JPH02105351A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH02105351A JPH02105351A JP63257353A JP25735388A JPH02105351A JP H02105351 A JPH02105351 A JP H02105351A JP 63257353 A JP63257353 A JP 63257353A JP 25735388 A JP25735388 A JP 25735388A JP H02105351 A JPH02105351 A JP H02105351A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、レーザー光等を用いて情報の記録再生を行な
う光記録媒体に関し、更に詳しくはその保護層等に用い
られる透明誘電体の膜組成に特徴を有する光記録媒体に
関する。
う光記録媒体に関し、更に詳しくはその保護層等に用い
られる透明誘電体の膜組成に特徴を有する光記録媒体に
関する。
〈従来の技術〉
光記録媒体は、高密度、大容量記録が可能な媒体として
近年注目をあびている。
近年注目をあびている。
例えば光磁気記録媒体もその一つである。光磁気記録媒
体の記録層に用いられる磁性材料には、Ｇｄ Ｆｅ 、
Ｔｂ Ｆｅ 、 Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ 、 Ｇｄ Ｔｂ
Ｆｅ 、 Ｔｂ Ｃｏ 、 Ｎｄ Ｄｙ Ｆｅ Ｃｏ
、 Ｎｄ ＦｅＱｄ ＣＯ等、希土類と遷移金属の非晶
質磁性合金膜が有望視されている。
体の記録層に用いられる磁性材料には、Ｇｄ Ｆｅ 、
Ｔｂ Ｆｅ 、 Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ 、 Ｇｄ Ｔｂ
Ｆｅ 、 Ｔｂ Ｃｏ 、 Ｎｄ Ｄｙ Ｆｅ Ｃｏ
、 Ｎｄ ＦｅＱｄ ＣＯ等、希土類と遷移金属の非晶
質磁性合金膜が有望視されている。
しかしＴｂ等の希土類は耐蝕性に劣る為、記録層成膜後
の酸化を防止する必要がある。この酸化防止法としては
記録層の上下にＡＩ Ｎ、Ｓｆ ０２ 。
の酸化を防止する必要がある。この酸化防止法としては
記録層の上下にＡＩ Ｎ、Ｓｆ ０２ 。
Ｓｉ ３ Ｎ４ 、 Ｔｉ Ｎ等の透明な誘電体保護層
を設けたり、記録層に窒化、炭化、水素化、フッ化処理
を施したり、あるいはＰｔ 、Ｔｉ 、ＡＩ等を添加し
た磁性材料を用いることが有効であることが報告されて
いる。
を設けたり、記録層に窒化、炭化、水素化、フッ化処理
を施したり、あるいはＰｔ 、Ｔｉ 、ＡＩ等を添加し
た磁性材料を用いることが有効であることが報告されて
いる。
上記の内、記録層に各種処理を施したり、各種金属を添
加したりする方法は、成膜初期の段階でカー回転角等の
低下が見られ、今後更に検討の余地がある。
加したりする方法は、成膜初期の段階でカー回転角等の
低下が見られ、今後更に検討の余地がある。
方保護層を設ける方法は耐蝕性が良く、膜厚。
屈折率の最適化を図ることによってカー回転角のエンハ
ンスメント効果もあり、成膜後の記録層の酸化防止法と
しては有力な手段である。
ンスメント効果もあり、成膜後の記録層の酸化防止法と
しては有力な手段である。
ところが、保護層を設けた光磁気記録媒体の耐候試験等
の経時変化に対する特性変化を調べている内に、５ｆ０
２等の酸化物系の膜は初期特性は良好であっても時間の
経過とともに保磁力Ｈｅ。
の経時変化に対する特性変化を調べている内に、５ｆ０
２等の酸化物系の膜は初期特性は良好であっても時間の
経過とともに保磁力Ｈｅ。
カー回転角に異常が生じた。この原因は、酸化物系の膜
からの遊離酸素の発生にあるものと推定される。
からの遊離酸素の発生にあるものと推定される。
そこで最近は非酸化物系のＳｉ ３ Ｎ４ 、 ＡＩ
Ｎ。
Ｎ。
ＺｎＳ等を保護層として用いた検討が行なわれており、
特にＳ！ ａ Ｎ４は良好な結果を得ている。
特にＳ！ ａ Ｎ４は良好な結果を得ている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
耐候試験の結果、初期段階においては確かに８！ ３
Ｎ＜等の非酸化物系保護層はガスバリア性にすぐれ、記
録層に対しても悪影響を及ぼさないことが確認された。
Ｎ＜等の非酸化物系保護層はガスバリア性にすぐれ、記
録層に対しても悪影響を及ぼさないことが確認された。
しかしながら耐候試験時間の増加とともに亀裂、剥離が
生じることが判明した。
生じることが判明した。
この現象は基板に高分子樹脂基板を用いたものに特に顕
著にあられれることから、この原因は保護層と基板との
接着性；膜の内部応力および膨張率の差にあるものと推
定される。従って、Ｓｉ３Ｎ４を保護層として用いる為
には膜に靭性を付加し、膜の内部応力を減じ、更に基板
との密着性を上げる必要があると考えられる。
著にあられれることから、この原因は保護層と基板との
接着性；膜の内部応力および膨張率の差にあるものと推
定される。従って、Ｓｉ３Ｎ４を保護層として用いる為
には膜に靭性を付加し、膜の内部応力を減じ、更に基板
との密着性を上げる必要があると考えられる。
〈問題が解決する為の手段〉
本発明は上記問題点を解決する為になされたもので、そ
の特徴は、Ｓｆ ３ Ｎ４膜を、高分子樹脂基板との接
着性が良く、しかも展延性にとんだＩｎの窒化物と複合
させることによって保護層の靭性、内部応力及び基板と
の接着性を向上させたところにある。すなわち本発明は
透明誘電体層を有する光記録媒体において、前記透明誘
電体層がシリコン及びインジウムの窒化物からなる複合
誘電体からなることを特徴とする光記録媒体である。
の特徴は、Ｓｆ ３ Ｎ４膜を、高分子樹脂基板との接
着性が良く、しかも展延性にとんだＩｎの窒化物と複合
させることによって保護層の靭性、内部応力及び基板と
の接着性を向上させたところにある。すなわち本発明は
透明誘電体層を有する光記録媒体において、前記透明誘
電体層がシリコン及びインジウムの窒化物からなる複合
誘電体からなることを特徴とする光記録媒体である。
本発明の複合誘電体の薄膜形成法としては、スパッタリ
ング法に代表される気相中から基板上に薄膜を堆積させ
る気相薄膜形成法であれば特に限定されず、スパッタリ
ング法の他に真空蒸着法。
ング法に代表される気相中から基板上に薄膜を堆積させ
る気相薄膜形成法であれば特に限定されず、スパッタリ
ング法の他に真空蒸着法。
ＥＢ蒸着法、ＣＶＤ法、ＥＣＲ法等の公知の気相薄膜形
成法も適用出来、これらの膜形成方法を用い必要に応じ
て同時蒸着あるいは単独蒸着を行なう。
成法も適用出来、これらの膜形成方法を用い必要に応じ
て同時蒸着あるいは単独蒸着を行なう。
又、その蒸発源は後述する誘電体層を構成するＳｉ 、
Ｉｎ、Ｓｔ Ｉｎ等の金属、半金属あるいはこれらの
合金単体からなるものでも、これらの窒化物の焼成体で
あってもよい。
Ｉｎ、Ｓｔ Ｉｎ等の金属、半金属あるいはこれらの
合金単体からなるものでも、これらの窒化物の焼成体で
あってもよい。
そしてその膜形成に用いる反応性ガスは所定の含有量の
窒素ガスを有するものであればよい。
窒素ガスを有するものであればよい。
ところで、本発明が適用される光記録媒体は基板上に誘
電体層、記録層を形成したものであればよく、更にその
上に金属層、保護層、更に保護平板等必要に応じて設け
てもよいことは云うまでもない。
電体層、記録層を形成したものであればよく、更にその
上に金属層、保護層、更に保護平板等必要に応じて設け
てもよいことは云うまでもない。
ここで記録層にはレーザを照射することによつて相変化
するもの、バブルを形成するもの、磁化反転するもの等
が挙げられるが、特に希土類−遷移金属の非晶質合金よ
り成る光磁気記録層は酸化が激しく、本発明が極めて有
効である。そしてその基板には、ＰＭＭＡ、ポリカーボ
ネート、エポキシ系等の高分子樹脂基板及びガラス基板
等があげられるが、特に安価で温度特性９寸法安定性の
よいポリカーボネートが好んで用いられる。
するもの、バブルを形成するもの、磁化反転するもの等
が挙げられるが、特に希土類−遷移金属の非晶質合金よ
り成る光磁気記録層は酸化が激しく、本発明が極めて有
効である。そしてその基板には、ＰＭＭＡ、ポリカーボ
ネート、エポキシ系等の高分子樹脂基板及びガラス基板
等があげられるが、特に安価で温度特性９寸法安定性の
よいポリカーボネートが好んで用いられる。
ところで本発明の複合誘電体のインジュウムの含有量は
大きい程Ｓ！ ３Ｎ４の靭性、接着性がよくなるので少
なくとも１ａｔ％以上が好ましく、方５１３Ｎ４のガス
バリア性を維持する為には４０ａｔ％以下とすることが
望ましい。
大きい程Ｓ！ ３Ｎ４の靭性、接着性がよくなるので少
なくとも１ａｔ％以上が好ましく、方５１３Ｎ４のガス
バリア性を維持する為には４０ａｔ％以下とすることが
望ましい。
更に、ＳｌとＩｎの窒化物膜すなわち１ｎＳＮ膜成膜中
に浮遊酸素が生じない程度の０２を添加した、いわゆる
Ｉｎ Ｓｔ ＯＮ膜は更に基板との密着性が向上する。
に浮遊酸素が生じない程度の０２を添加した、いわゆる
Ｉｎ Ｓｔ ＯＮ膜は更に基板との密着性が向上する。
この為の酸素含有量は４０ａｔ％以下が好ましい。
〈作用〉
上記の複合誘電体を透明誘電体保護層に用いた本発明に
より、長時間の耐候試験に於いても亀裂剥離の生じない
、しかも記録層の酸化による特性の低下がない高信頼性
の光記録媒体を得ることができる。
より、長時間の耐候試験に於いても亀裂剥離の生じない
、しかも記録層の酸化による特性の低下がない高信頼性
の光記録媒体を得ることができる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例について図を参照しながら説明す
る。
る。
本実施例でのＳｉＮ、ＩｎＮの複合誘電体膜＜Ｉｎ５ｉ
Ｎ膜）はＲＦマグネトロン装置を用い、Ｓ；とＩｎの複
合ターゲットによって、実施例１ではアルゴン、窒素雰
囲気中の反応性スパッタで、実施例２ではアルゴン、窒
素、Ｎ素雰囲気中で成膜された。ここで実施例１のスパ
ッタガスは、Ｎ２ ／Ａｒ ＝５０１５０（ＶＯＩ％）
、実施例２はＡｒ／Ｎ２１０２ ＝５０／４５／ ５（
Ｖｏ１％）、その他条件は共通でスパッタガス圧は２
ｇ ｔｏｒｒ、スパッタパワーは６ Ｗ ／ ｃｉとし
た。このとき膜中のｉｎの含有量はＡＦＳの結果よりお
よそ２０ａｔ％であった。
Ｎ膜）はＲＦマグネトロン装置を用い、Ｓ；とＩｎの複
合ターゲットによって、実施例１ではアルゴン、窒素雰
囲気中の反応性スパッタで、実施例２ではアルゴン、窒
素、Ｎ素雰囲気中で成膜された。ここで実施例１のスパ
ッタガスは、Ｎ２ ／Ａｒ ＝５０１５０（ＶＯＩ％）
、実施例２はＡｒ／Ｎ２１０２ ＝５０／４５／ ５（
Ｖｏ１％）、その他条件は共通でスパッタガス圧は２
ｇ ｔｏｒｒ、スパッタパワーは６ Ｗ ／ ｃｉとし
た。このとき膜中のｉｎの含有量はＡＦＳの結果よりお
よそ２０ａｔ％であった。
（実施例１）
第１図は、本発明の一実施例で光磁気記録媒体の構成を
示す断面図である。第１図において、（１１）はポリカ
ーボネート基板、（１２）は上述のようにして形成した
ｉｎ ｐｔｈ ５ｉｒｒ Ｎｙ（膜厚は８００人）の透
明誘電体層、（１３）は公知のスパッタリング法により
形成したＴｂ ２３ Ｆｅ、ｇ＋ Ｃｏ ｏ非晶質合金
からなる記録層、（１４）は公知のスパッタリング法で
形成した保護層のＴｉ層（膜厚は１０００人）である。
示す断面図である。第１図において、（１１）はポリカ
ーボネート基板、（１２）は上述のようにして形成した
ｉｎ ｐｔｈ ５ｉｒｒ Ｎｙ（膜厚は８００人）の透
明誘電体層、（１３）は公知のスパッタリング法により
形成したＴｂ ２３ Ｆｅ、ｇ＋ Ｃｏ ｏ非晶質合金
からなる記録層、（１４）は公知のスパッタリング法で
形成した保護層のＴｉ層（膜厚は１０００人）である。
第２図は、本発明による上記実施例１の光磁気記録媒体
について７０°Ｃ１９０％Ｒ）−１の耐候試験を行なっ
た結果である。通常記録層（１３）のＵＦ５１が酸化し
た場合、保磁力、カー回転角が低下するが第２図に示す
ごとく、本発明による誘電体を設けた媒体は１０００時
間以上亀裂、剥離および保磁力、カー回転角の劣化は認
められなかった。
について７０°Ｃ１９０％Ｒ）−１の耐候試験を行なっ
た結果である。通常記録層（１３）のＵＦ５１が酸化し
た場合、保磁力、カー回転角が低下するが第２図に示す
ごとく、本発明による誘電体を設けた媒体は１０００時
間以上亀裂、剥離および保磁力、カー回転角の劣化は認
められなかった。
比較の為にＡＩＮ（膜厚８００人）を誘電体に用いた媒
体の耐候試験を行なった例を第３図に示す。
体の耐候試験を行なった例を第３図に示す。
ＡＩＮの成膜条件は本実施例のＩｎ５ｉＮの成膜条件と
一致させた。耐候試験の結果、亀裂は認められなかった
ものの第３図に示されたごとり５０時間程度で特性の劣
化が確認された。また５１３Ｎ４も同様な条件で成膜し
たが成膜時点で亀裂が生じた。
一致させた。耐候試験の結果、亀裂は認められなかった
ものの第３図に示されたごとり５０時間程度で特性の劣
化が確認された。また５１３Ｎ４も同様な条件で成膜し
たが成膜時点で亀裂が生じた。
第４図は同条件で成膜した各誘電体膜の内部応力を示し
た表であるこれによれば本発明の（ｎＳｉＮ膜は伯の膜
に比べ低い値を示している。
た表であるこれによれば本発明の（ｎＳｉＮ膜は伯の膜
に比べ低い値を示している。
（実施例２）
第５図は、本発明のＩｎ Ｓｉ ０ＮＩＦＮを保護層と
して用いた光磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
して用いた光磁気記録媒体の構成を示す断面図である。
第５図において、（５１）はポリカーボネート基板、（
５２）は上述のようにして形成したｉｎ ２０ Ｓｉｕ
０５ Ｎｐｐ（膜厚は８００Ａ ）、（５３）は同じ
スパッタリング法により形成したＴｂ２３ＦｅｌｌＣｏ
ｎ非晶質合金からなる記録層、（５４）は同じスパッタ
リング法で形成した保護層のＴｉ層（ＷＡ厚は１０００
人）である。
５２）は上述のようにして形成したｉｎ ２０ Ｓｉｕ
０５ Ｎｐｐ（膜厚は８００Ａ ）、（５３）は同じ
スパッタリング法により形成したＴｂ２３ＦｅｌｌＣｏ
ｎ非晶質合金からなる記録層、（５４）は同じスパッタ
リング法で形成した保護層のＴｉ層（ＷＡ厚は１０００
人）である。
第６図は、本発明による上記実施例の光磁気記録媒体に
ついて７０℃、９０％Ｒ）（の耐候試験を行なった結果
である。通常酸化膜系の誘電体を保護層に用いた場合記
録層（５３）の材料が酸化し、保磁力、カー回転角が低
下するが第６図に示すごとく、本発明による誘電体を設
けた媒体は１０００時間以上亀裂、剥離および保磁力、
カー回転角の劣化は認められなかった。
ついて７０℃、９０％Ｒ）（の耐候試験を行なった結果
である。通常酸化膜系の誘電体を保護層に用いた場合記
録層（５３）の材料が酸化し、保磁力、カー回転角が低
下するが第６図に示すごとく、本発明による誘電体を設
けた媒体は１０００時間以上亀裂、剥離および保磁力、
カー回転角の劣化は認められなかった。
ここで誘電体に含まれる酸素の含有量は多いほど基板と
の接着性は向上するが、その反面、浮遊酸素が発生し記
録層を劣化させることがある。かかる浮遊酸素の影響を
さけるために誘電体層と記録層の間にｌｉ等のバリア層
を設けてもよい。
の接着性は向上するが、その反面、浮遊酸素が発生し記
録層を劣化させることがある。かかる浮遊酸素の影響を
さけるために誘電体層と記録層の間にｌｉ等のバリア層
を設けてもよい。
〈発明の効果〉
以上の様に本発明によれば亀裂、剥離が生じない、また
ガスバリア性の良好な、しかも膜の内部応力に起因する
ディスクの反りが少ない優れた光記録媒体が得られる。
ガスバリア性の良好な、しかも膜の内部応力に起因する
ディスクの反りが少ない優れた光記録媒体が得られる。
このように本発明は光記録媒体の実用化に大きな寄与を
なすものである。
なすものである。
４、図の簡単な説明
第１図は実施例１の光磁気記録媒体の構成を示す断面図
、第２図は実施例１の光磁気記録媒体の耐久性を示す特
性の経時変化のグラフ、第３図は比較例の光磁気記録媒
体の耐久性を示す特性の経時変化のグラフ、第４図は実
施例の誘電体膜の内部応力と他の誘電体膜の内部応力の
比較値を示した表、第５図は実施例２の光磁気記録媒体
の構成を示す断面図、第６図は実施例２の光磁気記録媒
体の耐久性を示す特性の経時変化のグラフである。
、第２図は実施例１の光磁気記録媒体の耐久性を示す特
性の経時変化のグラフ、第３図は比較例の光磁気記録媒
体の耐久性を示す特性の経時変化のグラフ、第４図は実
施例の誘電体膜の内部応力と他の誘電体膜の内部応力の
比較値を示した表、第５図は実施例２の光磁気記録媒体
の構成を示す断面図、第６図は実施例２の光磁気記録媒
体の耐久性を示す特性の経時変化のグラフである。
（１１） 、 （５１） ：基板
（１２） 、 （５２） ：透明誘電体層（１３）
、 （５３） ：記録層 （１４） 、 ＜５４） ：保護層特許出願人 帝
人 株 式 会 社 代 理 人 弁理士 前 １） 純 博（
ａ） ／ρ ／ρＯ／りρθ ７ｏ”と 、ン〜りγ’−７？／−／、δンη“ｎ４Ｊ
引゛駁ρう１Ｆ自 （ｈト５）ｔｂ） 柘２国 Ｚρ〆−９ａ″と ｙｒｔ−／ 耐歿鉱°駿酌Ａ”ｆ （醜Ｓ） 昭：！＝日 鴇 Ａ 口 扼 響
、 （５３） ：記録層 （１４） 、 ＜５４） ：保護層特許出願人 帝
人 株 式 会 社 代 理 人 弁理士 前 １） 純 博（
ａ） ／ρ ／ρＯ／りρθ ７ｏ”と 、ン〜りγ’−７？／−／、δンη“ｎ４Ｊ
引゛駁ρう１Ｆ自 （ｈト５）ｔｂ） 柘２国 Ｚρ〆−９ａ″と ｙｒｔ−／ 耐歿鉱°駿酌Ａ”ｆ （醜Ｓ） 昭：！＝日 鴇 Ａ 口 扼 響
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明誘電体層を有する光記録媒体において、前記透
明誘電体層がシリコン、及びインジウムの窒化物からな
る複合誘電体からなることを特徴とする光記録媒体。 ２、前記複合誘電体が遊離酸素が生じない範囲の酸素を
含有する請求項第１項記載の光記録媒体。 ３、記録層が光磁気記録層である請求項第１項又は第２
項記載の光記録媒体。 ４、基板が高分子樹脂基板である請求項第１項、第２項
又は第３項記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257353A JP2593206B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257353A JP2593206B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105351A true JPH02105351A (ja) | 1990-04-17 |
| JP2593206B2 JP2593206B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=17305203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63257353A Expired - Lifetime JP2593206B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2593206B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
| US6343062B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Optical disk device and optical disk for recording and reproducing high-density signals |
| US6388984B2 (en) | 1997-08-28 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and its recording and reproducing method |
| US6503690B1 (en) | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62192043A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-22 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPS63166046A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-09 | Toshiba Corp | 光デイスク |
| JPH01262191A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-19 | Hitachi Ltd | 光デイスク基板 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63257353A patent/JP2593206B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| US6821707B2 (en) | 1996-03-11 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US7037413B1 (en) | 1996-03-11 | 2006-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, producing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information |
| US6503690B1 (en) | 1997-08-12 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium, method for producing the same, and method for recording and reproducing optical information |
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| US6268034B1 (en) | 1998-08-05 | 2001-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2593206B2 (ja) | 1997-03-26 |
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