JPH03162710A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH03162710A JPH03162710A JP1302362A JP30236289A JPH03162710A JP H03162710 A JPH03162710 A JP H03162710A JP 1302362 A JP1302362 A JP 1302362A JP 30236289 A JP30236289 A JP 30236289A JP H03162710 A JPH03162710 A JP H03162710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- magnetic
- recording medium
- thin film
- magnetic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- JGRPKOGHYBAVMW-UHFFFAOYSA-N 8-hydroxy-5-quinolinecarboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=C(O)C2=N1 JGRPKOGHYBAVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 101000643078 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) 40S ribosomal protein S9-A Proteins 0.000 description 1
- 101000729607 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) 40S ribosomal protein S9-B Proteins 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73913—Composites or coated substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、磁性薄膜にＣｏＰ系合金を用いた磁気記録媒
体に関する。
体に関する。
（従来の技術）
従来より、ポリエステル、ボリアミド、ポリイミド等の
プラスチックやアルミニウムなどの非磁性基体上にＣｒ
等の下地層を形成し、次いでＣｏＰ系合金からなる磁性
薄膜を形成した磁気記録媒体が提案されている， ＣｏＰ系及びＣｏＮ Ｌ Ｐ系合金をスパッタリングし
て形成する磁性薄膜の下地層について言えば、例えば、
特開昭５８−７７０２４号には、この下地層にＡｎ、Ｃ
ｒ％Ｔ１を用いることが記載され、また、特開昭５８−
１ １ ６７０７号にはＭｏ，Ｔｉ，Ｆｅ％Ｃｏ及びＮ
ｉの内の１種を６０重量パーセント以下含むＣｒ合金を
用いることが記載されている． また、ＣｏＰ系及びＣｏＮ ｉ Ｐ系合金をスパッタリ
ングして形成される磁性薄膜自体については、ＣｏＮｉ
Ｐ３元合金やＣｏＮｉＰＣｒ４７（合金を磁性体とした
場合にはＰを含まないＣｏＮｉ，ＣｏＮｉＣｒに比較し
てＳ／Ｎ比を高く、ノイズを小さくできることが報告さ
れている（クボタ技報第２０号第１９〜２３頁（１９８
８年４月））． また、特開昭５８−１ １ ６７０７号にはＰの組成比
を６〜８重量パーセントとしたＣｏＰ系合金やＣｏＮｉ
Ｐ系合金からなる磁性薄膜が記載されている。
プラスチックやアルミニウムなどの非磁性基体上にＣｒ
等の下地層を形成し、次いでＣｏＰ系合金からなる磁性
薄膜を形成した磁気記録媒体が提案されている， ＣｏＰ系及びＣｏＮ Ｌ Ｐ系合金をスパッタリングし
て形成する磁性薄膜の下地層について言えば、例えば、
特開昭５８−７７０２４号には、この下地層にＡｎ、Ｃ
ｒ％Ｔ１を用いることが記載され、また、特開昭５８−
１ １ ６７０７号にはＭｏ，Ｔｉ，Ｆｅ％Ｃｏ及びＮ
ｉの内の１種を６０重量パーセント以下含むＣｒ合金を
用いることが記載されている． また、ＣｏＰ系及びＣｏＮ ｉ Ｐ系合金をスパッタリ
ングして形成される磁性薄膜自体については、ＣｏＮｉ
Ｐ３元合金やＣｏＮｉＰＣｒ４７（合金を磁性体とした
場合にはＰを含まないＣｏＮｉ，ＣｏＮｉＣｒに比較し
てＳ／Ｎ比を高く、ノイズを小さくできることが報告さ
れている（クボタ技報第２０号第１９〜２３頁（１９８
８年４月））． また、特開昭５８−１ １ ６７０７号にはＰの組成比
を６〜８重量パーセントとしたＣｏＰ系合金やＣｏＮｉ
Ｐ系合金からなる磁性薄膜が記載されている。
他方、ＣｏＰｔ系合金等、ｐｔを含む磁性薄膜も磁気デ
ィスク等の磁気記録媒体に応用され始めている。
ィスク等の磁気記録媒体に応用され始めている。
（発明が解決しようとする課！！！Ｉ）しかしながら、
上記刊行物に記載された磁気記録媒体をはじめとして従
来の磁気記録媒体の保磁力Ｈｃはおよそ１２００エール
ステッドが最大で、それ以上のＨｅを得るためには非磁
性基体を２００℃以上に加熱したり、あるいはＣｏ合金
中にＰｔを１５ａｔ％程度まで添加したりする必要があ
る。
上記刊行物に記載された磁気記録媒体をはじめとして従
来の磁気記録媒体の保磁力Ｈｃはおよそ１２００エール
ステッドが最大で、それ以上のＨｅを得るためには非磁
性基体を２００℃以上に加熱したり、あるいはＣｏ合金
中にＰｔを１５ａｔ％程度まで添加したりする必要があ
る。
また、このようにすると非磁性基体がその種類により耐
熱温度の制約を受けたり、ｐｔを多量に使うことで磁気
記録媒体が高コストとなり、コスト面から実用的な磁気
記録媒体が提供できなかった． 以上に説明したように、従来においては非磁性基体の加
熱温度が２００℃未満であって、且つコスト面からＣＯ
合金薄膜に添加するｐｔの量を１０ａｔ％以下と少なく
した場合にも１２００エールステッド以上の保磁力Ｈｃ
を有し、しかも再生時のノイズの少ない磁気記録媒体は
なく、最近では磁気ディスクのヘッドの改良や低浮上化
の傾向にともない、このような磁気記録媒体の提供が望
まれている． （課題を解決するための手段） 本発明は上記課題を解決するため、下地層にＣｒ，Ｖ，
Ｗから選ばれる金属単体又は２ｆ！以上のこれ等の合金
を用い、ＣｏＰ系合金にＣＯｘｐＹｐｔ．（但し、Ｘ％
Ｙ及びＺはそれぞれａｔ％で４≦Ｙ≦１１、２≦Ｚ≦１
０の範囲にあり、Ｘが残部である．）、ＣｏＸＰ．ｆＰ
ｔ２Ｎｉａ（但し、Ｘ％Ｙ％Ｚ及びａはそれぞれａｔ％
で５≦Ｙ≦９、２≦Ｚ≦１０及び５≦ａ≦３５の範囲に
あり、Ｘが残部である．）、及びＣｏｘ Ｐｖ Ｐ ｔ
ｚ Ｎ ｉａ Ｃｒｂ （但し、Ｘ，Ｙ，２％ａ及び
ｂはそれぞれａｔ％で５≦Ｙ≦９、２≦Ｚ≦１０１５≦
ａ≦３５、ｏ＜ｂ≦１７の範囲にあり、Ｘが残部である
．）から選ばれる１種を用いて非磁性基板上に下地層及
びＣｏＰ系合金を磁性薄膜として順次形威して磁気記録
媒体を構成したものである。
熱温度の制約を受けたり、ｐｔを多量に使うことで磁気
記録媒体が高コストとなり、コスト面から実用的な磁気
記録媒体が提供できなかった． 以上に説明したように、従来においては非磁性基体の加
熱温度が２００℃未満であって、且つコスト面からＣＯ
合金薄膜に添加するｐｔの量を１０ａｔ％以下と少なく
した場合にも１２００エールステッド以上の保磁力Ｈｃ
を有し、しかも再生時のノイズの少ない磁気記録媒体は
なく、最近では磁気ディスクのヘッドの改良や低浮上化
の傾向にともない、このような磁気記録媒体の提供が望
まれている． （課題を解決するための手段） 本発明は上記課題を解決するため、下地層にＣｒ，Ｖ，
Ｗから選ばれる金属単体又は２ｆ！以上のこれ等の合金
を用い、ＣｏＰ系合金にＣＯｘｐＹｐｔ．（但し、Ｘ％
Ｙ及びＺはそれぞれａｔ％で４≦Ｙ≦１１、２≦Ｚ≦１
０の範囲にあり、Ｘが残部である．）、ＣｏＸＰ．ｆＰ
ｔ２Ｎｉａ（但し、Ｘ％Ｙ％Ｚ及びａはそれぞれａｔ％
で５≦Ｙ≦９、２≦Ｚ≦１０及び５≦ａ≦３５の範囲に
あり、Ｘが残部である．）、及びＣｏｘ Ｐｖ Ｐ ｔ
ｚ Ｎ ｉａ Ｃｒｂ （但し、Ｘ，Ｙ，２％ａ及び
ｂはそれぞれａｔ％で５≦Ｙ≦９、２≦Ｚ≦１０１５≦
ａ≦３５、ｏ＜ｂ≦１７の範囲にあり、Ｘが残部である
．）から選ばれる１種を用いて非磁性基板上に下地層及
びＣｏＰ系合金を磁性薄膜として順次形威して磁気記録
媒体を構成したものである。
（作用）
上記構成の本発明の磁気記録媒体はアルミニウム等の非
磁性基板にテクスチュア処理、洗浄等の表面処理を施し
た後、この処理表面に下地層をメッキ法、真空蒸着法、
スパッタリング法等により薄膜形成し、次いでＣｏＰ系
合金をＡｒ等の不活性ガスを衝撃イオンのイオン源とし
てＲＦスパッタ、ＤＣスバッタあるいはＤＣマグネトロ
ンスバッタ等のマグネトロンスパッタを用いてスパッタ
リングすることにより作成される。このようにしてＣｏ
Ｐ系合金が磁性薄膜となり、非磁性基板によって磁性薄
膜が支持されることとなるが、下地層によって非磁性基
板と磁性薄膜との間の接着性や磁性薄膜の表面性が向上
する他、本発明においては特に下地層の材料及び磁性薄
膜の合金組成を限定した組合せにより磁気記録媒体の保
磁力Ｈｅ等及び電磁変換特性が向上する。
磁性基板にテクスチュア処理、洗浄等の表面処理を施し
た後、この処理表面に下地層をメッキ法、真空蒸着法、
スパッタリング法等により薄膜形成し、次いでＣｏＰ系
合金をＡｒ等の不活性ガスを衝撃イオンのイオン源とし
てＲＦスパッタ、ＤＣスバッタあるいはＤＣマグネトロ
ンスバッタ等のマグネトロンスパッタを用いてスパッタ
リングすることにより作成される。このようにしてＣｏ
Ｐ系合金が磁性薄膜となり、非磁性基板によって磁性薄
膜が支持されることとなるが、下地層によって非磁性基
板と磁性薄膜との間の接着性や磁性薄膜の表面性が向上
する他、本発明においては特に下地層の材料及び磁性薄
膜の合金組成を限定した組合せにより磁気記録媒体の保
磁力Ｈｅ等及び電磁変換特性が向上する。
以下に実施例を示し、本発明を更に詳しく説明する．
一磁気記録媒体の製造一
非磁性基板としてアルミニウム板上にＮｉＰをメッキし
、次いでこのＮｉＰ表面をテクスチュア処理したものを
用い、ＤＣマグネトロンスバッタ法によりターゲットを
６＃φとして、以下の要領で非磁性基板の前記テクスチ
ュア処理表面上に下地層及びＣｏＰ系合金からなる磁性
薄膜を順次形成して実施例１〜２４及び比較例の磁気記
録媒体を得た．尚、各実施例における成膜条件等は以下
の通りである． （実施例１） 非磁性基板を真空チャンバー内にセットし、到達真空度
を２ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒとして２００℃で非磁性
基板の前記テクスチュア処理表面上にＣｒをスパッタリ
ングして１０００人に成膜した。
、次いでこのＮｉＰ表面をテクスチュア処理したものを
用い、ＤＣマグネトロンスバッタ法によりターゲットを
６＃φとして、以下の要領で非磁性基板の前記テクスチ
ュア処理表面上に下地層及びＣｏＰ系合金からなる磁性
薄膜を順次形成して実施例１〜２４及び比較例の磁気記
録媒体を得た．尚、各実施例における成膜条件等は以下
の通りである． （実施例１） 非磁性基板を真空チャンバー内にセットし、到達真空度
を２ Ｘ １ ０−’Ｔｏｒｒとして２００℃で非磁性
基板の前記テクスチュア処理表面上にＣｒをスパッタリ
ングして１０００人に成膜した。
次いでＣｏターゲット上にｐｔを２ａｔ％になるように
配置し、更にその上に５１ＩＩＩｌ×５ＩＩＩｌのＣｏ
．Ｐ，チップの数を変えて置き、Ａｒガス圧５ Ｘ １
０−３Ｔａｒｒでスパッタリングすることにより種々
のＣｏｓａ−ｘＰｔｚ Ｐｘ型のＣｏＰ系合金からなる
磁性薄膜を形成し、実施例１の磁気記録媒体を得た． （実施例２） ｐｔ量を１０ａｔ％とした他は実施例１と同様にして実
施例２の磁気記録媒体を得た．（実施例３） 実施例１と同様にして１０００人のＣｒ下地層を形成し
た後、Ｃｏターゲット上にｐｔ％Ｎｉ及びＣｏ．Ｐ，を
それぞれ量を変えて配置した他は実施例１と同様にして
種々のＣ Ｏ ９０． ２−ＸＮ ｉ ｘＰｔ３．ｙＰ
ａ．＋型のＣｏＰ系合金からなる磁性薄膜を形威し、Ｎ
ｉ量を変化させた実施例３の磁気記録媒体を得た． （実施例４） 実施例３と同様にして１０００人のＣｒ下地層形戒後の
ＣＯターゲット上のｐｔ％Ｎｉ及びＣＯ４Ｐ，の量を変
えることにより、Ｃ Ｏ Ｉ！ｉｌｌ． Ｑ−ＸＮ ｉ
ａ．ａ Ｐ ｔｓ．ｙ Ｐｘ型のＣｏＰ系合金からな
る磁性薄膜を形成し、Ｐ量を変化させた実施例４の磁気
記録媒体を得た。
配置し、更にその上に５１ＩＩＩｌ×５ＩＩＩｌのＣｏ
．Ｐ，チップの数を変えて置き、Ａｒガス圧５ Ｘ １
０−３Ｔａｒｒでスパッタリングすることにより種々
のＣｏｓａ−ｘＰｔｚ Ｐｘ型のＣｏＰ系合金からなる
磁性薄膜を形成し、実施例１の磁気記録媒体を得た． （実施例２） ｐｔ量を１０ａｔ％とした他は実施例１と同様にして実
施例２の磁気記録媒体を得た．（実施例３） 実施例１と同様にして１０００人のＣｒ下地層を形成し
た後、Ｃｏターゲット上にｐｔ％Ｎｉ及びＣｏ．Ｐ，を
それぞれ量を変えて配置した他は実施例１と同様にして
種々のＣ Ｏ ９０． ２−ＸＮ ｉ ｘＰｔ３．ｙＰ
ａ．＋型のＣｏＰ系合金からなる磁性薄膜を形威し、Ｎ
ｉ量を変化させた実施例３の磁気記録媒体を得た． （実施例４） 実施例３と同様にして１０００人のＣｒ下地層形戒後の
ＣＯターゲット上のｐｔ％Ｎｉ及びＣＯ４Ｐ，の量を変
えることにより、Ｃ Ｏ Ｉ！ｉｌｌ． Ｑ−ＸＮ ｉ
ａ．ａ Ｐ ｔｓ．ｙ Ｐｘ型のＣｏＰ系合金からな
る磁性薄膜を形成し、Ｐ量を変化させた実施例４の磁気
記録媒体を得た。
（実施例５）
実施例３と同様にして１０００人のＣｒ下地層形成後の
ＣＯターゲット上のｐｔ％Ｎｉ及びＣＯ４Ｐ，の量を変
えることにより、Ｃ Ｏ ６７． ５−Ｘ？ ｉ６．ａ
Ｐ ｔｘ Ｐｓ．＋型のＣｏＰ系合金からなる磁性薄
膜を形成し、ｐｔ量を変化させｋ実施例５の磁気記録媒
体を得た． （実施例６） １０００人及び２０００人のＣｒ下地層形成後のＣｏタ
ーゲット上に更にＣｒを配置してｐｔ％Ｎｉ、Ｃ０４Ｐ
３及びＣｒの量を変化させた以外は実施例３と同様にし
てＣ ｏ ｙｏ． ａ−ｘＮ ｉ ｒｅ． ａＰ ｔ
ｓ． ７Ｐ．．，Ｃｒ．型のＣｏＰ系合金からなる磁性
薄膜を形成し、Ｃｒ量を変化させた実施例６の磁気記録
媒体を得た． （実施例７） 基板加熱温度を変化させ、Ａｒガス圧をＩＯＸ１ ０−
’Ｔｏｒｒとした以外は実施例６と同様にしてＣ ０６
７．７Ｎ １ １１＋．４Ｐ ｔ３．ｙ Ｐａ．Ｉ Ｃ
ｒｓ．ｓを磁性薄膜とする実施例７の磁気記録媒体を
得た。
ＣＯターゲット上のｐｔ％Ｎｉ及びＣＯ４Ｐ，の量を変
えることにより、Ｃ Ｏ ６７． ５−Ｘ？ ｉ６．ａ
Ｐ ｔｘ Ｐｓ．＋型のＣｏＰ系合金からなる磁性薄
膜を形成し、ｐｔ量を変化させｋ実施例５の磁気記録媒
体を得た． （実施例６） １０００人及び２０００人のＣｒ下地層形成後のＣｏタ
ーゲット上に更にＣｒを配置してｐｔ％Ｎｉ、Ｃ０４Ｐ
３及びＣｒの量を変化させた以外は実施例３と同様にし
てＣ ｏ ｙｏ． ａ−ｘＮ ｉ ｒｅ． ａＰ ｔ
ｓ． ７Ｐ．．，Ｃｒ．型のＣｏＰ系合金からなる磁性
薄膜を形成し、Ｃｒ量を変化させた実施例６の磁気記録
媒体を得た． （実施例７） 基板加熱温度を変化させ、Ａｒガス圧をＩＯＸ１ ０−
’Ｔｏｒｒとした以外は実施例６と同様にしてＣ ０６
７．７Ｎ １ １１＋．４Ｐ ｔ３．ｙ Ｐａ．Ｉ Ｃ
ｒｓ．ｓを磁性薄膜とする実施例７の磁気記録媒体を
得た。
（実施例８）
３．５インチのディスク基板を用い、実施例６と同様に
して２０００人のＣｒ下地層を形成し、次いで５００入
のＣ ０８７．？Ｎ ｉ １ｅ．ａＰ ｔｓ．ｔ Ｐａ
■Ｃｒｓ，１を磁性薄膜とする実施例８の磁気記録媒体
（ディスク）を得た。
して２０００人のＣｒ下地層を形成し、次いで５００入
のＣ ０８７．？Ｎ ｉ １ｅ．ａＰ ｔｓ．ｔ Ｐａ
■Ｃｒｓ，１を磁性薄膜とする実施例８の磁気記録媒体
（ディスク）を得た。
（実施例９〜１６）
下地層のＣｒをＶに代えた他は実施例１〜８と同様Ｃし
て実施例９〜１６の磁気記録媒体を得た。
て実施例９〜１６の磁気記録媒体を得た。
（実施例１７〜２４）
下地層のＣｒをＷに代えた他は実施例１〜８と同様にし
て実施例１７〜２４の磁気記録媒体を得た。
て実施例１７〜２４の磁気記録媒体を得た。
（比較例）
ＣｏＰ系合金からなる磁性薄膜の形成過程でｐｔを除い
た他は実施例１と同様にして比較例の磁気記録媒体を得
た。
た他は実施例１と同様にして比較例の磁気記録媒体を得
た。
一磁気記録媒体の評価一
（イ）実施例１、２及び比較例の磁気記録媒体における
ＣｏＰ系合金からなる磁性薄膜のＰ含量を変えた場合の
保磁力Ｈｃを測定し、その結果を第１図に示す． ′ｓ１図の結果からＰｔの含有量がＯ〜１ｏａｔ％の範
囲でｐｔの含量とともに保磁力Ｈｃが向上し、比較例に
比較して実施例の磁気記録媒体はＰｔの含量が２ａｔ％
と少量の場合でもＰの含量が４〜ｆｌａｔ％の場合にＨ
ｃが１２００エールステッドを越える優れた磁気記録媒
体が得られることが分かる． （ロ）実施例３の磁気記録媒体におけるＣｏＰ系合金か
らなる磁性薄膜のＮｉ含量を変えた場合の保磁力ＨＣを
測定し、その結果を第２図に示す．第２図の結果から実
施例３の磁気記録媒体はＮｉの含量が５〜３５ａｔ％の
場合にＨｅが１２００エールステッドを越える優れた磁
気記録媒体が得られることが分かる。
ＣｏＰ系合金からなる磁性薄膜のＰ含量を変えた場合の
保磁力Ｈｃを測定し、その結果を第１図に示す． ′ｓ１図の結果からＰｔの含有量がＯ〜１ｏａｔ％の範
囲でｐｔの含量とともに保磁力Ｈｃが向上し、比較例に
比較して実施例の磁気記録媒体はＰｔの含量が２ａｔ％
と少量の場合でもＰの含量が４〜ｆｌａｔ％の場合にＨ
ｃが１２００エールステッドを越える優れた磁気記録媒
体が得られることが分かる． （ロ）実施例３の磁気記録媒体におけるＣｏＰ系合金か
らなる磁性薄膜のＮｉ含量を変えた場合の保磁力ＨＣを
測定し、その結果を第２図に示す．第２図の結果から実
施例３の磁気記録媒体はＮｉの含量が５〜３５ａｔ％の
場合にＨｅが１２００エールステッドを越える優れた磁
気記録媒体が得られることが分かる。
（ハ）実施例４の磁気記録媒体におけるＣｏＰ系合金か
らなる磁性薄膜のＰ含量を変えた場合の保磁力Ｈｃを測
定し、その結果を第３図Ｃ示す。
らなる磁性薄膜のＰ含量を変えた場合の保磁力Ｈｃを測
定し、その結果を第３図Ｃ示す。
第３図の結果から実施例４の磁気記録媒体はＰの含量が
５〜９ａｔ％の場合にＨｃが１２００エールステッドを
越える優れた磁気記録媒体が得られることが分かる。
５〜９ａｔ％の場合にＨｃが１２００エールステッドを
越える優れた磁気記録媒体が得られることが分かる。
（二）実施例５の磁気記録媒体におけるＣｏＰ系合金か
らなる磁性薄膜のｐｔ含量を変えた場合の保磁力Ｈｃを
測定し、その結果を第４図に示す．第４図の結果から実
施例５の磁気記録媒体はＰｔの含量が２〜１１．５ａｔ
％の場合にＨｃが１２００二一ルステッドを越える優れ
た磁気記録媒体が得られることが分かる。
らなる磁性薄膜のｐｔ含量を変えた場合の保磁力Ｈｃを
測定し、その結果を第４図に示す．第４図の結果から実
施例５の磁気記録媒体はＰｔの含量が２〜１１．５ａｔ
％の場合にＨｃが１２００二一ルステッドを越える優れ
た磁気記録媒体が得られることが分かる。
（ホ）実施例６の磁気記録媒体におけるＣｏＰ系合金か
らなる磁性薄膜のＣｒ含量を変えた場合の飽和磁化Ｍ，
及び保磁力Ｈｃを測定し、その結果を第５図に示す． 第５図の結果から実施例６の磁気記録媒体はＭ，がＣｏ
Ｐ系合金のＣｒ含量の増加とともに減少し、Ｃｒ含量が
１７ａｔ％を越えると ３００ｅｍｕ／ｃｃ未満となる
． 他方、’ Ｈ ｅはＣｒ下地層が１０００人の場合にも
ＨｃがＣｒ含量が１８ａｔ％以下では１２００エールス
テッドを越える． 従ってＣｏＰ系合金のＣｒ含量が１７ａｔ％以下であれ
ばＭＳ及びＨＣが共に良好な磁気記録媒体が得られるこ
とが分かる。
らなる磁性薄膜のＣｒ含量を変えた場合の飽和磁化Ｍ，
及び保磁力Ｈｃを測定し、その結果を第５図に示す． 第５図の結果から実施例６の磁気記録媒体はＭ，がＣｏ
Ｐ系合金のＣｒ含量の増加とともに減少し、Ｃｒ含量が
１７ａｔ％を越えると ３００ｅｍｕ／ｃｃ未満となる
． 他方、’ Ｈ ｅはＣｒ下地層が１０００人の場合にも
ＨｃがＣｒ含量が１８ａｔ％以下では１２００エールス
テッドを越える． 従ってＣｏＰ系合金のＣｒ含量が１７ａｔ％以下であれ
ばＭＳ及びＨＣが共に良好な磁気記録媒体が得られるこ
とが分かる。
（へ）実施例７及びこの磁性薄膜を従来のＣＯＣｒＴａ
層とした２つの磁気記録媒体における基板の加熱温度を
変えた場合の保磁力Ｈｃを測定し、その結果を第６図に
示す． 第６図の結果から磁性薄膜がＣｏＣｒＴａ層である従来
の磁気記録媒体は基板の加熱温度とともにＨｃが増大す
るものの、基板の加熱温度が２２５℃を越えないとＨｃ
が１２００エールステッドに到達しないのに対し、実施
例７の磁気記録媒体は下地層が１０００及び２０００人
の場合にも基板の温度が常温でも１２００エールステッ
ド以上となる．（ト）実施例８及びこの磁性薄膜を従来
のＣＯＣｒＴａ層に変えた２つのディスクを電磁変換特
性測定器により再生出力の周波数特性を測定し、その結
果を第７図に示す． 尚、使用したヘッドは３３７０タイプのＭＩＧヘッドで
Ｆ ． Ｈ ＝０．２０μｍ，ギＩ１”／ブ長＝ ０．
４０μｍ １Ｔ．＝１５μｍｅ設定し、線速度を６ ｆ
ｍ／ｓとし、記録周波数を８ ＭＨｚとした． 第７図の結果から実施例８のディスクは従来の磁性薄膜
にｃｏｃｒ”ｒａを用いたディスクに比較して再生出力
のノイズ、特に低周波側のノイズが小さく、しかも６
ＭＨｚにおける再生出力が実施例のものは１０ｍＶ，従
来のものが７．５ｍ Ｖで、実施例のものの方が従来の
ものよりも大きな出力が得られることが分かる． （チ）実施例１〜８に代えて実施例９〜１６及び実施例
１７〜２４の磁気記録媒体を用いて上記（イ）〜（ト）
の評価を行なった。
層とした２つの磁気記録媒体における基板の加熱温度を
変えた場合の保磁力Ｈｃを測定し、その結果を第６図に
示す． 第６図の結果から磁性薄膜がＣｏＣｒＴａ層である従来
の磁気記録媒体は基板の加熱温度とともにＨｃが増大す
るものの、基板の加熱温度が２２５℃を越えないとＨｃ
が１２００エールステッドに到達しないのに対し、実施
例７の磁気記録媒体は下地層が１０００及び２０００人
の場合にも基板の温度が常温でも１２００エールステッ
ド以上となる．（ト）実施例８及びこの磁性薄膜を従来
のＣＯＣｒＴａ層に変えた２つのディスクを電磁変換特
性測定器により再生出力の周波数特性を測定し、その結
果を第７図に示す． 尚、使用したヘッドは３３７０タイプのＭＩＧヘッドで
Ｆ ． Ｈ ＝０．２０μｍ，ギＩ１”／ブ長＝ ０．
４０μｍ １Ｔ．＝１５μｍｅ設定し、線速度を６ ｆ
ｍ／ｓとし、記録周波数を８ ＭＨｚとした． 第７図の結果から実施例８のディスクは従来の磁性薄膜
にｃｏｃｒ”ｒａを用いたディスクに比較して再生出力
のノイズ、特に低周波側のノイズが小さく、しかも６
ＭＨｚにおける再生出力が実施例のものは１０ｍＶ，従
来のものが７．５ｍ Ｖで、実施例のものの方が従来の
ものよりも大きな出力が得られることが分かる． （チ）実施例１〜８に代えて実施例９〜１６及び実施例
１７〜２４の磁気記録媒体を用いて上記（イ）〜（ト）
の評価を行なった。
その結果、実施例１〜８の磁気記録媒体のＣｒ下地層を
Ｖ下地層あるいはＷ下地層とした実施例９〜２４の磁気
記録媒体の場合も実施例１〜８の磁気記録媒体と同様の
結果が得られた．（発明の効果） 以上の実施例から明らかなように、本発明によれば下地
層＆：ｃｒ，Ｖ及びＷの内の１ｆｌを用いて下地層とＣ
ｏｘ Ｐｙ Ｐｔｚ ３元合金磁性薄膜を順次形成した
磁気記録媒体の場合、ａｔ％で４≦ＹＳ１１、２≦Ｚ≦
１０としてＸを残部とすることにより、その保磁力Ｈｅ
が１２００エールステッド以上となる． 同様の下地層上にＣ Ｏｘ Ｐ ｙ Ｐ ｔｚ Ｎ １
ｍ ４元合金磁性薄膜を順次形成した磁気記録媒体の
場合、ａｔ％で５≦Ｙ≦９、２≦Ｚ≦１０１ ５≦８≦
３５としてＸを残部とすることにより、その保磁力Ｈｃ
が１２００エールステッド以上となる。
Ｖ下地層あるいはＷ下地層とした実施例９〜２４の磁気
記録媒体の場合も実施例１〜８の磁気記録媒体と同様の
結果が得られた．（発明の効果） 以上の実施例から明らかなように、本発明によれば下地
層＆：ｃｒ，Ｖ及びＷの内の１ｆｌを用いて下地層とＣ
ｏｘ Ｐｙ Ｐｔｚ ３元合金磁性薄膜を順次形成した
磁気記録媒体の場合、ａｔ％で４≦ＹＳ１１、２≦Ｚ≦
１０としてＸを残部とすることにより、その保磁力Ｈｅ
が１２００エールステッド以上となる． 同様の下地層上にＣ Ｏｘ Ｐ ｙ Ｐ ｔｚ Ｎ １
ｍ ４元合金磁性薄膜を順次形成した磁気記録媒体の
場合、ａｔ％で５≦Ｙ≦９、２≦Ｚ≦１０１ ５≦８≦
３５としてＸを残部とすることにより、その保磁力Ｈｃ
が１２００エールステッド以上となる。
また、Ｃｏｘ Ｐｙ Ｐｔｚ Ｎｉ．ＣｒｂＳ元合金磁
性薄膜を順次形成した磁気記録媒体の場合には、ａｔ％
で５≦Ｙ≦９、２≦Ｚ≦１０１ ５≦８≦３５、ｏ＜ｂ
≦１７としＸを残部とすることにより、飽和磁化Ｍ，が
３００ｅｍｕ／ｃｃ以上と高い上、その保磁力Ｈｃは１
２００エールステッド以上となる。
性薄膜を順次形成した磁気記録媒体の場合には、ａｔ％
で５≦Ｙ≦９、２≦Ｚ≦１０１ ５≦８≦３５、ｏ＜ｂ
≦１７としＸを残部とすることにより、飽和磁化Ｍ，が
３００ｅｍｕ／ｃｃ以上と高い上、その保磁力Ｈｃは１
２００エールステッド以上となる。
更に実施例７の磁気記録媒体の保磁力Ｈｃの評価からも
明らかなように、本発明によれば基板の温度を常温とし
て磁気記録媒体を製造してもその保磁力Ｈｃは１２００
エールステッド以上となる．加えて実施例の磁気記録媒
体とＣｏＣｒＴａｌｌｉｉ性膜を用いた従来の磁気記録
媒体の再生出力のノイズ評価からも明らかなように、本
発明によれば低ノイズ特に低周波域において低ノイズで
ありながら再生出力の高い磁気記録媒体が得られる。
明らかなように、本発明によれば基板の温度を常温とし
て磁気記録媒体を製造してもその保磁力Ｈｃは１２００
エールステッド以上となる．加えて実施例の磁気記録媒
体とＣｏＣｒＴａｌｌｉｉ性膜を用いた従来の磁気記録
媒体の再生出力のノイズ評価からも明らかなように、本
発明によれば低ノイズ特に低周波域において低ノイズで
ありながら再生出力の高い磁気記録媒体が得られる。
第ｌ図は本発明に係るＣｒ下地層上にＣＯＰＰｔ３元合
金磁性薄膜をスパッタリングにより形成した磁気記録媒
体の磁性膜中のｐｔ含量をパラメータとしたＰ含量と保
磁力Ｈｃの関係を表わしたグラフ、第２図は本発明に係
るＣｒ下地層上にＣｏＰＰｔＮｉＪ元合金磁性薄膜をス
パッタリングにより形成した磁気記録媒体の磁性薄膜中
のＮｉ含量と保磁力Ｈｃの関係を表わしたグラフ、第３
図は第２図と同様の下地層上及びＣｏＰ系合金磁性薄膜
を形成した磁気記録媒体の磁性薄膜中のＰ含量と保磁力
Ｈｃの関係を表わしたグラフ、第４図は第２図及び第３
図と同様の下地層上及びＣｏＰ系合金磁性薄膜を形威し
た磁気記録媒体の磁性薄膜中のｐｔ含量と保磁力Ｈｃの
関係を表わしたグラフ、′＄５図は本発明に係るＣｒ下
地層上にＣｏＰＰｔＮｉＣｒ５元合金磁性薄膜をスバッ
タリングにより形威した磁気記録媒体の磁性腹中のＣｒ
含量と保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓとの関係を表わした
グラフ、第６図は磁性薄膜にＣｏＣ ｒＴａを用いた従
来の磁気記録媒体及び第５図と同様の下地層上及びＣｏ
Ｐ系合金磁性薄膜を形成した磁気記録媒体の下地層及び
磁性薄膜を形成する際．の基板温度と保磁力Ｈｅの関係
を表わしたグラフ、第７図は第６図の２つの磁気記録媒
体の再生出力の周波数特性を表わしたグラフである．特
許 出 願 人 日本ビクター株式会社第１ 図 ｐ：全書 （２１ン） 第２ 図 Ｎｉ：含量 （ａＺ％） 第３図 Ｐ：含量 （ａｔ％） ρ會：金量 （２↑ｏＡ） 第６図 ０ ５０ １００ １５０ ２００ 丁＝基板（”Ｃ） ２５０ ３００
金磁性薄膜をスパッタリングにより形成した磁気記録媒
体の磁性膜中のｐｔ含量をパラメータとしたＰ含量と保
磁力Ｈｃの関係を表わしたグラフ、第２図は本発明に係
るＣｒ下地層上にＣｏＰＰｔＮｉＪ元合金磁性薄膜をス
パッタリングにより形成した磁気記録媒体の磁性薄膜中
のＮｉ含量と保磁力Ｈｃの関係を表わしたグラフ、第３
図は第２図と同様の下地層上及びＣｏＰ系合金磁性薄膜
を形成した磁気記録媒体の磁性薄膜中のＰ含量と保磁力
Ｈｃの関係を表わしたグラフ、第４図は第２図及び第３
図と同様の下地層上及びＣｏＰ系合金磁性薄膜を形威し
た磁気記録媒体の磁性薄膜中のｐｔ含量と保磁力Ｈｃの
関係を表わしたグラフ、′＄５図は本発明に係るＣｒ下
地層上にＣｏＰＰｔＮｉＣｒ５元合金磁性薄膜をスバッ
タリングにより形威した磁気記録媒体の磁性腹中のＣｒ
含量と保磁力Ｈｃ及び飽和磁化Ｍｓとの関係を表わした
グラフ、第６図は磁性薄膜にＣｏＣ ｒＴａを用いた従
来の磁気記録媒体及び第５図と同様の下地層上及びＣｏ
Ｐ系合金磁性薄膜を形成した磁気記録媒体の下地層及び
磁性薄膜を形成する際．の基板温度と保磁力Ｈｅの関係
を表わしたグラフ、第７図は第６図の２つの磁気記録媒
体の再生出力の周波数特性を表わしたグラフである．特
許 出 願 人 日本ビクター株式会社第１ 図 ｐ：全書 （２１ン） 第２ 図 Ｎｉ：含量 （ａＺ％） 第３図 Ｐ：含量 （ａｔ％） ρ會：金量 （２↑ｏＡ） 第６図 ０ ５０ １００ １５０ ２００ 丁＝基板（”Ｃ） ２５０ ３００
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 非磁性基板上に下地層を形成し、この下地層上にＣｏ
Ｐ系合金からなる磁性薄膜を形成してなる磁気記録媒体
において、前記下地層及び磁性薄膜は以下の材料から構
成されることを特徴とする磁気記録媒体。 下地層：Ｃｒ、Ｖ、Ｗから選ばれる金属単体又は２種以
上の合金。 磁性薄膜：次式で示されるＣｏＰ系合金の１種、但し、
式中のＸ、Ｙ、Ｚ、ａ及びｂは原子パーセント（ａｔ％
）を表わす。 Ｃｏ＿ＸＰ＿ＹＰｔ＿Ｚ （式中、Ｙ及びＺはそれぞれ４≦Ｙ≦１１、２≦Ｚ≦１
０であって残部がＸである。） Ｃｏ＿ＸＰ＿ＹＰｔ＿ＺＮｉａ （式中、Ｙ、Ｚ及びａはそれぞれ５≦Ｙ≦ ９、２≦ｚ≦１０を５≦ａ≦３５であって残部がＸであ
る。） Ｃｏ＿ＸＰ＿ＹＰｔ＿ＺＮｉ＿ａＣｒ＿ｂ （式中、Ｙ、Ｚ、ａ及びｂはそれぞれ ５≦Ｙ≦９、２≦Ｚ≦１０、５≦ａ≦３５、０＜ｂ≦１
７であって残部がＸである。）
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302362A JPH03162710A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 磁気記録媒体 |
| US07/618,252 US5242728A (en) | 1989-11-21 | 1990-11-21 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1302362A JPH03162710A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03162710A true JPH03162710A (ja) | 1991-07-12 |
Family
ID=17907986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1302362A Pending JPH03162710A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5242728A (ja) |
| JP (1) | JPH03162710A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5413873A (en) * | 1991-04-26 | 1995-05-09 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magnetic recording medium having a glass or amorphous carbon substrate, vanadium or molybdenum precoat layer, chromium primer layer and cobalt magnetic layer |
| DE69233233T2 (de) * | 1991-12-27 | 2004-08-26 | Honeywell International Inc. | Anordnung mehrschichtiger Filmmaterialien |
| SG124309A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-08-30 | Sony Corp | A material and uses thereof |
| TWI626162B (zh) * | 2017-06-07 | 2018-06-11 | 國立清華大學 | 合金膜結晶織構誘導方法及其結構 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5728309A (en) * | 1980-07-28 | 1982-02-16 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPS57167615A (en) * | 1980-11-24 | 1982-10-15 | Tdk Corp | Manufacture of magnetic recording medium |
| US4631202A (en) * | 1983-11-03 | 1986-12-23 | Hewlett-Packard Company | Thin film magnetic recording film |
| US4749459A (en) * | 1986-03-10 | 1988-06-07 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a thin film magnetic recording medium |
| US4902583A (en) * | 1989-03-06 | 1990-02-20 | Brucker Charles F | Thick deposited cobalt platinum magnetic film and method of fabrication thereof |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP1302362A patent/JPH03162710A/ja active Pending
-
1990
- 1990-11-21 US US07/618,252 patent/US5242728A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5242728A (en) | 1993-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0416848B2 (ja) | ||
| EP0304927B1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
| JPS63237210A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH03162710A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH03155606A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6313256B2 (ja) | ||
| JPS61217925A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2913684B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH05325163A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0514325B2 (ja) | ||
| JPH053656B2 (ja) | ||
| JPS63124213A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPH03154222A (ja) | 磁気記録体 | |
| JPS62149024A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6364623A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS59191130A (ja) | 磁気記録媒体用基材および磁気記録媒体 | |
| JPH04134718A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH06140247A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS61224120A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0364929B2 (ja) | ||
| JPH0714712A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH05258278A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0673170B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH05258277A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0460916A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 |