JPH01189049A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH01189049A JPH01189049A JP1305888A JP1305888A JPH01189049A JP H01189049 A JPH01189049 A JP H01189049A JP 1305888 A JP1305888 A JP 1305888A JP 1305888 A JP1305888 A JP 1305888A JP H01189049 A JPH01189049 A JP H01189049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magneto
- optical recording
- intermediate layer
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 58
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- -1 rare earth transition metal Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 abstract description 9
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 abstract description 9
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016629 MnBi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005091 Si3N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気記録媒体に関し、特にレーザ光を用いて
情報の記録及び再生を行う光磁気記録媒体に関する。
情報の記録及び再生を行う光磁気記録媒体に関する。
光デイスクメモリは高密度で大容量であり高速アクセス
が可能であるということから現在の磁気ディスクメモリ
に代わる新規なメモリとして考えられている。中でも、
光磁気記録媒体を用いた光磁気ディスクは書換え性を有
していることから最も注目され、近年活発に研究開発が
行われている。
が可能であるということから現在の磁気ディスクメモリ
に代わる新規なメモリとして考えられている。中でも、
光磁気記録媒体を用いた光磁気ディスクは書換え性を有
していることから最も注目され、近年活発に研究開発が
行われている。
第２図は従来の磁気記録媒体の第１の例の断面図である
。
。
第２図に示すように、支持基板としての上面に幅０．６
〜０．７μｍ、ピッチ１．６μｍの渦巻状溝を有する直
径１３０市厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板１の
渦巻状溝部の上に厚さ８０ｏｍに形成された第２の中間
層としてのＳｉ３Ｎ４中間層３と、Ｓｉ３Ｎ４中間層３
の上に厚さ８０［１１１１に形成された光磁気記録層と
してのＴ ｂ ｏ、２□Ｆｅ０−７０ＣＯＯ，０８層４
と、Ｔ ｂ ０・２２Ｆ ｅ ｏ−７ｏｃ ＯＯ，０８
層４の上に厚さ８０ｎｍに形成されたＳｉ３Ｎ４保膜層
５とから構成される。
〜０．７μｍ、ピッチ１．６μｍの渦巻状溝を有する直
径１３０市厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板１の
渦巻状溝部の上に厚さ８０ｏｍに形成された第２の中間
層としてのＳｉ３Ｎ４中間層３と、Ｓｉ３Ｎ４中間層３
の上に厚さ８０［１１１１に形成された光磁気記録層と
してのＴ ｂ ｏ、２□Ｆｅ０−７０ＣＯＯ，０８層４
と、Ｔ ｂ ０・２２Ｆ ｅ ｏ−７ｏｃ ＯＯ，０８
層４の上に厚さ８０ｎｍに形成されたＳｉ３Ｎ４保膜層
５とから構成される。
光磁気記録層は、ＭｎＢ ｉ 、ＭｎＣｕＢ ｉなどの
多結晶薄膜、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙなどの希土類金属とＦｅ
、Ｇｏなどの鉄属遷移金属との組合せによって作成され
る非晶質合金薄膜、ＧＩＧなどの単結晶薄膜が知られて
いる。これらのうちで、非晶質合金薄膜は書込感度が高
く、膜面に垂直方向の磁気異方性が体面積で安定に作れ
、しかも非晶質のなめ粒界ノイズが小さくＳ／Ｎ比良く
読出すことができるなどの利点があるため、記録媒体と
してもっとも優れている。
多結晶薄膜、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄｙなどの希土類金属とＦｅ
、Ｇｏなどの鉄属遷移金属との組合せによって作成され
る非晶質合金薄膜、ＧＩＧなどの単結晶薄膜が知られて
いる。これらのうちで、非晶質合金薄膜は書込感度が高
く、膜面に垂直方向の磁気異方性が体面積で安定に作れ
、しかも非晶質のなめ粒界ノイズが小さくＳ／Ｎ比良く
読出すことができるなどの利点があるため、記録媒体と
してもっとも優れている。
しかし、この非晶質合金薄膜は、耐候性に劣るため酸化
や腐食を防ぐという目的で、Ｓｉ３Ｎ４中間層３や５ｉ
３Ｓ４保護層５が設けられる。中間層及び保護層として
は、酸化物、窒化物などが使用できるが、酸化物を用い
た場合は酸化物中の遊離酸素によりＴｂＦｅＣ０合金が
酸化するという問題があるので、通常窒化物を用いる。
や腐食を防ぐという目的で、Ｓｉ３Ｎ４中間層３や５ｉ
３Ｓ４保護層５が設けられる。中間層及び保護層として
は、酸化物、窒化物などが使用できるが、酸化物を用い
た場合は酸化物中の遊離酸素によりＴｂＦｅＣ０合金が
酸化するという問題があるので、通常窒化物を用いる。
第３図は第２図の光磁気記録媒体を用いて作成された光
磁気ディスクの断面図である。
磁気ディスクの断面図である。
第３図に示すように、第２図の光磁気記録媒体１０を外
周スペーサ１２及び内周スペーサ１３を介してポリカー
ボネートカバーディスク１１に貼合せて光磁気ディスク
を作成した。貼合せの接着剤としては紫外線硬化樹脂を
用いた。又、内周スペーサ１３には光磁気記録媒体１０
とポリカーボネートカバーディスク１１と外周スペーサ
１２と内周スペーサ１３によって囲まれる空間に外気が
出入できるよう抜穴を設けである。
周スペーサ１２及び内周スペーサ１３を介してポリカー
ボネートカバーディスク１１に貼合せて光磁気ディスク
を作成した。貼合せの接着剤としては紫外線硬化樹脂を
用いた。又、内周スペーサ１３には光磁気記録媒体１０
とポリカーボネートカバーディスク１１と外周スペーサ
１２と内周スペーサ１３によって囲まれる空間に外気が
出入できるよう抜穴を設けである。
この光磁気ディスクを６０℃９０％ＲＨの環境条件で５
００Ｈの耐候試験を行ったところ媒体の剥離が発生した
。
００Ｈの耐候試験を行ったところ媒体の剥離が発生した
。
次に、第４図及び第５図はそれぞれ従来の光磁気記録媒
体の第２及び第３の例の断面図である。
体の第２及び第３の例の断面図である。
第４図及び第５図に示すように、第２図に示す光磁気記
録媒体のポリカーボネート基板１とＳｉ３Ｎ４中間層３
の間に、第１の中間層として第２の例では厚さ３０ｎｍ
のＺｒ０２層１４を形成し第３の例では厚さ３０ｏｍの
ＡＩ！２Ｏ５層１５を形成している。又、Ｓｉ３Ｎ４中
間層３の厚さは５０ｎｍとし、Ｔ ｂ ０−２２Ｆｅ
０−７０ＣＯ０，０８層４とＳＬ、Ｎ４保護層５は上述
した第２図の第１の例と同一条件で製作した。
録媒体のポリカーボネート基板１とＳｉ３Ｎ４中間層３
の間に、第１の中間層として第２の例では厚さ３０ｎｍ
のＺｒ０２層１４を形成し第３の例では厚さ３０ｏｍの
ＡＩ！２Ｏ５層１５を形成している。又、Ｓｉ３Ｎ４中
間層３の厚さは５０ｎｍとし、Ｔ ｂ ０−２２Ｆｅ
０−７０ＣＯ０，０８層４とＳＬ、Ｎ４保護層５は上述
した第２図の第１の例と同一条件で製作した。
なお、Ｚｒ０２層１４はＺｒ金属（純度９９％）をアル
ゴンと酸素の混合雰囲気中でスパッタすることにより形
成した。又１．ｌ’２Ｏ３層１５はＡｅ２Ｏ．焼結体く
純度９９．９９％）ターゲットをアルゴンガスでスパッ
タすることにより形成した。
ゴンと酸素の混合雰囲気中でスパッタすることにより形
成した。又１．ｌ’２Ｏ３層１５はＡｅ２Ｏ．焼結体く
純度９９．９９％）ターゲットをアルゴンガスでスパッ
タすることにより形成した。
次に、第４図及び第５図に示すそれぞれの光磁気記録媒
体を用いて上述した第３図に示す光磁気ディスクと同一
構造の貼合せ形の光磁気ディスクを作成した。
体を用いて上述した第３図に示す光磁気ディスクと同一
構造の貼合せ形の光磁気ディスクを作成した。
作成した光磁気ディスクの耐候試験を行ったところ、６
０℃９０％ＲＨの環境での５００Ｈ試験では媒体の剥離
を発生しないが、７０℃９０％ＲＨの環境での５００８
試験では媒体の剥離を発生した。
０℃９０％ＲＨの環境での５００Ｈ試験では媒体の剥離
を発生しないが、７０℃９０％ＲＨの環境での５００８
試験では媒体の剥離を発生した。
上述した従来の光磁気記録媒体は、有ｉ物の支持基板上
に窒化物を強い付着力で形成することが困難であること
から、支持基板と窒化物の中間層との間に酸化物のＡＩ
！２Ｏ．又はＺｒＯ２層を形成して付着力の改善を計っ
ているが、７０°Ｃ９０％ＲＨの環境試験で剥離を発生
するという問題点がある。
に窒化物を強い付着力で形成することが困難であること
から、支持基板と窒化物の中間層との間に酸化物のＡＩ
！２Ｏ．又はＺｒＯ２層を形成して付着力の改善を計っ
ているが、７０°Ｃ９０％ＲＨの環境試験で剥離を発生
するという問題点がある。
本発明の光磁気記録媒体は、支持基板上に形成される酸
化物誘電体から成る第１の中間層と、該第１の中間層上
に形成される窒化物誘電体から成る第２の中間層と、該
第２の中間層上に形成される希土類遷移金属合金から成
り層面に対し垂直な方向に磁化容易軸を存する光磁気記
録層と、該光磁気記録層上に形成される酸化物誘電体か
ら成る保護層とを有する光磁気記録媒体において、前記
第１の中間層はＴａ２Ｏ５で構成される。
化物誘電体から成る第１の中間層と、該第１の中間層上
に形成される窒化物誘電体から成る第２の中間層と、該
第２の中間層上に形成される希土類遷移金属合金から成
り層面に対し垂直な方向に磁化容易軸を存する光磁気記
録層と、該光磁気記録層上に形成される酸化物誘電体か
ら成る保護層とを有する光磁気記録媒体において、前記
第１の中間層はＴａ２Ｏ５で構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
第１図に示すように、有機物の支持基板として上面に幅
０．６〜０．７μｍ、ピッチ１．６μｍの渦巻状の溝を
有する直径１３０ｍｍ、厚さ１，２層ｍのポリカーボネ
ート基板１と、ポリカーボネート基板１の溝領域の上に
厚さ３０層ｍに形成された第１の中間層としてのＴａ２
Ｏ５Ｒ２と、Ｔａ２Ｏ５層２の上に厚さ５０層ｍに形成
した第２の中間層としてのＳｉ３Ｎ４中間層３と、Ｓｉ
３Ｎ４中間層３の上に厚さ８０層ｍに形成した光磁気記
録層としてのＴ ｂ ０．２２Ｆ ｅ Ｏ，７０ＣＯｏ
、ｏｓ層４と、Ｔ ｂ ０１２２Ｆ ｅ ｏ、、ｏｃ
Ｏ０，０８層４の上に厚さ８０層ｍに形成しなＳｉ３Ｎ
４保護Ｎ５とから構成される。
０．６〜０．７μｍ、ピッチ１．６μｍの渦巻状の溝を
有する直径１３０ｍｍ、厚さ１，２層ｍのポリカーボネ
ート基板１と、ポリカーボネート基板１の溝領域の上に
厚さ３０層ｍに形成された第１の中間層としてのＴａ２
Ｏ５Ｒ２と、Ｔａ２Ｏ５層２の上に厚さ５０層ｍに形成
した第２の中間層としてのＳｉ３Ｎ４中間層３と、Ｓｉ
３Ｎ４中間層３の上に厚さ８０層ｍに形成した光磁気記
録層としてのＴ ｂ ０．２２Ｆ ｅ Ｏ，７０ＣＯｏ
、ｏｓ層４と、Ｔ ｂ ０１２２Ｆ ｅ ｏ、、ｏｃ
Ｏ０，０８層４の上に厚さ８０層ｍに形成しなＳｉ３Ｎ
４保護Ｎ５とから構成される。
それぞれの層はＲＦスパッタリング装置を用いて連続的
に成膜した。ＲＦスパッドリング装置のチャンバー内を
３．０Ｘ１０−’Ｐａ以下に真空排気した後、順次成膜
を行った。Ｔａ２Ｏ５層２はＴａ２Ｏ５焼結体く純度９
９．．９９％）ターゲットを用いてアルゴンガス雰囲気
中でスパッタを行い膜厚は３０層ｍとした。
に成膜した。ＲＦスパッドリング装置のチャンバー内を
３．０Ｘ１０−’Ｐａ以下に真空排気した後、順次成膜
を行った。Ｔａ２Ｏ５層２はＴａ２Ｏ５焼結体く純度９
９．．９９％）ターゲットを用いてアルゴンガス雰囲気
中でスパッタを行い膜厚は３０層ｍとした。
Ｓｉ３Ｎ４中間Ｎ３及びＳｉ３Ｎ４保護層５はターゲッ
トとしてＳｉ焼結体く純度９９．９９％）を用いて、ア
ルゴンと窒素の混合ガス（窒素分圧が４５．６％）雰囲
気中でスパッタを行った。
トとしてＳｉ焼結体く純度９９．９９％）を用いて、ア
ルゴンと窒素の混合ガス（窒素分圧が４５．６％）雰囲
気中でスパッタを行った。
Ｔ ｂ ０−２２Ｆ ｅ ０１７０ＣＯ０，０８はＦｅ
ｒ）、ｇＣｏ□、１ 合金シート上にＴｂチップを配し
た複合ターゲットを用いてアルゴンガス雰囲気中でスパ
ッタを行い、膜厚は８０層ｍとした。
ｒ）、ｇＣｏ□、１ 合金シート上にＴｂチップを配し
た複合ターゲットを用いてアルゴンガス雰囲気中でスパ
ッタを行い、膜厚は８０層ｍとした。
本実施例を用いて前述した第３図に示す貼合せ形の光磁
気ディスクを作成し、６０℃９０％ＲＨ及び７０°Ｃ９
０％ＲＨの環境でそれぞれ５００Ｈの耐候試験を行った
ところ、媒体に剥離を発生せず、付着力の信頼性を向上
できる。
気ディスクを作成し、６０℃９０％ＲＨ及び７０°Ｃ９
０％ＲＨの環境でそれぞれ５００Ｈの耐候試験を行った
ところ、媒体に剥離を発生せず、付着力の信頼性を向上
できる。
以上説明したように本発明の光磁気記録媒体は、支持基
板と窒化物の中間層の間にＴａ２Ｏ５層を設けることに
より、従来のＡ２２Ｏ３層又はＺｒＯ２層を甫いたもの
に比べて、支持基板に対する媒体の付着力が強化される
ので、付着力の長期信頼性を向上できる効果がある。
板と窒化物の中間層の間にＴａ２Ｏ５層を設けることに
より、従来のＡ２２Ｏ３層又はＺｒＯ２層を甫いたもの
に比べて、支持基板に対する媒体の付着力が強化される
ので、付着力の長期信頼性を向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の光
磁気記録媒体の第１の例の断面図、第３図は第２図の光
磁気記録媒体を用いて作成された光磁気ディスクの断面
図、第４図及び第５図はそれぞれ従来の光磁気記録媒体
の第２及び第３の例の断面図である。 １・・・ポリカーボネート基板、２・・・Ｔａ、２Ｏ５
層、３−−・Ｓｉ３Ｎ４中間層、４− Ｔ ｂ ０．２
２Ｆ ｅ ｏ、７゜Ｃｏ 、、、Ｈ層、５−３ｉ３Ｎ４
保護層、１０−・・光磁気記録媒体、１１・・・ポリカ
ーボネートカバーディスク、１２・・・外周スペーサ、
１３・・・内周スペーサ、１、４−−− Ｚ ｒ ０２
層、１５−Ａ２２Ｏ３層。
磁気記録媒体の第１の例の断面図、第３図は第２図の光
磁気記録媒体を用いて作成された光磁気ディスクの断面
図、第４図及び第５図はそれぞれ従来の光磁気記録媒体
の第２及び第３の例の断面図である。 １・・・ポリカーボネート基板、２・・・Ｔａ、２Ｏ５
層、３−−・Ｓｉ３Ｎ４中間層、４− Ｔ ｂ ０．２
２Ｆ ｅ ｏ、７゜Ｃｏ 、、、Ｈ層、５−３ｉ３Ｎ４
保護層、１０−・・光磁気記録媒体、１１・・・ポリカ
ーボネートカバーディスク、１２・・・外周スペーサ、
１３・・・内周スペーサ、１、４−−− Ｚ ｒ ０２
層、１５−Ａ２２Ｏ３層。
Claims (1)
- 支持基板上に形成される酸化物誘電体から成る第１の中
間層と、該第１の中間層上に形成される窒化物誘電体か
ら成る第２の中間層と、該第２の中間層上に形成される
希土類遷移金属合金から成り層面に対し垂直な方向に磁
化容易軸を有する光磁気記録層と、該光磁気記録層上に
形成される酸化物誘電体から成る保護層とを有する光磁
気記録媒体において、前記第１の中間層はＴａ＿２Ｏ＿
５であることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305888A JPH01189049A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305888A JPH01189049A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189049A true JPH01189049A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11822528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1305888A Pending JPH01189049A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189049A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991006035A1 (en) * | 1989-10-18 | 1991-05-02 | Research Corporation Technologies, Inc. | Light-sensitive recording media |
| JPH03122851A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPH0449548A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-18 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62117156A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-28 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62222453A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPS62222454A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP1305888A patent/JPH01189049A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62117156A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-28 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62222453A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
| JPS62222454A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-30 | Seiko Epson Corp | 光記録媒体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03122851A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Nec Corp | 光磁気記録媒体 |
| WO1991006035A1 (en) * | 1989-10-18 | 1991-05-02 | Research Corporation Technologies, Inc. | Light-sensitive recording media |
| JPH0449548A (ja) * | 1990-06-18 | 1992-02-18 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH01189049A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH02292721A (ja) | 磁気デイスク | |
| JPS61144744A (ja) | 光磁気記録素子及びその製法 | |
| JPS62293536A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JPS60219655A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPH01204245A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6148144A (ja) | 光デイスク | |
| JP3069135B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6316439A (ja) | 光学的磁気記録媒体の製造法 | |
| JP2740814B2 (ja) | 光磁記録媒体 | |
| JPH043350A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2707808B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2960470B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63282942A (ja) | 光磁気記録用媒体及びその製造方法 | |
| JPH03273543A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63269348A (ja) | 光磁気記録用媒体 | |
| JPH0198116A (ja) | 磁気ディスク | |
| JPH07107757B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2579465B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2767917B2 (ja) | 交換結合多層膜光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP3278959B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS6316440A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03122851A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2616058B2 (ja) | 光磁気ディスク | |
| JPH0417139A (ja) | 光記録媒体 |