JPS59157830A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体に
関するものである。

２、　従来技術 従来、この種の磁気記録媒体は、ビデオ、オーディオ、
ディジタル等の各種電気信号の記録に幅広く利用されて
いる。　これらは、基体上に被着形成された磁性層（磁
気記録層）の面内長手方向における磁化を用いる方式と
して発達してきた。

ところが、近年、磁気記録の高密度化に伴ない、面内長
手方向の磁化を用いる記録方式では、記録゛信号が短波
長になるにつれ、媒体内の反磁界が増して残留磁化の減
衰と回転が生じ、再生出力が著しく減少する。　このた
め、記録波長をサブミクロン以下にすることは極めて困
難である。

一方、磁気記録媒体の磁性層の厚さ方向の磁化（いわゆ
る垂直磁化）を用いる垂直磁化記録方式が、最近になっ
て提案されている（例えば、［日経エレクトロニクスｊ
　１９７８年８月７日号ＪＫ、　１９２　）。

この記録方式によれば、記録波長が短かくなるに伴なっ
て媒体内の残留磁化に作用する反磁界が減少するので、
高密度化にとって好ましい特性を有し、本質的に高密度
記録に適した方式であると考えられる。

ところで、このような垂直記録を能率良く行なうには、
磁気記録媒体の記録層が垂直方向（磁性層の厚さ方向）
に磁化容易軸を有していなければならない。　こうした
磁気記録媒体としては、基体（支持体）上に、磁性粉末
とバインダーとを主成分とする磁性塗料を塗布し、磁性
層の垂直方向に磁化容易軸が向くように配向させた塗布
型の媒体が知られている。　この塗布型媒体には、Ｃｏ
１Ｆｅ５Ｏａ　、７　　ＦｅｚＯａ、Ｃｏ添加Ｆｅ３Ｏ
４、ｃｏ添添加−Ｆｅ２０　ｇ　、六方晶フェライト（
例えばバリウムフェライ））　、ＭｎＢｔ等が磁性粉末
として用いられている（ｌ寺開昭５２−４６８０３号、
同５３−６７４０６号、同５２−７８４０３号、同５５
−８６１０３号、同５２−７８４０３号、同５４−８７
２０２号各公報）。　しかしながら、これらの塗布型媒
体は、磁性層中に非磁性のバインダーが存在しているた
め、磁性粉末の充填密度を高めることには限界がアシ、
従ってＳ／Ｎ比を充分高くすることができない。　しか
も、記録される信号の大きさは磁性粒子の寸法で制約さ
れる等、磁性塗膜からなる磁性層を有する媒体は垂直磁
化記録用としては不適当でおる。

そこで、垂直磁化する磁性層を、例えばパインが、高密
度記録に適したものとして注目されている０ この連続薄膜型の垂直磁化記録用記録媒体は、例えば特
公昭５７−１７２８２号に開示されているように、コバ
ルトとクロムとの合金膜からなる磁気記録層を有してい
て、特にクロム含有量は５〜２５重量％のＣｏ　−Ｃｒ
合金膜が優れているとしている。

また、Ｃｏ−Ｃｒ合金膜に３０重量％以下のロジウムを
添加してなる磁性層を有する磁気記録媒体が特開昭５５
−１１１１１０号公報に開示され、更にコバルト−バナ
ジウム合金膜（例えば米国電気電子通信学会：略称ＩＥ
ＥＢ刊行の学会Ｂ　”　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ　ｏｎ
Ｍａｇｎｅｔｉｓｍ　＝　１９８２年第１８巻Ａ６．１
１１６頁）やコバルト−ルテニウム合金膜（例えば１９
８２年３月開催の第１８回東北犬通研シンポジウム「垂
直磁気記録」論文集）を用いた磁気記録媒体が知られて
いる。

ところが、本発明者が検討を加えた結果、上記の如き構
造の磁気記録媒体は、Ｃｏ−Ｃｒ系垂直磁化膜が次に示
す欠点を有しているために、実用化する上で不充分であ
ることを見出した。

（Ｉ）、磁性層の面に垂直に磁化容易軸を配向させるに
は、特に１０　’Ｔｏｒｒ以上の高真空中で磁性層を作
成する必要があシ、かつ基板の高度な洗浄処理、低スパ
ツタ速度等の如き榮件を要し、垂直配向の制御要因が非
常に複雑となる。

（２）、信号の記録、再生においては、磁気記録媒体と
垂直配録／再生用へ、ドとを相対的に摺動させるために
、ヘッドと媒体との間の界面状態が悪く、媒体にきすが
発生し易く、ヘッドも破損等を生じる。

（３）、磁性層が硬いために、可撓性のある基体上に磁
性層を設けた場合に亀裂が入シ易い。

（４）、磁気記録媒体としての耐蝕性が充分でなく、従
って載面に保護膜を設ける必要がある。

（５）、原料のコバルトは安定に入手し難く、コストが
高くつく。

３、発明の目的 本発明者は、上記の如き実情に鑑み、鋭意検討した結果
、高密度の垂直磁気記録に適し、機械的強度や化学的安
定性等に優れ、磁気特性が良好で出力変動の少ない記録
／再生が可能な（ノイズレベルの低い）磁気記録媒体を
得ることに成功したものである。

４　発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、磁性層を有する磁気記録媒体において
、前記磁性層が、 （ａ）、酸化鉄を主成分とする連続磁性層からなってい
ること。

（ｂ）、磁性層の面内方向での残留磁化（Ｍｕ）と、磁
性層の面に対し垂直方向での残留磁化（ＭＶ）との比（
Ｍｖ／　ＭＨ）が０．５以上であること。

を夫々構成として具備し、かつ非晶質からなる下地層上
に設けられていることを特徴とする磁気記録媒体に係る
ものである。

本発明によれば、磁性層が酸化鉄を主成分としているか
ら、酸化物に由来する特有の優れた特性（即ち機械的強
度及び化学的安定性等）が得られ従来の合金薄膜に必要
であった表面保護膜は不要となる。　この結果、磁気ヘ
ッドと媒体との間隔を小さくし得て高密度記録が可能に
なると共に、材料面からみても低コスト化が可能となる
。

しかも、酸化鉄を主成分とする磁性層の面内方向と垂直
方向とでの残留磁化比（Ｍｖ／ＭＷ）を０．５以上とし
ているので、酸化鉄磁性体の磁気モーメントは面内方向
に対し３０度以上垂直方向側へ立ち上っておシ、垂直磁
化を充分に実現できる構造となっている。　上記磁化量
ＭｖＸＭＨは、例えば試料振動型磁力計（東英工業社製
）で測定可能である。　即ち、Ｍｖ／ＭＨが０．５未満
であれば垂直磁化に適した磁気モーメントが得られ難い
。

また、本発明の磁気記録媒体は、上記の酸化鉄系磁性層
に加えて、この磁性層の下地として非晶質層を設けてい
ることが重要である。　即ち、この非晶質層を設けずに
磁性層を基体上に直接設けた場合には、基体材料の結晶
が不良な方向に配向していると、その上に成長する磁性
材料は所望の方向に結晶成長せず、垂直磁化特性を示さ
なくなることがある。　これに対し、本発明の如く下地
に非晶質層を設けることによって、上記した基体の影響
を受けることなく磁性層材料を所望の方向に成長させ、
垂直磁化特性を向上させることができる。　しかも注目
すべきことは、下地の非晶質は整然とした結晶構造を組
んでいないためにその表面域はエネルギー的に等方性と
なっているから、その表面域上に成長する酸化鉄粒子が
付着するサイ）　（ｓｉｔｅ）は均一化される。　この
結果、酸化鉄粒子が所望の方向（特に、例えばＦｅｓ　
０４粒子では（１１１）面が、またγ−ＦｅＺ　Ｏ−粒
子では（ｔｏｏ　）面が面内方向に対し垂直方向）に成
長若しくは付　着してゆく確率が高くなる。　ところが
、結晶質上に酸化鉄粒子を成長させる場合には、結晶質
の格子間にエネルギー的１ｃ安定なサイトが存在してい
るために、酸化鉄粒子の付着域が局在化され、従って垂
直磁化特性にとって有効な方向に粒子が成長する確率が
それだけ小さくなるものと考えられる０　なお、本発明
における非晶質下地層上ではまず、酸化鉄粒子が非晶質
として堆積し、この非晶質酸化鉄層上では粒子が付着す
るにつれて、１阻次結晶構造を形成しながら酸化鉄粒子
が目的とする方向に成長し、全体として有効な垂直磁化
膜を形成するものと推察される。

なお、本発明における非晶質下地層は、それが非晶質で
あることから、基体上に例えば真墾蒸着法で設ける場合
の基体温度は数１００８Ｃ以下と低くて済む。　このた
め、特に基体材料として耐熱性に比較約２しいものも使
用可能であり、犬の種類の選択の幅が広くなる。

本発明の磁気記録媒体の各層は、次の如くに構成される
。

まず、磁性層は、従来の塗布ｍ磁性層とは根本的に異な
り、バインダーを使用せずに酸化鉄（例えばＦｅ５０４
、γ−Ｆｅ２０ｓ、又はこれらの中間組成の非化学量論
的組成からなるベルトライド化合物）゛　　自体が連続
的に連なった薄膜（飽和磁化量が犬きく、保磁力（Ｈｏ
）がｔ、ｏｏ　〜５ｏｏｏ　Ｏｅ）からなっている。　
この磁性層に藝いては、鉄と酸素の両元素の総和は磁性
層の５０重量％以上であるのがよく、〜３でおるのがよ
く、８〜２であるのが更によく、上記に例示した酸化鉄
が適当である。　上記台にはその（１００）面が面内方
向に対し垂直方向を向いているのがよい。）を有してい
ると、飽和磁化量が大きく、記録信号の再生時に残留磁
束密度が大きくて再生感度が極めて良好となる。　一般
に、磁性を示す酸化鉄には、便面体晶形の寄生強磁性を
有するα−Ｆｅ２０３；スピネル構造でフェリ磁性を示
すＦｅａｒ４）γ−Ｆｅ２０３又はこれらのベルライド
化合物；六方晶型の酸化物であるＢａ系フェライト又は
Ｓｒフェライト、Ｐｂフェライト又はその誘導体；ガー
ネット構造の希土類ガーネット型フェ゛ライトがある。

　これらの酸化鉄のうち、その磁気特性の重要な１つで
ある飽和磁化量は、α−Ｆｅ２ｅｓでは２．ＯＧａｕｓ
ｓ　、　Ｂａフェライト、Ｓｒフェライト、ｐｂフェラ
イトでは最大でも３８０　Ｇａｕ＋ａｓ程度、更にガー
ネット型フェライトでは最大でも１４０　Ｇａｕｓｓで
ある。　これに対し、本発明で好ましく使用するスピネ
ル型フェライトの飽和磁化量は４．８０　Ｇａｕｓｓを
示し、酸化鉄の中で最も大きい。　このような大きな飽
和磁化量は、記録した信号を再生する場合、残留磁束密
度の大きさを充分にし、再生感度が良好となるために、
極めて有効なものである。

一方、スピネル型フェライトに類似した飽和磁束密度を
示すものとしてＢａフェライト、Ｓｒフェライトがある
が、これらの連続薄膜型の磁性層を形成するには、例え
ば後述のスパック装置において基体の温度を５００°Ｃ
と高温に保＝Ｍしなければならず、このために基体の種
類等が制約される（例えば耐熱性の乏しいプラスチック
ス基体は使用不可能）等、作成条件に問題がちシ、不適
当である。　本発明の好ましく使用されるスピネル型酸
化鉄では室温〜３００°Ｃと低温で製膜が可能であシ、
基体材料の制約を受けることがない。　但、磁性層には
、鉄及び酸素以外の金属又はその酸化物、或いは非金属
、半金属又はその化合物等を添加し、これによって磁性
層の磁気特性（例えば保磁力、飽和磁化量、残留磁化量
）及びその結晶性、結晶の特定軸方向への配向性の同上
等を図ることができる。

こうした添加元素又は化合物としてはｋｌＸＣｏ、Ｃ。

Ｍｎ）　Ｚｎ＞　Ｃｏ　　２ｎ、　Ｌｔ、　ＣｒＸＴｘ
、、　Ｌｉ　　Ｃｒ−、ＭｇｚＷｉｇ−ＮｉＸＭｎ−Ｚ
ｎＸＮｉ、　Ｎ１−Ａｔ）Ｎｉ　−Ｚｎ、　Ｃｔ＋１Ｃ
ｕ−Δｈ、Ｃｕ　　Ｚｎ、　Ｖ等が谷げられるが、この
他の元素及び化合物でもよい。

また、上記非晶質下地層の構成材料としては、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド等の有機
高分子化合物；　Ｃ，Ｍｇ、　Ａｌ、　Ｓｉ。

Ｔｉ、　Ｖ、　Ｃｒ、　Ｍｎ、　Ｃｕ、Ｚｎ、（ｙａ−
、ＧｅＸＡＳ％　Ｓｅ−。

ＲｂＸＺｒＸＮｂ、　ｈｉｏ、　Ａｇ、　Ｃｄ１１ｎ、
　Ｓｎ、Ｓｂ、　Ｔｅ。

Ｔａ、　Ｗ、　’Ｒｈ、　Ａｕ等の金属又は非金属、半
金属、或いはその化合物、酸化物が使用可能である。

但、無機質の下地層の方が、基体との接層性や所望の表
面粗さが得易くて垂直磁化膜を堆積させ易い点で望まし
い。　なお、この下地１１層は真空蒸着法、イオンブレ
ーティング法、スパッタ法、電気メツキ法、無電界メッ
キ法等の種々の方法で形成することができる。

上記下地を諸層を基体上に設ける場合には使用可能な基
体材料は種々のものが採用可能である。

例えば、望ましい表面平滑性を示す基体として、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロ
ース、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポ
リメチルメタクリレートの如きプラスチックス、ガラス
等のセラミックス等からなる基体が使用可能である。　
或いは金属基体も使用してもよい。　基体の形状はシー
ト、カード、ディスク、ドラムの他、長尺テープ状でも
よい。　なお、基体は、上記の下地非晶質層を兼用して
いても′よい。

この磁気記録媒体を作成するには、基体を固定板に密着
支持し、或いは基体を走行させつつ所定の材料を被着さ
せることができる。　このだめには、真空ポンプ等の真
空排気系に接続した処理室内で、下地材料及び磁性材料
のターゲットを夫々スパッタするか、或いは下地材料及
び磁性材料の蒸発源から同材料を夫々蒸発させ、基体上
に被着するスパッタ法、蒸着法等が適用可能である。

いずれの場合も、下地非晶質層、磁性層を構成する元素
を飛翔させて、基体上にその連続薄膜を形成させてよい
。

５、実施例 以下、本発明の磁気記録媒体を図面参照下に更に詳細に
説明する。

第１図は、磁気記録媒体の一例を示すものであって、Ａ
１等の基体６上に、厚さ約０．５μｍの非晶質ＳｉＯ□
からなる非晶質下地層１１が形成され、この上に厚さ約
０．５μｍの酸化鉄（Ｆｅｓ０４とγ−Ｆｅ２ｕｇ）か
らなる垂直磁化膜１０が形成されている。

下地層１１は例えば公知の真空蒸着法で形成される（室
温、酸素ガス雰囲気中でＳｉＯ２を２００Ｘ／秒の蒸発
速度で蒸着：電子ビーム加熱）から、その形成方法はこ
こでは詳細に説明しない。　この下地層１１は、Ｘ線回
折装置（日本電子社製）と反射電子線回折とから、非晶
質膜であることが確認された。

垂直磁化膜（磁性層）１０を形成するために、磁性材料
を基体上に被着させる手段としては、磁性層構成原子を
飛翔させる真空蒸着法（電界蒸着、イオンブレーティン
グ法を含む。）、スパッタリング法等があるが、このう
ち対向ターゲットスパッタ装置を用いる方法が望ましい
。

第２図は、対向ターゲットスパッタ装置を示すものであ
る。

図面において、１は真空槽、２は真空槽１を排気する真
空ポンプ等からなる排気系、３は真空槽１内に所定のガ
スを導入してガス圧力を１０−１〜１０　’　Ｔｏｒｒ
程度に設定するガス導入系である。

ターゲット電極は、ターゲットホルダー４によシ一対の
クーゲｙ　トＴｘ、Ｔｇを互いに隔てて平行に対向配置
した対向ターゲット電極として構成されている。　これ
らのターゲット間には、磁界発生手段（図示せず）によ
る磁界が形成される。　一方、磁性薄膜を形成すべき基
体６は、基体ホルダー５によって、上記対向ターゲット
間の側方に垂直にこのように構成されたスパッタ装置に
おいて、平行に対向し合った両り−ゲッ）Ｔｘ、Ｔｔの
各表面と垂直方向に磁界を形成し、この磁界により陰極
降下部（即ち、タニゲッ）　Ｔ、　−１２間に発生した
プラズマ雰囲気と各クーゲ７）Ｔｌ及びＴ２との間の領
域）での電界で加速されたスパッタガスイオンのターゲ
ット表面に対する衝撃で放出されたγ電子をターゲット
間の空間にとじ込め、対向した他方のターゲット方向へ
移動させる。　他方のターゲット表面へ移動したγ電子
は、その近傍の陰極降下部で反射される。　こうして、
γ電子はターゲットＴ□−Ｔ２間において磁界に束縛さ
れながら往復運動を繰返すことになる。　この往復運動
の間に、γ電子は中性の雰囲気ガスと衝突して雰囲気ガ
スのイオンと電子とを生成させ、これらの生成物がター
ゲットからのγ電子の放出と雰囲気ガスのイオン化を促
進させる。　従って、ターゲラ）Ｔｓ−１２間の空間に
は高密度のプラズマが形成され、゛これに伴なってター
ゲット物質が充分にスパッタされ、側方の基体６上に磁
性材料として堆積してゆくことになる。

この対向ターゲットスパッタ装置は、他の飛翔手段に比
べて、高速スパッタによる高堆積速度の製膜が可能であ
ムまた基体がプラズマに直接曝されることがなく、低い
基体温度での製膜が可能である等のことから、垂直磁化
膜を形成するのに有利である。　　しかも、対向ターゲ
ット間ノくツタ装置によって飛翔した磁性膜材料の基板
への入射エネルギーは、通常のスパッタ装置のものよシ
も小さいので、材料が所望の方向へ方向性を以って堆積
し易く、垂直磁化記録に適した構造の膜を得易くなる。

次に、上記のスパッタ製放を用いて磁気記録媒体を作成
する具体列を説明する。

この作成条件は以下の通シであった０ ターゲツト材　　　鉄（Ｃｏを１原子チ含有）基体　　
　　　　　ガラス 対向ターゲット間隔　　１００填 スパッタ空間の磁界　　１０００ｅ ターゲツト形状　　１００箇直径の円盤（５＋−厚）基
体とターゲット端との間隔　３０■ 真空槽内の背圧　　１０　”ｆｏｒｒ 導入ガス　　　　　Ａｒ　＋　０２ 導入カス圧４×１Ｏ−３ＴＯｒｒ スパッタ投入電力　　　４２０Ｗ このようにして第１図に示す如く、ベースフィルム６上
の下地層１１上に酸化鉄系の磁性層１０を有する磁気記
録媒体が得られた。　この媒体について、磁性層の特性
評価は、Ｘ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）による組
成の同定、Ｘ線回折法による酸化鉄の状態、試料振動型
磁力計による磁気特性によって行なった。　得られた磁
気記録媒体の特性は次の如くであった。

まず、面内方向での残留磁化量（ＭＨ）と面に垂直方向
での残留磁化量（Ｍｖ）との比はＭｙ　／　ＭＨ≧０．
５であった。即ち、第３図に例示するように、破線で示
す面内方向での磁化時のヒステリシス曲線と、実線で示
す垂直方向での磁化時のヒステリシス曲線とが夫々得ら
れたが、印加磁界がゼロのときの各磁化量をＭＨ，Ｍｖ
とした。　これによれば、前者のヒステリシス曲線は後
者のヒステリシス曲線よシも小さく、Ｍｖ≧０．５ＭＨ
となっていることが明らかであり、垂直磁化にとって好
適な磁性層が形成されていることが分る０　これは、酸
化鉄系の磁性層においては驚くべき事実である。

また、この磁気記録媒体の組成をＸＭＡ　（Ｘ線マイク
ロアナライザ：日立製作新製［Ｘ−５５６ｊＫＥＶＥＸ
−７０００型）で測定したところ、Ｆｅが主ピークであ
Ｆ）、Ｃｏが少量含まれていることが分った。　更に、
酸化鉄の状態を調べるために、Ｘ線回折装置（日本電子
社製ｒ　Ｊ　ＤＸ　−１０ＲＡＪ　：　ＣｕＫα管球使
用）を用いて測定したところ、下記表に示すように、磁
性層が酸化鉄を主成分とするも−あることが分った。　
しかも、この磁性層は、面内方向に対して垂直方向に秩
序正しい構造を有していることが電子顕微鏡で観察され
た。

（以下余白、次頁に続く なお、上記のスパッタ法による製膜前に、基体上の表面
を同一スパッタ装置内でＡｒ＋によシボンバードして表
面清浄化処理したシ、或いはベーキングを施すか、高周
波をかけて表面処理しておくのが望ましい。

上記の如くに得られる磁気記録媒体は、磁性層１０の磁
化容易軸をその面内方向に対しほぼ垂直にすることがで
きると共に、こうした結晶成長を保証するだめの下地非
晶質層１１を設けていることが重要である。

第４図は、下地非晶質層１１（Ｓｉｎ２層）上に磁性層
１０を設けた本発明による磁気記録媒体と、下地非晶質
層１１を設けずに磁性層１０を基体上に直接成長させた
磁気記録媒体とについて、夫々の磁性層のＭｖ／ＭＨと
を比較して図示したものである。　これによれば、下地
非晶質層の存在によって、垂直磁化特性が良好となシ、
特にＭｖ／ＭＨ≧１．０を得られるが、非晶質を下地に
設けないときにはＭｖ／ＭＨが低下してしまうことが明
らかである。

次に、本発明による磁気記録媒体は、磁性層として酸化
鉄を主成分とするものを用いているので、従来のＣｏ　
−Ｃｒ系磁性層に比べて化学的、機械的安定性等に著し
く優れている。

第５図は、強制劣化試験（８０°Ｃ１８５％ＲＩ（）を
行なった場合に得られた、酸化鉄系磁性層を用いた本発
明による媒体の、試料振動型磁力計（東英工業社製）に
よって測定した残留磁束密度（Ｂｒ）の経時変化（ａ）
と、ｃｏ−Ｃｒ系磁性層を用いた媒体の残留磁束密度（
Ｂｒ）の経時変化俵ノとを示すものである（△Ｂｒは残
留磁束密度の変化量）。　これによれば、酸化鉄系磁性
層では、Ｃｏ−Ｃｒ系磁性層よ、９Ｂｒの劣化が大幅に
小さくなることが分る。

なお、酸化鉄系磁性層で△Ｂｒ　／　Ｂｒが幾分低下し
ているのは、膜の組成であるＦｅ−０４の一部がγ−Ｆ
ｅｚｅｓに移行したからでるると考えられる。　また、
１力月（３０日）後の観察結果において、ｃ。

−Ｃｒ系磁性層の表面に斑点、くもシ、サビ等が生じて
いたが、酸化鉄系磁性層では表面状態に変化はみられな
かった。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明を例示するものであって、第１図は磁気記
録媒体の断面図、 第２図は対向ターゲットスパッタ装置の概略断面図、 第３図は磁気記録媒体のヒステリシス曲線図、第４図は
磁気記録媒体の下地非晶質層の有無による垂直磁化特性
の変化を示すグラス、第５図は磁気記録媒体の残留磁束
密度の経時変化を比較して示すグラフ である。　　。 なお、図面に示された祠号において、 １・・・・・・・・・・・・・・・・・真空槽２・・・
・・・・・・・・−・・・・・・排気系３・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ガス導入系４．５・・・・・
・・・・ホルタ− ６・・・・・・・・・・・・・・・・・基体１０・・・
・・・・・・・・・・・・・・磁性層１１・・・・・・
・・・・・・・・・・下地非晶質層Ｔ１、Ｔ２・・・・
・・・−・ターゲットである。 代理人　弁理士　逢　坂　　宏（他１名）第１図 ｎ 第２図 第３図 第４図 強制劣把鈷験（９）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、磁性層を有する磁気記録媒体において、前記磁性層
   が、 （ａ）、酸化鉄を主成分とする連続磁性層からなってい
   ること。 （ｂ）、磁性層の面内方向での残留磁化（ＭＵ）と、磁
   性層の面に対し垂直方向での残留磁化（Ｍｖ　）との比
   （Ｍｖ／　ＭＨ）が０．５以上であること。 を夫々構成として具備し、かつ非晶質からなる下地層上
   に設けられていることを特徴とする磁気記録媒体。