JP2551403B2 - 光磁気記録素子 - Google Patents
光磁気記録素子Info
- Publication number
- JP2551403B2 JP2551403B2 JP59143079A JP14307984A JP2551403B2 JP 2551403 B2 JP2551403 B2 JP 2551403B2 JP 59143079 A JP59143079 A JP 59143079A JP 14307984 A JP14307984 A JP 14307984A JP 2551403 B2 JP2551403 B2 JP 2551403B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- magneto
- optical recording
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
- G11B13/04—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties
- G11B13/045—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties combined recording by magnetic and optic means
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は光磁気記録素子の再生性能指数を向上させる
と共に光磁気記録媒体の基体に対する密着性を改善した
光磁気記録素子に関するものである。
と共に光磁気記録媒体の基体に対する密着性を改善した
光磁気記録素子に関するものである。
近年、光磁気記録媒体を用いた高密度記録が盛んに研
究されており、これはレーザー光を投光して記録媒体を
局部加熱することによりビットを書き込み、磁気光学効
果を利用して読み出すという大量の情報を高密度に記録
する方式である。この光磁気記録媒体は希土類元素−遷
移金属から成る非晶質金属垂直磁化膜を主にスパッタリ
ング法によって成膜することによって得られる。
究されており、これはレーザー光を投光して記録媒体を
局部加熱することによりビットを書き込み、磁気光学効
果を利用して読み出すという大量の情報を高密度に記録
する方式である。この光磁気記録媒体は希土類元素−遷
移金属から成る非晶質金属垂直磁化膜を主にスパッタリ
ング法によって成膜することによって得られる。
この光磁気記録方式によれば、光磁気特性を向上させ
るために記録媒体の改善と共に基板と記録媒体との間に
誘電体層を設けることが提案されている。
るために記録媒体の改善と共に基板と記録媒体との間に
誘電体層を設けることが提案されている。
即ち、透明基板上に透明誘電体層を介して光磁気記録
媒体から成る磁性層を形成した光磁気記録素子におい
て、レーザー光を基板側から投光して再生するに際して
誘電体層の膜厚ｔを多重反射が起きるような条件、 ｔ＝λ/4n・（2m＋１）（但し、λ：レーザー光の再生
波長、n:誘電体層の屈折率、ｍ＝0,1,2,3……）に設定
することで極力−効果のエンハンスメントを得ることが
出来、再生性能が顕著に向上する。
媒体から成る磁性層を形成した光磁気記録素子におい
て、レーザー光を基板側から投光して再生するに際して
誘電体層の膜厚ｔを多重反射が起きるような条件、 ｔ＝λ/4n・（2m＋１）（但し、λ：レーザー光の再生
波長、n:誘電体層の屈折率、ｍ＝0,1,2,3……）に設定
することで極力−効果のエンハンスメントを得ることが
出来、再生性能が顕著に向上する。
かかる誘電体材料にはCeO2,ZrO2,TiO2,Bi2O3,SiOなど
の酸化物、Si3N4,AlN,CdS,SiC,ZnSなどの非酸化物があ
り、この非酸化物については非晶質金属垂直磁化膜の界
面に誘電体材料に起因する酸素が存在せず、酸素の拡散
による磁性層の劣化が少ないという利点があり、また水
や大気中の酸素などの遮断性に優れている誘電体材料を
選択することにより長期安定性且つ高信頼性の誘電体層
と成り得る。
の酸化物、Si3N4,AlN,CdS,SiC,ZnSなどの非酸化物があ
り、この非酸化物については非晶質金属垂直磁化膜の界
面に誘電体材料に起因する酸素が存在せず、酸素の拡散
による磁性層の劣化が少ないという利点があり、また水
や大気中の酸素などの遮断性に優れている誘電体材料を
選択することにより長期安定性且つ高信頼性の誘電体層
と成り得る。
また、この高密度記録に用いられる光ディスク用の基
板には軽量、低価格、耐久性及び安全性、並びに射出成
型によるガイドトラック入り基板を大量に複製できるこ
とからプラチック材料が使用されるようになり、とりわ
け、優れた透光性を有する高分子材料、例えばポリカー
ボネート樹脂やポリメチルメタクリレート樹脂などを用
いて光磁気記録用基板が製作されている。
板には軽量、低価格、耐久性及び安全性、並びに射出成
型によるガイドトラック入り基板を大量に複製できるこ
とからプラチック材料が使用されるようになり、とりわ
け、優れた透光性を有する高分子材料、例えばポリカー
ボネート樹脂やポリメチルメタクリレート樹脂などを用
いて光磁気記録用基板が製作されている。
また、斯様な現況のなかで、このプラスチック基板上
に非酸化物系誘電体層を介して磁性層を形成した光磁気
記録素子について、基板側からレーザー光を透光して再
生する場合、誘電体層の屈折率が基板のものに比べて大
きいほどエンハンスメント効果が大きくなると言える。
に非酸化物系誘電体層を介して磁性層を形成した光磁気
記録素子について、基板側からレーザー光を透光して再
生する場合、誘電体層の屈折率が基板のものに比べて大
きいほどエンハンスメント効果が大きくなると言える。
高屈折率の非酸化物系誘電体層にはZnS（ｎ＝2.35）,
CdS（ｎ＝2.6）,SiC（Ｎ＞３）があるが、これらは比較
的耐環境特性に劣り、長期間高温高湿の環境下に置かれ
るとその誘電体層の成膜プロセス中に生じた多数のピン
ホールを通して大気中の酸素、水分等が磁性層へ供給さ
れ、磁性層の酸化等種々の劣化現象が発生する。然るに
Si3N4は屈折率が1.9〜2.1であるがピンホールのない緻
密な膜質となり、耐環境特性に著しく優れる。そこで、
この耐環境特性を有効にすると共にSi3N4誘電体層自体
の屈折率を改善することが望まれるが、この点について
は未だ何ら提案されていない。
CdS（ｎ＝2.6）,SiC（Ｎ＞３）があるが、これらは比較
的耐環境特性に劣り、長期間高温高湿の環境下に置かれ
るとその誘電体層の成膜プロセス中に生じた多数のピン
ホールを通して大気中の酸素、水分等が磁性層へ供給さ
れ、磁性層の酸化等種々の劣化現象が発生する。然るに
Si3N4は屈折率が1.9〜2.1であるがピンホールのない緻
密な膜質となり、耐環境特性に著しく優れる。そこで、
この耐環境特性を有効にすると共にSi3N4誘電体層自体
の屈折率を改善することが望まれるが、この点について
は未だ何ら提案されていない。
本発明者等は上記事情に鑑み鋭意研究の結果、Si3N4
誘電体自体に着目し、このSi3N4に特定の添加物を所定
量入れることにより叙上のすべての問題が解決できるこ
とを見い出した。
誘電体自体に着目し、このSi3N4に特定の添加物を所定
量入れることにより叙上のすべての問題が解決できるこ
とを見い出した。
本発明は上記知見に基いて完成されたものであり、そ
の目的は耐酸化特性に優れた長期安定性及び高温高湿等
の耐環境特性という利点を有するのに加えて、Si3N4層
の屈折率を大きくして再生性能を向上させることにあ
る。
の目的は耐酸化特性に優れた長期安定性及び高温高湿等
の耐環境特性という利点を有するのに加えて、Si3N4層
の屈折率を大きくして再生性能を向上させることにあ
る。
本発明によれば、透明基体上に、少なくとも窒化珪素
を主成分とする誘電体層を介して光磁気記録媒体から成
る磁性層を形成した光磁気記録素子において、前記誘電
体層が該窒化珪素の屈折率よりも大きくなるような添加
成分を含有して2.15よりも大きい屈折率を有することを
特徴とするものである。
を主成分とする誘電体層を介して光磁気記録媒体から成
る磁性層を形成した光磁気記録素子において、前記誘電
体層が該窒化珪素の屈折率よりも大きくなるような添加
成分を含有して2.15よりも大きい屈折率を有することを
特徴とするものである。
本発明において、磁性層の被着素地となる基体は種々
の形状を取り得るが、以下、ディスク用基板を例にとっ
て詳細に説明する。
の形状を取り得るが、以下、ディスク用基板を例にとっ
て詳細に説明する。
第１図は本発明光磁気記録素子の典型的な層構成を示
し、透明基体であるディスク用基板１の上にSi3N4誘電
体層２を介して磁性層３を積層し、更にその上に保護層
４を形成している。
し、透明基体であるディスク用基板１の上にSi3N4誘電
体層２を介して磁性層３を積層し、更にその上に保護層
４を形成している。
ディスク用基板１の表面上にSi3N4誘電体層２を形成
するには、磁性層３をスパッタリング法等薄膜形成技術
によって形成することから量産型に相応しくするために
PVD（物理蒸着）やCVD（化学蒸着）がよい。例えば、ス
パッタリング法によりSi3N4誘電体層２を形成するには
ターゲットに後述する本発明の添加成分を含有したSi3N
4焼結体などを用いたり、Si3N4ターゲット以外に添加成
分ターゲットを用いた複合ターゲットとしたり、更にSi
添加成分を加えた合金ターゲットの窒素雰囲気中の反応
性スパッタリング法によってもよい。
するには、磁性層３をスパッタリング法等薄膜形成技術
によって形成することから量産型に相応しくするために
PVD（物理蒸着）やCVD（化学蒸着）がよい。例えば、ス
パッタリング法によりSi3N4誘電体層２を形成するには
ターゲットに後述する本発明の添加成分を含有したSi3N
4焼結体などを用いたり、Si3N4ターゲット以外に添加成
分ターゲットを用いた複合ターゲットとしたり、更にSi
添加成分を加えた合金ターゲットの窒素雰囲気中の反応
性スパッタリング法によってもよい。
本発明によれば、基板１の材料にガラス、並びにポリ
カーボネート樹脂（以下、PC樹脂と略す）やポリメチル
メタクリレート樹脂（以下、PMMA樹脂と略す）などのプ
ラスチックスを用いることができ、特に、Si3N4誘電体
層２の被着面がプラスチックスにより形成されているこ
とが望ましい。例えば、基板１の全体がプラスチックス
により成るプラスチック基板は軽量、低価格、耐久性及
び安全性、並びに射出成形によりガイドトラック入り基
板を大量に複製できる利点を有するのに加え、Si3N4誘
電体層２を介在させることによって再生性能を向上させ
ることができる。
カーボネート樹脂（以下、PC樹脂と略す）やポリメチル
メタクリレート樹脂（以下、PMMA樹脂と略す）などのプ
ラスチックスを用いることができ、特に、Si3N4誘電体
層２の被着面がプラスチックスにより形成されているこ
とが望ましい。例えば、基板１の全体がプラスチックス
により成るプラスチック基板は軽量、低価格、耐久性及
び安全性、並びに射出成形によりガイドトラック入り基
板を大量に複製できる利点を有するのに加え、Si3N4誘
電体層２を介在させることによって再生性能を向上させ
ることができる。
本発明に係るSi3N4誘電体層２にはSi3N4自体の屈折率
を向上せしめるような添加成分を含有して2.15よりも大
きい屈折率を有することが重要である。
を向上せしめるような添加成分を含有して2.15よりも大
きい屈折率を有することが重要である。
即ち、斯様な添加成分にはAl2O3とY2O3の組合せ、Al2
O3とCeO2の組合せ、Al2O3とLa2O3の組合せ、AlNとLa2O3
の組合せ、Si、AlNのいずれか１種がある。例えばスパ
ッタリングによりSi3N4誘電体層を形成しようとする場
合、Si3N4焼結体をターゲットとしてその焼結助剤を添
加成分とすると次の通りのターゲット組成がある。即
ち、Si3N4（90モル％）−Al2O3（６モル％）−Y2O3（４
モル％）,Si3N4（90モル％）−Al2O3（６モル％）−La2
O3（４モル％）,Si3N4（90モル％）−Al2O3（６モル
％）−CeO2（４モル％）,Si3N4（90モル％）−AlN（５
モル％）−La2O3（５モル％）等がある。また、Si3N4の
うちSi原子の比率を大きくするのに伴って屈折率を大き
くすることができ、本発明者等はSi3N4に５〜20モルSi
添加した誘電体層用ターゲットを用いることによって顕
著に屈折率を大きくすることができる。
O3とCeO2の組合せ、Al2O3とLa2O3の組合せ、AlNとLa2O3
の組合せ、Si、AlNのいずれか１種がある。例えばスパ
ッタリングによりSi3N4誘電体層を形成しようとする場
合、Si3N4焼結体をターゲットとしてその焼結助剤を添
加成分とすると次の通りのターゲット組成がある。即
ち、Si3N4（90モル％）−Al2O3（６モル％）−Y2O3（４
モル％）,Si3N4（90モル％）−Al2O3（６モル％）−La2
O3（４モル％）,Si3N4（90モル％）−Al2O3（６モル
％）−CeO2（４モル％）,Si3N4（90モル％）−AlN（５
モル％）−La2O3（５モル％）等がある。また、Si3N4の
うちSi原子の比率を大きくするのに伴って屈折率を大き
くすることができ、本発明者等はSi3N4に５〜20モルSi
添加した誘電体層用ターゲットを用いることによって顕
著に屈折率を大きくすることができる。
本発明に係るSi3N4誘電体層は上述した添加成分を必
須不可欠のものとしているが、前記添加成分の効果を失
しない限り、それ以外の成分が含有されることを排除す
るものではない。例えば、若干のSiO2,WC等が含有する
ことは何等差支えない。
須不可欠のものとしているが、前記添加成分の効果を失
しない限り、それ以外の成分が含有されることを排除す
るものではない。例えば、若干のSiO2,WC等が含有する
ことは何等差支えない。
本発明に係るターゲットの添加成分含有量について
は、種々の実験を繰り返し行なった結果、５モル％以上
含有することによって顕著な効果を得ることができる。
このSi3N4誘電体層の最高屈折率は磁性層の光学定数や
基板材料にも関連するが、反射率が下がり過ぎず、ディ
スク回転時のフォーカシング用光量が十分にとれる範囲
内で決定されるのが望ましく、基板にPC樹脂、PMMA樹脂
及びガラスを用いた場合、それぞれの屈折率が1.59,1.5
及び1.5であるため、この屈折率は実用上3.5を越えない
範囲で大きくするのがよい。
は、種々の実験を繰り返し行なった結果、５モル％以上
含有することによって顕著な効果を得ることができる。
このSi3N4誘電体層の最高屈折率は磁性層の光学定数や
基板材料にも関連するが、反射率が下がり過ぎず、ディ
スク回転時のフォーカシング用光量が十分にとれる範囲
内で決定されるのが望ましく、基板にPC樹脂、PMMA樹脂
及びガラスを用いた場合、それぞれの屈折率が1.59,1.5
及び1.5であるため、この屈折率は実用上3.5を越えない
範囲で大きくするのがよい。
また、Si3N4誘電体層の屈折率を大きくすると、エン
ハンスメント効果が向上すると共にこの層厚ｔがエンハ
ンスメント効果を得んがための式ｔ＝λ/4n・（2m＋
１）に基いて層厚を小さくすることができる。その結
果、層の成膜時間を数10％短縮することができるのに伴
って基板上の層厚分布の不均一に由来したエンハンスメ
ント効果のバラツキを小さくすることができる。
ハンスメント効果が向上すると共にこの層厚ｔがエンハ
ンスメント効果を得んがための式ｔ＝λ/4n・（2m＋
１）に基いて層厚を小さくすることができる。その結
果、層の成膜時間を数10％短縮することができるのに伴
って基板上の層厚分布の不均一に由来したエンハンスメ
ント効果のバラツキを小さくすることができる。
更に本発明によれば、添加成分にもよるが、Si3N4誘
電体層中にSi3N4誘電体層用ターゲット中にSi3N4を主成
分として60モル％以上好適には80モル％以上含有すると
緻密でピンホールのない膜が形成され、これにより、長
期間高温高湿の環境に置かれてもこの誘電体層に何ら酸
化等の劣化現象が発生しなくなりSi3N4本来の優れた耐
環境特性を維持することができる。
電体層中にSi3N4誘電体層用ターゲット中にSi3N4を主成
分として60モル％以上好適には80モル％以上含有すると
緻密でピンホールのない膜が形成され、これにより、長
期間高温高湿の環境に置かれてもこの誘電体層に何ら酸
化等の劣化現象が発生しなくなりSi3N4本来の優れた耐
環境特性を維持することができる。
更にまた本発明に係る前記Si3N4誘電体層において
は、線膨張係数を４〜10×10-6/℃まで増大させること
ができ、ガラス基板、PC樹脂及びPMMA樹脂のそれぞれの
線膨張係数９〜10×10-6/℃、6.6×10-5/℃、５〜９×1
0-5/℃に近づけることができる。これにより、磁性層の
剥離、リラックス等を起こし難くし、各々の基板に対す
る密着性が向上し、その結果、十分な長期信頼性が得ら
れ、本来の優れた光磁気特性を維持することができる。
因に、Si3N4自体の線膨張係数は1.9×10-6/℃である。
は、線膨張係数を４〜10×10-6/℃まで増大させること
ができ、ガラス基板、PC樹脂及びPMMA樹脂のそれぞれの
線膨張係数９〜10×10-6/℃、6.6×10-5/℃、５〜９×1
0-5/℃に近づけることができる。これにより、磁性層の
剥離、リラックス等を起こし難くし、各々の基板に対す
る密着性が向上し、その結果、十分な長期信頼性が得ら
れ、本来の優れた光磁気特性を維持することができる。
因に、Si3N4自体の線膨張係数は1.9×10-6/℃である。
本発明の光磁気記録素子はガラス基板やプラスチック
基板の上に上述した通りのSi3N4誘電体層２を介して磁
性層３として非晶質金属垂直磁化膜、例えばTbFe,GdCo,
TbFeCo,DyFeCo,GdTbFeCo,GdDyFeCo等を形成し、更にそ
の上に磁性層３の酸化等の防止のためにSi3N4誘電体の
保護層４を形成するのがよい。この保護層４にも本発明
に係るSi3N4誘電体層にするのがよく、これにより、共
通の同一ターゲットを用いることができる。
基板の上に上述した通りのSi3N4誘電体層２を介して磁
性層３として非晶質金属垂直磁化膜、例えばTbFe,GdCo,
TbFeCo,DyFeCo,GdTbFeCo,GdDyFeCo等を形成し、更にそ
の上に磁性層３の酸化等の防止のためにSi3N4誘電体の
保護層４を形成するのがよい。この保護層４にも本発明
に係るSi3N4誘電体層にするのがよく、これにより、共
通の同一ターゲットを用いることができる。
尚、本発明の光磁気記録素子においては、光磁性特性
を効果的に向上させるために基板１とSi3N4誘電体層
２、この誘電体層２と磁性層３の間に何らかの介在層を
設けても何ら差支えない。
を効果的に向上させるために基板１とSi3N4誘電体層
２、この誘電体層２と磁性層３の間に何らかの介在層を
設けても何ら差支えない。
次に、本発明の実施例を述べる。
高周波２元マグネトロンスパッタリング装置にて、9
9.9％純度のSi3N4原料にAl2O3及びY2O3を添加したもの
を成形、焼結して６インチ×5mm厚に加工し、複合Si3N4
ターゲットとした。ディスク用基板１としてガラス基
板、PC基板、PMMA基板のいずれか一つを備えつけ、５×
10-7Torrまで十分に真空排気した後、99.999％純度のAr
ガスを導入し、５×10-3Torrとした。次いで、前記基板
１に50Wの電力を印加してエッチングした後、この基板
１の上にRFパワー−1kwで５分間プレスパッタした後、
複合Si3N4誘電体層２を成膜した。かくして出来た複合S
i3N4誘電体層２の膜厚がλ/4n（但し、λは再生用レー
ザー光の波長であり、本実施例においては8000Åとし、
そして、ｎは複合Si3N4誘電体層２の屈折率である）と
なるように成膜条件を設定した。然る後、RFパワー−20
0Wにて60分間プレスパッタし、いずれの素子についても
同一のDyFeCo層を膜厚約1500Åで形成した。
9.9％純度のSi3N4原料にAl2O3及びY2O3を添加したもの
を成形、焼結して６インチ×5mm厚に加工し、複合Si3N4
ターゲットとした。ディスク用基板１としてガラス基
板、PC基板、PMMA基板のいずれか一つを備えつけ、５×
10-7Torrまで十分に真空排気した後、99.999％純度のAr
ガスを導入し、５×10-3Torrとした。次いで、前記基板
１に50Wの電力を印加してエッチングした後、この基板
１の上にRFパワー−1kwで５分間プレスパッタした後、
複合Si3N4誘電体層２を成膜した。かくして出来た複合S
i3N4誘電体層２の膜厚がλ/4n（但し、λは再生用レー
ザー光の波長であり、本実施例においては8000Åとし、
そして、ｎは複合Si3N4誘電体層２の屈折率である）と
なるように成膜条件を設定した。然る後、RFパワー−20
0Wにて60分間プレスパッタし、いずれの素子についても
同一のDyFeCo層を膜厚約1500Åで形成した。
更に、この磁性層３の上に前記複合Si3N4誘電体層２
と同一の製作条件で複合Si3N4保護層４を被覆した。
と同一の製作条件で複合Si3N4保護層４を被覆した。
尚、複合Si3N4誘電体層２及び複合Si3N4保護層４に共
通したターゲットはケイ光Ｘ線分析によりSi3N4（90モ
ル％）−Al2O3（６モル％）−Y2O3（４モル％）である
ことが判明した。
通したターゲットはケイ光Ｘ線分析によりSi3N4（90モ
ル％）−Al2O3（６モル％）−Y2O3（４モル％）である
ことが判明した。
かくして得られた本発明の光磁気記録素子について、
再生性能指数、耐環境特性及び密着性のそれぞれをテス
トした。
再生性能指数、耐環境特性及び密着性のそれぞれをテス
トした。
（ｉ） 再生性能指数テスト ガラス基板（屈折率1.5）上に積層して成る光磁気記
録素子について、再生用レーザー光（波長8000Å）を基
板側から投光した場合、カー回転角θｋ、反射率Ｒを測
定して再生性能指数 を求めた。
録素子について、再生用レーザー光（波長8000Å）を基
板側から投光した場合、カー回転角θｋ、反射率Ｒを測
定して再生性能指数 を求めた。
この結果を第１表に示す。
第１表中には比較例として何ら添加成分のないSi3N4
誘電体層及びSi3N4保護層を本実施例と同一の条件によ
り成膜し、他も本実施例と全く同じにして製作した光磁
気記録素子を記載してある。
誘電体層及びSi3N4保護層を本実施例と同一の条件によ
り成膜し、他も本実施例と全く同じにして製作した光磁
気記録素子を記載してある。
また、エンハンスメント効果を数値表示するために第
２図に示す通り前述した複合Si3N4保護層４がなく他は
全く同一の複合Si3N4誘電体層２及び磁性層３から成る
光磁気記録素子を本実施例以外に製作し、この素子の磁
性層側から再生用レーザー光（波長8000Å）を投光して
磁性層本来の再生性能指数η′を求めた。そして、比較
例も同様にしてエンハンスメント効果を求めた。
２図に示す通り前述した複合Si3N4保護層４がなく他は
全く同一の複合Si3N4誘電体層２及び磁性層３から成る
光磁気記録素子を本実施例以外に製作し、この素子の磁
性層側から再生用レーザー光（波長8000Å）を投光して
磁性層本来の再生性能指数η′を求めた。そして、比較
例も同様にしてエンハンスメント効果を求めた。
第１表によれば、本実施例の素子は比較例のものに比
べ、誘電体層の屈折率が大きくなるのに伴ってエンハン
スメント効果がより大きくなり、再生性能指数が約12％
大きくなったことが判る。
べ、誘電体層の屈折率が大きくなるのに伴ってエンハン
スメント効果がより大きくなり、再生性能指数が約12％
大きくなったことが判る。
（ii） 耐環境特性テスト ガラス基板上に積層して成る光磁気記録素子につい
て、65℃の温度及び90〜95％相対湿度の高温高湿雰囲気
に設置し、製作直後からのカー回転角及び保磁力の経時
変化を追ったところ、それぞれ、第３図及び第４図に示
す通りの結果となり、第５図はSiC誘電体層、CdS誘電体
層を用いた比較例が表わしてある。尚、これらの結果は
日本分光（株）製カー効果測定装置を用いてカーヒステ
リシスループから求め、この再生用レーザー光の波長は
6328Åである。
て、65℃の温度及び90〜95％相対湿度の高温高湿雰囲気
に設置し、製作直後からのカー回転角及び保磁力の経時
変化を追ったところ、それぞれ、第３図及び第４図に示
す通りの結果となり、第５図はSiC誘電体層、CdS誘電体
層を用いた比較例が表わしてある。尚、これらの結果は
日本分光（株）製カー効果測定装置を用いてカーヒステ
リシスループから求め、この再生用レーザー光の波長は
6328Åである。
第３図においては、経過時間ｔに対するカー回転角θ
kr（ｔ）とカー回転角θkr（ｏ）の比を示しておりθkr
（ｏ）は製作直後の値である。但し、θkrは残留カー回
転である。●印は本実施例のプロットであり、（イ）は
その時間依存特性曲線である。▲印は何ら添加成分のな
いSi3N4誘電体層及びSi3N4保護層を本実施例と同一の条
件により成膜し、他の本実施例と全く同じにして製作し
た比較例の素子を用いた場合のプロットであり、（ロ）
はその時間依存特性曲線である。
kr（ｔ）とカー回転角θkr（ｏ）の比を示しておりθkr
（ｏ）は製作直後の値である。但し、θkrは残留カー回
転である。●印は本実施例のプロットであり、（イ）は
その時間依存特性曲線である。▲印は何ら添加成分のな
いSi3N4誘電体層及びSi3N4保護層を本実施例と同一の条
件により成膜し、他の本実施例と全く同じにして製作し
た比較例の素子を用いた場合のプロットであり、（ロ）
はその時間依存特性曲線である。
本発明の素子は500時間経過後も比較例と比べほとん
ど変化せず、複合Si3N4誘電体層は光磁気記録用磁性薄
膜の保護層として従来周知のSi3N4保護層と同様に優れ
た性能を有している。
ど変化せず、複合Si3N4誘電体層は光磁気記録用磁性薄
膜の保護層として従来周知のSi3N4保護層と同様に優れ
た性能を有している。
第４図においては、経時時間ｔに対する保磁力Hc
（ｔ）と保磁力Hc（ｏ）の比を示しており、Hc（ｏ）は
製作直後の値である。図中、●印は本実施例のプロット
であり、（ハ）はその時間依存特性曲線である。▲印は
上述した比較例の素子のプロットであり、（ニ）はその
時間依存特性曲線である。
（ｔ）と保磁力Hc（ｏ）の比を示しており、Hc（ｏ）は
製作直後の値である。図中、●印は本実施例のプロット
であり、（ハ）はその時間依存特性曲線である。▲印は
上述した比較例の素子のプロットであり、（ニ）はその
時間依存特性曲線である。
第４図によれば本発明の素子は第３図の結果と同様
に、500時間経過後も周知のSi3N4層と同様に優れた性能
を有している。
に、500時間経過後も周知のSi3N4層と同様に優れた性能
を有している。
第５図の経時時間ｔに対するθkr（ｔ）／θkr（ｏ）
においては、第３図に示した本発明の素子（イ）の他
に、SiC誘電体、CdS誘電体を用いた比較例が表わしてあ
る。同図中、●印は本実施例のプロットであり、▲印は
ガラス基板上にSiC誘電体層、DyFeCo層、SiC誘電体保護
層を順次積層した素子のプロットであり、□印はガラス
基板上にCdS誘電体層、DyFeCo層、CdS誘電体保護層を順
次積層した素子のプロットであり、それぞれの特性曲線
が（イ）（ホ）（ヘ）である。尚、このDyFeCo層は本実
施例と同一の条件により製作した。
においては、第３図に示した本発明の素子（イ）の他
に、SiC誘電体、CdS誘電体を用いた比較例が表わしてあ
る。同図中、●印は本実施例のプロットであり、▲印は
ガラス基板上にSiC誘電体層、DyFeCo層、SiC誘電体保護
層を順次積層した素子のプロットであり、□印はガラス
基板上にCdS誘電体層、DyFeCo層、CdS誘電体保護層を順
次積層した素子のプロットであり、それぞれの特性曲線
が（イ）（ホ）（ヘ）である。尚、このDyFeCo層は本実
施例と同一の条件により製作した。
第５図によれば、ｎ＞２の高屈折率媒体であるSiC,Cd
Sを取り上げている。SiC誘電体を用いた素子では200時
間経過後カー回転角が低下し、実用に支障をきたす。ま
た、CdS誘電体を用いた素子では約10時間経過後、カー
回転角が劣化し、その程度も著しく大きかった。斯様に
ｎ＞２の非酸化物系誘電体には耐酸化保護膜として適当
なものが見当たらない。
Sを取り上げている。SiC誘電体を用いた素子では200時
間経過後カー回転角が低下し、実用に支障をきたす。ま
た、CdS誘電体を用いた素子では約10時間経過後、カー
回転角が劣化し、その程度も著しく大きかった。斯様に
ｎ＞２の非酸化物系誘電体には耐酸化保護膜として適当
なものが見当たらない。
（iii） 密着性テスト 本実施例で得られた光磁気記録素子について、その複
合Si3N4保護層の表面にスコッチラープを十分に付着さ
せ、その後、このテープを引き剥すというテストを同一
箇所で５回繰り返すと共に保護層の幾つかの箇所でその
テストを繰り返し行なうことによって基板と誘電体層と
の密着性の度合を測った。
合Si3N4保護層の表面にスコッチラープを十分に付着さ
せ、その後、このテープを引き剥すというテストを同一
箇所で５回繰り返すと共に保護層の幾つかの箇所でその
テストを繰り返し行なうことによって基板と誘電体層と
の密着性の度合を測った。
第２表にはその密着性テストの結果を示している。
同表中、○印は密着性に優れ、全く剥れないことを示
し、△印は密着性がやや良く、幾度もスコッチテープを
付着させると剥れてくることを示す。
し、△印は密着性がやや良く、幾度もスコッチテープを
付着させると剥れてくることを示す。
第２表によれば本実施例のものはすべての基板に対し
て良好な密着性が得られたが、比較例のSi3N4（99.9モ
ル％）誘電体層用ターゲットを用いるとプラスチック基
板に対する密着性は若干劣り、幾度もスコッチテープを
付着させると剥れてくる。
て良好な密着性が得られたが、比較例のSi3N4（99.9モ
ル％）誘電体層用ターゲットを用いるとプラスチック基
板に対する密着性は若干劣り、幾度もスコッチテープを
付着させると剥れてくる。
更に、いずれの基板材料を用いても、比較例と比べて
同一電力量にて成膜速度を大きくすることができ、尚且
つ、その成膜時の基板温度を小さくすることができた。
斯様な定温高速成膜技術は、特に熱変形温度が低いプラ
スチック基板を用いるに際して格別に重要な技術であ
り、基板への二次電子入射の防止並びにターゲットの熱
輻射を極力低下させることにより達成できる。実施例に
よれば、電力効率（成膜速度／投入電力）の大きいこと
は低温成膜にとって有効であり、更にプラスチック基板
への熱影響を及ぼさないように低い基板温度で高速成膜
が可能となるSi3N4誘電体層を提供することができる。
尚、この基板温度についてはエンハンスメント効果が得
られる膜厚に設定して比較した。
同一電力量にて成膜速度を大きくすることができ、尚且
つ、その成膜時の基板温度を小さくすることができた。
斯様な定温高速成膜技術は、特に熱変形温度が低いプラ
スチック基板を用いるに際して格別に重要な技術であ
り、基板への二次電子入射の防止並びにターゲットの熱
輻射を極力低下させることにより達成できる。実施例に
よれば、電力効率（成膜速度／投入電力）の大きいこと
は低温成膜にとって有効であり、更にプラスチック基板
への熱影響を及ぼさないように低い基板温度で高速成膜
が可能となるSi3N4誘電体層を提供することができる。
尚、この基板温度についてはエンハンスメント効果が得
られる膜厚に設定して比較した。
本発明の他の実施例として、第３表に示す複合Si3N4
誘電体層を用いた場合、他の条件は本実施例と全く同一
にし、誘電体層の屈折率及びエンハンスメント効果η／
η′を測定したところ、第３表に示す通りの結果を得
た。
誘電体層を用いた場合、他の条件は本実施例と全く同一
にし、誘電体層の屈折率及びエンハンスメント効果η／
η′を測定したところ、第３表に示す通りの結果を得
た。
第３表によれば、いずれも屈折率及びエンハンスメン
ト効果が顕著に向上したことが判る。これらの誘電体層
を用いた光磁気記録素子について、本実施例と同様な耐
環境特性テスト及び密着性テストを行ったところ、同様
に優れた効果が得られ、更にこれらの誘導体層はいずれ
も低温高速成膜が可能であることを認めた。
ト効果が顕著に向上したことが判る。これらの誘電体層
を用いた光磁気記録素子について、本実施例と同様な耐
環境特性テスト及び密着性テストを行ったところ、同様
に優れた効果が得られ、更にこれらの誘導体層はいずれ
も低温高速成膜が可能であることを認めた。
更に本発明者等は誘電体層用ターゲットにSi3N4（90
モル％）−Al2O3（６モル％）−Y2O3（４モル％）,Si3N
4（90モル％）−Al2O3（６モル％）−CeO2（４モル
％）,Si3N4（90モル％）−AlN（５モル％）−La2O3（５
モル％）等を用いた場合についても本実施例と同様な仕
方によって光磁気記録素子を製作して本発明の目的が達
成できることを実験上確かめた。
モル％）−Al2O3（６モル％）−Y2O3（４モル％）,Si3N
4（90モル％）−Al2O3（６モル％）−CeO2（４モル
％）,Si3N4（90モル％）−AlN（５モル％）−La2O3（５
モル％）等を用いた場合についても本実施例と同様な仕
方によって光磁気記録素子を製作して本発明の目的が達
成できることを実験上確かめた。
以上の通り、本発明の光磁気記録素子によれば、緻密
で且つ磁性層に対する耐酸化性が良好なSi3N4誘電体層
の優れた特性を維持しながら、Si3N4より大きな屈折率
を有するため、高温高湿等の耐環境特性に優れ、しかも
従来より再生性能指数が著しく向上した光磁気記録素子
が提供される。
で且つ磁性層に対する耐酸化性が良好なSi3N4誘電体層
の優れた特性を維持しながら、Si3N4より大きな屈折率
を有するため、高温高湿等の耐環境特性に優れ、しかも
従来より再生性能指数が著しく向上した光磁気記録素子
が提供される。
第１図は本発明に係る光磁気記録素子の層構成を示す断
面図、第２図は磁性層側より投光するようにした光磁気
記録素子の層構成を示す断面図、 第３図は本発明光磁気記録素子におけるカー回転角θkr
（ｔ）とカー回転角θkr（ｏ）の比の時間依存特性を示
した図であり、第４図は本発明光磁気記録素子における
保磁力Hc（ｔ）と保磁力Hc（ｏ）の比の時間依存特性を
示した図であり、第５図は本発明光磁気記録素子の他に
SiC誘電体層やCdS誘電体層を用いた光磁気記録素子にお
けるθkr（ｔ）とθkr（ｏ）の比の時間依存特性を示し
た図である。 １……ディスク用基板、２……Si3N4誘電体層、３……
磁性層、４……保護層 （イ）……本発明光磁気記録素子におけるθkr（ｔ）／
θkr（ｏ）の時間依存特性曲線 （ハ）……本発明光磁気記録素子におけるHc（ｔ）/Hc
（ｏ）の時間依存特性曲線
面図、第２図は磁性層側より投光するようにした光磁気
記録素子の層構成を示す断面図、 第３図は本発明光磁気記録素子におけるカー回転角θkr
（ｔ）とカー回転角θkr（ｏ）の比の時間依存特性を示
した図であり、第４図は本発明光磁気記録素子における
保磁力Hc（ｔ）と保磁力Hc（ｏ）の比の時間依存特性を
示した図であり、第５図は本発明光磁気記録素子の他に
SiC誘電体層やCdS誘電体層を用いた光磁気記録素子にお
けるθkr（ｔ）とθkr（ｏ）の比の時間依存特性を示し
た図である。 １……ディスク用基板、２……Si3N4誘電体層、３……
磁性層、４……保護層 （イ）……本発明光磁気記録素子におけるθkr（ｔ）／
θkr（ｏ）の時間依存特性曲線 （ハ）……本発明光磁気記録素子におけるHc（ｔ）/Hc
（ｏ）の時間依存特性曲線
Claims (1)
- 【請求項１】透明基体上に、窒化珪素を主成分とする誘
電体層を介して磁性層を形成した光磁気記録素子におい
て、前記誘電体層にAl2O3とY2O3の組合せ、Al2O3とCeO2
の組合せ、Al2O3とLa2O3の組合せ、AlNとLa2O3の組合
せ、Si、AlNのいずれか１種を５モル％以上含有せしめ
たことを特徴とする光磁気記録素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59143079A JP2551403B2 (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 光磁気記録素子 |
| US06/752,927 US4680742A (en) | 1984-07-07 | 1985-07-08 | Magneto-optical recording element |
| NL8501963A NL192964C (nl) | 1984-07-09 | 1985-07-09 | Magneto-optisch element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
| US07/042,273 US4851096A (en) | 1984-07-07 | 1987-04-24 | Method for fabricating a magneto-optical recording element |
| US07/358,554 US4954232A (en) | 1984-07-07 | 1989-05-26 | Magneto-optical recording element and method for fabrication thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59143079A JP2551403B2 (ja) | 1984-07-09 | 1984-07-09 | 光磁気記録素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122458A JPS6122458A (ja) | 1986-01-31 |
| JP2551403B2 true JP2551403B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=15330421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59143079A Expired - Lifetime JP2551403B2 (ja) | 1984-07-07 | 1984-07-09 | 光磁気記録素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551403B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2551403B2 (ja) * | 1984-07-09 | 1996-11-06 | 京セラ株式会社 | 光磁気記録素子 |
| JP2826726B2 (ja) * | 1986-05-28 | 1998-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 光記録媒体の製造方法 |
| JPH0831220B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1996-03-27 | セイコーエプソン株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2527714B2 (ja) * | 1986-02-21 | 1996-08-28 | 富士通株式会社 | 光記録媒体の製造方法 |
| JP2504946B2 (ja) * | 1986-02-24 | 1996-06-05 | 沖電気工業株式会社 | 光磁気記録用媒体 |
| JP2595956B2 (ja) * | 1986-03-25 | 1997-04-02 | セイコーエプソン株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2554482B2 (ja) * | 1986-12-23 | 1996-11-13 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2700884B2 (ja) * | 1986-12-25 | 1998-01-21 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2711533B2 (ja) * | 1986-12-24 | 1998-02-10 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| DE3702480A1 (de) * | 1987-01-28 | 1988-08-11 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung eines magneto-optischen speichers |
| US5571629A (en) * | 1987-07-10 | 1996-11-05 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JP2536819B2 (ja) * | 1987-07-23 | 1996-09-25 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP2637777B2 (ja) * | 1988-07-29 | 1997-08-06 | 株式会社日立製作所 | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP2551118B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1996-11-06 | 富士通株式会社 | 光磁気ディスク媒体およびその製造方法 |
| JPH02152046A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気メディア |
| JPH02312032A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-27 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH07254181A (ja) * | 1995-02-13 | 1995-10-03 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196641A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS60145525A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Canon Inc | 磁気記録媒体 |
| JPS60197964A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6122458A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-31 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| JPS6231052A (ja) * | 1985-04-25 | 1987-02-10 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPH0938781A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-10 | Aichi Kiko Kk | スポット溶接機 |
-
1984
- 1984-07-09 JP JP59143079A patent/JP2551403B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58196641A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子 |
| JPS60145525A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Canon Inc | 磁気記録媒体 |
| JPS60197964A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6122458A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-31 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
| JPS6231052A (ja) * | 1985-04-25 | 1987-02-10 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPH0938781A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-10 | Aichi Kiko Kk | スポット溶接機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6122458A (ja) | 1986-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4680742A (en) | Magneto-optical recording element | |
| JP2551403B2 (ja) | 光磁気記録素子 | |
| JPS6180640A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| US4954232A (en) | Magneto-optical recording element and method for fabrication thereof | |
| US4711821A (en) | Opto-magnetic recording medium | |
| KR900003688B1 (ko) | 광기억장치 및 그의 제작방법 | |
| JP2593206B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| EP0352748B1 (en) | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same | |
| JPS61193886A (ja) | 光記録媒体 | |
| US5091267A (en) | Magneto-optical recording medium and process for production of the same | |
| JPS60219655A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPH04219650A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPS6192459A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JP2551403C (ja) | ||
| JPS60246041A (ja) | 光熱磁気記録媒体 | |
| JP2507592B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0630182B2 (ja) | 光磁気記録素子の製法 | |
| JPS61278061A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS61196447A (ja) | 光磁気記録素子 | |
| JPH01173457A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2704186B2 (ja) | 磁気光学記憶媒体 | |
| JPS62121943A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPS6168748A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62109247A (ja) | 光学的磁気記録媒体 | |
| KR940007286B1 (ko) | 정보 기록용 광자기 매체 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |