JP3278959B2 - 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、垂直磁気記録媒体に係
り、特に軟磁性下地層を有する２層媒体に関するもので
ある。
り、特に軟磁性下地層を有する２層媒体に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】垂直磁気記録は面内磁気記録よりも高密
度記録ができることから注目されており、これに用いる
媒体としては軟磁性下地層と垂直記録層とからなる２層
媒体が多く検討されている。このような２層膜媒体は、
単磁極型ヘッドと組み合わせることにより効率の良い記
録再生ができる。中でも、Ｃｏ−Ｚｒ系アモルファス軟
磁性膜を下地層とする２層膜媒体は、垂直配向性の鋭い
垂直記録層が得られるため記録効率の向上には特に有効
である。しかし、この２層膜媒体をディスク状の媒体と
して用いる場合には、信号記録後、媒体を回転させてい
るだけで時間とともに減磁して信号強度が減衰してしま
うという問題がある。
度記録ができることから注目されており、これに用いる
媒体としては軟磁性下地層と垂直記録層とからなる２層
媒体が多く検討されている。このような２層膜媒体は、
単磁極型ヘッドと組み合わせることにより効率の良い記
録再生ができる。中でも、Ｃｏ−Ｚｒ系アモルファス軟
磁性膜を下地層とする２層膜媒体は、垂直配向性の鋭い
垂直記録層が得られるため記録効率の向上には特に有効
である。しかし、この２層膜媒体をディスク状の媒体と
して用いる場合には、信号記録後、媒体を回転させてい
るだけで時間とともに減磁して信号強度が減衰してしま
うという問題がある。
【０００３】そこで、本願出願人は先に、上記軟磁性下
地層の上に針状粒子を形成して表面に凹凸をつけること
によって、減磁を解消する方法を提案した。図５は係る
垂直磁気記録媒体の構成を模式的に示す部分断面図であ
る。同図において、１は鏡面研磨した円盤状のガラス基
板であり、このガラス基板１の上には、例えばＣｏ−Ｚ
ｒを含むアモルファスの薄膜よりなる軟磁性下地層２が
形成されている。そして、この軟磁性下地層２の表面に
は、多数の針状粒子３が形成される。この針状粒子３と
しては軟磁性下地層２の材料であるＣｏ−Ｚｒ系合金と
固溶しにくい材料、例えばＣｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃ
ｄ、Ｐｂ等の金属やホィスカを形成し易いものを用い
る。そして、この針状粒子３の上に垂直記録層４が形成
された構成になっている。そして、このような構成の垂
直磁気記録媒体では、軟磁性下地層２の磁壁の移動が針
状粒子３の存在により困難とされるため、軟磁性下地層
２の保磁力Ｈｃをある程度大きくすることができ、外部
磁界の影響による経時変化を抑えることができる。ま
た、この針状粒子３の存在によって垂直記録層４の表面
に生じる凹凸によってＣＳＳ方式においてもヘッドの吸
着が防止されるものである。
地層の上に針状粒子を形成して表面に凹凸をつけること
によって、減磁を解消する方法を提案した。図５は係る
垂直磁気記録媒体の構成を模式的に示す部分断面図であ
る。同図において、１は鏡面研磨した円盤状のガラス基
板であり、このガラス基板１の上には、例えばＣｏ−Ｚ
ｒを含むアモルファスの薄膜よりなる軟磁性下地層２が
形成されている。そして、この軟磁性下地層２の表面に
は、多数の針状粒子３が形成される。この針状粒子３と
しては軟磁性下地層２の材料であるＣｏ−Ｚｒ系合金と
固溶しにくい材料、例えばＣｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃ
ｄ、Ｐｂ等の金属やホィスカを形成し易いものを用い
る。そして、この針状粒子３の上に垂直記録層４が形成
された構成になっている。そして、このような構成の垂
直磁気記録媒体では、軟磁性下地層２の磁壁の移動が針
状粒子３の存在により困難とされるため、軟磁性下地層
２の保磁力Ｈｃをある程度大きくすることができ、外部
磁界の影響による経時変化を抑えることができる。ま
た、この針状粒子３の存在によって垂直記録層４の表面
に生じる凹凸によってＣＳＳ方式においてもヘッドの吸
着が防止されるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の垂直磁気記録媒
体は、その求められる記録密度がヘッドの浮上量として
約０．１μｍ程度以上であることが許容されるリジッド
ディスクである場合には有効である。即ち、針状粒子３
によって垂直記録層４の表面に凹凸が形成されるため、
別途テクスチャリング工程を経る必要がなくなるととも
に、上述した如く、減磁の問題も解消されるからであ
る。しかし、より以上の高密度記録を実現しようとした
場合には、ヘッドの浮上量を０．１μｍ以下にするか、
またはヘッドを媒体に接触させる必要が生じる。そのよ
うな状況下では、上述した垂直磁気記録媒体の表面の凹
凸はヘッドクラッシュや媒体ノイズの原因となるばかり
か、膜の硬度も充分ではないため、媒体の耐久性にも問
題がある。
体は、その求められる記録密度がヘッドの浮上量として
約０．１μｍ程度以上であることが許容されるリジッド
ディスクである場合には有効である。即ち、針状粒子３
によって垂直記録層４の表面に凹凸が形成されるため、
別途テクスチャリング工程を経る必要がなくなるととも
に、上述した如く、減磁の問題も解消されるからであ
る。しかし、より以上の高密度記録を実現しようとした
場合には、ヘッドの浮上量を０．１μｍ以下にするか、
またはヘッドを媒体に接触させる必要が生じる。そのよ
うな状況下では、上述した垂直磁気記録媒体の表面の凹
凸はヘッドクラッシュや媒体ノイズの原因となるばかり
か、膜の硬度も充分ではないため、媒体の耐久性にも問
題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願発明は上記問題点に
鑑みなされたものであり、請求項１に係る発明は、「基
板上に少なくとも、炭素層と、軟磁性下地層と、垂直記
録層とを順次積層してなる垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性下地層を、前記炭素層から拡散した炭素を含
有するＣｏ−Ｚｒ系合金で形成するとともに４０〜８０
０ Ａ／ｍの抗磁力Ｈｃを保持するように形成したこと
を特徴とする垂直磁気記録媒体。」を提供するものであ
り、
鑑みなされたものであり、請求項１に係る発明は、「基
板上に少なくとも、炭素層と、軟磁性下地層と、垂直記
録層とを順次積層してなる垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性下地層を、前記炭素層から拡散した炭素を含
有するＣｏ−Ｚｒ系合金で形成するとともに４０〜８０
０ Ａ／ｍの抗磁力Ｈｃを保持するように形成したこと
を特徴とする垂直磁気記録媒体。」を提供するものであ
り、
【０００６】請求項２に係る発明は、「基板上に炭素層
を形成する第１の工程と、前記炭素層上にＣｏ−Ｚｒ系
合金からなる軟磁性下地層を形成する第２の工程と、前
記磁性下地層上に垂直記録層を形成する第３の工程とを
含んだ垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記第３
の工程より後に熱処理工程を設け、前記熱処理工程に
て、前記炭素層中の炭素を前記軟磁性下地層に拡散させ
るとともに、前記軟磁性下地層を４０〜８００ Ａ／ｍ
の抗磁力Ｈｃを保持するように形成したことを特徴とす
る垂直磁気記録媒体の製造方法。」を提供するものであ
る。
を形成する第１の工程と、前記炭素層上にＣｏ−Ｚｒ系
合金からなる軟磁性下地層を形成する第２の工程と、前
記磁性下地層上に垂直記録層を形成する第３の工程とを
含んだ垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記第３
の工程より後に熱処理工程を設け、前記熱処理工程に
て、前記炭素層中の炭素を前記軟磁性下地層に拡散させ
るとともに、前記軟磁性下地層を４０〜８００ Ａ／ｍ
の抗磁力Ｈｃを保持するように形成したことを特徴とす
る垂直磁気記録媒体の製造方法。」を提供するものであ
る。
【０００７】
【０００８】
【作用】炭素を、軟磁性下地層中に拡散することによ
り、軟磁性下地層の結晶化温度が低くなり比較的低温の
熱処理により軟磁性下地層の結晶化を制御して、その抗
磁力（Ｈｃ）を適度な値に上昇することができるため減
磁を生じない垂直磁気記録媒体を得ることができる。ま
た、炭素の軟磁性下地層への拡散により膜面の硬度も高
くなり耐久性に優れた垂直磁気記録媒体を得ることがで
きる。
り、軟磁性下地層の結晶化温度が低くなり比較的低温の
熱処理により軟磁性下地層の結晶化を制御して、その抗
磁力（Ｈｃ）を適度な値に上昇することができるため減
磁を生じない垂直磁気記録媒体を得ることができる。ま
た、炭素の軟磁性下地層への拡散により膜面の硬度も高
くなり耐久性に優れた垂直磁気記録媒体を得ることがで
きる。
【０００９】
【実施例】次に、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は、本発明の一実施例である垂直磁気
記録媒体の構成を模式的に示す部分断面図である。同図
に示すように、この垂直磁気記録媒体は鏡面研磨したガ
ラスからなる円盤状の基板１１と、この基板１１の上に
順に形成されたＣｒ層１２、Ｃ層１３、軟磁性下地層１
４、垂直記録層１５及び保護層１６から形成されてい
る。
て説明する。図１は、本発明の一実施例である垂直磁気
記録媒体の構成を模式的に示す部分断面図である。同図
に示すように、この垂直磁気記録媒体は鏡面研磨したガ
ラスからなる円盤状の基板１１と、この基板１１の上に
順に形成されたＣｒ層１２、Ｃ層１３、軟磁性下地層１
４、垂直記録層１５及び保護層１６から形成されてい
る。
【００１０】以下、本発明の実施例についてその具体的
な製造方法を説明する。ガラス基板１１に形成する各層
１２、１３、１４、１５、１６の成膜は、図２にその電
極付近の概略断面図を示したごときＤＣマグネトロンス
パッタ装置を用いておこなった。この装置では、例えば
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂのごときターゲット２３の下方中央部
には第１の希土類永久磁石２１が、ターゲット２３の下
方外周部には第２の希土類永久磁石２２が配置されてお
り、これら第１と第２の希土類永久磁石２１、２２の極
性は、図中に示したようにそれぞれ逆にしてある。ま
た、ターゲット２３の上方には、鏡面研磨した円盤状の
ガラス基板１１が配置されている。このような配置によ
って、ガラス基板１１は前記した第１と第２の希土類永
久磁石２１、２２によって常にその半径方向に約４ｋＡ
／ｍの磁界が加えられる構成になっている。なお、これ
らの希土類永久磁石２１、２２はマグネトロンの磁石と
しても作用し、ターゲット近傍のプラズマを集束させて
ハイレートで成膜することにも寄与するものである。
な製造方法を説明する。ガラス基板１１に形成する各層
１２、１３、１４、１５、１６の成膜は、図２にその電
極付近の概略断面図を示したごときＤＣマグネトロンス
パッタ装置を用いておこなった。この装置では、例えば
Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂのごときターゲット２３の下方中央部
には第１の希土類永久磁石２１が、ターゲット２３の下
方外周部には第２の希土類永久磁石２２が配置されてお
り、これら第１と第２の希土類永久磁石２１、２２の極
性は、図中に示したようにそれぞれ逆にしてある。ま
た、ターゲット２３の上方には、鏡面研磨した円盤状の
ガラス基板１１が配置されている。このような配置によ
って、ガラス基板１１は前記した第１と第２の希土類永
久磁石２１、２２によって常にその半径方向に約４ｋＡ
／ｍの磁界が加えられる構成になっている。なお、これ
らの希土類永久磁石２１、２２はマグネトロンの磁石と
しても作用し、ターゲット近傍のプラズマを集束させて
ハイレートで成膜することにも寄与するものである。
【００１１】また、この装置による他の成膜条件は、雰
囲気をＡｒガス圧０．０６７Ｐａ、電力密度を１．０〜
２．０Ｗ／ｃｍ2 、ターゲット−基板間距離を６０ｍ
ｍ、基板温度を１５０℃〜２５０℃とした。なお、ター
ゲットは軟磁性下地層１４用として直径２０３ｍｍのＣ
ｏ−Ｚｒ7−Ｎｂ5ａｔ％合金を使用し、垂直記録膜用１
５として同サイズのＣｏ−Ｃｒ15−Ｔａ4 ａｔ％合金を
使用した。
囲気をＡｒガス圧０．０６７Ｐａ、電力密度を１．０〜
２．０Ｗ／ｃｍ2 、ターゲット−基板間距離を６０ｍ
ｍ、基板温度を１５０℃〜２５０℃とした。なお、ター
ゲットは軟磁性下地層１４用として直径２０３ｍｍのＣ
ｏ−Ｚｒ7−Ｎｂ5ａｔ％合金を使用し、垂直記録膜用１
５として同サイズのＣｏ−Ｃｒ15−Ｔａ4 ａｔ％合金を
使用した。
【００１２】まず、直径９５ｍｍの鏡面仕上げのソーダ
ライムガラス１１上にＣｒ層１２を５０ｎｍ成膜し、そ
の上にＣ層１３を０ｎｍ乃至４０ｎｍの膜厚で成膜す
る。なお、実際には、記録再生特性、磁気特性に対する
Ｃ層１３の膜厚依存性、熱処理温度に対する軟磁性下地
層１４の抗磁力Ｈｃの変化等を見るためにＣ層１３の膜
厚について、０ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍ、
３５ｎｍ、４０ｎｍの各膜厚のサンプルをそれぞれ複数
個製作した。次いで、Ｃｏ−Ｚｒ7−Ｎｂ5ａｔ％合金を
ターゲットとして軟磁性下地層１４を５００ｎｍ成膜後
直ちにＣｏ−Ｃｒ15−Ｔａ4 ａｔ％合金をターゲットと
して垂直記録層を７５ｎｍ成膜する。最後に保護層１６
としてＳｉＯ2 を１０ｎｍ形成する。このようにして成
膜を終えた後、１０-3Ｐａ以下の真空中雰囲気におい
て、２４ｋＡ／ｍの回転磁界を作用させながら温度範囲
常温から５００℃で、３時間の熱処理を行う。
ライムガラス１１上にＣｒ層１２を５０ｎｍ成膜し、そ
の上にＣ層１３を０ｎｍ乃至４０ｎｍの膜厚で成膜す
る。なお、実際には、記録再生特性、磁気特性に対する
Ｃ層１３の膜厚依存性、熱処理温度に対する軟磁性下地
層１４の抗磁力Ｈｃの変化等を見るためにＣ層１３の膜
厚について、０ｎｍ、２０ｎｍ、２５ｎｍ、３０ｎｍ、
３５ｎｍ、４０ｎｍの各膜厚のサンプルをそれぞれ複数
個製作した。次いで、Ｃｏ−Ｚｒ7−Ｎｂ5ａｔ％合金を
ターゲットとして軟磁性下地層１４を５００ｎｍ成膜後
直ちにＣｏ−Ｃｒ15−Ｔａ4 ａｔ％合金をターゲットと
して垂直記録層を７５ｎｍ成膜する。最後に保護層１６
としてＳｉＯ2 を１０ｎｍ形成する。このようにして成
膜を終えた後、１０-3Ｐａ以下の真空中雰囲気におい
て、２４ｋＡ／ｍの回転磁界を作用させながら温度範囲
常温から５００℃で、３時間の熱処理を行う。
【００１３】図３に、Ｃ層１３の膜厚を３５ｎｍとした
サンプルと、Ｃ層１３を設けないサンプル（膜厚０）に
対して、上記温度範囲における種々の温度で３時間の熱
処理を行った場合の軟磁性下地層１４の抗磁力Ｈｃの測
定結果を示す。同図において実線で示した曲線は膜厚３
５ｎｍのサンプルを示し、点線で示した曲線はＣ層１３
を設けていないサンプルを示す。同図から明らかなよう
に、実線で示したサンプルは熱処理温度が３００℃付近
で急激に立ち上がっているのに対し、点線で示したサン
プルは４００℃付近にその立ち上がりが認められる。ま
た、本発明の実施例であるＣ層１３を設けたサンプルに
ついてその膜を光電子分光分析装置を用いて分析したと
ころ、炭素がＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂの軟磁性下地層１４内へ
拡散しているのが確認されたが熱処理を施さずに同様に
製作したサンプルについては拡散が認められなかった。
サンプルと、Ｃ層１３を設けないサンプル（膜厚０）に
対して、上記温度範囲における種々の温度で３時間の熱
処理を行った場合の軟磁性下地層１４の抗磁力Ｈｃの測
定結果を示す。同図において実線で示した曲線は膜厚３
５ｎｍのサンプルを示し、点線で示した曲線はＣ層１３
を設けていないサンプルを示す。同図から明らかなよう
に、実線で示したサンプルは熱処理温度が３００℃付近
で急激に立ち上がっているのに対し、点線で示したサン
プルは４００℃付近にその立ち上がりが認められる。ま
た、本発明の実施例であるＣ層１３を設けたサンプルに
ついてその膜を光電子分光分析装置を用いて分析したと
ころ、炭素がＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂの軟磁性下地層１４内へ
拡散しているのが確認されたが熱処理を施さずに同様に
製作したサンプルについては拡散が認められなかった。
【００１４】これらのことから、Ｃ層１３を設けて熱処
理をすることによって炭素が軟磁性下地層１４内に拡散
するとともにこの炭素の拡散により軟磁性下地層（Ｃｏ
ＺｒＮｂ）の結晶化温度が約１００゜程度下がるものと
考えられる。
理をすることによって炭素が軟磁性下地層１４内に拡散
するとともにこの炭素の拡散により軟磁性下地層（Ｃｏ
ＺｒＮｂ）の結晶化温度が約１００゜程度下がるものと
考えられる。
【００１５】次にこれらのサンプルの特性評価結果につ
いて説明する。なお、これらのサンプルについての記録
再生特性は、トラック幅８μｍ、主磁極厚０．４μｍ、
コイル巻数６０ターンの単磁極ヘッドを用い、ディスク
回転数２０７０ｒｐｍ、線速度８ｍ／ｓ、ヘッド浮上量
８０ｎｍの条件で測定を行い、磁気特性については、Ｖ
ＳＭで評価した。
いて説明する。なお、これらのサンプルについての記録
再生特性は、トラック幅８μｍ、主磁極厚０．４μｍ、
コイル巻数６０ターンの単磁極ヘッドを用い、ディスク
回転数２０７０ｒｐｍ、線速度８ｍ／ｓ、ヘッド浮上量
８０ｎｍの条件で測定を行い、磁気特性については、Ｖ
ＳＭで評価した。
【００１６】Ｃ層１３の膜厚と熱処理後の軟磁性下地層
１４（ＣｏＺｒＮｂ）のＨｃとの関係を図４に示す。Ｃ
層１３の膜厚が厚いほど軟磁性下地層１４のＨｃは高く
なり、１５〜３５ｎｍのところで４０〜８００Ａ／ｍと
適度な値をとっていることがわかる。一方、熱処理を施
さずに同様に製作したサンプルはＨｃの変化を示さなか
った。なお、軟磁性下地層１４のＨｃがこの値より小さ
いと地磁気などの外部磁界の影響でディスク回転によっ
て減磁が発生することになり、逆に、Ｈｃがこの値より
大きいと軟磁性下地層本来の働きが鈍り、記録効率や再
生出力の低下を招くことになるものである。また、これ
らのサンプルは平面性が極めて良好であるとともにその
表面粗度Ｒａも０．２ｎｍ〜０．３ｎｍの範囲にあり極
めて良好な表面性を示した。
１４（ＣｏＺｒＮｂ）のＨｃとの関係を図４に示す。Ｃ
層１３の膜厚が厚いほど軟磁性下地層１４のＨｃは高く
なり、１５〜３５ｎｍのところで４０〜８００Ａ／ｍと
適度な値をとっていることがわかる。一方、熱処理を施
さずに同様に製作したサンプルはＨｃの変化を示さなか
った。なお、軟磁性下地層１４のＨｃがこの値より小さ
いと地磁気などの外部磁界の影響でディスク回転によっ
て減磁が発生することになり、逆に、Ｈｃがこの値より
大きいと軟磁性下地層本来の働きが鈍り、記録効率や再
生出力の低下を招くことになるものである。また、これ
らのサンプルは平面性が極めて良好であるとともにその
表面粗度Ｒａも０．２ｎｍ〜０．３ｎｍの範囲にあり極
めて良好な表面性を示した。
【００１７】次に、Ｃ層１３の膜厚を２５ｎｍ（サンプ
ル１）、３０ｎｍ（サンプル２）、３５ｎｍ（サンプル
３）とした各サンプルとＣ層１３を設けないサンプル
（膜厚０ｎｍ）４とについて、信号を記録後１０分間媒
体を回転させたときの出力の劣化について表１に示す。
ル１）、３０ｎｍ（サンプル２）、３５ｎｍ（サンプル
３）とした各サンプルとＣ層１３を設けないサンプル
（膜厚０ｎｍ）４とについて、信号を記録後１０分間媒
体を回転させたときの出力の劣化について表１に示す。
【表１】 同表から明らかなように、Ｃ層１３を設けないサンプル
４では、出力劣化が大きく減磁が発生している。これに
対して、Ｃ層１３を２５ｎｍ〜３５ｎｍの範囲で設けた
サンプル１乃至サンプル３の場合は、測定誤差の範囲で
あり出力劣化はほとんど認められない。また、記録効
率、再生効率は、Ｃ層１３を設けた場合と設けない場合
とで差はなく、ともに良好であった。
４では、出力劣化が大きく減磁が発生している。これに
対して、Ｃ層１３を２５ｎｍ〜３５ｎｍの範囲で設けた
サンプル１乃至サンプル３の場合は、測定誤差の範囲で
あり出力劣化はほとんど認められない。また、記録効
率、再生効率は、Ｃ層１３を設けた場合と設けない場合
とで差はなく、ともに良好であった。
【００１８】次に、Ｃ層１３を２５ｎｍとしたサンプル
１、Ｃ層１３を設けないサンプル４及び、図５を用いて
先に説明した針状粒子を設けた垂直磁気記録媒体（これ
をサンプル５とする。）について、微小押込硬度計を用
いてその硬度を測定した結果について表２に示す。
１、Ｃ層１３を設けないサンプル４及び、図５を用いて
先に説明した針状粒子を設けた垂直磁気記録媒体（これ
をサンプル５とする。）について、微小押込硬度計を用
いてその硬度を測定した結果について表２に示す。
【表２】 同表から明らかなように、本発明の実施例であるサンプ
ル１の硬度が最も高く、耐久性に優れた垂直磁気記録媒
体であることがわかる。
ル１の硬度が最も高く、耐久性に優れた垂直磁気記録媒
体であることがわかる。
【００１９】上述した実施例では、基板としてガラス基
板１１を用いた場合について説明したが、基板材料とし
てＮｉＰのような非晶質材料を使用する場合には、本願
発明は更に有効である。即ち、ＮｉＰのような非晶質材
料では、熱処理温度が高い場合には基板そのものが結晶
化し着磁してしまう虞があるが、本発明によれば、熱処
理温度を低くすることができてこのような問題を生じな
いのである。
板１１を用いた場合について説明したが、基板材料とし
てＮｉＰのような非晶質材料を使用する場合には、本願
発明は更に有効である。即ち、ＮｉＰのような非晶質材
料では、熱処理温度が高い場合には基板そのものが結晶
化し着磁してしまう虞があるが、本発明によれば、熱処
理温度を低くすることができてこのような問題を生じな
いのである。
【００２０】なお、以上の実施例において説明した各層
の成膜条件や熱処理条件等は一例でありこれに限定され
るものではない。即ち、これらの条件は、記録再生特性
を考慮した際に軟磁性下地層１４がその軟磁気特性を損
なわない範囲と、垂直磁気記録媒体として求められる耐
久性とを考慮して、地磁気などの想定される外部磁界に
よって減磁を生じることがないように軟磁性下地層１４
へ炭素の拡散が得られれば充分なのである。
の成膜条件や熱処理条件等は一例でありこれに限定され
るものではない。即ち、これらの条件は、記録再生特性
を考慮した際に軟磁性下地層１４がその軟磁気特性を損
なわない範囲と、垂直磁気記録媒体として求められる耐
久性とを考慮して、地磁気などの想定される外部磁界に
よって減磁を生じることがないように軟磁性下地層１４
へ炭素の拡散が得られれば充分なのである。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の垂直磁気
記録媒体によれば、軟磁性下地層が４０〜８００Ａ／ｍ
の抗磁力Ｈｃを有しているので、媒体の表面性や記録再
生効率を損ねることなく媒体の回転に伴う減磁を解消し
て再生出力の劣化を防止できるとともに媒体の硬度を高
め耐久性を改善することができるものである。しかも、
軟磁性下地層への炭素の拡散により、軟磁性下地層の結
晶化温度を下げることができるため、比較的低温での熱
処理によって軟磁性下地層の結晶化を制御することが可
能であり、高温で熱処理を行った際に生じるであろう媒
体の反り等を防止できるものである。さらに、本発明の
垂直磁気記録媒体の製造方法によれば、これらの効果
は、炭素層および軟磁性下地層を形成する工程の後に設
けた一つの熱処理工程によって同時に得ることができ
る。
記録媒体によれば、軟磁性下地層が４０〜８００Ａ／ｍ
の抗磁力Ｈｃを有しているので、媒体の表面性や記録再
生効率を損ねることなく媒体の回転に伴う減磁を解消し
て再生出力の劣化を防止できるとともに媒体の硬度を高
め耐久性を改善することができるものである。しかも、
軟磁性下地層への炭素の拡散により、軟磁性下地層の結
晶化温度を下げることができるため、比較的低温での熱
処理によって軟磁性下地層の結晶化を制御することが可
能であり、高温で熱処理を行った際に生じるであろう媒
体の反り等を防止できるものである。さらに、本発明の
垂直磁気記録媒体の製造方法によれば、これらの効果
は、炭素層および軟磁性下地層を形成する工程の後に設
けた一つの熱処理工程によって同時に得ることができ
る。
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の一実施例の構成を
模式的に示す部分断面図である。
模式的に示す部分断面図である。
【図２】本発明の垂直磁気記録媒体の製造に用いるＤＣ
マグネトロンスパッタ装置の電極付近の概略断面図であ
る。
マグネトロンスパッタ装置の電極付近の概略断面図であ
る。
【図３】熱処理温度と軟磁性下地層の抗磁力の関係を示
す図である。
す図である。
【図４】炭素層の膜厚と熱処理後の軟磁性下地層のＨｃ
との関係を示す図である。
との関係を示す図である。
【図５】従来の垂直磁気記録媒体の構成を模式的に示す
部分断面図である。
部分断面図である。
１ ガラス基板 ２ 軟磁性下地層 ３ 針状粒子 ４ 垂直記録層 １１ ガラス基板 １２ Ｃｒ層 １３ Ｃ層 １４ 軟磁性下地層 １５ 垂直記録層 １６ 保護層 ２１ 希土類永久磁石 ２２ 希土類永久磁石 ２３ ターゲット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−99921（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−18624（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−247323（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−248219（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−193329（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/62 - 5/858
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に少なくとも、炭素層と 、 軟磁性下地層と、 垂直記録層とを順次積層してなる垂直磁気記録媒体にお
いて、 前記軟磁性下地層を、前記炭素層から拡散した炭素を含
有するＣｏ−Ｚｒ系合金で形成するとともに４０〜８０
０ Ａ／ｍの抗磁力Ｈｃを保持するように形成したこと
を特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】基板上に炭素層を形成する第１の工程と、 前記炭素層上にＣｏ−Ｚｒ系合金からなる軟磁性下地層
を形成する第２の工程と、 前記磁性下地層上に垂直記録層を形成する第３の工程と
を含んだ垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記第３の工程より後に熱処理工程を設け 、前記熱処理
工程にて、前記炭素層中の炭素を前記軟磁性下地層に拡
散させるとともに、前記軟磁性下地層を４０〜８００
Ａ／ｍの抗磁力Ｈｃを保持するように形成したことを特
徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06352893A JP3278959B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06352893A JP3278959B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251354A JPH06251354A (ja) | 1994-09-09 |
| JP3278959B2 true JP3278959B2 (ja) | 2002-04-30 |
Family
ID=13231812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06352893A Expired - Lifetime JP3278959B2 (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3278959B2 (ja) |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP06352893A patent/JP3278959B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06251354A (ja) | 1994-09-09 |
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