JPH0518169B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、コンピユータ等の外部記憶装置とし
て使用される磁気的記憶装置（磁気デイスク装
置）において、磁気記憶体として用いられる磁気
デイスクに関するものである。 〔従来の技術〕 例えば、コンピユータ等の記憶媒体としては、
ランダムアクセスが可能な円板状の磁気デイスク
が広く用いられており、なかでも、応答性に優れ
ること、保存性が良好で信頼性が高いこと等か
ら、基板にAl合金板やガラス板、プラスチツク
板等の硬質材料を用いた磁気デイスク、いわゆる
ハードデイスクが固定デイスク、あるいは部外デ
イスクとして使用されるようになつている。 この磁気デイスクは、例えば厚さ約２mm以下程
度の円板状アルミニウム合金を基板とし、この上
に1μｍ以下程度の厚さの磁性層を形成すること
により構成され、高速で回転した状態で上記磁性
層と微小な間隙を保つて磁気ヘツドを保持するこ
とにより同心円状の多数のトラツクに情報の記憶
再生を行うものである。 ところで、この種の磁気デイスクにおいては、
一般に磁性層は、γ−Fe₂O₃等の磁性粉をバイン
ダと混合し、これをデイスク基板にスピンコート
等の手法で塗布する方法や、Co−Ni、Co−Ni−
Pt等の合金を真空蒸着等の真空薄膜形成技術に
より薄膜化する方法、Co−Ｐ、Co−Ni−Ｐ等の
合金を無電解メツキ等の湿式方により薄膜化する
方法、等により形成されているが、なかでも、高
密度記録化や短波長記録化等に対応して、上記真
空薄膜形成技術により形成された金属磁性薄膜を
磁性層とする磁気デイスクの開発が進められてい
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、上述の真空薄膜形成技術で磁性
層を形成する場合には、抗磁力Hcを確保するた
めに、通常、斜め蒸着法によるのが一般的であつ
て、このため磁気デイスク面内における上記金属
磁性薄膜の配向性が問題となつている。 例えば磁気テープ等のような磁気記録媒体にお
いて長手記録を行う場合には、上記配向性があつ
てもかまわないが、磁気デイスクの場合には、配
向があると出力のエンベロープ波形のモジユレー
シヨンが大きく、使用が困難である。 このため、配向のない等方性の磁気デイスクが
要望されている。 そこで本発明は、前述のような当該技術分野の
実情に鑑みて提案されたものであつて、抗磁力
Hcや角形比が共に優れ、配向性のない磁気デイ
スク（ハードデイスク）を提供することを目的と
する。 〔問題点を解決するための手段〕 このような目的を達成するために、本発明は、
Al合金基板上にBiよりなる下地膜及び金属磁性
薄膜を順次形成し、且つ前記下地膜の膜厚を40〜
100Åとしたことを特徴とするものである。 本発明においては、磁気デイスクの磁性層を強
磁性金属材料を真空蒸着することにより被着形成
するが、ここではあらがじめ低融点金属下地膜を
形成しておき、この下地膜上に強磁性金属材料を
基板に対して垂直方向から真空蒸着して金属磁性
薄膜を磁性層として形成する。 上記下地膜を構成する低融点金属としては、
Biが挙げられる。このBiからなる下地膜を形成
しておくことにより、この上に被着される金属磁
性薄膜の抗磁力Hcが確保される。 また、上記磁性層形成のために用いられる強磁
性金属材料としては、Fe，Co，Ni等の金属、あ
るいはCo−Ni合金、Fe−Co合金、Fe−Co−Ni
合金、Fe−Co−Ｂ合金、Co−Ni−Fe−Ｂ合金
あるいはこれらにCr，Al，Pt，Ta，Ｗ，Ｖ等の
金属を添加したもの等が挙げられる。これら強磁
性金属材料は、Al合金基板に対して垂直方向か
ら蒸着されるので、蒸着効率や生産性が向上され
るばかりでなく、基板面内で配向性が生ずること
もない。 上述の低融点金属下地膜や金属磁性薄膜は、真
空蒸着法により形成されるが、その蒸着条件は、
１×10^-5Torr以下の真空度、基板温度140〜160
℃に設定することが好ましく、また、強磁性金属
材料の加熱法としては、抵抗加熱、電子ビーム加
熱、誘導加熱等の手法が採用される。 このように形成される低融点金属下地膜の膜厚
は、例えば低融点金属としてビスマスを使用した
場合には、40〜100Å程度、また金属磁性薄膜の
膜厚は、強磁性金属材料としてCo−Ni合金を使
用した場合に400〜1000Å程度に設定することが
好ましい。 一方、本発明の磁気デイスクの基板としては、
Al−Mg合金基板等のAl合金基板が使用される。
上記基板として、例えばプラスチツク基板を使用
すると、真空中での脱ガス量が多く、得られる金
属磁性薄膜中にこのガスが混入して磁気特性を低
下させる虞れがある。 また、上記Al合金基板は、硬度が50〜70と比
較的軟らかいの、表面を硬くする被磁性金属下地
を層形成しておくことが好ましい。 上記非磁性金属下地層の材質として、Ni−Ｐ
合金、Cu，Cr，Zn，ステンレス等が好ましい。
これらのメツキ，スパツタリング、蒸着等の手法
により基板表面に４〜20μｍ程度の膜厚で被着す
る。例えば、Al−Mg合金基板の表面にNi−Ｐメ
ツキを施すと、この硬度は400程度になり、この
基板上に形成した金属磁性薄膜の磁気特性は、プ
ラスチツク基板上に金属磁性薄膜を形成した場合
よりも優れたものとなる。 ところで、上述の磁気デイスクに対して記録再
生を行う場合には、操作開始時に磁気ヘツドと磁
性層面とを接触状態で装着した後、上記磁気デイ
スクに所要の回転を与えることによりヘツドと磁
性層面との間に微小な空気層を形成し、この状態
で記録再生を行うCSS方式（コンタクト・スター
ト・ストツプ方式）によるのが一般的である。こ
のようなCSS方式では、磁気ヘツドは、操作開始
時や操作終了時には磁性層面と接触摩擦状態にあ
り、大きな衝撃が加わるので、上記磁性層の走行
性や耐久性等に悪影響を及ぼす虞れがある。 そこで、上記磁気デイスクの走行性や耐久性を
改善し、さらに金属磁性薄膜の耐蝕性を向上させ
るために、上記金属磁性薄膜表面に保護膜を形成
してもよい。 上記保護膜の形成方法としては、通常手法であ
れば如何なるものであつてもよいが、例えば真空
薄膜形成技術により炭素薄膜を形成する方法、金
属磁性薄膜の表面付近のみを酸化して金属酸化物
に変える方法、比較的硬度の高いRh，Cr等をメ
ツキして金属膜を形成する方法、Si，Ti等の酸
化物、炭化物、窒化物をスパツタリングやイオン
プレーテイング等の真空薄膜形成技術により形成
する方法、Si，Ti等のアルコキシドを塗布後熱
分解してこれらの酸化物の薄膜を形成する方法、
金属磁性薄膜表面に有機高分子薄膜を形成する方
法等が挙げられる。また、脂肪酸や脂肪酸エステ
ル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族アルコー
ル、パラフイン、シリコーン、フツ素系界面活性
剤等の摩擦係数の比較的小さい物質の薄膜を潤滑
膜として形成してもよい。 〔作用〕 このように本発明の磁気デイスクにおいては、
基板にあらかじめ所定薄膜のBi下地膜を被着し
た後、基板に対して垂直方向から真空蒸着するこ
とにより金属磁性薄膜が形成されているので、磁
性層に配向性が生ずることはなく、また基板に
Al合金基板を用いているので、抗磁力Hcや角形
比も確保される。 〔実施例〕 以下、本発明の具体的な実施例について説明す
るが、本発明がこの実施例に限定されるものでな
いことは言うまでもない。 実施例 第１図に示すように、非磁性金属下地層として
厚さ15μｍのNi−Ｐ合金のメツキ層２，２を両面
に形成したAl合金基板１（外径95mm、内径25mm）
を用意し、このメツキ層２，２上に圧力１×
10^-5Torr、基板温度150℃の条件でBiを電子ビー
ム蒸着して低融点金属下地膜３，３を形成した。 次いで、この下地膜３，３上に、同様に圧力１
×10^-5Torr、基板温度150℃の条件で、基板１面
に対して垂直方向からCo−Ni合金（Co：Ni＝
65：35）を電子ビーム蒸着し、金属磁性薄膜４，
４を被着形成した。 さらに、上記金属磁性薄膜４，４上に、保護膜
として薄膜200〜500Åのカーボン保護膜５，５を
形成し、磁気デイスクを作製した。 なお、上記低融点金属下地膜３，３及び金属磁
性薄膜４，４の膜厚は、次表に示すような条件と
し、それぞれの条件でサンプルデイスクを作製し
た。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明の磁
気デイスクにおいては、磁性層である金属磁性薄
膜を基板面に対して垂直方向からの真空蒸着法に
より形成しているので、配向性が生ずることはな
く、出力変動の少ない良好な記録再生を行うこと
が可能である。 また、本発明の磁気デイスクは、基板として
Al合金基板を用い、さらに金属磁性薄膜の下地
膜としてBiよりなり厚さ40〜100Åの下地膜を設
けてあるので、抗磁力Hcや角形比の優れたもの
となり、高密度記録や短波長記録等に対応するこ
とが可能となつている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気デイスクの一実
施例の構成を示す要部拡大断面図、第２図は本発
明の実施例においてBiやCo−Niの膜厚を変えた
時の抗磁力Hcの変化を比較例のそれと較べて示
す特性図、第３図は本発明の実施例においてBi
やCo−Niの膜厚を変えた時の角形比の変化を比
較例のそれと較べて示す特性図である。 １……Al合金基板、２……メツキ層（非磁性
金属下地層）、３……低融点金属下地膜、４……
金属磁性薄膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ Al合金基板上にBiよりなる下地膜及び金属
   磁性薄膜を順次形成し、且つ前記下地膜の膜厚を
   40〜100Åとしたことを特徴とする磁気デイスク。