JP2913684B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP2913684B2 JP2913684B2 JP1221024A JP22102489A JP2913684B2 JP 2913684 B2 JP2913684 B2 JP 2913684B2 JP 1221024 A JP1221024 A JP 1221024A JP 22102489 A JP22102489 A JP 22102489A JP 2913684 B2 JP2913684 B2 JP 2913684B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- magnetic thin
- magnetic
- case
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 48
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 CoMo Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12465—All metal or with adjacent metals having magnetic properties, or preformed fiber orientation coordinate with shape
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12875—Platinum group metal-base component
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体、特に面内磁化膜による磁気
記録媒体に係わる。
記録媒体に係わる。
本発明は、磁気記録媒体に係わり、 (CoaPtbMc IMd II)100-xOx(但し、a,b,c,dは原子
%、xは重量%)なる組成式で示され、この組成式にお
いて、 a+b+c+d=100 0<c≦20 0≦d≦20 3.5≦x≦10 であって、MIがP,Si,Geのうちの1以上、MIIがB,Ga,Al,
In,Sn,Sbのうちの1以上の元素である磁性薄膜を有して
成るものであって成膜時の基体温度を高めることなく高
い保磁力を有する磁性薄膜を得ることができるようにす
る。
%、xは重量%)なる組成式で示され、この組成式にお
いて、 a+b+c+d=100 0<c≦20 0≦d≦20 3.5≦x≦10 であって、MIがP,Si,Geのうちの1以上、MIIがB,Ga,Al,
In,Sn,Sbのうちの1以上の元素である磁性薄膜を有して
成るものであって成膜時の基体温度を高めることなく高
い保磁力を有する磁性薄膜を得ることができるようにす
る。
従来の薄膜磁気記録媒体として用いられる磁性薄膜
の、等方性すなわち面内磁化による磁性薄膜としては、
CoNi,CoP,CoPt等の合金磁性薄膜が知られている。これ
らCoNi及びCoPによる各磁性薄膜は、柱状構造を利用し
た硬磁気特性で、その飽和磁束密度Bsは約10kG、保磁力
Hcは、約1(kOe)ないしはそれ以下である。また、CoP
t磁性薄膜については、例えば特開昭58−200513号公報
にその開示があるが、この場合、その膜厚が300Å以下
においては、1.5(kOe)以上に及ぶ高い保磁力Hcを示す
ものの、その膜厚が大となると、Bsは10kG前後である
が、Hcは高々700(Oe)という低い値となる。
の、等方性すなわち面内磁化による磁性薄膜としては、
CoNi,CoP,CoPt等の合金磁性薄膜が知られている。これ
らCoNi及びCoPによる各磁性薄膜は、柱状構造を利用し
た硬磁気特性で、その飽和磁束密度Bsは約10kG、保磁力
Hcは、約1(kOe)ないしはそれ以下である。また、CoP
t磁性薄膜については、例えば特開昭58−200513号公報
にその開示があるが、この場合、その膜厚が300Å以下
においては、1.5(kOe)以上に及ぶ高い保磁力Hcを示す
ものの、その膜厚が大となると、Bsは10kG前後である
が、Hcは高々700(Oe)という低い値となる。
一方、CoCr,CoMo,CoV,CoRu等の合金磁性薄膜が垂直磁
化による磁性薄膜として知られているが、これら合金磁
性薄膜はそのスパッタリング等の被着成膜時の基体温度
を150℃程度に加熱することによって高い保磁力を得る
ことができるものの、その成膜時の基体温度が、室温温
度である場合は、約300(Oe)となる。したがって、こ
の場合その基体としては耐熱性の低い安価なポリエチレ
ンテレフタレート(PET)基体を用いることができない
という課題がある。
化による磁性薄膜として知られているが、これら合金磁
性薄膜はそのスパッタリング等の被着成膜時の基体温度
を150℃程度に加熱することによって高い保磁力を得る
ことができるものの、その成膜時の基体温度が、室温温
度である場合は、約300(Oe)となる。したがって、こ
の場合その基体としては耐熱性の低い安価なポリエチレ
ンテレフタレート(PET)基体を用いることができない
という課題がある。
本発明は膜厚に依存することなく高い保磁力Hcを有す
る磁性薄膜をその成膜時の基体温度を高めることなく形
成できる面内磁気記録媒体を得るようにするものであ
る。
る磁性薄膜をその成膜時の基体温度を高めることなく形
成できる面内磁気記録媒体を得るようにするものであ
る。
本発明は、 (CoaPtbMc IMd II)100-xOx ‥‥‥(1) (但し、a,b,c,dは原子%、xは重量%) なる組成式(1)で示され、この組成式(1)におい
て、 a+b+c+d=100 0<c≦20 0≦d≦20 0<x≦10(望ましくは3.5≦x≦6) であって、MIがP,Si,Geのうちの1以上、MIIがB,Ga,Al,
In,Sn,Sbのうちの1以上の元素である磁性薄膜を形成す
る。
て、 a+b+c+d=100 0<c≦20 0≦d≦20 0<x≦10(望ましくは3.5≦x≦6) であって、MIがP,Si,Geのうちの1以上、MIIがB,Ga,Al,
In,Sn,Sbのうちの1以上の元素である磁性薄膜を形成す
る。
本発明による磁気記録媒体は、磁性薄膜の生成時の基
体温度を高めることなく、また膜厚に依存することなく
高い保磁力と高い飽和磁束密度とを得ることができた。
体温度を高めることなく、また膜厚に依存することなく
高い保磁力と高い飽和磁束密度とを得ることができた。
例えばスライドガラス板より成る基体上に、基体温度
を室温としたままでマグネトロン型スパッタ装置によっ
て磁性薄膜を生成した。この場合のスパッタ条件は、 とした。また、この場合のターゲットは、直径4イン
チ、厚さ3mmのCoMIMIIの合金ターゲット上に厚さ1mmのP
tの中心角度が6゜の扇形チップを3枚〜6枚置いたタ
ーゲットを用いた。
を室温としたままでマグネトロン型スパッタ装置によっ
て磁性薄膜を生成した。この場合のスパッタ条件は、 とした。また、この場合のターゲットは、直径4イン
チ、厚さ3mmのCoMIMIIの合金ターゲット上に厚さ1mmのP
tの中心角度が6゜の扇形チップを3枚〜6枚置いたタ
ーゲットを用いた。
このときのスパッタガス中の酸素流量φo2と、このと
きの酸素分圧Po2と、生成薄膜中の酸素含有量との関係
は、第6図に示す関係となることが確められた。
きの酸素分圧Po2と、生成薄膜中の酸素含有量との関係
は、第6図に示す関係となることが確められた。
実施例1 上述のスパッタ方法及び条件をもって前記組成式
(1)中のMIとしてPを用い、c=2.5(原子%)と
し、MIIを添加しないつまりd=0としたCo76Pt21.5P
2.5(酸素を除いた組成:以下同様に各組成式は酸素を
除いた組成式で表わす)の磁性薄膜を生成した。この場
合のスパッタガス中の酸素流量φo2と酸素分圧Po2を変
えてそれぞれ得た磁性薄膜の面内保磁力Hc″を測定した
結果は、第1図中曲線(1)に示すように高いHc″が得
られた。また、スパッタガス中の酸素流量の選定によっ
てCo76Pt21.5P2.5の磁性薄膜中の酸素量を4.0(重量)
%とした磁性薄膜の面内磁化曲線は、第2図に示すよう
になり、4πMs=13kG程度が得られた。また、この磁性
薄膜は、上述の厚さ500Å〜5000Åの範囲で磁気的に殆
ど変化がみられなかった。
(1)中のMIとしてPを用い、c=2.5(原子%)と
し、MIIを添加しないつまりd=0としたCo76Pt21.5P
2.5(酸素を除いた組成:以下同様に各組成式は酸素を
除いた組成式で表わす)の磁性薄膜を生成した。この場
合のスパッタガス中の酸素流量φo2と酸素分圧Po2を変
えてそれぞれ得た磁性薄膜の面内保磁力Hc″を測定した
結果は、第1図中曲線(1)に示すように高いHc″が得
られた。また、スパッタガス中の酸素流量の選定によっ
てCo76Pt21.5P2.5の磁性薄膜中の酸素量を4.0(重量)
%とした磁性薄膜の面内磁化曲線は、第2図に示すよう
になり、4πMs=13kG程度が得られた。また、この磁性
薄膜は、上述の厚さ500Å〜5000Åの範囲で磁気的に殆
ど変化がみられなかった。
実施例2 前記実施例1において、その組成がCo70Pt20P10の磁
性薄膜を得た。この場合の同様のφo2とPo2に対するH
c″の測定結果は第1図中曲線(2)となった。
性薄膜を得た。この場合の同様のφo2とPo2に対するH
c″の測定結果は第1図中曲線(2)となった。
比較例1 実施例1と同様の方法によって前記組成式(1)のMI
及びMIIを含まないCo79Pt21の磁性薄膜を得た。この場
合の同様のφo2とPo2に対するHc″の測定結果は第1図
中曲線c1となった。
及びMIIを含まないCo79Pt21の磁性薄膜を得た。この場
合の同様のφo2とPo2に対するHc″の測定結果は第1図
中曲線c1となった。
比較例2 実施例1と同様の方法によるものの前記組成式(1)
のMI及びMIIを含まず炭素Cが添加されたCo77Pt20C3の
磁性薄膜を得た。この場合の同様のφo2とPo2に対するH
c″の測定結果は第1図曲線c2となった。
のMI及びMIIを含まず炭素Cが添加されたCo77Pt20C3の
磁性薄膜を得た。この場合の同様のφo2とPo2に対するH
c″の測定結果は第1図曲線c2となった。
比較例3 実施例1と同様の方法によって組成式(1)のcを20
原子%より大きいc=25としたCo55Pt20P25の磁性薄膜
を得た。この場合の同様のφo2とPo2に対するHc″の測
定結果は第1図中曲線c3となる。
原子%より大きいc=25としたCo55Pt20P25の磁性薄膜
を得た。この場合の同様のφo2とPo2に対するHc″の測
定結果は第1図中曲線c3となる。
実施例3 実施例1と同様の方法によるものの、磁性薄膜の組成
を、前記組成式(1)においてMIとしてSiを用いてCo
77.5Pt20.5Si2とした。この場合の同様のφo2とPo2に対
するHc″の測定結果は第1図中曲線(3)となった。
を、前記組成式(1)においてMIとしてSiを用いてCo
77.5Pt20.5Si2とした。この場合の同様のφo2とPo2に対
するHc″の測定結果は第1図中曲線(3)となった。
実施例4 実施例1と同様の方法によるものの、磁性薄膜の組成
を、前記組成式(1)においてMIとしてGeを用いてCo
77.5pt20.5Ge2とした。この場合の同様のφo2とPo2に対
するHc″の測定結果は第1図中曲線(4)となった。
を、前記組成式(1)においてMIとしてGeを用いてCo
77.5pt20.5Ge2とした。この場合の同様のφo2とPo2に対
するHc″の測定結果は第1図中曲線(4)となった。
第1図の曲線(1)〜(4)と曲線c1〜c3とを比較し
て明らかなように、本発明による実施例は1〜4の磁性
薄膜は、比較例1〜3に比して高い面内保磁力Hc″を示
す。
て明らかなように、本発明による実施例は1〜4の磁性
薄膜は、比較例1〜3に比して高い面内保磁力Hc″を示
す。
実施例5 実施例1において、磁性薄膜の組成を変えてCo75Pt21
P4なる組成の磁性薄膜を得た。この場合の同様のφo2と
Po2に対するHc″の測定結果を第3図中曲線(5)に示
す。
P4なる組成の磁性薄膜を得た。この場合の同様のφo2と
Po2に対するHc″の測定結果を第3図中曲線(5)に示
す。
実施例6 実施例1において、磁性薄膜の組成を変えてCo77Pt
20.5P2.5なる組成の磁性薄膜を得た。この場合に同様
のφo2Po2に対するHc″の測定結果を第3図中曲線
(6)に示す。
20.5P2.5なる組成の磁性薄膜を得た。この場合に同様
のφo2Po2に対するHc″の測定結果を第3図中曲線
(6)に示す。
実施例7 実施例1において、磁性薄膜の組成を変えてCo77Pt
21.5P1.5なる組成の磁性薄膜を得た。この場合の同様
のφo2とPo2に対するHc″の測定結果を第3図中曲線
(7)に示す。
21.5P1.5なる組成の磁性薄膜を得た。この場合の同様
のφo2とPo2に対するHc″の測定結果を第3図中曲線
(7)に示す。
比較例4 実施例1と同様の方法によるものの前記組成式(1)
のMI及びMIIを含まないCo83Pt17の磁性薄膜を得た。こ
の場合の同様のφo2とPo2に対するHc″の測定結果は第
3図中曲線c4となった。
のMI及びMIIを含まないCo83Pt17の磁性薄膜を得た。こ
の場合の同様のφo2とPo2に対するHc″の測定結果は第
3図中曲線c4となった。
実施例8〜12 実施例1と同様の方法によるものの、磁性薄膜の組成
を、前記組成式(1)においてMIIとしてBをそれぞれC
o75Pt21.5P1.5B2(実施例8),Co75Pt20.5P2.5B2(実
施例9),Co72Pt20.5P1.5B6(実施例10)Co72Pt21.5P
2.5B4(実施例11),Co67Pt21P2B10(実施例12)の磁性
薄膜を生成した。この場合の同様のφo2とPo2に対するH
c″の測定結果はそれぞれ第4図中曲線(8)〜(12)
となった。
を、前記組成式(1)においてMIIとしてBをそれぞれC
o75Pt21.5P1.5B2(実施例8),Co75Pt20.5P2.5B2(実
施例9),Co72Pt20.5P1.5B6(実施例10)Co72Pt21.5P
2.5B4(実施例11),Co67Pt21P2B10(実施例12)の磁性
薄膜を生成した。この場合の同様のφo2とPo2に対するH
c″の測定結果はそれぞれ第4図中曲線(8)〜(12)
となった。
比較例5 実施例8〜12と同様にCo Pt P B系の磁性薄膜とする
ものの組成式(1)のd(原子%)を、20より大きい、
すなわちd=25のCo52Pt21P2B25の磁性薄膜を作製し
た。この場合の同様のφo2とPo2に対するHc″の測定結
果は第4図中曲線c5で示されるように、同図曲線(8)
〜(12)に比し面内保磁力Hc″の著しい低下がみられ
る。
ものの組成式(1)のd(原子%)を、20より大きい、
すなわちd=25のCo52Pt21P2B25の磁性薄膜を作製し
た。この場合の同様のφo2とPo2に対するHc″の測定結
果は第4図中曲線c5で示されるように、同図曲線(8)
〜(12)に比し面内保磁力Hc″の著しい低下がみられ
る。
特に、磁性薄膜中の酸素Oの含有量の特定に関して
は、第6図から分かるようにスパッタガス中の酸素流量
φo2ないしは酸素分圧Po2は、垂直異方性磁界Hkに影響
を与えるものであり、第3図及び第4図中には、横軸に
Hkとの関係が示されているように、Hkが余り大きいと面
内磁気記録媒体として雑音の増大化を来たし、余り小さ
いと出力低下を来すことから酸素Oの含有量x(重量
%)は0<x≦10より望ましくは0<x≦6とすること
が良いことが認められた。これにより、本願発明におい
ては、特に、磁性薄膜中の酸素Oの含有量xを、10以下
に、特定することとした。実施例13 Co76Pt21.5P2.5の磁性薄膜において酸素含有量(x
重量%)を変えた各試料(番号1〜5)によってハード
ディスクを作製して特性評価を行った。その結果を比較
例と共に第5図に示す。この場合のハードディスク評価
装置は、3.33MHz,3600rpm,半径27mmの円周上でのデータ
で、第5図の表図中、 Sはトラック上のピーク・トウ・ピークの平均再生出
力電圧(mVp-p)、 Nは雑音電力(μVrms)でこのNは、 で与えられる。(NC:キャリア記録時のキャリアを除い
たスペクトル、NE:DC消去したときのスペクトル) SNRは、20log10(So-P/N)(ここにSo-P=S/2)C/N
は、3.33MHzと2.33MHzのスペクトル比 O/Wは、1.25MHz信号を3.33MHzで重ね書きしたときの
1.25MHz信号の消去率、 Resoは、分解能で3.33MHz再生信号電圧/1.25MHz再生
信号電圧、 PW50はパルス幅、すなわち孤立波の半値幅、 Sは角形比、 S*は保磁力角形化、 M⊥/M″は、垂直及び面内の各残留磁化の比である。
は、第6図から分かるようにスパッタガス中の酸素流量
φo2ないしは酸素分圧Po2は、垂直異方性磁界Hkに影響
を与えるものであり、第3図及び第4図中には、横軸に
Hkとの関係が示されているように、Hkが余り大きいと面
内磁気記録媒体として雑音の増大化を来たし、余り小さ
いと出力低下を来すことから酸素Oの含有量x(重量
%)は0<x≦10より望ましくは0<x≦6とすること
が良いことが認められた。これにより、本願発明におい
ては、特に、磁性薄膜中の酸素Oの含有量xを、10以下
に、特定することとした。実施例13 Co76Pt21.5P2.5の磁性薄膜において酸素含有量(x
重量%)を変えた各試料(番号1〜5)によってハード
ディスクを作製して特性評価を行った。その結果を比較
例と共に第5図に示す。この場合のハードディスク評価
装置は、3.33MHz,3600rpm,半径27mmの円周上でのデータ
で、第5図の表図中、 Sはトラック上のピーク・トウ・ピークの平均再生出
力電圧(mVp-p)、 Nは雑音電力(μVrms)でこのNは、 で与えられる。(NC:キャリア記録時のキャリアを除い
たスペクトル、NE:DC消去したときのスペクトル) SNRは、20log10(So-P/N)(ここにSo-P=S/2)C/N
は、3.33MHzと2.33MHzのスペクトル比 O/Wは、1.25MHz信号を3.33MHzで重ね書きしたときの
1.25MHz信号の消去率、 Resoは、分解能で3.33MHz再生信号電圧/1.25MHz再生
信号電圧、 PW50はパルス幅、すなわち孤立波の半値幅、 Sは角形比、 S*は保磁力角形化、 M⊥/M″は、垂直及び面内の各残留磁化の比である。
尚、第5図の表図中試料番号6の比較例はスパッタに
よってBi下地層上にCoNi層を被着した磁性薄膜によるハ
ードディスク、試料番号7は、CaNiPのメッキ層のよる
磁性薄膜によるハードディスクである。
よってBi下地層上にCoNi層を被着した磁性薄膜によるハ
ードディスク、試料番号7は、CaNiPのメッキ層のよる
磁性薄膜によるハードディスクである。
尚、本明細書における磁性特性は、試料振動型磁力計
で最大印加磁場17kOeで測定したものであり、膜組成
は、電子線プローブマイクロアナリシス(EPMA)とICP
(Inductively Coupled Plasma Analysis)発光分析を
併用したものであり、酸素濃度は、ドース量の明確な標
準試料との比較で2次イオン質量分析法(SIMS)とEPMA
法とを併用したものである。
で最大印加磁場17kOeで測定したものであり、膜組成
は、電子線プローブマイクロアナリシス(EPMA)とICP
(Inductively Coupled Plasma Analysis)発光分析を
併用したものであり、酸素濃度は、ドース量の明確な標
準試料との比較で2次イオン質量分析法(SIMS)とEPMA
法とを併用したものである。
また、上述の各例は、磁性薄膜がCo Pt P O系、Co Pt
Si O系、Co Pt Ge O系、Co Pt P B O系である場合を例
示したものであるが、前記組成式(1)において、MII
として他のGa,Al,In,Sn,Sbを用いることもできるし、MI
及びMIIとして2種以上の元素を用いた場合において
も、各a,b,c,d(原子%)、x(重量%)を前記の関係 a+b+c+d=100として 0<c≦20 0≦d≦20 3.5≦x≦10 とするとき、面内磁化膜として高い保磁力及び飽和磁化
が得られることを確かめた。
Si O系、Co Pt Ge O系、Co Pt P B O系である場合を例
示したものであるが、前記組成式(1)において、MII
として他のGa,Al,In,Sn,Sbを用いることもできるし、MI
及びMIIとして2種以上の元素を用いた場合において
も、各a,b,c,d(原子%)、x(重量%)を前記の関係 a+b+c+d=100として 0<c≦20 0≦d≦20 3.5≦x≦10 とするとき、面内磁化膜として高い保磁力及び飽和磁化
が得られることを確かめた。
本発明によれば、面内磁気記録媒体として高い保磁力
及び飽和磁化が得られ、テープ状、シート状、ディスク
状の各種磁気記録媒体に適用することができるものであ
るが、第5図で示されているように、特にハードディス
クに用いて、低雑音、高出力媒体となる。そして、この
場合、磁性薄膜の形成、すなわち例えばスパッタリング
に当たって基体を加熱する必要がないことから基体材料
の選定の自由度が大となり、廉価な材料の使用が可能と
なる。
及び飽和磁化が得られ、テープ状、シート状、ディスク
状の各種磁気記録媒体に適用することができるものであ
るが、第5図で示されているように、特にハードディス
クに用いて、低雑音、高出力媒体となる。そして、この
場合、磁性薄膜の形成、すなわち例えばスパッタリング
に当たって基体を加熱する必要がないことから基体材料
の選定の自由度が大となり、廉価な材料の使用が可能と
なる。
また試料番号6で示した例のように下地層を設ける必
要がないことから製造の簡易化、価格の低廉化をはかる
ことができる。また保磁力の膜厚依存性が殆どないこと
から、膜厚増加により高出力化をはかることができる。
要がないことから製造の簡易化、価格の低廉化をはかる
ことができる。また保磁力の膜厚依存性が殆どないこと
から、膜厚増加により高出力化をはかることができる。
第1図、第3図及び第4図は、面内保磁力の測定曲線
図、第2図は磁化曲線図、第5図は特性評価ディスク表
図、第6図は磁性薄膜の酸素含有量とスパッタガス中の
酸素流量及び酸素分圧との関係を示す曲線図である。
図、第2図は磁化曲線図、第5図は特性評価ディスク表
図、第6図は磁性薄膜の酸素含有量とスパッタガス中の
酸素流量及び酸素分圧との関係を示す曲線図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿蘇 興一 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−116923(JP,A) 特開 昭59−88805(JP,A) 特開 平3−16013(JP,A) 特開 平2−73511(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 5/66
Claims (1)
- 【請求項1】(CoaPtbMI cMII d)100-xOx (但し、a,b,c,dは、原子%、xは重量%)なる組成式
で示され、 この組成式において、 a+b+c+d=100 0<c≦20 0≦d≦20 であって、MIがP,Si,Geのうちの1以上、 MIIがB,Ga,Al,In,Sn,Sbのうちの1以上の元素であり、
かつ 3.5≦x≦10 に制御された磁性薄膜を有して成ることを特徴とする磁
気記録媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1221024A JP2913684B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 磁気記録媒体 |
EP90116504A EP0415364B1 (en) | 1989-08-28 | 1990-08-28 | Magnetic recording medium |
US07/573,791 US5266418A (en) | 1989-08-28 | 1990-08-28 | Magnetic recording medium |
DE69013281T DE69013281T2 (de) | 1989-08-28 | 1990-08-28 | Magnetischer Aufzeichnungsträger. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1221024A JP2913684B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0384723A JPH0384723A (ja) | 1991-04-10 |
JP2913684B2 true JP2913684B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=16760294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1221024A Expired - Fee Related JP2913684B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5266418A (ja) |
EP (1) | EP0415364B1 (ja) |
JP (1) | JP2913684B2 (ja) |
DE (1) | DE69013281T2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523173A (en) * | 1994-12-27 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording medium with a CoPtCrB alloy thin film with a 1120 crystallographic orientation deposited on an underlayer with 100 orientation |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57149706A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
JPS57183004A (en) * | 1981-05-07 | 1982-11-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetically recording medium |
JPS5883328A (ja) * | 1981-11-12 | 1983-05-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPS59219448A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-10 | Tohoku Tokushuko Kk | 蒸着テ−プ用記録磁性体合金 |
JPS6115941A (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-24 | Res Dev Corp Of Japan | 酸素を含む強磁性非晶質合金およびその製造法 |
US4647507A (en) * | 1984-10-31 | 1987-03-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording material |
JPH06105499B2 (ja) * | 1985-02-22 | 1994-12-21 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体 |
DE3685219D1 (de) * | 1985-06-21 | 1992-06-11 | Sumitomo Metal Mining Co | Magnetisches speichermedium. |
CN1008411B (zh) * | 1986-03-28 | 1990-06-13 | 株式会社日立制作所 | 磁记录载体 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1221024A patent/JP2913684B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-08-28 EP EP90116504A patent/EP0415364B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-28 DE DE69013281T patent/DE69013281T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-28 US US07/573,791 patent/US5266418A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0415364A3 (en) | 1991-09-11 |
EP0415364A2 (en) | 1991-03-06 |
EP0415364B1 (en) | 1994-10-12 |
DE69013281T2 (de) | 1995-05-24 |
JPH0384723A (ja) | 1991-04-10 |
DE69013281D1 (de) | 1994-11-17 |
US5266418A (en) | 1993-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW390998B (en) | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same | |
US6395413B1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
US6863998B2 (en) | Magnetic recording medium, method for producing the same, and magnetic recording apparatus | |
US6686071B2 (en) | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using the same | |
US7357998B2 (en) | Disk substrate for a perpendicular magnetic recording medium, perpendicular magnetic recording disk and manufacturing methods thereof | |
JP2674132B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2913684B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0750008A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP3183965B2 (ja) | 磁気記録膜、磁気記録媒体、および光磁気記録媒体 | |
JPH0817032A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
US20030198835A1 (en) | Perpendicular magnetic recording media | |
JP3520751B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法及びそれを使用した記憶装置 | |
JP3113069B2 (ja) | 磁気記録膜、磁気記録媒体、および光磁気記録媒体 | |
JP2964596B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH03162710A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59157828A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP3278959B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPH05325163A (ja) | 磁気記録媒体 | |
US20040241500A1 (en) | Magnetic recording medium, method for producing magnetic recording medium, and magnetic storage device | |
JP2538123B2 (ja) | 固定磁気ディスクおよびその製造方法 | |
JPS6364623A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH05197942A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記録装置 | |
JPH1040529A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0512765B2 (ja) | ||
JPS59157830A (ja) | 磁気記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |