JPH02141918A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気テープに使用して有効な磁気記録媒体に関
するものである。

従来の技術 近年、磁気記録技術の発展はめざましく、記録密度の向
上、とりわけ装置の小型化、高性能化。

多機能化に於ける進歩は著しく、この傾向は今後も続く
ことが予測され１重要な要素である磁気メディアは薄膜
磁気記録層、垂直磁化薄膜の採用に向って改良が進めら
れている。

垂直磁化薄膜ばＣｏ−０ｒスパツタ膜に代表され、Ｎ１
−ＦａとＣｏ−０ｒのいわゆる積層２層媒体と単磁極ヘ
ッドの組み合わせでは、５８０ＫＦＲＰＩの記録再生が
報告され〔アイイーイーイー　トランザクションズ　オ
ン　マグネティクス（ＩＩＣＫＥＴＲＡＮＳムＣＴｌ０
ＮＳ　　ＯＮ　　ＭＡＧＮＫＴＩＣ８）ｖｏｇ　、ＭＡ
Ｇ−２３、Ｎ［１５２０７２（１９８７）　］るに至っ
ている一方、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗｂ単層膜とリングヘッドの
既存のインターフェース技術によっての高密度化も確認
され〔特開昭６１−７７１２８号公報〕実用化への期待
が高まってきている。

実用化にあたって今日重要なテーマは、耐久性に優れ、
記録性能の良好な磁気ディスク、磁気テープ等の磁気記
録媒体を再現よく、高速で製造する技術の確立であると
いえる。かかる事情に鑑み、電子ビーム蒸着技術〔アイ
イーイーイー　トランザクションズ　オン　マグネティ
クス（ＩＩ！ＲＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　　ＯＮ　
　ＭＡＣＮＥＴＩＯ８）Ｖｏｌ、ＭＡ−２３、Ｎ［１５
２４４９（１９８７）］　、ｌ。

バッタリング法〔同誌２４４３頁（１９８了）〕が中心
に検討されている。

発明が解決しようとする課題 現状では高速性では周知の如く、電子ビーム蒸着法が圧
倒的に優位にあるというものの、性能確保の為に２００
’Ｃ以上のベースフィルム加熱が必要なことから芳香族
ポリアミドやポリイミドフィルム等の耐熱フィルムに頼
らざるを得ない。又Ｔｉ、８ｉ、Ｇｏ等の下地を配する
ことで垂直配向性の改善がなされることは知られるが、
フィルム温ｉをポリエステルフィルムが使用できるレベ
ルまで下げることはできていない。従って１表面制御技
術、延伸技術等磁気記録媒体用のベースフィルムとして
実績の十分あるポリエステルフィルムを用いて高性能な
垂直磁気記録媒体を得ることは重要な課題である。

本発明は上記した事情に鑑みなされたもので。

ポリエステルフィルムを用いた高性能な垂直磁気記録用
の磁気記録媒体を提供するものである。

課題を解決するための手段 本発明の磁気記録媒体は上記した課題を解決するためポ
リエステルフィルム上にＺｎ又はｃｄ　を含むＴ１薄膜
を形成した上にＣｏ系合金垂直磁化膜を配したものであ
る。

作用 本発明の磁気記録媒体は上記した構成によシ。

ＣＯ系合金薄膜の結晶成長初期にＺｎ又はＣｄがわずか
に拡散し、ｈ、ｃ、ｐ、結晶成長を助けることで、積極
的に加熱しなくても良好な磁気記録性能が得られること
になるのでポリエステルフィルムが使える。

実施例 以下１図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。図は本発明の実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
である。図で１は、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
エチレンナフタレートフィルムに代表されるポリエステ
ルフィルムであルカ。

本発明の作用効果は他のフィルムを用いても同じであり
、それを拒むものではない。２は耐久性向上の目的で、
配した微粒子塗布層やミミズ状下塗シ層で、３はＴｉ−
Ｚｎ又はＴｉ−Ｃｄ下地層で、Ｔ１を主体とし、Ｚｎ又
はＣａは３〜１６原子％の範囲が好ましい。Ｚｎ又はＣ
ｄが３原子％以下では結晶成長を助ける効果が弱まシ、
不均一性がもたらすノイズが増大しはじめるのと、１６
原子％を越えると、付着強度が弱まり、スチル耐久性に
不均一性がみられるようになることからこの範囲で構成
するのが好ましい。Ｔｉ−Ｚｎ又はＴｉ−Ｃ（１の製膜
は、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法のいずれで実
施しても作用効果上格別の差異はみられない。

４はＣｏ−０ｒ　、Ｇｏ−Ｔａ　、ｃｏ　−Ｔ　ｉ　、
　Ｃｏ−Ｒｕ　、　Ｃ。

−Ｗ、Ｇｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗｂ等のｃｏ系合金垂
直磁化膜で電子ビーム蒸着法、イオンブレーティング法
、スパッタリング法等の方法で形成したものが適する。

６は保護潤滑層で、プラズマ重合膜、酸化膜。

カーボン膜、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸の金属塩
、パーフルオロカルボン酸、防錆剤などを適宜選択し組
み合わせたものでスペーシング損失を考慮して１００人
から３ｏＯ人までの実効厚み内で構成するのが好ましい
。本発明の実施態様はディスク状、テープ状、カード状
のいずれでもよいが、テープ状の実施例について更に具
体的な例について比較例との対比で説明する。

実施例−１ 厚み１０μｍのポリエチレンテレフタシートフィルム上
尾直径９０人のＴｉｅ２微粒子を１８ケ’（ｐｍ）２配
し　３Ｘ１０　　（Ｔｏｒｒ）中で入射角度１０度以内
テ、　Ｔｉ−Ｚｎ　（Ｚｎ　、６１Ｌｔ％）を３５０人
電子ビーム蒸着し、引き続き、直径５Ｑｍの円筒キャン
（キャン温度６０℃）に沿わせて、６Ｘ１０　　（Ｔｏ
ｒｒ）で入射角７度以内で、Ｇｏ−Ｃｒ（ｃｏ：ｓｏｗ
ｔ％）を１６００Å電子ビーム蒸着しその上にパーフル
オロミリスチン酸を１・ｓｓｙ／ｗ’蒸着して８ミリテ
ープとした。

実施例−２ 実施例−１で、Ｔｉ−Ｚｎの代シにＴｉ−（、！（Ｃｄ
：８ａｔ％）を３００人電子ビーム蒸着し、他は同じ構
成とし８ミリテープを得た。

実施例−３ 実施例−１でＧｏ−Ｃｒの代りにＧｏ−Ｔｉ（Ｇｏ。

８０．２ｗｔ％）を用い他は同じ条件で８ミリテ−プを
得た。

比較例−１ 厚み１０μｍの芳香族ポリアミドフィルム上に。

直径９０人のＴｉｅ２微粒子を１７ケ／Ｃｐ工）２配し
、３Ｘ１０　　（Ｔｏｒｒ）で入射角８度以内でチタン
を４００人電子ビーム蒸着し、直径５Ｑｍの円筒キャン
（キャン温度６０’Ｃ）に沿わせて、　５　Ｘ　１０　
　（Ｔｏｒｒ）で入射角６度以内でＣｏ−ｃｒ（ｃｏ：
５ｏｆｔ％）を電子ビーム蒸着し、更にその上にパーフ
ルオロミリスチン酸を１．４〜／は真空蒸着し８ミリテ
ープとした。

比較例−２ 比較例−１でＣｏ−Ｃｒ垂直蒸着時のキャン温度を２３
０℃とし他は同じ条件で８ミリテープを得た。

上記した各テープを改造した８ミリビデオによシギャッ
プ長０．１８μｍのセンダストスパッタ膜を用いたメタ
ルインギャップ型ヘッドで、ビット長０．２４μｍの記
録再生を行いＣ／Ｎを比較した。

比較例−２をｏ（ｄＢ）とすると、比較例−１ば−５，
３（（ｉＢ）、実施例−１、−２、−３は夫々。

＋０．６　、　＋０．５　、　Ｏ（（１Ｂ　）テあった
。

更に高密度条件でギャップ長０．１２μｍのメタルイン
ギャップ型ヘッドでビット長０．１６μｍの記録再生を
行いＣ／Ｎを比較した。比較例−２を０（ｄＢ）とする
と、比較例−１ｆｊ　−７，３（ｄＢ）。

実施例−１、−２、−３の夫々＋０．９　、　＋０．８
　。

−０，２（ｄＢ）であった。

発明の効果 以上のように本発明によれば、ポリエステルフィルム上
に高性能な垂直磁化膜を構成できるといったすぐれた効
果がある。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 １・・・・・・ポリエステルフィルム＋２・・・・・・
微粒子塗布層、３−・−・−Ｔ１−Ｚｎ　（又／ｊｉＴ
ｉ−Ｃｄ）膜、４・・・・・・Ｃｏ系合金垂直磁化膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ポリエステルフィルム上にＴｉ−Ｚｎ又はＴｉ−Ｃｄの
   下地層を配し、Ｃｏ系合金垂直磁化膜を配したことを特
   徴とする磁気記録媒体。