JP2595956B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光を用いて記録，再生または消去を行なう光
記録媒体に関する。
記録媒体に関する。
従来の光記録媒体は、光により記録，再生または消去
を行なうための記録層が空気中の水分や酸素，あるいは
熱によつて酸化腐食を受け、保存，運搬あるいは使用中
に記録層の特性（C/N,ビツトエラーレート，反射率，屈
折率，θk,Hc等）が劣化するばかりでなく、ピンホール
が多量に発生するため使用できないという欠点を有して
いた。そこで特開昭59−110052号公報，特開昭60−1316
59号公報のように保護膜として、アルミニウムの窒化
物，珪素の窒化物,MgF2,ZnS,CeF3,AlF33NaFなどの非酸
化物や、特開昭58−215744号公報のようにSiO2,SiO,Al2
O3,ZrO2,TiO2などの酸化物をスパツタリング，蒸着，イ
オンプレーテイングCVD（Chemical Vapor Deposition）
などの真空成膜法により成膜して使用していた。
を行なうための記録層が空気中の水分や酸素，あるいは
熱によつて酸化腐食を受け、保存，運搬あるいは使用中
に記録層の特性（C/N,ビツトエラーレート，反射率，屈
折率，θk,Hc等）が劣化するばかりでなく、ピンホール
が多量に発生するため使用できないという欠点を有して
いた。そこで特開昭59−110052号公報，特開昭60−1316
59号公報のように保護膜として、アルミニウムの窒化
物，珪素の窒化物,MgF2,ZnS,CeF3,AlF33NaFなどの非酸
化物や、特開昭58−215744号公報のようにSiO2,SiO,Al2
O3,ZrO2,TiO2などの酸化物をスパツタリング，蒸着，イ
オンプレーテイングCVD（Chemical Vapor Deposition）
などの真空成膜法により成膜して使用していた。
しかし、前述の従来技術では、スパツタリング蒸着，
イオンプレーテイング,CVD（Chemical Vapor Depositio
n）法のような真空成膜法で成膜した窒化珪素，窒化ア
ルミニウムなどの窒化物は熱膨張率が低く、高分子基板
（アクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリカーボネート樹脂
など）に成膜した場合クラツクを生じやすいと同時に窒
化珪素は保護特性が劣り、窒化アルミニウムは空気中の
水分によりアルマイト化して光学特性（屈折率，透過率
など）に変化をきたしやすい。また、酸化珪素，二酸化
珪素，硫化亜鉛などの酸化物や硫化物は保護特性が悪い
のと同時に遊離酸素を多く含んでいるため記録層を酸化
するおそれがあり、空気中の水分や酸素を吸着しやすく
光学特性に変化をきたすという問題点を有していた。
イオンプレーテイング,CVD（Chemical Vapor Depositio
n）法のような真空成膜法で成膜した窒化珪素，窒化ア
ルミニウムなどの窒化物は熱膨張率が低く、高分子基板
（アクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリカーボネート樹脂
など）に成膜した場合クラツクを生じやすいと同時に窒
化珪素は保護特性が劣り、窒化アルミニウムは空気中の
水分によりアルマイト化して光学特性（屈折率，透過率
など）に変化をきたしやすい。また、酸化珪素，二酸化
珪素，硫化亜鉛などの酸化物や硫化物は保護特性が悪い
のと同時に遊離酸素を多く含んでいるため記録層を酸化
するおそれがあり、空気中の水分や酸素を吸着しやすく
光学特性に変化をきたすという問題点を有していた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するものでそ
の目的とするところは、スパツタリング，蒸着，イオン
プレーテイング,CVD（Chemical Vapor Deposition）法
のような真空成膜法で製膜しても密着力があり、光学特
性の温度，湿度あるいは経時の変化が少なく、熱膨張率
にも問題なくクラツクを生じにくい膜を設けることによ
り、記録層のC/N,ビツトエラーレート，反射率，透過
率，θr,Hc等の記録，再生または消去に必要なパラメー
ターの温度，湿度あるいは経時による変化が極めて少な
い光記録媒体を提供することである。
の目的とするところは、スパツタリング，蒸着，イオン
プレーテイング,CVD（Chemical Vapor Deposition）法
のような真空成膜法で製膜しても密着力があり、光学特
性の温度，湿度あるいは経時の変化が少なく、熱膨張率
にも問題なくクラツクを生じにくい膜を設けることによ
り、記録層のC/N,ビツトエラーレート，反射率，透過
率，θr,Hc等の記録，再生または消去に必要なパラメー
ターの温度，湿度あるいは経時による変化が極めて少な
い光記録媒体を提供することである。
透光性支持体上に、金属酸化物を含有する窒化アルミ
ニウムシリコン酸を有し、前記窒化アルミニウムシリコ
ン膜の組成をSiAlXNYと表したとき、ＸおよびＹが、次
の関係式 を満たし、前記窒化アルミニウムシリコン膜に含有され
る前記金属酸化物の割合が、0.1から50重量パーセント
の範囲であることを特徴とする。
ニウムシリコン酸を有し、前記窒化アルミニウムシリコ
ン膜の組成をSiAlXNYと表したとき、ＸおよびＹが、次
の関係式 を満たし、前記窒化アルミニウムシリコン膜に含有され
る前記金属酸化物の割合が、0.1から50重量パーセント
の範囲であることを特徴とする。
また、前記窒化アルミニウムシリコンに含有される前
記金属酸化物が、Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Si,Al,Ge,In,Sn,Pb,A
s,Sb,Se,Te,Zn,Cd,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Y,Zr,Nb,Mo,La,Ce,P
r,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Hf,Ta,WおよびReから選ば
れた１種または２種以上の金属酸化物であることを特徴
とする。
記金属酸化物が、Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Si,Al,Ge,In,Sn,Pb,A
s,Sb,Se,Te,Zn,Cd,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Y,Zr,Nb,Mo,La,Ce,P
r,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Hf,Ta,WおよびReから選ば
れた１種または２種以上の金属酸化物であることを特徴
とする。
第１図から第３図は本発明の実施例における光記録媒
体の断面の基本構成図である。
体の断面の基本構成図である。
第１図に示す光記録媒体は窒化珪素と窒化アルミニウ
ムの焼結体ターゲツト（窒化珪素80wt％，窒化アルミニ
ウム20wt％）上に酸化マグネシウムペレツト（5mm×5mm
×1mm）をのせ、RFマグネトロンスパツタリング法によ
り、SiAlXNY層に酸化マグネシウムが２重量パーセント
含有されるように諸条件を制御して、１のポリカーボネ
ート透光性支持体上に1000Åスパツタした後、鉄−コバ
ルトターゲツト上にテルビウムペレツト（5mm×5mm×1m
m）をのせ、DCマグネトロンスパツタリング法により、
３の記録層であるテルビウム−鉄−コバルト系のマモル
フアス磁性層を成膜して、さらに３の磁性層の上にSiAl
XNY層に酸化マグネシウムが２重量パーセント含有され
るように諸条件を制御して1000Åスパツタした後、５の
紫外線硬化樹脂を用いて６のポリカーボネートの透光性
支持体を貼り合わせた構成になつている。
ムの焼結体ターゲツト（窒化珪素80wt％，窒化アルミニ
ウム20wt％）上に酸化マグネシウムペレツト（5mm×5mm
×1mm）をのせ、RFマグネトロンスパツタリング法によ
り、SiAlXNY層に酸化マグネシウムが２重量パーセント
含有されるように諸条件を制御して、１のポリカーボネ
ート透光性支持体上に1000Åスパツタした後、鉄−コバ
ルトターゲツト上にテルビウムペレツト（5mm×5mm×1m
m）をのせ、DCマグネトロンスパツタリング法により、
３の記録層であるテルビウム−鉄−コバルト系のマモル
フアス磁性層を成膜して、さらに３の磁性層の上にSiAl
XNY層に酸化マグネシウムが２重量パーセント含有され
るように諸条件を制御して1000Åスパツタした後、５の
紫外線硬化樹脂を用いて６のポリカーボネートの透光性
支持体を貼り合わせた構成になつている。
第２図に示す光記録媒体は、第１図に示す場合と同様
に、７のポリカーボネート透光性支持体上に８の酸化マ
グネシウムを２重量パーセント含有するSiAlXNY層を設
けた後、９のネオジウム−デイスプロシウム−鉄−コバ
ルト−チタンの記録層をネオジム−デイスプロシウム−
鉄−コバルト−チタンの合金ターゲツトを用いたDCマグ
ネトロンスパツタリング法により設けた後、さらに10の
窒化珪素層を400Åスパツタした後、11のアルミニウム
層を500Åスパツタした後、12の紫外線硬化樹脂を用い
て13のポリカーボネートの透光性支持体と貼り合わせた
構成になつている。10の窒化珪素層は記録，再生または
消去時の９のネオジム−デイスプロシウム−鉄−コバル
ト−チタンの記録層の熱伝導をおさえ、低パワーの光で
記録，消去ができるように設定されているため、熱伝導
率の低いセラミツクスまたは半金属（例えばアモルフア
スシリコン）であれば何らさしつかえない。また、11の
アルミニウム層は磁気力−効果を利用する構成のため光
が透過する必要がないのでほとんどの金属が使用できる
が、金属層の反射を利用して再生などを行なう場合は反
射率が高く耐食性のあるものであればよいので、Ti,Cr,
Ni,Co,Ag,Cu,Auなどの金属であればよい。
に、７のポリカーボネート透光性支持体上に８の酸化マ
グネシウムを２重量パーセント含有するSiAlXNY層を設
けた後、９のネオジウム−デイスプロシウム−鉄−コバ
ルト−チタンの記録層をネオジム−デイスプロシウム−
鉄−コバルト−チタンの合金ターゲツトを用いたDCマグ
ネトロンスパツタリング法により設けた後、さらに10の
窒化珪素層を400Åスパツタした後、11のアルミニウム
層を500Åスパツタした後、12の紫外線硬化樹脂を用い
て13のポリカーボネートの透光性支持体と貼り合わせた
構成になつている。10の窒化珪素層は記録，再生または
消去時の９のネオジム−デイスプロシウム−鉄−コバル
ト−チタンの記録層の熱伝導をおさえ、低パワーの光で
記録，消去ができるように設定されているため、熱伝導
率の低いセラミツクスまたは半金属（例えばアモルフア
スシリコン）であれば何らさしつかえない。また、11の
アルミニウム層は磁気力−効果を利用する構成のため光
が透過する必要がないのでほとんどの金属が使用できる
が、金属層の反射を利用して再生などを行なう場合は反
射率が高く耐食性のあるものであればよいので、Ti,Cr,
Ni,Co,Ag,Cu,Auなどの金属であればよい。
第３図に示す光記録媒体は透光性支持体としてガラス
を用いた場合であり、14のガラスの透光性支持体上に直
接15のネオジム−デイスプロシウム−鉄−コバルト−チ
タンの記録層を設け、その記録層の上に第１図の場合と
同様に16の酸化マグネシウムを２重量パーセント含有す
るSiAlXNY層をスパツタした後、12の紫外線硬化樹脂を
用いて18のガラスの透光性支持体と貼り合せた構成にな
つている。透光性支持体がガラスであるため、水分や酸
素の透過率が低いので直接ネオジム−デイスプロシウム
−鉄−コバルト−チタンの記録層を設けた構成になつて
いる。
を用いた場合であり、14のガラスの透光性支持体上に直
接15のネオジム−デイスプロシウム−鉄−コバルト−チ
タンの記録層を設け、その記録層の上に第１図の場合と
同様に16の酸化マグネシウムを２重量パーセント含有す
るSiAlXNY層をスパツタした後、12の紫外線硬化樹脂を
用いて18のガラスの透光性支持体と貼り合せた構成にな
つている。透光性支持体がガラスであるため、水分や酸
素の透過率が低いので直接ネオジム−デイスプロシウム
−鉄−コバルト−チタンの記録層を設けた構成になつて
いる。
第４図から第６図は従来例であり、本発明である第１
図から第３図における酸化マグネシウムを２重量パーセ
ント含有するSiAlXNY層の部分が窒化珪素単独層になる
構成になつている。第４図の19はポリカーボネートの透
光性支持体、20は窒化珪素層、21はテルビウム−鉄−コ
バルトの記録層、22は窒化珪素層、23は紫外線硬化樹脂
層、24はポリカーボネートの透光性支持体である。第５
図の25はポリカーボネートの透光性支持体、26は窒化珪
素層、27はネオジム−デイスプロシウム−鉄−コバルト
−チタンの記録層、28は窒化珪素層、29はアルミニウム
層、30は紫外線硬化樹脂層、31はポリカーボネートの透
光性支持体である。第６図の32はガラスの透光性支持
体、33はネオジウムデイスプロシウム−鉄−コバルト−
チタンの記録層、34は窒化珪素層、35は紫外線硬化樹脂
層、36はガラスの透光性支持体である。
図から第３図における酸化マグネシウムを２重量パーセ
ント含有するSiAlXNY層の部分が窒化珪素単独層になる
構成になつている。第４図の19はポリカーボネートの透
光性支持体、20は窒化珪素層、21はテルビウム−鉄−コ
バルトの記録層、22は窒化珪素層、23は紫外線硬化樹脂
層、24はポリカーボネートの透光性支持体である。第５
図の25はポリカーボネートの透光性支持体、26は窒化珪
素層、27はネオジム−デイスプロシウム−鉄−コバルト
−チタンの記録層、28は窒化珪素層、29はアルミニウム
層、30は紫外線硬化樹脂層、31はポリカーボネートの透
光性支持体である。第６図の32はガラスの透光性支持
体、33はネオジウムデイスプロシウム−鉄−コバルト−
チタンの記録層、34は窒化珪素層、35は紫外線硬化樹脂
層、36はガラスの透光性支持体である。
第７図に本発明の基本構成図である第１図から第３図
及び従来例である第４図から第６図に示す光記録媒体の
80℃90％RHの環境下におけるビツトエラーレートの経時
変化図を示す。第７図中のａは第１図の構成、ｂは第２
図の構成、ｃは第３図の構成、ｄは第４図の構成、ｅは
第５図の構成、ｆは第６図の構成の光記録媒体の場合で
ある。第７図からわかるように、従来例である第４図及
び第５図に示す基本構成の場合は10から100時間で窒化
珪素層にクラツクを生じ、第６図の構成の場合もビツト
エラーレートの経時変化が激しく長期信頼性がない反
面、本発明になる第１図から第３図の構成の光記録媒体
はビツトエラーレートの経時変化がないため、長期信頼
性があることがわかる。
及び従来例である第４図から第６図に示す光記録媒体の
80℃90％RHの環境下におけるビツトエラーレートの経時
変化図を示す。第７図中のａは第１図の構成、ｂは第２
図の構成、ｃは第３図の構成、ｄは第４図の構成、ｅは
第５図の構成、ｆは第６図の構成の光記録媒体の場合で
ある。第７図からわかるように、従来例である第４図及
び第５図に示す基本構成の場合は10から100時間で窒化
珪素層にクラツクを生じ、第６図の構成の場合もビツト
エラーレートの経時変化が激しく長期信頼性がない反
面、本発明になる第１図から第３図の構成の光記録媒体
はビツトエラーレートの経時変化がないため、長期信頼
性があることがわかる。
尚、本実施例における金属酸化物を含有するSiAlXNY
層は窒化珪素と窒化アルミニウムの焼結体ターゲツトと
金属酸化物ペレツトを用いているが、窒化珪素のターゲ
ツトと窒化アルミニウムのターゲツトと金属酸化物のタ
ーゲツトを用いた同時スパツタリング法または金属酸化
物を含有するSiAlXNYのターゲツトを用いたスパツタリ
ング法、あるいは蒸着、イオンプレーテイング,CVD（Ch
emical Vapor Deposition）などの真空成膜法により成
膜してもかまわない。
層は窒化珪素と窒化アルミニウムの焼結体ターゲツトと
金属酸化物ペレツトを用いているが、窒化珪素のターゲ
ツトと窒化アルミニウムのターゲツトと金属酸化物のタ
ーゲツトを用いた同時スパツタリング法または金属酸化
物を含有するSiAlXNYのターゲツトを用いたスパツタリ
ング法、あるいは蒸着、イオンプレーテイング,CVD（Ch
emical Vapor Deposition）などの真空成膜法により成
膜してもかまわない。
また、本実施例では透光性支持体としてポリカーボネ
ートおよびガラスを用いたが、Al2O3,MgO,LiF,BeO,Y
2O3,ZrO2,Ti1O3,CaO等の透明セラミツクスからなる透光
性支持体，アクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリ塩化ビニ
ル樹脂，ポリエステル樹脂等の透光性樹脂を用いてもか
まわない。
ートおよびガラスを用いたが、Al2O3,MgO,LiF,BeO,Y
2O3,ZrO2,Ti1O3,CaO等の透明セラミツクスからなる透光
性支持体，アクリル樹脂，エポキシ樹脂，ポリ塩化ビニ
ル樹脂，ポリエステル樹脂等の透光性樹脂を用いてもか
まわない。
さらに、第１図から第３図において、1,7のポリカー
ボネート透光性支持体と2,8の酸化マグネシウムを含有
するSiAlXNY層の間、14のガラスの透光性支持体と15の
ネオジム−デイスプロシウム−鉄−コバルト−チタンの
記録層の間、2,8の酸化マグネシウムを２重量パーセン
ト含有するSiAlXNY層と３のテルビウム−鉄−コバルト
系の記録層の間、９のテルビウム−鉄−コバルト系の記
録層と10の窒化珪素層との間または10の窒化珪素層と11
のアルミニウム層の間に中間層がある場合も同様の効果
があるため、中間層がある場合でもかまわない。
ボネート透光性支持体と2,8の酸化マグネシウムを含有
するSiAlXNY層の間、14のガラスの透光性支持体と15の
ネオジム−デイスプロシウム−鉄−コバルト−チタンの
記録層の間、2,8の酸化マグネシウムを２重量パーセン
ト含有するSiAlXNY層と３のテルビウム−鉄−コバルト
系の記録層の間、９のテルビウム−鉄−コバルト系の記
録層と10の窒化珪素層との間または10の窒化珪素層と11
のアルミニウム層の間に中間層がある場合も同様の効果
があるため、中間層がある場合でもかまわない。
表１に、第１図に示す構成の光記録媒体における、酸
化マグネシウムを２重量パーセントに含有するSiAlXNY
層の部分を他の金属の酸化物を含有するSiAlXNY層でお
きかえた場合の、80℃90％RHの環境下で1000時間環境試
験したときのビツトエラーレートと環境試験前のビツト
エラーレートとの比を、従来用いられていた保護膜を用
いた場合とあわせて示す。尚、表１において、SiAlXNY
層に含有される金属酸化物は５重量パーセントと一定に
して、テルビウム−鉄−コバルト系の記録層の前後の層
は全く同一の条件で成膜して比較した。
化マグネシウムを２重量パーセントに含有するSiAlXNY
層の部分を他の金属の酸化物を含有するSiAlXNY層でお
きかえた場合の、80℃90％RHの環境下で1000時間環境試
験したときのビツトエラーレートと環境試験前のビツト
エラーレートとの比を、従来用いられていた保護膜を用
いた場合とあわせて示す。尚、表１において、SiAlXNY
層に含有される金属酸化物は５重量パーセントと一定に
して、テルビウム−鉄−コバルト系の記録層の前後の層
は全く同一の条件で成膜して比較した。
表１の結果よりBe,Mg,Ca,Sr,Ba,B,Al,Ga,In,Si,Sn,P
b,As,Sb,Te,Zn,Cd,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Y,Zr,Nb,Mo,La,Ce,P
r,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Hf,Ta,W,およびReから選ば
れた１種または２種以上の金属の酸化物を含有するSiAl
XNY層を用いてもビツトエラーレートの経時変化が極め
て少ないため長期信頼性があることがわかる。また、第
１表の結果およびコスト，無毒性の面からMg,Ca,Al,Ga,
In,Si,Zn,Ti,Cr,Mn,Y,Zrおよび軽希土類から選ばれた１
種または２種以上の金属の酸化物を含有するSiAlXNY層
を用いる方がよい。
b,As,Sb,Te,Zn,Cd,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Y,Zr,Nb,Mo,La,Ce,P
r,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Hf,Ta,W,およびReから選ば
れた１種または２種以上の金属の酸化物を含有するSiAl
XNY層を用いてもビツトエラーレートの経時変化が極め
て少ないため長期信頼性があることがわかる。また、第
１表の結果およびコスト，無毒性の面からMg,Ca,Al,Ga,
In,Si,Zn,Ti,Cr,Mn,Y,Zrおよび軽希土類から選ばれた１
種または２種以上の金属の酸化物を含有するSiAlXNY層
を用いる方がよい。
第８図に、第１図に示す構成の光記録媒体において酸
化マグネシウムを２重量パーセント含有するSiAlXNY層
の部分に酸化イツトリウム酸化アルミニウム，酸化亜鉛
または酸化ジルコニウムのSiAlXNY層中の含有量と、テ
ルビウム−鉄−コバルト層の環境試験前の力一回転角
（θki）と80℃90％RHの環境下で1000時間環境試験した
後の力一回転角（θka）と比との関係図を示す。第８図
においてｇは酸化イツトリウム,hは酸化アルミニウム,i
は酸化亜鉛,jは酸化ジルコニウムをSiAlXNY層に含有さ
せた場合をそれぞれ示す。第８図からわかるように、Si
AlXNY層に含有される金属酸化物の割合が0.1重量パーセ
ント以下および50重量パーセント以上では力一回転角の
経時変化が激しくなるため、SiAlXNY層に含有される金
属酸化物は0.1から50重量パーセントの間が良いことが
わかる。
化マグネシウムを２重量パーセント含有するSiAlXNY層
の部分に酸化イツトリウム酸化アルミニウム，酸化亜鉛
または酸化ジルコニウムのSiAlXNY層中の含有量と、テ
ルビウム−鉄−コバルト層の環境試験前の力一回転角
（θki）と80℃90％RHの環境下で1000時間環境試験した
後の力一回転角（θka）と比との関係図を示す。第８図
においてｇは酸化イツトリウム,hは酸化アルミニウム,i
は酸化亜鉛,jは酸化ジルコニウムをSiAlXNY層に含有さ
せた場合をそれぞれ示す。第８図からわかるように、Si
AlXNY層に含有される金属酸化物の割合が0.1重量パーセ
ント以下および50重量パーセント以上では力一回転角の
経時変化が激しくなるため、SiAlXNY層に含有される金
属酸化物は0.1から50重量パーセントの間が良いことが
わかる。
第９図に第８図の縦軸を拡大して示した図を示す。第
９図においてｋは酸化イツトリウム、ｌは酸化アルミニ
ウム、ｍは酸化亜鉛、ｎは酸化ジルコニウムを含有する
SiAlXNY層を用いた場合を示す。第９図からわかるよう
に、力一回転角はSiAlXNY層に含有される金属酸化物の
割合が20重量パーセント以下、特に２から15重量パーセ
ントのとき非常に安定になるため、SiAlXNY層に含有さ
れる金属酸化物は２から15重量パーセントのとき非常に
よりことがわかる。
９図においてｋは酸化イツトリウム、ｌは酸化アルミニ
ウム、ｍは酸化亜鉛、ｎは酸化ジルコニウムを含有する
SiAlXNY層を用いた場合を示す。第９図からわかるよう
に、力一回転角はSiAlXNY層に含有される金属酸化物の
割合が20重量パーセント以下、特に２から15重量パーセ
ントのとき非常に安定になるため、SiAlXNY層に含有さ
れる金属酸化物は２から15重量パーセントのとき非常に
よりことがわかる。
第10図にSiAlXNY層のＸとＹの関係を示した図を示
す。第10図中のＩの領域はAl及びSiが完全に窒化物をつ
くつた状態よりも多くの窒素を含有する場合で不安定な
領域、IIの領域はAl及びSiが完全に窒化物をつくつた状
態からある程度窒素が不足した状態 を示し、IIIの領域はIIの領域よりもさらに窒素が不足
した状態を示す。Ｉの領域は不安定でピンホールが多く
光学徳性（透過度，屈折率，吸収率など）の経時変化が
激しく、IIIの領域はSiAlXNY層を成膜したときのSiAlXN
Y層の光の透過度が低く、光学特性（透過度，屈折率，
吸収率など）の経時変化が激しくなるため使用できな
い。
す。第10図中のＩの領域はAl及びSiが完全に窒化物をつ
くつた状態よりも多くの窒素を含有する場合で不安定な
領域、IIの領域はAl及びSiが完全に窒化物をつくつた状
態からある程度窒素が不足した状態 を示し、IIIの領域はIIの領域よりもさらに窒素が不足
した状態を示す。Ｉの領域は不安定でピンホールが多く
光学徳性（透過度，屈折率，吸収率など）の経時変化が
激しく、IIIの領域はSiAlXNY層を成膜したときのSiAlXN
Y層の光の透過度が低く、光学特性（透過度，屈折率，
吸収率など）の経時変化が激しくなるため使用できな
い。
第10図中のＡはSi1.0Al1.2Ｎ2.5層、ＢはSi1.0Al1.0
Ｎ2.25層、ＣはSi1.0Al0.5Ｎ1.9層、ＤはSi1.0Al0.25Ｎ
1.6、ＤはSi1.0Al0.25Ｎ1.6層、ＥはSi1.0Al0.5Ｎ
1.5層、ＦはSi1.0Al1.0Ｎ1.5層、ＧはSi1.0Al1.5Ｎ1.6
層、ＨはSi1.0Al2.0Ｎ1.8層、ＩはSi1.0Al0.5Ｎ
0.85層、ＪはSi1.0Al1.0Ｎ1.0層およびＫはSi1.0Al1.5
Ｎ1.0層をそれぞれ示す。
Ｎ2.25層、ＣはSi1.0Al0.5Ｎ1.9層、ＤはSi1.0Al0.25Ｎ
1.6、ＤはSi1.0Al0.25Ｎ1.6層、ＥはSi1.0Al0.5Ｎ
1.5層、ＦはSi1.0Al1.0Ｎ1.5層、ＧはSi1.0Al1.5Ｎ1.6
層、ＨはSi1.0Al2.0Ｎ1.8層、ＩはSi1.0Al0.5Ｎ
0.85層、ＪはSi1.0Al1.0Ｎ1.0層およびＫはSi1.0Al1.5
Ｎ1.0層をそれぞれ示す。
第11図に、第10図中のA,B,C,D,E,F,G,H,I,JおよびＫ
の組成でSiAlXNY層に酸化マグネシウムが２重量パーセ
ント含有するように諸条件を制御してパイレツクスガラ
ス上に成膜して、80℃90％RHの環境下での光の屈折率の
変化率の図を示す。第11図からわかるようにC,J,Hおよ
びＫの組成の光の屈折率の変化率は大きいため、C,H,I,
JおよびＫの組成のSiAlXNY層は用いることができない
が、A,B,D,E,FおよびＧの組成の光の屈折率の変化率は
小さいため用いることができることがわかる。第10図お
よび第11図より、第10図のIIの領域 にあるSiAlXNY層は用いることができることがわかる。
の組成でSiAlXNY層に酸化マグネシウムが２重量パーセ
ント含有するように諸条件を制御してパイレツクスガラ
ス上に成膜して、80℃90％RHの環境下での光の屈折率の
変化率の図を示す。第11図からわかるようにC,J,Hおよ
びＫの組成の光の屈折率の変化率は大きいため、C,H,I,
JおよびＫの組成のSiAlXNY層は用いることができない
が、A,B,D,E,FおよびＧの組成の光の屈折率の変化率は
小さいため用いることができることがわかる。第10図お
よび第11図より、第10図のIIの領域 にあるSiAlXNY層は用いることができることがわかる。
尚、本実施例では磁気フアラテー効果、磁気力−効果
を利用して記録，再生または消去を行なう光磁気記録層
であるテルビウム−鉄−コバルト層及びネオジム−デイ
スプロシウム−鉄−コバルトチタン層について述べた
が、光磁気記録層としてはテルビウム−コバルト，テル
ビウム−デイスプロシウム−コバルト、テルビウム−デ
イスプロシウム−鉄−コバルト、ネオジム−鉄−、ネオ
ジム−デイスプロシウム−コバルト、ネオジム−デイス
プロシウム−鉄−コバルトなどの希土類−遷移金属層の
他に、バリウムフエライト、コバルトフエライトなどの
酸化物磁性層についても用いることができ、光相変化型
としてはテルル−酸化テルル、銀−インジウム系、テル
ル−セレン−錫系などの記録層についても使用すること
ができる。
を利用して記録，再生または消去を行なう光磁気記録層
であるテルビウム−鉄−コバルト層及びネオジム−デイ
スプロシウム−鉄−コバルトチタン層について述べた
が、光磁気記録層としてはテルビウム−コバルト，テル
ビウム−デイスプロシウム−コバルト、テルビウム−デ
イスプロシウム−鉄−コバルト、ネオジム−鉄−、ネオ
ジム−デイスプロシウム−コバルト、ネオジム−デイス
プロシウム−鉄−コバルトなどの希土類−遷移金属層の
他に、バリウムフエライト、コバルトフエライトなどの
酸化物磁性層についても用いることができ、光相変化型
としてはテルル−酸化テルル、銀−インジウム系、テル
ル−セレン−錫系などの記録層についても使用すること
ができる。
以上述べたように、本発明によれば、窒化アルミニウ
ムシリコン膜のアルミニウムとシリコンの量を調節する
ことにより、窒化アルミニウムシリコン膜のピンホール
の発生を抑え、光記録媒体における透過度、屈折率、吸
収率等の光学特性が安定し、さらに、窒化アルミニウム
シリコン膜に含有される金属酸化物の含有量を調節する
ことにより、カー回転角の安定性が良好となり、高信頼
性を有する光記録媒体を提供することが可能となる。従
って、光記録媒体としてC/N、ビツトエラーレート、耐
候性において良好な特性を有する、という優れた効果を
奏する。
ムシリコン膜のアルミニウムとシリコンの量を調節する
ことにより、窒化アルミニウムシリコン膜のピンホール
の発生を抑え、光記録媒体における透過度、屈折率、吸
収率等の光学特性が安定し、さらに、窒化アルミニウム
シリコン膜に含有される金属酸化物の含有量を調節する
ことにより、カー回転角の安定性が良好となり、高信頼
性を有する光記録媒体を提供することが可能となる。従
って、光記録媒体としてC/N、ビツトエラーレート、耐
候性において良好な特性を有する、という優れた効果を
奏する。
第１図から第３図は本発明の光記録媒体の構成図、第４
図から第６図は従来例の光記録媒体の構成図、第７図は
第１図から第６図に示す光記録媒体の80℃90％RHの環境
下でのビツトエラーレートの経時変化図、第８図は80℃
90％RHの環境下で1000時間環境試験した後のテルビウム
−鉄−コバルト層の力一回転角θkaの環境試験前の力一
回転角θkiとの比とSiAlXNY層中の酸化物の含有量との
関係図、第９図は第８図の縦軸を拡大したもので、80℃
90％RHの環境下で1000時間環境した後のテルビウム−鉄
−コバルト層の力一回転角θkaと環境試験前の力一回転
角θkiとの比とSiAlXNY層中の酸化物の含有量との関係
図、第10図はSiAlXNY層のＸ及びＹの値の本発明で用い
ることができる領域及び用いることができない領域図、
第11図は、酸化マグネシウム２％含有の80℃90％RH下で
の光の屈折率の変化率を示す図である。 １……ポリカーボネート透光性支持体 ２……酸化マグネシウムを２重量パーセント含有するSi
AlXNY層 ３……記録層（Tb−Fe−Co） ４……酸化マグネシウムを２重量パーセント含有するSi
AlXNY層 ５……紫外線硬化樹脂層 ６……ポリカーボネートの透光性支持体 ７……ポリカーボネート透光性支持体 ８……酸化マグネシウムを２重量パーセント含有するSi
AlXNY層 ９……記録層（Nd−Dy−Fe−Co−Ti） 10……窒化珪素層 11……アルミニウム層 12……紫外線硬化樹脂層 13……ポリカーボネートの透光性支持体 14……ガラスの透光性支持体 15……記録体（Nd−Dy−Fe−Co−Ti） 16……酸化マグネシウムを２重量パーセント含有するSi
AlXNY層 17……紫外線硬化樹脂層 18……ガラスの透光性支持体 19……ポリカーボネート透光性支持体 20……窒化珪素層 21……記録層（Tb−Fe−Co） 22……窒化珪素層 23……紫外線硬化樹脂層 24……ポリカーボネートの透光性支持体 25……ポリカーボネート透光性支持体 26……窒化珪素層 27……記録体（Nd−Dy−Fe−Co−Ti） 28……窒化珪素層 29……アルミニウム層 30……紫外線硬化樹脂層 31……ポリカーボネートの透光性支持体 32……ポリカーボネート透光性支持体 33……記録体（Nd−Dy−Fe−Co−Ti） 34……窒化珪素層 35……紫外線硬化樹脂層 36……ポリカーボネートの透光性支持体 ａ……第１図の構成の光記録媒体 ｂ……第２図の構成の光記録媒体 ｃ……第３図の構成の光記録媒体 ｄ……第４図の構成の光記録媒体 ｅ……第５図の構成の光記録媒体 ｆ……第６図の構成の光記録媒体 ｇ……酸化イツトリウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 ｈ……酸化アルミニウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 ｉ……酸化亜鉛を含有するSiAlXNY層を用いた光記録媒
体 ｊ……酸化ジルコニウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 ｋ……酸化イツトリウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 ｌ……酸化アルミニウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 ｍ……酸化亜鉛を含有するSiAlXNY層を用いた光記録媒
体 ｎ……酸化ジルコニウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 Ａ……Si1.0Al1.2Ｎ2.5 Ｂ……Si1.0Al1.0Ｎ2.25 Ｃ……Si1.0Al0.5Ｎ1.9 Ｄ……Si1.0Al0.25Ｎ1.6 Ｅ……Si1.0Al0.5Ｎ1.5 Ｆ……Si1.0Al1.0Ｎ1.5 Ｇ……Si1.0Al1.5Ｎ1.6 Ｈ……Si1.0Al2.0Ｎ1.8 Ｉ……Si1.0Al0.5Ｎ0.85 Ｊ……Si1.0Al1.0Ｎ1.0 Ｋ……Si1.0Al1.5Ｎ1.0
図から第６図は従来例の光記録媒体の構成図、第７図は
第１図から第６図に示す光記録媒体の80℃90％RHの環境
下でのビツトエラーレートの経時変化図、第８図は80℃
90％RHの環境下で1000時間環境試験した後のテルビウム
−鉄−コバルト層の力一回転角θkaの環境試験前の力一
回転角θkiとの比とSiAlXNY層中の酸化物の含有量との
関係図、第９図は第８図の縦軸を拡大したもので、80℃
90％RHの環境下で1000時間環境した後のテルビウム−鉄
−コバルト層の力一回転角θkaと環境試験前の力一回転
角θkiとの比とSiAlXNY層中の酸化物の含有量との関係
図、第10図はSiAlXNY層のＸ及びＹの値の本発明で用い
ることができる領域及び用いることができない領域図、
第11図は、酸化マグネシウム２％含有の80℃90％RH下で
の光の屈折率の変化率を示す図である。 １……ポリカーボネート透光性支持体 ２……酸化マグネシウムを２重量パーセント含有するSi
AlXNY層 ３……記録層（Tb−Fe−Co） ４……酸化マグネシウムを２重量パーセント含有するSi
AlXNY層 ５……紫外線硬化樹脂層 ６……ポリカーボネートの透光性支持体 ７……ポリカーボネート透光性支持体 ８……酸化マグネシウムを２重量パーセント含有するSi
AlXNY層 ９……記録層（Nd−Dy−Fe−Co−Ti） 10……窒化珪素層 11……アルミニウム層 12……紫外線硬化樹脂層 13……ポリカーボネートの透光性支持体 14……ガラスの透光性支持体 15……記録体（Nd−Dy−Fe−Co−Ti） 16……酸化マグネシウムを２重量パーセント含有するSi
AlXNY層 17……紫外線硬化樹脂層 18……ガラスの透光性支持体 19……ポリカーボネート透光性支持体 20……窒化珪素層 21……記録層（Tb−Fe−Co） 22……窒化珪素層 23……紫外線硬化樹脂層 24……ポリカーボネートの透光性支持体 25……ポリカーボネート透光性支持体 26……窒化珪素層 27……記録体（Nd−Dy−Fe−Co−Ti） 28……窒化珪素層 29……アルミニウム層 30……紫外線硬化樹脂層 31……ポリカーボネートの透光性支持体 32……ポリカーボネート透光性支持体 33……記録体（Nd−Dy−Fe−Co−Ti） 34……窒化珪素層 35……紫外線硬化樹脂層 36……ポリカーボネートの透光性支持体 ａ……第１図の構成の光記録媒体 ｂ……第２図の構成の光記録媒体 ｃ……第３図の構成の光記録媒体 ｄ……第４図の構成の光記録媒体 ｅ……第５図の構成の光記録媒体 ｆ……第６図の構成の光記録媒体 ｇ……酸化イツトリウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 ｈ……酸化アルミニウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 ｉ……酸化亜鉛を含有するSiAlXNY層を用いた光記録媒
体 ｊ……酸化ジルコニウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 ｋ……酸化イツトリウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 ｌ……酸化アルミニウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 ｍ……酸化亜鉛を含有するSiAlXNY層を用いた光記録媒
体 ｎ……酸化ジルコニウムを含有するSiAlXNY層を用いた
光記録媒体 Ａ……Si1.0Al1.2Ｎ2.5 Ｂ……Si1.0Al1.0Ｎ2.25 Ｃ……Si1.0Al0.5Ｎ1.9 Ｄ……Si1.0Al0.25Ｎ1.6 Ｅ……Si1.0Al0.5Ｎ1.5 Ｆ……Si1.0Al1.0Ｎ1.5 Ｇ……Si1.0Al1.5Ｎ1.6 Ｈ……Si1.0Al2.0Ｎ1.8 Ｉ……Si1.0Al0.5Ｎ0.85 Ｊ……Si1.0Al1.0Ｎ1.0 Ｋ……Si1.0Al1.5Ｎ1.0
Claims (2)
- 【請求項１】透光性支持体上に、金属酸化物を含有する
窒化アルミニウムシリコン膜を有し、 前記窒化アルミニウムシリコン膜の組成をSiAlXNYと表
したとき、ＸおよびＹが、次の関係式 を満たし、 前記窒化アルミニウムシリコン膜に含有される前記金属
酸化物の割合が、0.1から50重量パーセントの範囲であ
ることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】前記窒化アルミニウムシリコンに含有され
る前記金属酸化物が、Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Si,Al,Ge,In,Sn,
Pb,As,Sb,Se,Te,Zn,Cd,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Y,Zr,Nb,Mo,La,C
e,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Hf,Ta,WおよびReから選
ばれた１種または２種以上の金属酸化物であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62061453A JP2595956B2 (ja) | 1986-03-25 | 1987-03-17 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6641486 | 1986-03-25 | ||
| JP61-66414 | 1986-03-25 | ||
| JP62061453A JP2595956B2 (ja) | 1986-03-25 | 1987-03-17 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313146A JPS6313146A (ja) | 1988-01-20 |
| JP2595956B2 true JP2595956B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=26402480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62061453A Expired - Lifetime JP2595956B2 (ja) | 1986-03-25 | 1987-03-17 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2595956B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2630399B2 (ja) * | 1987-07-10 | 1997-07-16 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体 |
| JPH01307941A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JP2005251279A (ja) | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Nec Corp | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122458A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-31 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP62061453A patent/JP2595956B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6122458A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-31 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6313146A (ja) | 1988-01-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |