JPS62209750A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPS62209750A JPS62209750A JP5285386A JP5285386A JPS62209750A JP S62209750 A JPS62209750 A JP S62209750A JP 5285386 A JP5285386 A JP 5285386A JP 5285386 A JP5285386 A JP 5285386A JP S62209750 A JPS62209750 A JP S62209750A
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- Japan
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- layer
- oxide semiconductor
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 32
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 abstract description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002070 thin film alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し、レー
ザー光等の熱お光を介して反転磁区を作ることにより情
報を記録し、磁気光学効果（）１ラデー効果あるいはカ
ー効果）を利用して読み出すことのできる光磁気記録媒
体に関するものである。
ザー光等の熱お光を介して反転磁区を作ることにより情
報を記録し、磁気光学効果（）１ラデー効果あるいはカ
ー効果）を利用して読み出すことのできる光磁気記録媒
体に関するものである。
（発明の概要）
本発明の光磁気記録媒体においては、透明な有機物基板
あるいはガラス基板上に酸化物半導体からなる第一層、
記録膜からなる第二膜、さらに保護膜からなる第三層で
構成することにより、断熱機能を有し、基板への熱拡散
を防止して書き込み効率を向上させることができる。
あるいはガラス基板上に酸化物半導体からなる第一層、
記録膜からなる第二膜、さらに保護膜からなる第三層で
構成することにより、断熱機能を有し、基板への熱拡散
を防止して書き込み効率を向上させることができる。
また本発明は、第一層の酸化物半導体の膜厚を変えるこ
とにより、再生時のカー回転角を大きくすることができ
る。特に、酸化物半導体が５ｎＱｚ。
とにより、再生時のカー回転角を大きくすることができ
る。特に、酸化物半導体が５ｎＱｚ。
Ｉｎ２Ｏ５，あるいはＳｎＯ２とＩｎ２（）ｕ）混合体
であり、膜厚が１５００オングストローム以下のとき、
カー回転角は光磁気記録媒体の単層に比べ３〜５倍
゛の値を有する。
であり、膜厚が１５００オングストローム以下のとき、
カー回転角は光磁気記録媒体の単層に比べ３〜５倍
゛の値を有する。
さらに本発明の記録層をＴｂ「ｃＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ
、 ＧｄＴｂＦｅＣｏにすることにより、再生時にはカ
ー回転角を大ぎくしで良好なＳ／Ｎ比での読み取りを可
能とすることができる。
、 ＧｄＴｂＦｅＣｏにすることにより、再生時にはカ
ー回転角を大ぎくしで良好なＳ／Ｎ比での読み取りを可
能とすることができる。
（従来の技術）
一般に、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄
膜をガラス、ＰＣ，ＰＭＭＡ等の透明基板面上に形成さ
せ、キュリ一点あるいは、磁気内袖ｔａｔ温度を利用し
て光ビームにより反転磁区を作ることによって情報を記
録させ、記録させた情報を磁気光学効果を利用して読み
出す光磁気記録が知られている。
膜をガラス、ＰＣ，ＰＭＭＡ等の透明基板面上に形成さ
せ、キュリ一点あるいは、磁気内袖ｔａｔ温度を利用し
て光ビームにより反転磁区を作ることによって情報を記
録させ、記録させた情報を磁気光学効果を利用して読み
出す光磁気記録が知られている。
従来、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性記録
膜としては、ＧｄＣｏ、 Ｇｄ［ｅ、 Ｔ旧’ｅ、 Ｇ
ｄＴ旧：ｅ等の希土類元素と遷移金属との組み合せから
なる非晶質合金、多結晶体であるＨｎＢｉ、 ＨｎＢｉ
Ｃｕ、 ＰｔＣ。
膜としては、ＧｄＣｏ、 Ｇｄ［ｅ、 Ｔ旧’ｅ、 Ｇ
ｄＴ旧：ｅ等の希土類元素と遷移金属との組み合せから
なる非晶質合金、多結晶体であるＨｎＢｉ、 ＨｎＢｉ
Ｃｕ、 ＰｔＣ。
等、ガーネット系であるＧｄＩＧ等、金属酸化物である
ＣｏＦｃ２０１１． ＴｂＦｅＯ３等の研究が進められ
てきた。
ＣｏＦｃ２０１１． ＴｂＦｅＯ３等の研究が進められ
てきた。
ＴｂＦｅ等の非晶質磁性薄膜合金は、大面積の薄膜を室
温付近の温度で製作する製膜性、信号を小さな光熱エネ
ルギーで書き込むための書き込み効率がすぐれており、
また多結晶体、ガーネット系。
温付近の温度で製作する製膜性、信号を小さな光熱エネ
ルギーで書き込むための書き込み効率がすぐれており、
また多結晶体、ガーネット系。
金属酸化物等は磁気光学効果（ファラデー効果あるいは
カー効果）が大ぎいという特徴を有している。
カー効果）が大ぎいという特徴を有している。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながらこれらの記録膜は、ガラス基板の熱伝導率
が大きいため、記録時における熱拡散により、書き込み
効率が低下しでしまう。そこで一般的には、熱伝導率の
低いプラスチック基板を用いたり、基板を記録層の間に
断熱層を設【プた構成のものが使用されている。
が大きいため、記録時における熱拡散により、書き込み
効率が低下しでしまう。そこで一般的には、熱伝導率の
低いプラスチック基板を用いたり、基板を記録層の間に
断熱層を設【プた構成のものが使用されている。
一方光を用いて光磁気記録を再生する場合カー効果ある
いはファラデー効果により再生出力を得ている。反射光
による磁気光学効果（カー効果）を利用した読み出しＳ
／Ｎ比は、反射率をＲ，カー回転角をθにとすると、贋
−θｋに比例づ′る。
いはファラデー効果により再生出力を得ている。反射光
による磁気光学効果（カー効果）を利用した読み出しＳ
／Ｎ比は、反射率をＲ，カー回転角をθにとすると、贋
−θｋに比例づ′る。
したがって、Ｓ／Ｎ比を良く読み出す為には、カー回転
角および反射率が大きな値をもだなりればならない。し
かし非晶質合金Ｎ膜は、カー回転角が０．３〜０．５°
と大きくない。そこでカー回転角を大きくするために、
記録体に地元系を添加したり、基板と記録膜の間に誘電
体層を設りたすしているが、まだ充分な材料は見あたら
ない。
角および反射率が大きな値をもだなりればならない。し
かし非晶質合金Ｎ膜は、カー回転角が０．３〜０．５°
と大きくない。そこでカー回転角を大きくするために、
記録体に地元系を添加したり、基板と記録膜の間に誘電
体層を設りたすしているが、まだ充分な材料は見あたら
ない。
そこで、本発明は従来のこのような欠点を解決し、光熱
エネルギーで書き込む書き込み効率の高い、再生時のＳ
／Ｎ比の良好な光磁気記録媒体を提供することを目的と
している。
エネルギーで書き込む書き込み効率の高い、再生時のＳ
／Ｎ比の良好な光磁気記録媒体を提供することを目的と
している。
（問題点を解決するための手段）
上記の問題を解決するためにこの発明は、透明な有機物
あるいはガラス基板の上に酸化物半導体からなる第１層
、記録層からなる第２層、さらに保護膜からなる第三層
で構成することにより、とりわけ、酸化物半導体をＳｎ
Ｏ２，Ｉｎ２Ｏ５あるいはＳｎＯ２とＩｎ２Ｑ３の混合
体にすることにより、記録時に効率良く書き込むことを
可能とすることができ、磁気カー回転角を光磁気記録媒
体の単層に比べ、３〜５倍の大きな値をもつことができ
る。さらに記録膜をＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏにすることにより、再生時にはカー回
転角を十分大きくして良好なＳ／Ｎ比での読み出しを可
能とすることができる。
あるいはガラス基板の上に酸化物半導体からなる第１層
、記録層からなる第２層、さらに保護膜からなる第三層
で構成することにより、とりわけ、酸化物半導体をＳｎ
Ｏ２，Ｉｎ２Ｏ５あるいはＳｎＯ２とＩｎ２Ｑ３の混合
体にすることにより、記録時に効率良く書き込むことを
可能とすることができ、磁気カー回転角を光磁気記録媒
体の単層に比べ、３〜５倍の大きな値をもつことができ
る。さらに記録膜をＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ、
ＧｄＴｂＦｅＣｏにすることにより、再生時にはカー回
転角を十分大きくして良好なＳ／Ｎ比での読み出しを可
能とすることができる。
（実施例）
以下この発明の実施例にもとずいて説明する。
これらの膜は、スパッタリング法により作製したが真空
蒸着法、イオンブレーティング法などその他の多くの物
理的ペイバーディポジション法によっても作製すること
ができる。
蒸着法、イオンブレーティング法などその他の多くの物
理的ペイバーディポジション法によっても作製すること
ができる。
高周波スパッタ装置において、直径１２ｒ、ｍのガラス
を基板とし、ターゲットとして直径１５ｃｍの５ｎＯｚ
および直径１５ｃｍの「ｅ上に１０＃ｌＩ＋＋角のＴｂ
、 Ｃ。
を基板とし、ターゲットとして直径１５ｃｍの５ｎＯｚ
および直径１５ｃｍの「ｅ上に１０＃ｌＩ＋＋角のＴｂ
、 Ｃ。
を均一にならべたものを使用した。チャンバー内を２．
０Ｘ１０’トール以下まで真空排気した後、Ａｒ’：０
２＝１０：１の混合ガス圧を２．５Ｘ１０−２トールに
し、第一層目の５ｎＯｚを８００オングストローム製膜
した。次にチャンバー内を再び２．０Ｘ１０”７トール
以下まで真空排気した後、Ａｒガス圧を２．５Ｘ１０−
２トールにし、第二層目の記録膜ＴｂＦｅＣｏを１００
０オングストローム製膜した。
０Ｘ１０’トール以下まで真空排気した後、Ａｒ’：０
２＝１０：１の混合ガス圧を２．５Ｘ１０−２トールに
し、第一層目の５ｎＯｚを８００オングストローム製膜
した。次にチャンバー内を再び２．０Ｘ１０”７トール
以下まで真空排気した後、Ａｒガス圧を２．５Ｘ１０−
２トールにし、第二層目の記録膜ＴｂＦｅＣｏを１００
０オングストローム製膜した。
そしてチャンバー内を再び２．０Ｘ１０”７トール以下
まで真空排気後、Ａｒ：０２＝ １０ ： １の混合ガ
ス圧を２．５Ｘ１０’トールにし、第三層目のＳｎＯ２
を１０００オングストローム製膜した。第３図は、実施
例を示したものである。情報の記録再生する場合には、
レーザー光を第３図矢印の方向から照射する。カー回転
角は、発振波長６３３ ｎｍのｔｌｅ−Ｎｅレーザーで
測定したとこる１、５麿であった。
まで真空排気後、Ａｒ：０２＝ １０ ： １の混合ガ
ス圧を２．５Ｘ１０’トールにし、第三層目のＳｎＯ２
を１０００オングストローム製膜した。第３図は、実施
例を示したものである。情報の記録再生する場合には、
レーザー光を第３図矢印の方向から照射する。カー回転
角は、発振波長６３３ ｎｍのｔｌｅ−Ｎｅレーザーで
測定したとこる１、５麿であった。
第１実施例にお（プる第一層目のＳｎＯ２膜の膜厚を変
化させる以外は、第１実施例と同様の方法で作製した膜
のカー回転角の変化を第１図ａに示す。
化させる以外は、第１実施例と同様の方法で作製した膜
のカー回転角の変化を第１図ａに示す。
第一・層目の５ｎＯｚ膜の膜厚が８００オングストロー
ム付近で極大値をどろ。第２図ａは、第一層目の５１１
０２膜の膜厚と反射率との関係をポしたものである。５
ｎＯｚ膜が８００オングストローム付近に極小値をもつ
。
ム付近で極大値をどろ。第２図ａは、第一層目の５１１
０２膜の膜厚と反射率との関係をポしたものである。５
ｎＯｚ膜が８００オングストローム付近に極小値をもつ
。
第一実施例にお１プる第一層目の種類とその膜厚を変化
させる以外は、第１実施例と同様の方法で作製した膜の
カー回転角および反射率の変化を第１図、第２図に示す
。
させる以外は、第１実施例と同様の方法で作製した膜の
カー回転角および反射率の変化を第１図、第２図に示す
。
（発明の効果）
この発明は、以上説明したにうに、透明な有機物基板あ
るいはガラス基板上に酸化物半導体からなる第一層、記
録膜からなる第二層、さらに保護膜からなる第三層で構
成され、とりわけ、酸化物半導体をｓ＋ｎＱ２． Ｉｎ
２Ｏ：＋あるいはＳｎＯ２とＩｎ２０３の混合体にする
ことにより、記録時に効率良＜ ７Ｂき込むことができ
、カー回転角を光磁気記録媒体の単層に比べ、３〜５倍
の大きな値をもつことができる。さらに記録膜にＴｂｒ
ｃＣ’ｏ、 ＧｄＴｂｒｅ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏとする
ことにより再生時にはノ３−回転角を十分大きくして良
好なＳ／Ｎ比での読み出し可能とすることができる。
るいはガラス基板上に酸化物半導体からなる第一層、記
録膜からなる第二層、さらに保護膜からなる第三層で構
成され、とりわけ、酸化物半導体をｓ＋ｎＱ２． Ｉｎ
２Ｏ：＋あるいはＳｎＯ２とＩｎ２０３の混合体にする
ことにより、記録時に効率良＜ ７Ｂき込むことができ
、カー回転角を光磁気記録媒体の単層に比べ、３〜５倍
の大きな値をもつことができる。さらに記録膜にＴｂｒ
ｃＣ’ｏ、 ＧｄＴｂｒｅ、 ＧｄＴｂＦｅＣｏとする
ことにより再生時にはノ３−回転角を十分大きくして良
好なＳ／Ｎ比での読み出し可能とすることができる。
第１図は第一層目の酸化物半導体の膜厚どカー回転角の
関係を示す図、第２図は第一層目の酸化物半導体の膜厚
と反射率の関係を示１図、第３図は光磁気記録媒体の構
成を示す断面図。 １・・・酸化物半導体として５ｎＯｚを用いた場合、２
・・・酸化物半導体としてＩｎ２Ｑ３を用いた場合、３
・・・酸化物半導体として５ｎＯｚとＩｎ２０３の混合
体を用いた場合、４・・・ガラス、５・・・酸化物半導
体、６・・・記録媒体、７・・・保護膜。 出願人 セイコー電子工業株式会社 膜厚（Ａ＞ 白シイｌ：字めイ１１イ本の用匙乃１ヒカ−「舅ｉ灼の
関１千図第 Ｉ 図 断面図 第 ３ 図 −％９−
関係を示す図、第２図は第一層目の酸化物半導体の膜厚
と反射率の関係を示１図、第３図は光磁気記録媒体の構
成を示す断面図。 １・・・酸化物半導体として５ｎＯｚを用いた場合、２
・・・酸化物半導体としてＩｎ２Ｑ３を用いた場合、３
・・・酸化物半導体として５ｎＯｚとＩｎ２０３の混合
体を用いた場合、４・・・ガラス、５・・・酸化物半導
体、６・・・記録媒体、７・・・保護膜。 出願人 セイコー電子工業株式会社 膜厚（Ａ＞ 白シイｌ：字めイ１１イ本の用匙乃１ヒカ−「舅ｉ灼の
関１千図第 Ｉ 図 断面図 第 ３ 図 −％９−
Claims (4)
- （１）透明な有機物基板あるいはガラス基板の上に酸化
物半導体からなる第一層、記録膜からなる第二層、さら
に保護膜からなる第三層で構成されることを特徴とする
光磁気記録媒体。 - （２）酸化物半導体がＳｎＯ＿２、Ｉｎ＿２Ｏ＿３ある
いは、ＳｎＯ＿２とＩｎ＿２Ｏ＿３の混合体であること
を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光磁気記
録媒体。 - （３）酸化物半導体層が１５００オングストローム以下
であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
の光磁気記録媒体。 - （４）記録層がＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏであることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5285386A JPS62209750A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5285386A JPS62209750A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62209750A true JPS62209750A (ja) | 1987-09-14 |
Family
ID=12926412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5285386A Pending JPS62209750A (ja) | 1986-03-11 | 1986-03-11 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62209750A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266651A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-11-02 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH01245447A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-03-11 JP JP5285386A patent/JPS62209750A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63266651A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-11-02 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPH01245447A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Teijin Ltd | 光磁気記録媒体 |
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