JPS62222454A

JPS62222454A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPS62222454A
Application number: JP6523786A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Yatake; 正弘矢竹; Akira Aoyama; 明青山; Mamoru Sugimoto; 守杉本
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1986-03-24
Filing date: 1986-03-24
Publication date: 1987-09-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は元を用いて記録、再生まｆｃは消去を行なう光
記録媒体に関する。

〔従来技術〕

従来の光記録媒体は、光にエリ配録、再生まｔは消去を
行なうための記録層が空気中の水分や酸素、あるいは熱
に工って酸化腐食を受け、保存。

運搬あるいは使用中に記録層の特性（０７Ｎ、ピットエ
ラーレート、反射率、屈折率、θに、Ｈａ等）が劣化す
るばかりでなく、ピンホールが多量に発生する九め使用
で１＆なくなるという欠点全盲してい比。そこで、％開
昭５９−１１００５２号公報、特開昭６０−１３１６５
９号公報の工うに保龜膜として、アルミニウムの窒化物
、珪素の窒化物、ＭｇＦ’ｚ　ｈ　ＺｎＳ　Ｉ　ＣｅＦ
ｌ　、　ＡｊｌＦ３３Ｎ＆Ｆなどの非酸化物や、特開昭
５８−２１５７４４号公報の工うに８１０　＠　＊　Ｅ
３１０　＠　Ａ　２１０３ｅＺｒ０２　、Ｔｉ０１など
の酸化物をスバツタリング、蒸着、イオンブレーティン
グ、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ）　　などの真空成膜法にエリ成膜して使
用していた。

〔発明が解決しょうとする問題点〕

しかし、前述の従来技術では、ヌバッタリング。

蒸着、イオンブレーティング、　ＯＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌＶａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法の工
うな真空成膜法で成膜し７？鷺化珪素、窒化アルミニウ
ムなどの窒化　物は熱膨張率が低く、高分子基板（アク
リル樹脂。

エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂など）に成膜し几
場合クラックを生じゃ丁いと同時に充てん率が低い友め
保護特性が劣る。同様に、酸化珪素。

二酸化珪素、硫化亜鉛などの酸化物や硫化物は充てん率
が低い友め保護特性が悪いのと同時に遊離酸素を多く含
んでいるｔめ記録層を酸化するおそれがあり、ま光窓気
中の水分や酸素を吸着しゃすく光学特注に変化をき光子
という問題点を有してい九〇そこで本発明はこのＬうな問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは金属酸化物層で酸素や水などの記
録層を劣化させる物質の透過を防ぎ、窒化アルミニウム
層で金属酸化物層からの酸素の移動による記録層の酸化
を防ぐことにエリ、記録層のＯ／Ｎ、ビットエラーレー
ト、透過率。

θに、Ｈｃなどの配録、再生ま九は消去に必要なパラメ
ーターの温度、湿度あるいは経時による変化が極めて少
ない光記録媒体を提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光記録媒体は、光を用いて記録、再生または消
去全行なう光記録媒体において、透光性支持体上に窒化
アルミニウム層および金属酸化物ノーを配すること分特
徴とする。

本発明において、金属酸化物層はＢ　ｅ　１Ｍ　ｇ、　
ｒＯａ、ｆｌｌｒｌＢａｌＢＩＡｎ、（）ａ、工ｎ、Ｓ
ｉ　。

Ｓｎ、Ｐ’ｔ＋、Ａｓ、Ｓｂ、Ｓｅ＋Ｔｅ、Ｚｎ。

Ｃｄ、Ｔｉ、−ｉ７＋ｏｒ＋Ｍｎ、Ｆｅ、Ｚｒ＋Ｎａ。

Ｍｏ、Ｌａ、Ｏｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、ｓｍ。

Ｅｕ、Ｇａ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＥｌｏｔＦｆｒ、ＨｆｅＴａ
、Ｗ、Ｒｅお工び０８から通ばれｔ１種または２種以上
の金稿の酸化物であればかまわないが、層の透光性、コ
スト、無毒性の面から、Ｍｇ。

Ｃａ、Ａｌ４．Ｇａ、工ｎ、ｓｉ＊８ｎ＋Ｚｎ。

Ｔｉ、Ｏｒ＋Ｍｎ、Ｙ、Ｚｒ＋軽希土類から選ばれ九１
種または２種以上の金属の酸化物が望ましい。

〔実施例〕

第１図から第５図は本発明の実施例における光記録媒体
の基本構成の概略図である。

第１図に示す光記録媒体は酸化亜鉛ターゲットを用い、
１のポリカーボネート透光性支持体上にＲＦマグネトロ
ンスパッタリング法に工り２の酸化亜鉛層を７０ＯＡス
パツタしｔ後、電化アルミニウムルーケン）？用い、Ｒ
Ｆマグネトロンスパッタリング法にＬす５の窒化アルミ
ニウム層を５００Ａスパツタして、その上に、４のテル
ビウム−鉄−コバルト系のアモルファス磁ａｍ’ｔＤｃ
マグネトロンスパッタリング法に！す５００Ａスパツタ
して、さらに前述の方法と同様に５の窒化アルミニウム
ＮＩを３０ＯＡ、６の酸化亜鉛層７００Ａと順次成膜し
て作成した構広になっている。尚、テルビウム−鉄−コ
バルト系のアモルファス磁性層は、鉄−コバルトのター
ゲット上にテルビウムベレット（５鵡Ｘ　５　ｆｉ　Ｘ
　Ｉ　Ｍ　）を、鉄−コバルト層にテルビウムが均一に
分布される工うに並べて成膜し友。

第２図に示す光記録媒体は、第１図に示す場合と１司様
に、７のポリカーボネート透光性支持体上に８の酸化亜
鉛層７００Ａ、９の窒化アルミニウム層３００Ａ、１０
のテルビウム−鉄−コバルト系の４Ｃ録層の順に順次放
膜しｔ後、１１の窒化ア／’　ミニ’）　Ａ　ｊｆＪを
１４００ＡｌｌｉｌＥ膜して、さらに１２のアルミニウ
ム層２ｓｏｏ人成膜して作製した構面になっている。１
１の窒化アルミニウム層は記録、再生’［７（は消去時
の７のテルビウム−鉄−コバルト系の記録層の熱伝導を
おさえ、低パワーの元で記録、消去ができる工うに設定
されている几め、熱伝導率の低いセラミックスま友は半
金属（例工ばアモルファスシリコン）であれば何らさし
つかえない。ま几、１２のアルミニウム層の部分は磁気
カー効果を利用する構成の几め光が透過する必要がない
のでほとんどの金属が使用できるが、金属７層の反射を
利用して再生などを行なう場合は反射出が高く耐食性の
あるものであれば裏いのでＴｉ、Ｏｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ａｕなどの金属であれば工い。

具５図に示す光学記録媒体は透光性支持体としてガラス
を用い几場合であり、１３のガラスの透光性支持体上に
直接１４のテルビウム−鉄−コバルト系の記録層を設け
、その記録層の上に第１図の場合と同様に１５の窒化ア
ルミニウム層５０ＯＡ、酸化亜鉛層１０００Ａの順に放
膜して作製した構成になっている。透光性支持体がガラ
スである几め、水分や酸素の透過率が低いので直接テル
ビウム−鉄−コバルト系の記録層を設は几構成になって
いる。

第４図から第６図は従来例であり、本発明である第１図
から第３図にかける窒化アルミニラＪｉ３００Ａと酸化
亜＠層７００Ａの部分が窒化アルミニｒ′、ム単独層１
０００Ａになる構成になっている。

第７図に本発明の基本構成である第１図から第３図及び
従来例である第４図から第６図に示す光記録媒体の６０
’Ｃ９０＝％ＲＨの環境下におけるピットエラーレート
の経時変化図を示す。第７図中のａは第１図の構成、ｂ
は第２図の構成、Ｃは第５図の椙放、ｄは第４図の構成
、ｅは第５図の構成、ｆは第６図の構成の光記録媒体の
場合である。

第７図かられたる二うに、従来例である第４図。

第５図お工び第６図に示す構成の場合はピットエラーレ
ートの経時変化が激しく長期信頼性がない反面、本発明
になる第１図、第２図訃工び第３図の構成の場合はピッ
トエラーレートの経時変化がないため長期信頼性がある
ことがわかる。

尚、本実捲例におけるテルビウム−鉄−コバルト系の記
録層は鉄−コバルトのターゲット上にテルビウムペレッ
トｔ−並べて放膜しているが、テルビウム−鉄−コバル
トの合金ターゲットを用い九スパッタリング法、テルビ
ウムターゲットト鉄−コバルトの合金ターゲラ）ｆ用い
７？：　ＰＪ　１１１９スパツタリング法などのスパッ
タリング法、あるいは蒸着、イオンブレーティング、Ｃ
Ｖ　Ｄ　（（３ｈｅｕｎｃａｌＶａｐｏｒ　Ｄ６ｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ　）などの真空底膜法に二ってもかまわない
。ま九、窒化アルミニム層お工ひ金属酸化物層について
も同様で、焼結体ターゲラ）ｋ用いたスパッタリング法
、金属と反応性ガスを用いた反応性スパッタリング法な
どのスパッタリング法、あるいは蒸着、イオンブレーテ
ィング、ＣＶＤなどの真空底膜法にエリ放膜してもかま
わない。

ま友、本央砲例では透光性支持体としてポリカーボネー
トお工びガラスを用いたが、ＡＲ１Ｏ８＋Ｍ　ｇＯ＊　
Ｌ　ｔ　Ｆ　ｒ　Ｂ　ｅ　Ｏｒ　Ｙ　２０３　ｇ　Ｚ　
ｒ　Ｏｔ　ｅＴｈ０３　、ＯａＯなどの透明セラミック
スからなる透光性支持体、アクリル樹脂、エポキシ樹脂
。

ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂などの透光性樹
脂を用いてもかまわない。

さらに、第１図から第３図において、ポリカーボネート
透光性支持体と金属酸化物層の間、金属酸化物層と窒化
アルミニウム層の間、窒化アルミニウム層とテルビウム
−鉄−コバルト系の記録層の間、ガラスの透光性支持体
とテルビウム−鉄−コバルト系の記録層の間、テルビウ
ム−鉄−コバルト系の記録層と窒化アルミニウム層の間
１九は’ｆｆｌ化アルミニウム層とアルミニウム層の間
に中間層がある場合も同様の効果がある几め中間層があ
る場合でもかまわない。

表１に、第１図に示す構成の光記録媒体における酸化亜
鉛層７００Ａの部分を他の金属の酸化物層７００Ａでお
きかえ九場合の、６０″０９０％ＲＥの環境下で１００
０時間環境試験し九ときのピットエラーレートと環境試
験前のピットエラーレートとの比を、従来用いられてい
た保護膜を用イア２場合とあわせて示す。

尚、表１において、金属酸化物層以外の条件は全く同一
の条件で作製して比較し九。

表１の結果工りＢｅ、Ｍｇ、０ａｔＳｒ、Ｂａ。

Ｂ、Ａｆｉ、（）ａ、　　工　ｎ、ｓｉ＋８ｎ、Ｐｂ、
Ａｓ。

Ｓ　　ｂ　、Ｔｅ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｔｉ＋Ｖ、　　Ｃｒ、
Ｍｎ。

Ｆｅ、Ｙ＋Ｚｒ、Ｎｂ、ＭＯ＋Ｌａ＊Ｏｅ、Ｐｒ。

１ｉ　　ｃｌ　　、Ｐ　ｍ　　＊　　８　　ｍ　　＋　
　Ｋ　ｕ　　、Ｇ　　ｄ　　＊　　Ｔ　　ｂ　　ｔ　　
Ｄ　ｙ　　＊Ｂｏ＊Ｅｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅお工び
Ｏｓから選ばれた１種または２種以上の金属の酸化物全
含有する金属酸化物層を用いてもピットエラーレートの
経時変化が極めて少ないため長期信頼性があることがわ
かる。まｔ、表１の結果お工びコスト、無毒性の面から
Ｍｇ、Ｃａ、Ａｆｉ、Ｇａ。

Ｉ　ｎ、Ｓｉ、Ｚｎ、、Ｔｉ＋Ｏｒ＋Ｍｎ＋ＹｔＺｒお
工び軽希土類から１ばれた１種ま九は２種以上の金属の
酸化物層を用いる力が工い。

尚、本実施例では磁気ファラデー効果、磁気カー効果を
利用して記録、再生または消去を行なう光磁気記録層で
あるテルビウム−鉄−コバルト層について述べたが、光
磁気記録層として（１テルビウム−コバルト、テルビウ
ム−ディスプロシウム−コバルト、テルビウム−ディス
プロシウム−鉄−コバルト、ネオジウム−鉄、ネオジウ
ムーデイスプロシ言ムーコバルト、ネオ・ジウムーデイ
スブロシウムー鉄−コバルトなどの希土類−遷移金属層
の他に、バリウムフェライト、コバルトフェライトなど
の酸化物団性層についても用いることが′でき、光相変
化型としてはテルル−酸化テルル、銀−インジ＾ム系、
テルル−セレン−錫系などの記録層についても使用する
ことができる。

〔発明の効果〕

以上述べ九二うに本発明に工れば、光音用いて記録、再
生またに消去全行なう光記録媒体にかいて、透光性支持
体上に窒化アルミニウム層および金層酸化物層を配する
ことに二す、記録層のＯ／Ｎ、ピットエラーレート５反
射率、透過率、θｋ。

Ｈｃなどの記録、再生、またに消去に必要なパラメータ
ーの温度、湿度あるいは経時に五る変化が極めて少ない
光ｇじ録媒体を提供するという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図から第５図は本発明のＪＪｔ、記録媒体の概略図
、第４図から１！６図は従来の光記録媒体の概略ト図、第７図は第１図から第１図に示す光記録媒体の６０
″Ｇ９０％ＥＨの環境下でのビットエラーレートの経時
変化図をそれぞれ示す。１・・・１ポリ力−ボネート透光性支持体２・・・酸化
亜鉛層３・・・窒化アルミニウムノー４−！ｅ碌Ｊｌ（’ｒｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）５・・・窒化ア
ルミニウム層６・・・酸化亜鉛層７・・・ポリカーボネート透光性支持体８・・・酸化亜
鉛層９・・・窒化アルミニウム層１０・・・記録Ｎ（Ｔｂ−Ｆ’ｅ−Ｃ！Ｏ）１１・・・
窒化アルミニウム層１２・・・アルミニウム層１３・・・ガラスの透光性支持体１４−−−記録層（Ｔ　ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ　）１５・・・
窒化アルミニウム層１６・・・酸化亜鉛層１７・・・ポリカーボネート透光性支持体１８・・・窒
化アルミニウム層１９＝−ｉｉｊｆｉ層（Ｔｂ−Ｆｅ−ｃｏ）２０・・・
窒化アルミニウム層２１・・・ポリカーボネート透光性支持体２２・・・％
ｎ化アルミニ「ブム層２３−ｓｅａ層（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）２４・・・窒化アルミニウム層２５・・・アルミニウム層２６・・・ガラスの透光性支持体２７−ｇｒ：、鉛層（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）２８・・・窒
化アルミニウム層ａ・・・第１図の構成の光記録媒体ｂ・・・第２図の構成の′Ｊｔ、紀録媒体Ｃ・・・第３
図の構成の光記録媒体ｄ・・・第４図の構成の光記録媒体ｅ・・・第５図の構成のｆｔ、記録媒体ｆ・・・第６図
の構成の光記録媒体以上出頗人　セイコーエプンン株式会社他１名２　　　φｔイヒ」ゴヒ弁漫３　・　望イｏ７７／しぶニラろ層芒ｊ図１５・・９ｏ７ｔしＳニク＾潜躬３図第４図第ダ１Δ 爲Ｇ図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光を用いて記録、再生または消去を行なう光記録
媒体において、透光性支持体上に窒化アルミニウム層お
よび金属酸化物層を配することる特徴とする光記録媒体
。
（２）該金属酸化物層がＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ
、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓ
ｂ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ
、Ｐｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｈｆ、
Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、およびＯｓから選ばれた１種または２
種以上の金属の酸化物からなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光記録媒体。