Tb₂₃Co₈合
金（添数字は組成（原子％）を示す）に変え上述と同様
の放電条件でFe Tb Co合金膜を約1000Å堆積した。

最後に保護層４としてZnSターゲートに変え、上述の
同様の放電条件でZnS膜を約800Å堆積した。

以上の順序で第１図（ａ）に示す積層構成で保護層４
により記録層３を含む全層の側面まで被覆したPC/ZnS/F
e Tb Co/ZnSの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。

この積層体のC/Nを実施例２と同じ条件で測定した。
結果を表１の比較例２に示す。

次にこの積層体を60℃,90％RHの恒温恒湿下に500時間
放置した。その後のC/Nを測定した。ディスクを観察し
たところ媒体面に多くのワレが観測された。結果を表１
の比較例２に示す。

表１から明らかなごとく本実施例２においてC/N及び
外観は全く変化していないのに対し、比較例２において
C/Nは51dBから44dBへ減少し、外観も腐蝕劣化と思われ
るシワが認められた。

上述のごとく本発明の有為性が示された。

［実施例３］ 直径200mm,厚さ1.2mmの円板で1.6μｍピッチのグルー
ブを有するポリカーボネート樹脂（PC）のディスク基板
を３ターゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置（ア
ネルバ（株）製SPF−430型）の真空槽内に固定し、４×
10^-7Torr以下になるまで排気する。なお、基板１は水冷
し、15rpmで回転させた。

次にAr,O₂混合ガス（O₂20Vol％）を真空槽内に導入
し、圧力２×10^-2TorrになるようにAr,O₂混合ガスの流
量を調整し、直径100mm,厚さ5mmのSnO₂焼結体の円盤を
ターゲットとし、放電電力50W,放電周波数13.56MHzで高
周波スパッタリングを行い、誘電体層２としてSnO₂膜を
約800Å堆積した。

続いて第１の保護層５としてターゲットをTiに変えAr
ガス（5N）を真空槽内に導入し上述と同様の放電条件で
Ti膜を約10Å堆積した。

更に記録層３としてターゲットをTbFeCo複合ターゲッ
トに変えArガス（5N）を真空槽内に導入し上述と同様の
放電条件でFeTbCo合金膜を約1000Å堆積した。

最後に第２の保護層６としてTiターゲットに変え、上
述と同様の放電条件でTiを約200Å堆積した。

以上の順序で第２図に示す第２の保護層６により記録
層３を含む全層の側面まで被覆したPC/SnOx/Ti/FeTbCo/
Tiの積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。

この積層体のC/N［なお、C/N＝S/N＋10log（雑音帯
域）／（分解能帯域幅）］を測定した。この測定は光磁
気記録再生装置（ナカミチOMS−1000Tmpe（III））を用
い、900rpmでディスクを回転させ1.024MHzの信号を7.5m
W半導体レーザ光で記録したのち、0.8mWの半導体レーザ
光で読み出した。印加磁界は500Oe（エルステッド）で
ある。結果を表２の実施例３に示す。

次にこの積層体を60℃,90％RHの恒温，恒湿下に500時
間放置した。その後のC/Nを測定した。結果を表２の実
施例３に示す。又ディスク面から観察したところ、腐蝕
劣化で見られるシワ，シミ等は見られなかった。表２に
は比較のため前述の比較例２の結果を併記してある。

なお、得られたSnO₂の膜の表面抵抗は10MΩ/sq以上で
電気抵抗率は８×10Ω・cm以上の絶縁性の膜であった。
更にその屈折率をエリプソメータ（溝尻光学（株）製）
を用いて測定したところ、このSnO₂膜は波長830nmにお
いて2.0の屈折率を持つことがわかった。

表２から明らかなごとく本実施例３においてC/N及び
外観はほとんど変化していないのに対し、比較例２にお
いてC/Nは51dBから44dBへ減少し、外観も腐蝕劣化と思
われるシワが認められた。

なお、実施例２よりも本例の方が半導体レーザによる
書き込みパワーが大きいのは、In₂O₃層よりSnOx層の屈
折率が小さいことによると思われる。

［実施例４］ 耐食性評価の１つとして以下の検討を行なった。

1000Åの膜厚の誘電性のSnO₂含有のIn₂O₃薄膜を水冷
した10×20mm角,1.2mm厚のガラス基板上に実施例２と同
様に高周波スパッタ法により形成した。スパッタ条件は
Ar/O₂混合ガス（O₂;20Vol％）でガス圧は１×10^-2Torr,
ターゲットはIn−Sn（Sn;5wt％）合金であった。形成さ
れたSnO₂含有のIn₂O₃膜は電気抵抗率が１×10Ω・cm
で、表面抵抗が100MΩ/sq以上で誘電体であった。

光磁気膜は、同じ寸法の1.2mm厚のポリカーボネート
基板上に、実施例２と同様にFe₆₉Co₈Tb₂₃合金ターゲッ
トを用い高周波マグネトロンスパッタ法でArガス雰囲気
下、形成した。

このようにして形成した２つの膜を電極にして、5cm
間隔で対向させて0.1mol/のNaCl溶液に浸し、120分間
で電極間に流れる電流を測定した。電流はわずかに流
れ、総電荷量は1.4×10^-2クーロンであった。

［比較例３］ 1000Åの膜厚の誘電性のSnO₂含有のIn₂O₃薄膜を実施
例２と同じ装置を用い、高周波スパッタ法により実施例
４と同じ寸法のガラス基板上に形成した。ターゲットは
In₂O₃−SnO₂（5wt％SnO₂）焼結ターゲットでAr雰囲気
中、１×10^-2Torrのガス圧で基板温度は130℃とした。
形成されたSnO₂含有のIn₂O₃膜は電気抵抗率が５×10^-3
Ω・cmで表面抵抗が500Ω/sqの透明導電膜であった。

実施例４と同じのボリカーボネート上に形成したFeCo
Tbの光磁気膜を対向する電極とし、実施例４と同じよう
にして0.1mol/のNaCl溶液に浸したところ電極間にか
なりの電流が流れた。120分の間の電荷の総量は1.3クー
ロンであった。

前述の実施例４との比較により、高湿度雰囲気下では
比較例３の如き導電性の前記In₂O₃膜上に形成した光磁
気膜では局部電池が形成され劣化の原因となることが確
認され、実施例４の如き誘電性の前記In₂O₃膜ではかか
る劣化が大巾に改善されることが確認された。

［実施例５］ 実施例２において、そのIn₂O₃層に替えてSnO₂を7wt％
含有するIn₂O₃からなるターゲットを用いてSnO₂含有のI
n₂O₃層を形成する以外は、実施例２と全く同様にして媒
体を作成した。得られた媒体はPC/In₂O₃（SnO₂）/Ti/Fe
TbCo/Tiの構成であった。

実施例２と同じテストをしたところ、実施例２と同様
の結果を得た。

［実施例６］ 実施例２においてそのIn₂O₃層に代えて、SnO₂を30wt
％含有するIn₂O₃からなるターゲットを用いてSnO₂含有
のIn₂O₃層を形成した以外は、実施例２と全く同様にし
て媒体を作成した。得られた媒体はPC/In₂O₃（SnO₂）/T
i/FeTbCo/Tiの構成であった。実施例２と同じテストを
したところ、実施例２と同様の結果を得た。

［実施例７］ 直径200mm,厚さ1.2mmの円板で2.5μｍピッチのグルー
ブを有するアクリル樹脂（PMMA）のディスク基板を３タ
ーゲットの高周波マグネトロンスパッタ装置（アネルバ
（株）製SPF−430型）の真空槽内に固定し、４×10^-7To
rr以下になるまで排気する。なお、基板１は水冷し、15
rpmで回転させた。

次にAr,O₂混合ガス（O₂20Vol％）を真空槽内に導入
し、圧力１×10^-2Torrになるように混合ガスの流量を調
整し、直径100mm,厚さ5mmのInの円盤をターゲットと
し、放電電力100W,放電周波数13.56MHzで高周波反応ス
パッタリングを行ない、誘電体層２としてIn₂O₃膜を約8
00Å堆積した。

続いて、ターゲットを記録層３堆積用のターゲットす
なわちNd_7.5Dy_17.5Fe_52.5Co_22.5合金（添数字は組成
（原子％）を示す）に変えAr（アルゴン）ガス（5N）を
真空槽に導入し上述と同様の放電条件でNdDyFeCo合金膜
を約1000Å堆積した。

最後に保護層４として誘電体層２と同様にIn₂O₃膜を
約800Å堆積した。

以上の順序で第１図（ａ）に示すPMMA/In₂O₃/NdDyFeC
o/In₂O₃の積層体すなわち光磁気記録媒体を得た。この
媒体の１点Ａ（第１図（ｂ）参照）の周囲を光学顕微鏡
にて観察し、欠点，剥離が無いことを確認した。

この積層体を60℃,90％RHの恒温高湿下に200時間放置
した。

その後、光学顕微鏡にて上述の媒体の１点Ａの周囲を
観察したが放置前と同様で欠点，剥離は無く、テスト前
に比し変化は無かった。

また、同一条件でIn₂O₃単独膜を作成し電気抵抗を測
定したところ表面抵抗は10MΩ/sq以上、対応する電気抵
抗率の値は８×10Ω・cm以上の絶縁性膜であった。

［比較例４］ 実施例２と同じ装置でIn₂O₃膜を作る時、基板温度を1
00℃，ターゲットをIn₂O₃（5wt％SnO₂）焼結体，スパッ
タガスを純Arガス（5N）とする外は実施例２と同じ条件
でディスクを作成した。得られたIn₂O₃（SnO₂）膜は、
表面抵抗500Ω/sq,電気抵抗率４×10^-3Ω・cm以上の透
明導電膜であった。このディスクを900rpmで回転させ、
1.024MHzの信号を5.0mW半導体レーザ光で記録した後、
0.8mW半導体レーザ光で読み出したところC/Nは44dBであ
った。書き込みレーザ光パワーを8.5mWにあげたところ4
9dBの値が得られた。

これより透明電極として用いられる導電性のIn₂O₃（S
nO₂）膜を同一構成の多層膜として用いた媒体は、書き
込みレーザパワーのエネルギー損失が大きく好ましくな
いことが判明した。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ），（ｂ）は実施例における積層体の断面
図，平面図である。 第２図は他の実施例における断面図である。 1:基板,2:誘電体層,3:記録層,4,5,6:保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 和富 東京都日野市旭が丘４丁目３番２号 帝 人株式会社薄膜材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭62−209750（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−215744（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−197043（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−195847（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−149847（ＪＰ，Ａ)

Claims (13)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明合成樹脂基板上に透明誘電体層を介し
   て光磁気記録層、更に必要に応じて保護層を設けた光磁
   気記録媒体において、前記透明誘電体層がIn及びSnから
   なる群から選ばれた少なくとも一つの元素の酸化物から
   なる電気抵抗率が１×10^-1・cm以上の誘電性の透明酸化
   物層であることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】前記透明酸化物層がIn₂O₃である特許請求
   の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】前記透明酸化物層がインジウム酸化物を主
   成分として錫酸化物を含む混合酸化物である特許請求の
   範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】前記インジウム酸化物がIn₂O₃であり錫酸
   化物がSnO₂である特許請求の範囲第３項記載の光磁気記
   録媒体。
5. 【請求項５】前記錫酸化物の含有量が30wt％以下である
   特許請求の範囲第３項若しくは第４項記載の光磁気記録
   媒体。
6. 【請求項６】前記錫酸化物の含有量が7wt％以下である
   特許請求の範囲第５項記載の光磁気記録媒体。
7. 【請求項７】前記錫酸化物の含有量が3wt％以下である
   特許請求の範囲第６項記載の光磁気記録媒体。
8. 【請求項８】前記透明酸化物層が１≦Ｘ≦２のSnO_Xから
   なる特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
9. 【請求項９】前記保護層として前記透明誘電体層と前記
   記録層との間に金属チタン層を有する特許請求の範囲第
   １項〜第８項記載の光磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】前記金属チタン層は厚さが50Å以下かつ
    10Å以上である特許請求の範囲第９項記載の光磁気記録
    媒体。
11. 【請求項１１】前記光磁気記録層の前記透明合成樹脂基
    板側と反対側に第２の保護層を有する特許請求の範囲第
    １項〜第10項記載の光磁気記録媒体。
12. 【請求項１２】前記第２の保護層がIn及びSnからなる群
    から選ばれた少なくとも１つの元素の酸化物層からなる
    特許請求の範囲第11項記載の光磁気記録媒体。
13. 【請求項１３】前記第２の保護層が金属チタンである特
    許請求の範囲第11項記載の光磁気記録媒体。