JPS59148121A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS59148121A JPS59148121A JP58023042A JP2304283A JPS59148121A JP S59148121 A JPS59148121 A JP S59148121A JP 58023042 A JP58023042 A JP 58023042A JP 2304283 A JP2304283 A JP 2304283A JP S59148121 A JPS59148121 A JP S59148121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic layer
- magnetic recording
- recording medium
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 22
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 235000013980 iron oxide Nutrition 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N iron(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Fe+2] VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910006297 γ-Fe2O3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- -1 re 304 Chemical class 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229910020632 Co Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020678 Co—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020521 Co—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017566 Cu-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017871 Cu—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 229910000929 Ru alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007565 Zn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- LLESOAREQXNYOK-UHFFFAOYSA-N cobalt vanadium Chemical compound [V].[Co] LLESOAREQXNYOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000002447 crystallographic data Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005308 ferrimagnetism Effects 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000359 iron(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N oxobarium;oxo(oxoferriooxy)iron Chemical compound [Ba]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1、産業上の利用分野
本発明は磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体に
関するものである。
関するものである。
2、従来技術
従来、この種の磁気記録媒体は、ビデオ、オーディオ、
ディジタル等の各種電気信号の記録に幅広く利用されて
いる。 これらは、基体上の被着形成された磁性層(磁
気記録層)の面内長手方向における磁化を用いる方式と
して発達してきた。
ディジタル等の各種電気信号の記録に幅広く利用されて
いる。 これらは、基体上の被着形成された磁性層(磁
気記録層)の面内長手方向における磁化を用いる方式と
して発達してきた。
ところが、近年、磁気記録の高密度化に伴ない、面内長
手方向の磁化を用いる記録方式では、記録信号が短波長
になるにつれ、媒体内の反磁界が増して残留磁化の減衰
と回転が生じ、再生出力が著しく減少する。 このため
、記録波長をサブミクロン以下にすることは極めて困難
である。
手方向の磁化を用いる記録方式では、記録信号が短波長
になるにつれ、媒体内の反磁界が増して残留磁化の減衰
と回転が生じ、再生出力が著しく減少する。 このため
、記録波長をサブミクロン以下にすることは極めて困難
である。
一方、磁気記録媒体の磁性層の厚さ方向の磁化(いわゆ
る垂直磁化)を用いる垂直磁化記録方式が、最近になっ
て提案されている(例えば、「日経エレクトロニクスJ
1978年8月7日号Nn192)。
る垂直磁化)を用いる垂直磁化記録方式が、最近になっ
て提案されている(例えば、「日経エレクトロニクスJ
1978年8月7日号Nn192)。
この記録方式によれは一記録波長が短かく寿るに伴なっ
て媒体内の残留磁化に作用する反磁界が減少するので、
高密度化にとって好ましい特性を有し、本質的に高密度
記録に適した方式であると考えられる。
て媒体内の残留磁化に作用する反磁界が減少するので、
高密度化にとって好ましい特性を有し、本質的に高密度
記録に適した方式であると考えられる。
ところで、このような垂直記録全能率良く行なう圧は、
磁気記録媒体の記録層が垂直方向(磁性層の厚さ方向)
に磁化容易軸を有していなければならない。 こうした
磁気記録媒体としては、基体(支持体>−、、bに、磁
性粉末とバインダーとを主成分とする磁性塗料全塗布1
2、磁性層の垂直方向に磁化容易軸が向くように配向さ
せた塗布型の媒体が知られている。 この塗布型媒体に
は、Co。
磁気記録媒体の記録層が垂直方向(磁性層の厚さ方向)
に磁化容易軸を有していなければならない。 こうした
磁気記録媒体としては、基体(支持体>−、、bに、磁
性粉末とバインダーとを主成分とする磁性塗料全塗布1
2、磁性層の垂直方向に磁化容易軸が向くように配向さ
せた塗布型の媒体が知られている。 この塗布型媒体に
は、Co。
F s 304、γ−Fe2O3、Co添加Fe@O,
、Co添添加−Fe203、六方晶フェライト(例えば
バリウムフェライト)、MnBI等が磁性粉末として用
いられる(特開昭52−46803号、同5:4−67
406号、同51−78403号、同55−86103
号、同52−78403号、同54−87202号各公
報)o しが【−ながら、これらの塗布型媒体に、磁
性層中に非磁性のバインダーが存在しているkめに、磁
性粉末の充填密度を高めることには限界があり、従って
S/N比全充分高くすることができ、ない。しかも、記
録される信号の太き埒は磁性粒子の寸法で制限(3) される等、磁性塗膜からなる磁性層を有する媒体は垂直
磁化記録用としては不適当である。
、Co添添加−Fe203、六方晶フェライト(例えば
バリウムフェライト)、MnBI等が磁性粉末として用
いられる(特開昭52−46803号、同5:4−67
406号、同51−78403号、同55−86103
号、同52−78403号、同54−87202号各公
報)o しが【−ながら、これらの塗布型媒体に、磁
性層中に非磁性のバインダーが存在しているkめに、磁
性粉末の充填密度を高めることには限界があり、従って
S/N比全充分高くすることができ、ない。しかも、記
録される信号の太き埒は磁性粒子の寸法で制限(3) される等、磁性塗膜からなる磁性層を有する媒体は垂直
磁化記録用としては不適当である。
そこで、垂直磁化する磁性層を−例えばバインダーを用
いることなく磁性体を支持体上に連続的に被着したもの
で形成した連続薄膜型磁気記録媒体が、高密度記録に適
したものとして注目されている。
いることなく磁性体を支持体上に連続的に被着したもの
で形成した連続薄膜型磁気記録媒体が、高密度記録に適
したものとして注目されている。
この連続薄膜型の垂直磁化記録用記録媒体は、例えば特
公昭57−17282号に開示されているように、コバ
ルトとクロムとの合金膜からなる磁気記録媒体有してい
て、特にクロム含有量は5〜25重量%のCo −Cr
合金膜が優れているとしている。 また、Co −Cr
合金膜に30重量%以下のロジウムを添加してなる磁性
層を有する磁気記録体が特開昭55−111110号公
報に開示され、更にコバルト−バナジウム合金膜(例え
ば米国電気電子通信学会:略称IEEE刊行の学会誌”
Transaction on Magnetism
″1982年第18巻陽6.1116頁)やコバルト−
ルテニウム合金膜(例えば1982年3月開催の第18
回東北大通研ン(4) ンボジウム「垂直磁気記録」論文集)を用いた磁気記録
媒体が知られている。 このうち、Co−Cr系合金膜
は、垂直磁化用として有望視はされているが、次の如き
欠点を有していることが判明した。
公昭57−17282号に開示されているように、コバ
ルトとクロムとの合金膜からなる磁気記録媒体有してい
て、特にクロム含有量は5〜25重量%のCo −Cr
合金膜が優れているとしている。 また、Co −Cr
合金膜に30重量%以下のロジウムを添加してなる磁性
層を有する磁気記録体が特開昭55−111110号公
報に開示され、更にコバルト−バナジウム合金膜(例え
ば米国電気電子通信学会:略称IEEE刊行の学会誌”
Transaction on Magnetism
″1982年第18巻陽6.1116頁)やコバルト−
ルテニウム合金膜(例えば1982年3月開催の第18
回東北大通研ン(4) ンボジウム「垂直磁気記録」論文集)を用いた磁気記録
媒体が知られている。 このうち、Co−Cr系合金膜
は、垂直磁化用として有望視はされているが、次の如き
欠点を有していることが判明した。
(1)、磁性層の而に垂直に磁化容易軸を配向させるに
は、特に1.0−’ Torro上の高真空中で磁性層
を作成する必要があり、かつ基体の高度な洗浄処理、低
スパツタ速度等の如き条件を要しへ垂直配向の制御要因
が非常に復校となる。
は、特に1.0−’ Torro上の高真空中で磁性層
を作成する必要があり、かつ基体の高度な洗浄処理、低
スパツタ速度等の如き条件を要しへ垂直配向の制御要因
が非常に復校となる。
(2)、信号の記録、再生においては、磁気記録媒体と
垂直記録/再生用ヘッドとを相対的に躍動させるために
、ヘッドと媒体との間の界面状態が悲く、媒体にきすが
発生し易く一ヘッドも破損等生じる。
垂直記録/再生用ヘッドとを相対的に躍動させるために
、ヘッドと媒体との間の界面状態が悲く、媒体にきすが
発生し易く一ヘッドも破損等生じる。
(3)、磁性層が硬いために、可撓性のある基体上(I
c磁性I―を設は斤場合に亀裂が入り易い。
c磁性I―を設は斤場合に亀裂が入り易い。
(4)、磁気記録媒体としての耐蝕性が充分でなく、従
って表面に保膿膜を設ける必要がある。
って表面に保膿膜を設ける必要がある。
(5)、原料のコバルトは安定に人手し参1i1 <、
コストが高くつく。
コストが高くつく。
3 発明の目的
本発明者は、上記の如き実情に鑑み、鋭意検討した結果
、高密度の垂直磁気記録に適し、機械的強度や化学的安
定性等に優れた磁気記録媒体を得ることに成功したもの
である。
、高密度の垂直磁気記録に適し、機械的強度や化学的安
定性等に優れた磁気記録媒体を得ることに成功したもの
である。
4、発明の構成及びその作用効果
即ち一本発明は、基体上に磁性層が設けられている磁気
記録媒体において、前記磁性層が、(、)、酸化鉄を主
成分とする連続磁性層であること。
記録媒体において、前記磁性層が、(、)、酸化鉄を主
成分とする連続磁性層であること。
(b)、磁性層の面内方向での残留磁化(Mu)と、磁
性層の面に対し垂直方向での残留磁化(Mv)との比(
MV/MH)が0.5以上であること。
性層の面に対し垂直方向での残留磁化(Mv)との比(
MV/MH)が0.5以上であること。
(c)、前記酸化鉄の特定の結晶軸が磁性層の面内方向
に対しほぼ垂直方向に向いていること。
に対しほぼ垂直方向に向いていること。
全夫々構成として具備することを特徴とする磁気記録媒
体に係るものである。
体に係るものである。
本発明によれば、磁性層が酸化鉄を主成分としているか
ら一酸化物に由来する特有の優れた特性(即ち機械的強
度及び化学的安定性等)が得られ、従来の合金薄膜に必
要であった表面保護膜は不要となる。 この結果、磁気
ヘッドと媒体との間隔を小さくし得て高密度記録が可能
になると共に、材料面からみても低コスト化が可能とな
る。
ら一酸化物に由来する特有の優れた特性(即ち機械的強
度及び化学的安定性等)が得られ、従来の合金薄膜に必
要であった表面保護膜は不要となる。 この結果、磁気
ヘッドと媒体との間隔を小さくし得て高密度記録が可能
になると共に、材料面からみても低コスト化が可能とな
る。
しかも、酸化鉄を主成分とする磁性層の面内方向と垂直
方向とでの残留磁化比(MV/MH) i 0.5以上
としているので、酸化鉄磁性体の磁気モーメントは面内
方向に対し30度以上垂直方向側へ立ち上っており、垂
直磁化を充分に実現できる構造となっている。上記残留
磁化量MV、MHは、例えば試料振動型磁力計(東英工
業社製)で測定可能である。 即ち−MV/MHが05
未満であれば垂直磁化に適した磁気モーメントが得られ
難い。
方向とでの残留磁化比(MV/MH) i 0.5以上
としているので、酸化鉄磁性体の磁気モーメントは面内
方向に対し30度以上垂直方向側へ立ち上っており、垂
直磁化を充分に実現できる構造となっている。上記残留
磁化量MV、MHは、例えば試料振動型磁力計(東英工
業社製)で測定可能である。 即ち−MV/MHが05
未満であれば垂直磁化に適した磁気モーメントが得られ
難い。
更に、本発明で重要なことは、上記酸化鉄の特定の結晶
軸が磁性層の面内方向に対しほぼ垂直方向に配向してい
るので、上記の垂直磁化特性を充分かつ再現性良く得る
ことができる構造となっていることである。 特に酸化
鉄としてFe304j=用いる場合、例えばその結晶軸
の(111)方向が面に対し垂直方向に向いていること
(特にスピネル(7) 型構造となっていること)が極めて重要である。
軸が磁性層の面内方向に対しほぼ垂直方向に配向してい
るので、上記の垂直磁化特性を充分かつ再現性良く得る
ことができる構造となっていることである。 特に酸化
鉄としてFe304j=用いる場合、例えばその結晶軸
の(111)方向が面に対し垂直方向に向いていること
(特にスピネル(7) 型構造となっていること)が極めて重要である。
上記酸化鉄がスピネル型の結晶構造會有していると、飽
和磁化量が大きく、記録信号の再生時に残留磁束密度が
大きくて再生感度が極めて良好となる。 一般に、磁性
を示す酸化鉄には、菱面体晶形の寄生強磁性を有するα
−Fe203 ;スピネル構造でフェリ磁性を示すF
e 30いγ−Fe2O3又はこれらのベルトライド化
合物;六方晶型の鉄酸化物であるHa系フェライト又は
Srフェライト、pbフェライト又はその誘導体;ガー
ネット構造の希土類ガーネット型フェライトがある。
これらの酸化鉄のうち、その磁気特性の重要な1つであ
る飽和磁化量は、α−Fe203では2. OGaus
s、Baフェライト、Srフェライト、pbフェライト
では最大でも380Gauss程度、更にガーネット型
フェライトでは最大でも140 Gaussである。こ
れに対し、本発明で好ましく使用するスピネル型フェラ
イトの飽和磁化量は480Gauss f示し、酸化鉄
の中で最本大きい。 このような大きな飽和磁化量は、
記録した信号を再生する場合、残留磁束密度の大きさを
充(8) 分にし、再生感度が良好となるために、極めて有効なも
のである。 一方、スピネル型フェライトに類イリした
飽和磁束密度を示すものとしてBaフェライト、Srフ
ェライトがあるが、これらの連続薄膜型の磁性層全形成
するには、例えば後述ノスパツタ装置において基体の温
度’1500℃と高温に保持(−なければならず、この
ために基体の種類等が制約される(例えば耐熱性の乏し
いプラスチックス基体は使用不可能)等、作成条件に問
題があり、不適当である。 本発明で好ましく使用され
るスピネル型酸化鉄では室温〜300℃と低温で製膜が
可能であれ、基体材料の制約ケ受けることがない〇 本発明による磁性層は一従来の塗布型磁性層とは根本的
に異なり、バインダーを使用せずに酸化鉄(例えばre
304、γ−Fe20B、又はこれらの中間組成の非化
学量論的組成からなるベルトライド化合物)自体が連続
的に連なった薄膜からなっている。 この磁性層におい
ては、鉄と酸素の両元素の総和は磁性層の50重量%以
上であるのがよく、70重量%以上であるのが更に望ま
しい。
和磁化量が大きく、記録信号の再生時に残留磁束密度が
大きくて再生感度が極めて良好となる。 一般に、磁性
を示す酸化鉄には、菱面体晶形の寄生強磁性を有するα
−Fe203 ;スピネル構造でフェリ磁性を示すF
e 30いγ−Fe2O3又はこれらのベルトライド化
合物;六方晶型の鉄酸化物であるHa系フェライト又は
Srフェライト、pbフェライト又はその誘導体;ガー
ネット構造の希土類ガーネット型フェライトがある。
これらの酸化鉄のうち、その磁気特性の重要な1つであ
る飽和磁化量は、α−Fe203では2. OGaus
s、Baフェライト、Srフェライト、pbフェライト
では最大でも380Gauss程度、更にガーネット型
フェライトでは最大でも140 Gaussである。こ
れに対し、本発明で好ましく使用するスピネル型フェラ
イトの飽和磁化量は480Gauss f示し、酸化鉄
の中で最本大きい。 このような大きな飽和磁化量は、
記録した信号を再生する場合、残留磁束密度の大きさを
充(8) 分にし、再生感度が良好となるために、極めて有効なも
のである。 一方、スピネル型フェライトに類イリした
飽和磁束密度を示すものとしてBaフェライト、Srフ
ェライトがあるが、これらの連続薄膜型の磁性層全形成
するには、例えば後述ノスパツタ装置において基体の温
度’1500℃と高温に保持(−なければならず、この
ために基体の種類等が制約される(例えば耐熱性の乏し
いプラスチックス基体は使用不可能)等、作成条件に問
題があり、不適当である。 本発明で好ましく使用され
るスピネル型酸化鉄では室温〜300℃と低温で製膜が
可能であれ、基体材料の制約ケ受けることがない〇 本発明による磁性層は一従来の塗布型磁性層とは根本的
に異なり、バインダーを使用せずに酸化鉄(例えばre
304、γ−Fe20B、又はこれらの中間組成の非化
学量論的組成からなるベルトライド化合物)自体が連続
的に連なった薄膜からなっている。 この磁性層におい
ては、鉄と酸素の両元素の総和は磁性層の50重量%以
上であるのがよく、70重量%以上であるのが更に望ま
しい。
また、鉄と酸素との比は、酸素の原子数/鉄の原子数=
1〜3であるのがよく、4/3〜2であるのが更によく
、上記に例示した酸化鉄が適当である。
1〜3であるのがよく、4/3〜2であるのが更によく
、上記に例示した酸化鉄が適当である。
但、磁性層には、鉄及び酸素以外の金属又はその酸化物
、或いは非金属、半金属又はその化合物等を添加し、こ
れによって磁性層の磁気特性(例えば保磁力、飽和磁化
量、残留磁化量)及びその結晶性、結晶の特定軸方向へ
の配向性の向上等を図ることができる。 こうした添加
元素又は化合物としてはAI、 Co、、、Co−Mn
、 Zn、 Co−Zn、 Li、Cr、T1、Li−
Cr、 Mg、 Mg−Nl5Mn−Zn1N t、
N1−AJ。
、或いは非金属、半金属又はその化合物等を添加し、こ
れによって磁性層の磁気特性(例えば保磁力、飽和磁化
量、残留磁化量)及びその結晶性、結晶の特定軸方向へ
の配向性の向上等を図ることができる。 こうした添加
元素又は化合物としてはAI、 Co、、、Co−Mn
、 Zn、 Co−Zn、 Li、Cr、T1、Li−
Cr、 Mg、 Mg−Nl5Mn−Zn1N t、
N1−AJ。
N i −Z n−Cu、 Cu−Mn、 Cu−Z
n、 V等が挙げられるが、希土類元素以外であること
が望ましい。
n、 V等が挙げられるが、希土類元素以外であること
が望ましい。
また、本発明の磁気記録媒体に使用可能な基体材料は、
磁性材料が被着可能なものであれば種々のものが採用可
能である。 例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リ塩化ビニル−三酢酸セルロース、ポリカーボネート、
ポリイミド、ポリ了ミド、ポリメチルメチクリレートの
如きプラスチックス、ガラス等のセラミックス等が使用
可能である。 基体の形状はソート、カード、ディスク
、ドラムの他、長尺テープ状でもよい。
磁性材料が被着可能なものであれば種々のものが採用可
能である。 例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リ塩化ビニル−三酢酸セルロース、ポリカーボネート、
ポリイミド、ポリ了ミド、ポリメチルメチクリレートの
如きプラスチックス、ガラス等のセラミックス等が使用
可能である。 基体の形状はソート、カード、ディスク
、ドラムの他、長尺テープ状でもよい。
この磁気記録媒体を作成するには、基体を固定板に密着
支持し、或いは基体全走行させつつ磁性材料全被着させ
ることができる。 このためには、真空ポンプ等の真空
排気系に接続1−た処理室内で、磁性材料のターゲット
金スパツタするか、或いは磁性材料の蒸発源から同材料
を蒸発させ、基体上に被着するスパッタ法、蒸着法等が
適用可能である。 いずれの場合も、磁性層を構成する
元素を飛翔させて、基体上にその連続薄膜全形成する。
支持し、或いは基体全走行させつつ磁性材料全被着させ
ることができる。 このためには、真空ポンプ等の真空
排気系に接続1−た処理室内で、磁性材料のターゲット
金スパツタするか、或いは磁性材料の蒸発源から同材料
を蒸発させ、基体上に被着するスパッタ法、蒸着法等が
適用可能である。 いずれの場合も、磁性層を構成する
元素を飛翔させて、基体上にその連続薄膜全形成する。
5、実施例
以下、本発明の磁気記録媒体を図面参照下に更に詳細に
説明する。
説明する。
本発明で使用する磁性側斜を基体上に被着させる手段と
(〜てけ、磁性層構成原子全飛翔させる真空蒸着法(電
界蒸着、イオンプレーTイング法ヲ含むθ、スパッタリ
ング法等があるが−このうち対向ターゲットスパッタ装
Mを用いる方法が望ましいO 第1図は、対向ターゲットスパッタ装置を示すものであ
る。
(〜てけ、磁性層構成原子全飛翔させる真空蒸着法(電
界蒸着、イオンプレーTイング法ヲ含むθ、スパッタリ
ング法等があるが−このうち対向ターゲットスパッタ装
Mを用いる方法が望ましいO 第1図は、対向ターゲットスパッタ装置を示すものであ
る。
1図面において、1は真空槽、2は真空槽1に排気する
真空ポンプ等からなる排気系、3は真空槽1内に所定の
ガスを導入してガス圧力’i1.o”〜10−’ To
rr程度に設定するガス導入系である。
真空ポンプ等からなる排気系、3は真空槽1内に所定の
ガスを導入してガス圧力’i1.o”〜10−’ To
rr程度に設定するガス導入系である。
ターゲット電極は、ターゲットホルダー4により一対(
D タ”’ ′トT 1、T2’i互いに隔てて平行に
対向配置した対向ターゲット電極として構成をれている
。 これらのターゲット間には、磁界発生手段(図示せ
ず)による磁界が形成される。 一方、磁性薄膜を形成
すべき基体6は、基体ホルダー5によって、上記対向タ
ーゲット間の側方に垂直に配置される。
D タ”’ ′トT 1、T2’i互いに隔てて平行に
対向配置した対向ターゲット電極として構成をれている
。 これらのターゲット間には、磁界発生手段(図示せ
ず)による磁界が形成される。 一方、磁性薄膜を形成
すべき基体6は、基体ホルダー5によって、上記対向タ
ーゲット間の側方に垂直に配置される。
このように構成されたスパッタ装置において、平行に対
向し合った両夕〜ゲツ)TI、T2の各表面と垂直方向
に磁界を形成し、この磁界により陰極降下部(即ち、タ
ーゲットTI−T2間に発生したプラズマ雰囲気と各タ
ーゲットTI及びT2との間の領域)での電界で加速さ
れたスパッタガスイオンのターゲット表面に対する衝撃
で放出されたγ電子をターゲット間の空間VCとじ込め
、対向した他方のターゲット方向へ移動させる。 他方
のターゲット表面へ移動したγ電子は、その近傍の陰極
降下部で反射される。 こうして、γ電子はターゲラ)
TI−T2間において磁界に束縛されながら往復運動金
繰返すことになる。 この往復運動の間に、γ電子は中
性の雰囲気ガスと衝突1−で雰囲気ガスのイオンと電子
と全生成させ、これらの生成物がターゲットからのγ電
子の放出と雰囲気ガスのイオン化を促進ちせる。 従っ
て、ターゲラ)TI−T2間の空間には高密度のプラズ
マが形成され、これに伴なってターゲット物質が充分に
スパッタされ、側方の基体6上に磁性材料と[2て堆積
してゆくことになる。
向し合った両夕〜ゲツ)TI、T2の各表面と垂直方向
に磁界を形成し、この磁界により陰極降下部(即ち、タ
ーゲットTI−T2間に発生したプラズマ雰囲気と各タ
ーゲットTI及びT2との間の領域)での電界で加速さ
れたスパッタガスイオンのターゲット表面に対する衝撃
で放出されたγ電子をターゲット間の空間VCとじ込め
、対向した他方のターゲット方向へ移動させる。 他方
のターゲット表面へ移動したγ電子は、その近傍の陰極
降下部で反射される。 こうして、γ電子はターゲラ)
TI−T2間において磁界に束縛されながら往復運動金
繰返すことになる。 この往復運動の間に、γ電子は中
性の雰囲気ガスと衝突1−で雰囲気ガスのイオンと電子
と全生成させ、これらの生成物がターゲットからのγ電
子の放出と雰囲気ガスのイオン化を促進ちせる。 従っ
て、ターゲラ)TI−T2間の空間には高密度のプラズ
マが形成され、これに伴なってターゲット物質が充分に
スパッタされ、側方の基体6上に磁性材料と[2て堆積
してゆくことになる。
この対向ターゲットスパッタ装fU、他の飛翔手段に比
べて一高速スバッタによる高堆積速度の製膜が可能であ
り、また基体がプラズマに直接唾されることがなく、低
い基体温度での製膜が可能である等のことから、垂直磁
化膜を形成するのに有利である。 しかも、対向ターゲ
ットスパッタ装置によって飛翔した磁性膜材料の基板へ
の入射エネルギーは一通常のスパッタ装置のものよりも
小さいので、側斜が所望の方向へ方向性を以って堆積し
易く、垂直磁化記録に適した構造の膜を得易くなる。
べて一高速スバッタによる高堆積速度の製膜が可能であ
り、また基体がプラズマに直接唾されることがなく、低
い基体温度での製膜が可能である等のことから、垂直磁
化膜を形成するのに有利である。 しかも、対向ターゲ
ットスパッタ装置によって飛翔した磁性膜材料の基板へ
の入射エネルギーは一通常のスパッタ装置のものよりも
小さいので、側斜が所望の方向へ方向性を以って堆積し
易く、垂直磁化記録に適した構造の膜を得易くなる。
次に一上記のスパッタ装置を用いて磁気記録媒体を作成
する具体例を説明する。
する具体例を説明する。
この作成条件は以下の通りであった。
ターゲツト材 鉄(Co’i−1原子チ含有)
基 体 ガラス 対向ターゲット間隔 100 mm スパッタ空間の磁界 1400e ターゲット形状 100mm直径の円盤(5mm厚)
基体とターゲット端との間隔 30nun真空槽内の背
圧 1O−6Torr導入ガス A r
+02 導入ガス圧 4 X 10” Torrスパッ
タ投入電力 300VX0.4Aこのようにして、第
2図に示す如く、ベースフィルム6上にFe104から
なる酸化鉄系の磁性層10を有する磁気記録媒体が得ら
れた。 この媒体について一磁性層の特性評価は、X線
マイクロアナ磁気特性によって行なった。 得られた磁
気記録媒体の特性は次の如くであった。
基 体 ガラス 対向ターゲット間隔 100 mm スパッタ空間の磁界 1400e ターゲット形状 100mm直径の円盤(5mm厚)
基体とターゲット端との間隔 30nun真空槽内の背
圧 1O−6Torr導入ガス A r
+02 導入ガス圧 4 X 10” Torrスパッ
タ投入電力 300VX0.4Aこのようにして、第
2図に示す如く、ベースフィルム6上にFe104から
なる酸化鉄系の磁性層10を有する磁気記録媒体が得ら
れた。 この媒体について一磁性層の特性評価は、X線
マイクロアナ磁気特性によって行なった。 得られた磁
気記録媒体の特性は次の如くであった。
1ず、面内方向での残留磁化量(MH)と面に垂直方向
での残留磁化量(Mlとの比はMV/MH≧0.5であ
った。即ち、第3図に例示するように、破線で示す面内
方向での磁化時のヒステリシス曲線と、実線で示す垂直
方向での磁化時のヒステリシス曲線とが夫々得られたが
、印加磁界がゼロのときの各磁化量をPJH−MVとし
た。 これによれば、前者のヒステリシス曲線は後者
のヒステリシス曲線よりも小をく、M’V≧0.5MH
(即ちMV/MH−i=2.0)となっていることが明
らかであり、垂直磁化にとって好適な磁性層が形成され
ていることが分る。 これは、酸化鉄系の磁性層におい
ては(15) 驚くべき事実である。
での残留磁化量(Mlとの比はMV/MH≧0.5であ
った。即ち、第3図に例示するように、破線で示す面内
方向での磁化時のヒステリシス曲線と、実線で示す垂直
方向での磁化時のヒステリシス曲線とが夫々得られたが
、印加磁界がゼロのときの各磁化量をPJH−MVとし
た。 これによれば、前者のヒステリシス曲線は後者
のヒステリシス曲線よりも小をく、M’V≧0.5MH
(即ちMV/MH−i=2.0)となっていることが明
らかであり、垂直磁化にとって好適な磁性層が形成され
ていることが分る。 これは、酸化鉄系の磁性層におい
ては(15) 驚くべき事実である。
また、この磁気記録媒体の組成全xMh(X線マイクロ
アナライザ:日立製作所製子X−J、556 J KW
VF、X−7000型)で測定したところ、Feが主ピ
ークであり、Coが少食含まれていることが分った。
更に、酸化鉄の状態を調べるために、X線回折装置(E
1本電子社製「JDX−10RAJ:CuK(4の管球
使用)を用いて測定したところ、下記表に示すように、
磁性層がスピネル型結晶構造の酸化鉄を主成分とするも
のであることが分った。 しかも、この磁性層は一面内
方向に対して垂直方向に秩序圧しい構造全盲しているこ
とが電子顕微鏡で観察された。
アナライザ:日立製作所製子X−J、556 J KW
VF、X−7000型)で測定したところ、Feが主ピ
ークであり、Coが少食含まれていることが分った。
更に、酸化鉄の状態を調べるために、X線回折装置(E
1本電子社製「JDX−10RAJ:CuK(4の管球
使用)を用いて測定したところ、下記表に示すように、
磁性層がスピネル型結晶構造の酸化鉄を主成分とするも
のであることが分った。 しかも、この磁性層は一面内
方向に対して垂直方向に秩序圧しい構造全盲しているこ
とが電子顕微鏡で観察された。
上記した磁性層につき、更に検討を加えた結果、磁性層
な構成する酸化鉄、特にFe104の磁化容易軸が磁性
層の面内方向に対し垂直方向側へ立ち上っていること〜
特にその結晶軸の(111) 方向が面に垂直方向に
向いていることが極めて重要であることが判明した。
な構成する酸化鉄、特にFe104の磁化容易軸が磁性
層の面内方向に対し垂直方向側へ立ち上っていること〜
特にその結晶軸の(111) 方向が面に垂直方向に
向いていることが極めて重要であることが判明した。
即ち、上記したガス圧(10−1〜10−’Torr
)で作成した磁性層につさへX線回折装置(日本電子社
製[JDX−10RAJ)によって膜の組成と配向度と
を測定した。 この結果、第4図に示す如く、Fe3O
4とγ−FazQsの反射ピークが観測された。
)で作成した磁性層につさへX線回折装置(日本電子社
製[JDX−10RAJ)によって膜の組成と配向度と
を測定した。 この結果、第4図に示す如く、Fe3O
4とγ−FazQsの反射ピークが観測された。
これによれば、FeSO4の(111)面及びその高次
の面での反射ピークは、上記ガス圧(Ar+Oz)が1
0−’〜10−’ Torr (特に10−2〜10−
” Torr )のときに大きく、(111)方向にp
6s04が実質的に配向した構造を得ることが可能であ
る。
の面での反射ピークは、上記ガス圧(Ar+Oz)が1
0−’〜10−’ Torr (特に10−2〜10−
” Torr )のときに大きく、(111)方向にp
6s04が実質的に配向した構造を得ることが可能であ
る。
第5図は、Fe304の(111)面での反射強度比(
第4図の縦軸に対応)と磁性層の垂直磁化配向度(MV
/Mlとの関係について得られたデータである。 これ
によれば、反射強度比(但、(111)面のピーク値の
最大値i 100 %とする。)が20チ程度以上のと
きには、M V 7M H≧0,5が得らへ垂直磁化が
可能な磁性層となることが分る。 これに対応し、第4
図において、反射強度が20チ程度以上のものを得るに
はガス圧f 10−” Torrより低くすべきことが
分る。
第4図の縦軸に対応)と磁性層の垂直磁化配向度(MV
/Mlとの関係について得られたデータである。 これ
によれば、反射強度比(但、(111)面のピーク値の
最大値i 100 %とする。)が20チ程度以上のと
きには、M V 7M H≧0,5が得らへ垂直磁化が
可能な磁性層となることが分る。 これに対応し、第4
図において、反射強度が20チ程度以上のものを得るに
はガス圧f 10−” Torrより低くすべきことが
分る。
従って、この事実から、本発明による垂直磁化用の磁性
層を形成するには、スパッタ時のAr+02の混合ガス
圧は10−4〜1O−1Torrとすべきであるが、1
0−’ Torrより低ガス圧では却ってプラズマが不
安定となるためにガス圧の下限k 10−’ Torr
とし、また10−’ Torrより高ガス圧では反射強
度比(即ち垂直配向度)が小さくなってMV/MH≧0
,5の要件を満たし得なくなる。
層を形成するには、スパッタ時のAr+02の混合ガス
圧は10−4〜1O−1Torrとすべきであるが、1
0−’ Torrより低ガス圧では却ってプラズマが不
安定となるためにガス圧の下限k 10−’ Torr
とし、また10−’ Torrより高ガス圧では反射強
度比(即ち垂直配向度)が小さくなってMV/MH≧0
,5の要件を満たし得なくなる。
更に、A r +02 の混合ガスの混合比も重要であ
って、第6図に示す如く、Ox/Arの分圧比に応じて
MV/Ml(が変化し、特にその分圧比が2チ未満では
M 77M Hが0.5未満となることが分った。
って、第6図に示す如く、Ox/Arの分圧比に応じて
MV/Ml(が変化し、特にその分圧比が2チ未満では
M 77M Hが0.5未満となることが分った。
また、その分圧比はあまり高すぎて90%を越えると、
逆に放電が不安定となるから、上記分圧比は2〜90転
特に10〜80%とするのが望ましい。
逆に放電が不安定となるから、上記分圧比は2〜90転
特に10〜80%とするのが望ましい。
なお、スパッタ用のガスは上記のAr以外にも、Kr5
Na、He等があるが、このスパッタ用ガスは単独で導
入してよい(但、この場合のターゲットは酸化鉄)し、
上記の02やN2− H2O等との混合ガスを用いても
よい。
Na、He等があるが、このスパッタ用ガスは単独で導
入してよい(但、この場合のターゲットは酸化鉄)し、
上記の02やN2− H2O等との混合ガスを用いても
よい。
また、スパッタ前の予備排気は真空度が5 X 10”
Torr以下となるように行なうのが望捷しい。
Torr以下となるように行なうのが望捷しい。
なお、前記の各種形成条件(例えばガス圧等)を変える
ことにより、第7図に示すような、先の例(第3図)と
は磁気特性の異なった本発明にかかる磁気記録媒体(M
V/MHJ−0,6”l ’に得ることができる。 こ
の媒体も良好な垂直磁化特性金示す。
ことにより、第7図に示すような、先の例(第3図)と
は磁気特性の異なった本発明にかかる磁気記録媒体(M
V/MHJ−0,6”l ’に得ることができる。 こ
の媒体も良好な垂直磁化特性金示す。
次に、比較のために、α−Fe20Sからなる磁性膜を
上記したスパッタ装置で形成したところ、次の如きX線
回折データが得られ、その構造は菱面体晶形であること
が分った。
上記したスパッタ装置で形成したところ、次の如きX線
回折データが得られ、その構造は菱面体晶形であること
が分った。
苦ASTMによる強度
なお、上記スパッタ装置において、磁性層として、上記
Fe 304と同様のスピネル型のγ−Fe2O3から
なるものを作成可能であった。 このγ−Fe2O3の
格子定数は8.34Aであった。
Fe 304と同様のスピネル型のγ−Fe2O3から
なるものを作成可能であった。 このγ−Fe2O3の
格子定数は8.34Aであった。
また、上記スパッタ条件において、導入ガスとしてAr
のみを導入した結果、得られたFe系磁性層の磁気特性
は第8図の如くであ! 、Mu>>MV (MV/MH
=0.09 )であって垂直磁化用として全く不適当で
あることが分った。 また、そのFe系磁性層は次のX
線回折データから、立方格子からなるFe膜(格子定数
2.87A)であることが確認された。
のみを導入した結果、得られたFe系磁性層の磁気特性
は第8図の如くであ! 、Mu>>MV (MV/MH
=0.09 )であって垂直磁化用として全く不適当で
あることが分った。 また、そのFe系磁性層は次のX
線回折データから、立方格子からなるFe膜(格子定数
2.87A)であることが確認された。
図面は本発明全例示するものであって、第1図は対向タ
ーゲットスパッタ装置の概略断面図、 第2図は磁気記録媒体の断面図、 第3図は磁気記録媒体のヒステリシス曲線図、第4図は
ガス圧と反射強度比との関係を示すグラフ、 第5図は反射強度比と垂直配向度との関係を示すグラフ
、 第6図はガス分圧比と垂直配向度との関係を示すグラフ
、 第7図は他の磁気記録媒体のヒステリシス曲線図、 第8図は比較例による磁気記録媒体のヒステリシス曲線
図− である。 なお、図面に示濱れた符号において、 1・・・・・・・・・・・・・・・真空槽2・・・・・
・・・・・・・・・・排気系3・・・・・・・・・・・
・・・・ガス導入系4.5・・・・・・・・・ホルダー 6・・・・・・・・・−・・・・・基体10・・・・・
・・・・・・・・・・磁性層T1、T2・・・ターゲッ
ト である。 代理人 弁理士掻板 宏(他1名) スハ0ツタカ゛スrf、 (XIO−3Torr)(
Ar:02=3:1) Fe3044 (117) ’h’c:4値、、大6、
02 /Ar ’9”)迂レヒ
ーゲットスパッタ装置の概略断面図、 第2図は磁気記録媒体の断面図、 第3図は磁気記録媒体のヒステリシス曲線図、第4図は
ガス圧と反射強度比との関係を示すグラフ、 第5図は反射強度比と垂直配向度との関係を示すグラフ
、 第6図はガス分圧比と垂直配向度との関係を示すグラフ
、 第7図は他の磁気記録媒体のヒステリシス曲線図、 第8図は比較例による磁気記録媒体のヒステリシス曲線
図− である。 なお、図面に示濱れた符号において、 1・・・・・・・・・・・・・・・真空槽2・・・・・
・・・・・・・・・・排気系3・・・・・・・・・・・
・・・・ガス導入系4.5・・・・・・・・・ホルダー 6・・・・・・・・・−・・・・・基体10・・・・・
・・・・・・・・・・磁性層T1、T2・・・ターゲッ
ト である。 代理人 弁理士掻板 宏(他1名) スハ0ツタカ゛スrf、 (XIO−3Torr)(
Ar:02=3:1) Fe3044 (117) ’h’c:4値、、大6、
02 /Ar ’9”)迂レヒ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基体上に磁性層が設けられている磁気記録媒体にお
いて、前記磁性層が、 (、)、酸化鉄を主成分とする連続磁性層であること0 (b)、磁性層の面内方向での残留磁化(MH)と、磁
性層の面に対し垂直方向での残留磁化(MV)との比(
Mv/MH)が05以上であること。 (c)、前記酸化鉄の特定の結晶軸が磁性層の面内方向
に対しほぼ垂直方向に向いていること。 全夫々構成として具備することを特徴とする磁気記録媒
体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58023042A JPS59148121A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 磁気記録媒体 |
EP84101074A EP0116881A3 (en) | 1983-02-03 | 1984-02-02 | Magnetic recording medium and process of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58023042A JPS59148121A (ja) | 1983-02-15 | 1983-02-15 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59148121A true JPS59148121A (ja) | 1984-08-24 |
Family
ID=12099398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58023042A Pending JPS59148121A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-15 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59148121A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6095721A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
-
1983
- 1983-02-15 JP JP58023042A patent/JPS59148121A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6095721A (ja) * | 1983-10-28 | 1985-05-29 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2872226B2 (ja) | 垂直磁化膜及びその製造法 | |
JPS59148121A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59147422A (ja) | 磁性層の形成方法 | |
JPH07141641A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
JPH0512765B2 (ja) | ||
JPS59148120A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59157827A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0316690B2 (ja) | ||
JPS59157828A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59157830A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59148125A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0315244B2 (ja) | ||
JPS59148122A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59144032A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59148319A (ja) | 磁性層の形成方法 | |
JPS59148123A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59157833A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59148317A (ja) | 磁性層の形成方法 | |
JPS59157832A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP3520751B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法及びそれを使用した記憶装置 | |
JPH0315248B2 (ja) | ||
JPH0311531B2 (ja) | ||
JPS59157831A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59148318A (ja) | 磁性層の形成方法 | |
JPS59148316A (ja) | 磁性層の形成方法 |