JPS6095721A - 垂直磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体とその製造方法Info
- Publication number
- JPS6095721A JPS6095721A JP20097383A JP20097383A JPS6095721A JP S6095721 A JPS6095721 A JP S6095721A JP 20097383 A JP20097383 A JP 20097383A JP 20097383 A JP20097383 A JP 20097383A JP S6095721 A JPS6095721 A JP S6095721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- thin film
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は鉄酸化物を主成分とする垂直磁気記録媒体に係
り、特に安価で耐久性の良い垂直磁気記録媒体に関する
。
り、特に安価で耐久性の良い垂直磁気記録媒体に関する
。
高密度磁気記録については、垂直磁気記録方式の出現に
より、現在用いられている面内記録方式を大きく上まわ
る記録密度が期待されて注目を集め、精力的に研究が進
められている。
より、現在用いられている面内記録方式を大きく上まわ
る記録密度が期待されて注目を集め、精力的に研究が進
められている。
この垂直磁気記録を実現するには、記録媒体として、磁
性膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する垂直磁化
膜が必要であり、現在、そのような磁気特性を持つ磁性
膜としては、スパッタ法あるいは真空蒸着法で作成した
Ｃｏ−Ｃｒ 、 Ｃｏ −Ｃｒ−Ｒｈ、Ｃ０−ＶｌＣｏ
−几ＵあるいはＣｏ −０系の合金膜が知られている。
性膜面に対して垂直方向の磁化容易軸を有する垂直磁化
膜が必要であり、現在、そのような磁気特性を持つ磁性
膜としては、スパッタ法あるいは真空蒸着法で作成した
Ｃｏ−Ｃｒ 、 Ｃｏ −Ｃｒ−Ｒｈ、Ｃ０−ＶｌＣｏ
−几ＵあるいはＣｏ −０系の合金膜が知られている。
しかし、このような垂直磁化膜は、いずれもＣｏをベー
スとしており、Ｃｏは資源が少ないことからコストなら
びに安定供給上の問題があり、しかも、合金系膜である
が故に酸化等の化学的安定性についても捷だ問題がある
といえる。
スとしており、Ｃｏは資源が少ないことからコストなら
びに安定供給上の問題があり、しかも、合金系膜である
が故に酸化等の化学的安定性についても捷だ問題がある
といえる。
本発明の目的は、コスト、安定供給、耐久性等に問題の
あるＣＯを中心とした垂直磁化膜に代り、マグネタイト
等の鉄酸化物を用いた垂直磁気記録媒体とその製造方法
を提供することにある。
あるＣＯを中心とした垂直磁化膜に代り、マグネタイト
等の鉄酸化物を用いた垂直磁気記録媒体とその製造方法
を提供することにある。
Ｃｏ −Ｃｒ磁性膜において、垂直磁化膜となる理由に
ついてはつぎのように考えられている。スパッタ法ある
いは真空蒸着法で作成したＣｏ −Ｃｒ磁性膜の断面を
ＳＥＭで観察すると、膜面に垂直方向に結晶粒子が成長
した柱状構造が観測される。
ついてはつぎのように考えられている。スパッタ法ある
いは真空蒸着法で作成したＣｏ −Ｃｒ磁性膜の断面を
ＳＥＭで観察すると、膜面に垂直方向に結晶粒子が成長
した柱状構造が観測される。
垂直磁気異方性の優れだＣ０−Ｃｒ膜は、この柱状方向
に泊ってＣＯのＣ軸が配向していることがＸ線回折法に
よって解析、確認されている。Ｃ０−Ｃｒ磁性膜の垂直
磁気異方性は、このＣ軸が垂直配向していることに一つ
の要因があり、さらに、その垂直磁気異方性の大きさが
、膜面に垂直方向に磁化が向いた時の静磁エネルギーよ
り犬となっているという条件を満しているということが
もう一つの要因である。
に泊ってＣＯのＣ軸が配向していることがＸ線回折法に
よって解析、確認されている。Ｃ０−Ｃｒ磁性膜の垂直
磁気異方性は、このＣ軸が垂直配向していることに一つ
の要因があり、さらに、その垂直磁気異方性の大きさが
、膜面に垂直方向に磁化が向いた時の静磁エネルギーよ
り犬となっているという条件を満しているということが
もう一つの要因である。
本発明者らは前記の内容を考案検討した結果、垂直磁気
異方性膜作成材料の条件としては、ＣＯに代表される六
方晶系の構造を有する材料を使用するだけにとどまらず
、形状異方性を持つ材料の結晶を柱状にして基板に垂直
に配向せしめるか、まだは、結晶異方性を有する材料を
基板に対して垂直に形成すれば垂直磁力性膜が得られる
のではないかと考えた。
異方性膜作成材料の条件としては、ＣＯに代表される六
方晶系の構造を有する材料を使用するだけにとどまらず
、形状異方性を持つ材料の結晶を柱状にして基板に垂直
に配向せしめるか、まだは、結晶異方性を有する材料を
基板に対して垂直に形成すれば垂直磁力性膜が得られる
のではないかと考えた。
前記の考えに基づき検討を重ねた結果、マグネタイト等
の鉄酸化物を基板に垂直に柱状に配向せしめることによ
り、良好な磁気特性を有する垂直磁化膜が得られること
を見出した。
の鉄酸化物を基板に垂直に柱状に配向せしめることによ
り、良好な磁気特性を有する垂直磁化膜が得られること
を見出した。
第１図に示すように、このような垂直磁化膜１は、非磁
性基板２０表面に直接被着することもできるが、非磁性
基板２にあらかじめ、パーマロイセンタスト、（Ｆｅ、
Ｃｏ、ＮＩ）−（Ｓｌ、Ｂ、Ｃ１Ｐ、Ａ４−Ｂ）系非晶
質合金などの高透磁率磁性材料薄膜６を０．２〜２μｍ
の厚さに被着せしめ、この表面に１ＸＩ記垂直磁化膜１
を形成する方法は磁気ヘッドによる記録再生の効率を高
め、出力を太きくする効果があるのでより好ましい。
性基板２０表面に直接被着することもできるが、非磁性
基板２にあらかじめ、パーマロイセンタスト、（Ｆｅ、
Ｃｏ、ＮＩ）−（Ｓｌ、Ｂ、Ｃ１Ｐ、Ａ４−Ｂ）系非晶
質合金などの高透磁率磁性材料薄膜６を０．２〜２μｍ
の厚さに被着せしめ、この表面に１ＸＩ記垂直磁化膜１
を形成する方法は磁気ヘッドによる記録再生の効率を高
め、出力を太きくする効果があるのでより好ましい。
垂直磁化膜の飽和磁束密度（４πＭｓ）は、５００〜５
０００ ａ ＜ガウス）の範囲が好ましく、１０００〜
４０００ Ｇの範囲がより奸才しい。この範囲が好まし
いのは１０００Ｇ以下では記録再生出力が小さくなり、
４００００以上では垂直磁化膜が得にくいためである。
０００ ａ ＜ガウス）の範囲が好ましく、１０００〜
４０００ Ｇの範囲がより奸才しい。この範囲が好まし
いのは１０００Ｇ以下では記録再生出力が小さくなり、
４００００以上では垂直磁化膜が得にくいためである。
垂直磁化膜の膜厚は０．１〜１．０μｍの範囲が好まし
く、０．１〜０．５μｍの範囲がより好捷しい。この範
囲が好ましい理由は、０．１μｍ以下では垂直磁化膜が
得に＜＜、また、耐久性、膜厚の均一性に問題があるた
めであり、１．０μｍ以上では磁気ヘッドによる記録再
生効率が悪くなるためである。
く、０．１〜０．５μｍの範囲がより好捷しい。この範
囲が好ましい理由は、０．１μｍ以下では垂直磁化膜が
得に＜＜、また、耐久性、膜厚の均一性に問題があるた
めであり、１．０μｍ以上では磁気ヘッドによる記録再
生効率が悪くなるためである。
マグネタイト等の薄膜の結晶粒構造としては、」二連の
基板面に垂直に形成された柱状結晶粒の直径が０．０１
〜０．６μｎ〕の範囲にあることが望ましいこれはこの
範囲において垂直磁気異方性が容易に得られるためであ
る。
基板面に垂直に形成された柱状結晶粒の直径が０．０１
〜０．６μｎ〕の範囲にあることが望ましいこれはこの
範囲において垂直磁気異方性が容易に得られるためであ
る。
マグネタイト等の鉄酸化物の垂直磁化膜製造方法として
は、マグネタイト等の鉄酸化物をターゲットとして、Ａ
ｒ気流中、Ａｒ、０２混合気流中またはＡｒ、水素混合
気流中で各々のガス分圧等を調整しながらスパッタリン
グを行なう。この時、基板側にアースを基準にして一２
０Ｖ〜−２００■のノ（イアスミ圧を印加することによ
り、垂直磁化膜の製造が容易になる。
は、マグネタイト等の鉄酸化物をターゲットとして、Ａ
ｒ気流中、Ａｒ、０２混合気流中またはＡｒ、水素混合
気流中で各々のガス分圧等を調整しながらスパッタリン
グを行なう。この時、基板側にアースを基準にして一２
０Ｖ〜−２００■のノ（イアスミ圧を印加することによ
り、垂直磁化膜の製造が容易になる。
なお、前記スパッタリングによる垂直磁化膜の形成にお
いては、適当で実効的なガス分圧が存在するが、この値
は装置ならびにスパッタ速度により変化する。したがっ
て、用いる装置、その他の条件を予め確認して、これら
の値を定めて用いるようにすることが必要である。本発
明者らの実験では基本となるＡｒガスの分圧は５〜５０
ミＩＪ Ｔｏｒｒが良かった。これに１０チ未満の範
囲でＩ］２ガスを加えると、被着されるマグネタイト等
の鉄酸化物膜の相も安定する傾向があり好ましいが、必
らずしも必要なものではない。また、０２ガスについて
は５％未満の範囲でこれを加えた場合、被着された膜の
硬度をやや向上させ得るが、膜の飽和磁束密度等とも関
係し、また先に述べたように装置ならびにスパック条件
によっても変化するので一概に決めることはできない。
いては、適当で実効的なガス分圧が存在するが、この値
は装置ならびにスパッタ速度により変化する。したがっ
て、用いる装置、その他の条件を予め確認して、これら
の値を定めて用いるようにすることが必要である。本発
明者らの実験では基本となるＡｒガスの分圧は５〜５０
ミＩＪ Ｔｏｒｒが良かった。これに１０チ未満の範
囲でＩ］２ガスを加えると、被着されるマグネタイト等
の鉄酸化物膜の相も安定する傾向があり好ましいが、必
らずしも必要なものではない。また、０２ガスについて
は５％未満の範囲でこれを加えた場合、被着された膜の
硬度をやや向上させ得るが、膜の飽和磁束密度等とも関
係し、また先に述べたように装置ならびにスパック条件
によっても変化するので一概に決めることはできない。
さらにまた、１１゛ｅをターゲットとして用いることも
できる。このときには雰囲気としてＡｒ と酸素の所定
割合の混合ガス気流を用いる。
できる。このときには雰囲気としてＡｒ と酸素の所定
割合の混合ガス気流を用いる。
また、十分な垂直磁気異方性を有し、垂直磁気記録媒体
として使用できるのは、一般に、垂直磁化膜の面に垂直
方向の残留磁束密度（Ｍｒ）と面内方向の残留磁束密度
（Ｍｒ）との比（Ｍｒ／Ｍｒ ）、あるいは（Ｍｒ ／
Ｍｓ ）と（Ｍｒ ／Ｍｓ ）との比（ＭＳ：飽和磁束
密度）が０．８以上のものであることが知られている。
として使用できるのは、一般に、垂直磁化膜の面に垂直
方向の残留磁束密度（Ｍｒ）と面内方向の残留磁束密度
（Ｍｒ）との比（Ｍｒ／Ｍｒ ）、あるいは（Ｍｒ ／
Ｍｓ ）と（Ｍｒ ／Ｍｓ ）との比（ＭＳ：飽和磁束
密度）が０．８以上のものであることが知られている。
さらに垂直磁気異方性の有無は磁気異方性測定装置（ト
ルクメータ）により知ることができる。
ルクメータ）により知ることができる。
以下に本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発
明はこれらの実施例によってなんらの制限を加えられる
ものではない。
明はこれらの実施例によってなんらの制限を加えられる
ものではない。
実施例 １゜
第６図に示しだＲＦスパッタ装置を用い、非磁性基板上
にマグネタイト（Ｆｅ３０４）のスパッタリングを行な
った。同図において、４は真空容器、５は真空排気管、
６はガスコントロールパルプをもったガス導入管で、ガ
ス導入管６からはＡｒ 、 ０２Ｈ２混合比を調節して
導入できるようになっている。
にマグネタイト（Ｆｅ３０４）のスパッタリングを行な
った。同図において、４は真空容器、５は真空排気管、
６はガスコントロールパルプをもったガス導入管で、ガ
ス導入管６からはＡｒ 、 ０２Ｈ２混合比を調節して
導入できるようになっている。
７は非磁性基板８を取り付けた金属電極で、−５００〜
０■のバイアス電圧が印加できるようになっている。ま
た、９はスパッタ用ターゲット１０を載置した金属電極
で、これには１３．５ ＭＨｚのＢＰ”が印加できるよ
うになっている。
０■のバイアス電圧が印加できるようになっている。ま
た、９はスパッタ用ターゲット１０を載置した金属電極
で、これには１３．５ ＭＨｚのＢＰ”が印加できるよ
うになっている。
この装置を用いて、プレス成形した直径１００φのマグ
ネイト・ターゲット９を用い、１０ミリＴｏｒｒのＡｒ
ガス雰囲気中で、基板８側電極７にアースに対して０〜
−２５０ｖの範囲でバイアス電圧を印加しながら、約２
０人／ｍｉｎの速度で、光学研摩したガラス基板８上に
膜厚０．６μｍ前後のマグネタイト膜１１を被着させた
。これらのマグネタイト膜について、試料振動型磁束計
（ＶＭＳ）により、膜の面内方向および面に垂直方向に
磁場を印加したときの膜の磁気特性を測定した結果を第
４図に示す図中、 、 はそれぞれ印加磁界が膜面に垂
直方向、膜面内方向であることを示す。
ネイト・ターゲット９を用い、１０ミリＴｏｒｒのＡｒ
ガス雰囲気中で、基板８側電極７にアースに対して０〜
−２５０ｖの範囲でバイアス電圧を印加しながら、約２
０人／ｍｉｎの速度で、光学研摩したガラス基板８上に
膜厚０．６μｍ前後のマグネタイト膜１１を被着させた
。これらのマグネタイト膜について、試料振動型磁束計
（ＶＭＳ）により、膜の面内方向および面に垂直方向に
磁場を印加したときの膜の磁気特性を測定した結果を第
４図に示す図中、 、 はそれぞれ印加磁界が膜面に垂
直方向、膜面内方向であることを示す。
第４図かられかるように、とのマグネタイト膜は印加し
たバイアス電圧Ｏ〜−１５０■の間で角型比および保磁
力によって示される垂直磁気異方性成分が面内方向のそ
れを大きく上まわり、特に−１００■を印加した試料Ｎ
ｕ ３においては、Ｍｒ ／ＭｒｓとＭｒ ／Ｍｓとの
比が６．５を示している。このことは明らかに垂直磁化
膜が実現していることを示している。１だ、同図から、
磁化膜作成時においてのバイアス電圧印加の効果は明ら
かであるがその最適バイアス電圧は、装置その他の実験
条件によって若干具なるが、−２０〜−５０Ｖの範囲が
最適である。
たバイアス電圧Ｏ〜−１５０■の間で角型比および保磁
力によって示される垂直磁気異方性成分が面内方向のそ
れを大きく上まわり、特に−１００■を印加した試料Ｎ
ｕ ３においては、Ｍｒ ／ＭｒｓとＭｒ ／Ｍｓとの
比が６．５を示している。このことは明らかに垂直磁化
膜が実現していることを示している。１だ、同図から、
磁化膜作成時においてのバイアス電圧印加の効果は明ら
かであるがその最適バイアス電圧は、装置その他の実験
条件によって若干具なるが、−２０〜−５０Ｖの範囲が
最適である。
上述のスパッタ法で被着された廿グネタイト薄膜の断面
を現出して、その結晶粒構造を調べたところ、垂直磁気
異方性を示すマグネタイト薄膜は直径が０．０２〜０．
６μｍの柱状結晶粒よりなる多結晶膜であることが判明
した。柱状結晶粒の形状、寸法は前記スパッタ時におけ
るバイアス電圧の大きさに著るしく依存し、バイアス電
圧が零の場合には柱状晶として発達しない。バイアス電
圧が印加されると、Ｆｅ６０４の（００１＞方向を軸と
する柱状晶となり、バイアス電圧の増大とともに柱状晶
の＜００１＞軸が基板に対してより垂直となり、バイア
ス電圧が一１００■で柱状晶の発達が最も大きくなる。
を現出して、その結晶粒構造を調べたところ、垂直磁気
異方性を示すマグネタイト薄膜は直径が０．０２〜０．
６μｍの柱状結晶粒よりなる多結晶膜であることが判明
した。柱状結晶粒の形状、寸法は前記スパッタ時におけ
るバイアス電圧の大きさに著るしく依存し、バイアス電
圧が零の場合には柱状晶として発達しない。バイアス電
圧が印加されると、Ｆｅ６０４の（００１＞方向を軸と
する柱状晶となり、バイアス電圧の増大とともに柱状晶
の＜００１＞軸が基板に対してより垂直となり、バイア
ス電圧が一１００■で柱状晶の発達が最も大きくなる。
柱状晶の結晶粒径は基板に近い部分では、０．０２〜０
．０５μｍと小さいが、膜厚の増大とともに基板に対し
てＦｅ３Ｏ４の＜００１＞軸が垂直に近い結晶粒はど発
達しやすく、柱状晶の粒径は、０．１〜０．３μｍとな
る。柱状晶の寸法がこの範囲内にある場合には、Ｍｒ
／Ｍｓ トＭｒ ／Ｍｓ （Ｄ比が２以上となり、垂直
磁化膜として実用可能寿特性を示す。一方、バイアス電
圧が一１８０Ｖ以上になると、再び柱状晶の発達が悪く
なり、垂直磁気異方性が低下する。
．０５μｍと小さいが、膜厚の増大とともに基板に対し
てＦｅ３Ｏ４の＜００１＞軸が垂直に近い結晶粒はど発
達しやすく、柱状晶の粒径は、０．１〜０．３μｍとな
る。柱状晶の寸法がこの範囲内にある場合には、Ｍｒ
／Ｍｓ トＭｒ ／Ｍｓ （Ｄ比が２以上となり、垂直
磁化膜として実用可能寿特性を示す。一方、バイアス電
圧が一１８０Ｖ以上になると、再び柱状晶の発達が悪く
なり、垂直磁気異方性が低下する。
実施例 ２．。
実施例１と同様な条件で非磁性基板上にマグネタイト（
１’ｃ３０４）膜を作成した。ただし、スパッタ時間を
変化させることにより膜厚をコントロールした。まだ、
バイアス電圧は、−１００Ｖに固定した。その特性測定
結果を第５図に示した。当然ながら膜厚の違いによる磁
気特性の差違が認められるが、いずれも垂直磁化膜が実
現されていることを示している。また、磁気特性選択の
幅の広さ、容易さをも示している。
１’ｃ３０４）膜を作成した。ただし、スパッタ時間を
変化させることにより膜厚をコントロールした。まだ、
バイアス電圧は、−１００Ｖに固定した。その特性測定
結果を第５図に示した。当然ながら膜厚の違いによる磁
気特性の差違が認められるが、いずれも垂直磁化膜が実
現されていることを示している。また、磁気特性選択の
幅の広さ、容易さをも示している。
実施例 ６゜
バイアス電圧を一１００ｖ、スパッタ雰囲気をＡｒガス
中に５〜１［］係のｌ−１２ガスを添加した混合ガスの
１０ ミ＋） ”Ｊ’ｏｒｒの雰囲気とし、かつバイア
ス電圧を印加しガいで、実施例１と同様にしてマグネタ
イト磁化膜を作成した。その結果を第６図に示した。こ
の結果から、保磁力の点では陣や劣るが、飽和磁束密度
はｌ−１２添加量の増加と共に大となり、捷たＡｒのみ
の場合よりも大きくなる。
中に５〜１［］係のｌ−１２ガスを添加した混合ガスの
１０ ミ＋） ”Ｊ’ｏｒｒの雰囲気とし、かつバイア
ス電圧を印加しガいで、実施例１と同様にしてマグネタ
イト磁化膜を作成した。その結果を第６図に示した。こ
の結果から、保磁力の点では陣や劣るが、飽和磁束密度
はｌ−１２添加量の増加と共に大となり、捷たＡｒのみ
の場合よりも大きくなる。
また、少量の酸素とＡｒの混合気流中でマグネタイト・
スパッタ膜を形成すると、磁気特性は実施例１．２の場
合と余り変らｈいが、膜の表面硬度が向上する効果があ
る。
スパッタ膜を形成すると、磁気特性は実施例１．２の場
合と余り変らｈいが、膜の表面硬度が向上する効果があ
る。
以上の実施例で述べたマグネタイト薄膜の作製条件、例
えばＡｒ分圧は、用いるスパッタ装置、ターゲット、ス
パッタ速度との関係によって定するものであり、以上の
実施例によって制限を受けるものではない。
えばＡｒ分圧は、用いるスパッタ装置、ターゲット、ス
パッタ速度との関係によって定するものであり、以上の
実施例によって制限を受けるものではない。
まだ、本発明の実施例においては述べなかったが、マグ
ネタイト以外にγ−Ｆｅ２Ｏ３、ベルトライド型Ｆｅ０
ｘ（４／！、＜ｘ＜３／２）等の鉄酸化物および主とし
て飽和磁束密度の制御を目的としてＣｏ添加鉄酸化物に
ついても優れた垂直磁化膜が得られる。
ネタイト以外にγ−Ｆｅ２Ｏ３、ベルトライド型Ｆｅ０
ｘ（４／！、＜ｘ＜３／２）等の鉄酸化物および主とし
て飽和磁束密度の制御を目的としてＣｏ添加鉄酸化物に
ついても優れた垂直磁化膜が得られる。
なお、磁化膜形成用非磁性基体材料としては、上述の実
施例で用いたガラス以外に、ポリエステル、ポリイミド
などの有機ポリマー、あるいはＡ４などの金属を用いる
ことができる。また、基体の形状は、通常、長尺状もし
くは円板状とするが、必要に応じて任意の形状としても
よい。さらに、基体表面にパーマロイ等の高透磁率特性
を有する厚さ０．２〜２μｍの薄膜を形成し、その上に
マグネフィト等の鉄酸化物を主体とする垂直磁化膜を被
着した、いわゆる２層垂直磁気記録媒体にも本発明を適
用できることはいうまでもない。
施例で用いたガラス以外に、ポリエステル、ポリイミド
などの有機ポリマー、あるいはＡ４などの金属を用いる
ことができる。また、基体の形状は、通常、長尺状もし
くは円板状とするが、必要に応じて任意の形状としても
よい。さらに、基体表面にパーマロイ等の高透磁率特性
を有する厚さ０．２〜２μｍの薄膜を形成し、その上に
マグネフィト等の鉄酸化物を主体とする垂直磁化膜を被
着した、いわゆる２層垂直磁気記録媒体にも本発明を適
用できることはいうまでもない。
さらに、以」二では、Ｉ（ｌ”スパッタ法による実施例
のみを示したが、真空蒸着法、ＣＶ Ｉ）法、マグネト
ロンスパック法、イオンビームスパッタ法など従来周知
のいずれの薄膜形成技術も使用可能である。
のみを示したが、真空蒸着法、ＣＶ Ｉ）法、マグネト
ロンスパック法、イオンビームスパッタ法など従来周知
のいずれの薄膜形成技術も使用可能である。
以上説明したところから明らかなように、本発明による
垂直磁化膜は製造方法が簡単であり、原料としては安価
な鉄又は鉄酸化物だけですみ、しかも磁気特性も良好な
ものを得ることができるうえに、膜そのものが金属と異
なり、酸化物であるため化学的安定性にすぐれ、したが
って耐久性も良好であり、実用上の利点は大きい。
垂直磁化膜は製造方法が簡単であり、原料としては安価
な鉄又は鉄酸化物だけですみ、しかも磁気特性も良好な
ものを得ることができるうえに、膜そのものが金属と異
なり、酸化物であるため化学的安定性にすぐれ、したが
って耐久性も良好であり、実用上の利点は大きい。
第１図、第２図は本発明の垂直磁気記録媒体の断面図、
第６図は本発明の垂直磁気記録媒体の製造に用いた高周
波スパッタ装置の概略説明図、第４図、第５図、第６図
は本発明の製造方法に工って得られた垂直磁化膜の磁気
特性を示す表図であるＯ 図において、 １・・・垂直磁化膜 ２・・・非磁性基板ろ・・・高透
磁率磁性材料薄膜 ４・・・真空容器 ５・・・真空排気管６・・・ガス導
入管 ７・・・金属電極８・・・非磁性基板 ９・・・
金属電極１０・・・スパッタ用ターゲット １１・・・マグネタイト膜 代理人弁理士 中村純之助 第１頁の続き ＠発明者 伊藤 由喜男 ＠発明者新原 散失 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内
第６図は本発明の垂直磁気記録媒体の製造に用いた高周
波スパッタ装置の概略説明図、第４図、第５図、第６図
は本発明の製造方法に工って得られた垂直磁化膜の磁気
特性を示す表図であるＯ 図において、 １・・・垂直磁化膜 ２・・・非磁性基板ろ・・・高透
磁率磁性材料薄膜 ４・・・真空容器 ５・・・真空排気管６・・・ガス導
入管 ７・・・金属電極８・・・非磁性基板 ９・・・
金属電極１０・・・スパッタ用ターゲット １１・・・マグネタイト膜 代理人弁理士 中村純之助 第１頁の続き ＠発明者 伊藤 由喜男 ＠発明者新原 散失 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８幡地 株式会社日立製作所
中央研究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）非磁性基体上に直接又は高透磁率磁性材料薄膜を
介して被着された垂直磁気異方性を有する鉄酸化物を主
体とする薄膜磁性体が形成されてなることを特徴とする
垂直磁気記録媒体。 （２、特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録１ｆ１
媒体において、前記鉄酸化物がＦｅ３Ｏ４、Ｆｅ０ｘ（
４ｘ口＜ Ｘ ＜ろ／２）又はｒ Ｆ ｅ ２０３であ
ることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （３）特許請求の範囲第１項又は第２項記載の垂直磁気
記録媒体において、前記薄膜磁性体の飽和磁束密度が５
００〜５０００ガウスであることを特徴とする垂直磁気
記録媒体。 （４）特許請求の範囲第１項、第２項又は第６項記載の
垂直磁気記録媒体において、前記薄膜磁性体の膜厚が０
．１〜１．０μｍであることを特徴とする垂直磁気記録
媒体。 （５）特許請求の範囲第１項、第２項、第６項又は第４
項記載の垂直磁気記録媒体において、前記薄膜磁性体は
前記基体に対して垂直な柱状晶構造を有するものである
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （６）特許請求の範囲第１項、第２項、第６項、第４項
又は第５項記載の垂直磁気記録媒体において、前記柱状
晶の直径が０．０２〜０．６μｍであることを特徴とす
る垂直磁気記録媒体。 （７）Ｆｅ３０４、Ｆｅ０ｘ（４ｘ口〈ｘ＜３／２）、
γ−Ｆｅ２Ｏ３の群のうちから選んだ少なくとも１種の
鉄酸化物をスパッタ用ターゲットとして、所定圧力に保
たれたＡｒ気流中、Ａｒと酸素の所定割合の混合気流中
もしくはＡｒと水素の所定割合の混合気流中でスパッタ
リングを行ない、非磁性基体上又は高透磁率磁性材料薄
膜を表面に有する非磁性基体の該高透磁率磁性材料薄膜
上に該非磁性基体に垂直な磁気異方性を有する前記鉄酸
化物の１種からなる薄膜磁性体を形成することを特徴と
する特点磁気記録媒体の製造方法。 （８）特許請求の範囲第７項記載の垂直磁気記録媒体の
製造方法において、前記非磁性基体側にアースを基準に
して、０〜−１８０■のバイアス電圧を印加しながらス
パッタリングを行なうことを特徴とする垂直磁気記録媒
体の製造方法。 （９） Ｆｅをスパッタ用ターゲットとして、所定圧力
に保たれだＡｒと酸素の所定割合の混合気流中でスパッ
タリングを行ない、非磁性基体又は高透磁率磁性材料薄
膜を表面に有する非磁性基体の該高透磁率磁性材料薄膜
上に該非磁性基体に垂直な磁気異方性を有する、Ｆｅ３
Ｏ４、Ｆｅ０ｘ（４／３〈ｘ〈３／２）、γ−Ｆｅ２０
３の群のうちから選んだ１種の鉄酸化物からなる薄膜磁
性体を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製
造方法。 （１０）％許請求の範囲第９項記載の垂直磁気記録媒体
の製造方法において、前記非磁性基体側にアースを基準
にして、Ｄ〜−１８０Ｖのバイアス電圧を印加しながら
スパッタリングを行なうことを特徴とする垂直磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200973A JPH0661130B2 (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200973A JPH0661130B2 (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095721A true JPS6095721A (ja) | 1985-05-29 |
| JPH0661130B2 JPH0661130B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=16433391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58200973A Expired - Lifetime JPH0661130B2 (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661130B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294109A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法及びそれを用いた記録再生装置 |
| EP1306834A1 (en) * | 2001-10-24 | 2003-05-02 | Toda Kogyo Corporation | Perpendicular magnetic recording medium |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451810A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Shiyunichi Iwasaki | Magnetic recording regenerative apparatus |
| JPS5754309A (ja) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Nec Corp | Sankabutsujiseihakumaku |
| JPS57167131A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-14 | Fujitsu Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS59148121A (ja) * | 1983-02-15 | 1984-08-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP58200973A patent/JPH0661130B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5451810A (en) * | 1977-09-30 | 1979-04-24 | Shiyunichi Iwasaki | Magnetic recording regenerative apparatus |
| JPS5754309A (ja) * | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Nec Corp | Sankabutsujiseihakumaku |
| JPS57167131A (en) * | 1981-04-03 | 1982-10-14 | Fujitsu Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS59148121A (ja) * | 1983-02-15 | 1984-08-24 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294109A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体とその製造方法及びそれを用いた記録再生装置 |
| EP1306834A1 (en) * | 2001-10-24 | 2003-05-02 | Toda Kogyo Corporation | Perpendicular magnetic recording medium |
| SG108872A1 (en) * | 2001-10-24 | 2005-02-28 | Toda Kogyo Corp | Perpendicular magnetic recording medium |
| US6916530B2 (en) | 2001-10-24 | 2005-07-12 | Toda Kogyo Corporation | Perpendicular magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0661130B2 (ja) | 1994-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5652054A (en) | Magnetic recording media having a magnetic thin film made of magnetic metals grains and nonmagnetic matrix | |
| CN103854674B (zh) | 具有减小的磁头保持间距、头介质间距或头到软底层间距的记录介质 | |
| JP2008071479A (ja) | 粒子間交換結合を増加させる交換スプリング記録構造および水平結合層を備えた垂直磁気記録媒体 | |
| JP2003016620A (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録装置および磁気記録方法 | |
| KR20080052376A (ko) | 입자간 교환 강화층을 포함하는 다층 기록 구조를 구비한수직 자기 기록 매체 | |
| JPS6063710A (ja) | 磁気ディスク媒体 | |
| KR20040076819A (ko) | 쓰기 지원층이 있는 자기 기록 매체 | |
| JPH11296832A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| US6686071B2 (en) | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using the same | |
| Chen | Fabrication and characterization of thin films with perpendicular magnetic anisotropy for high-density magnetic recording: Part II a review | |
| JPH056738B2 (ja) | ||
| JPS6095721A (ja) | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JP2012252774A (ja) | 倒立型Ｈｋ構造を有する垂直磁気記録媒体 | |
| Takai et al. | Magnetic properties of electroless-deposited NiFeB and electrodeposited NiFe alloy thin films | |
| JPS60101709A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JP3729763B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録装置 | |
| Chen et al. | Thin film media with and without bicrystal cluster structure on glass ceramic substrates | |
| Lairson et al. | Comparison of magnetic anisotropy and magnetization reversal in perpendicular recording media | |
| Schneider et al. | Fabrication and properties of Fe/Fe oxide and Co/Co oxide films | |
| JP2002063712A (ja) | 磁気記録媒体及びこれを用いた磁気記録装置 | |
| JPS61255533A (ja) | 垂直磁気記録媒体とその製造法 | |
| Yoshida et al. | Origin of perpendicular magnetic anisotropy of Co-CoO evaporated film | |
| Kitamoto et al. | Intergranular coupling and activation volume of Co-Ni ferrite thin films with high coercivity above 3 kOe | |
| JP2824998B2 (ja) | 磁性膜 | |
| JPH0337724B2 (ja) |