JPH02141926A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気テープ等に使用して有効な磁気記録媒体の
製造方法に関するものである。

従来の技術 近年、磁気記録技術の発展はめざましく、記録密度の向
上、とりわけ装置の小型化、高性能化。

多機能化に於ける進歩は著しく、この傾向は今後も続Ｘ
ことが予測され、重要な要素である磁気メディアは薄膜
磁気記録層、垂直磁化薄膜の採用に向って改良が進めら
れている。

垂直磁化薄膜はＣｏ−０ｒ　　スパッタ膜に代表され、
Ｎｉ−ＦｅとＣｏ−０ｒのいわゆる積層二層媒体と単磁
極ヘッドの組み合わせでは、６８０ＫＦＲＰＩの記録再
生が報告され〔アイイーイーイートランザクションズオ
ンマグネティクス（ＩＥＥＥＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
　　ＯＮ　　ＭＡＧＮＥＴＩＣ３）ｖｏｌ、ＭＡＧ−２
３，Ａ５　２０７２（１９８７））るに至っている一方
、Ｇｏ−Ｃｒ−Ｎｂ単層膜とリンクヘッドの既存のイン
ターフェース技術によっての高密度化も確認され〔特開
昭６１−７７１２８号公報〕号公報への期待が高まって
きている。

実用化にあたって今日重要なテーマは、耐久性に優れ、
記録性能の良好な磁気ディスク、＠気テープ等の磁気記
録媒体を再現よく、高速で製造する技術の確立であると
いえる。かかる事情に鑑み、電子ビーム蒸着技術〔アイ
イーイーイー　トランザクションズオンマグネティクス
（ＩＥＥＫ　ＴＲＡＮＳＡＣ−ＴＩＯＮＳ　　ＯＮ　　
Ｍ人ＧＮＩＣＴＩＣ３）ｖｏｌ、ＭＡ−２３Ａｓ　　２
４４９（１９８７））スパッタリング法〔同誌２４４３
頁（１９８γ）〕が中心に検討されている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法で
満足な記録再生特性を有するＧｏ−Ｏｒ垂直磁化膜等の
垂直磁化膜を形成するには、ベースフィルムの温度を２
００Ｃ程度にする必要がある。この条件は、汎用性の高
いポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステ
ルフィルムを用いて磁気記録媒体を製造できないことに
なり、経済性と性能の両面で優れたポリエステルフィル
ムが使用可能となる製造方法を見い出すことは重要な課
題である。

本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、低温で高
性能な垂直磁化膜を形成する方法を提供するものである
。

課題を解決するための手段 上記した課題を解決するため、本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、ＣＯ系合金垂直磁化膜の形成時にＫｒ又は
Ｘｅの多価イオン照射を行うようにしたものである。

作用 本発明の磁気記録媒体の製造方法は上記した構成により
、活性なＫｒ又はＸｓイオンが、ＣＯ系合金垂直磁化膜
のり、ｃ、Ｐ、結晶配向性の改善を行い、多価イオンで
あることから、照射密度を増大させなくても、電子を集
める作用が大きく、この点でも低温結晶成長を促進する
ことになり、磁、気記録膜として雑音レベルを改善でき
、Ｃ／Ｎを増大せしめることが可能になる。

実施例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。図は本発明の製造方法によって製造される磁気記
録媒体の拡大断面図である。

図で１はポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナ
フタレート等のポリエステルフィルムであるが、後述す
る作用効果は他のポリフェニレンサルファイド、ポリア
ミド等の使用に於ても同様に得られるものであるから、
その使用を特に阻むものではない。２はτｉ０２．Ｃａ
ＣＯ３，５ｉｎ２゜ＣｄＯ，ＺｎＯ等の微粒子やミミズ
状の隆起によって形成される微細な突起群で主として耐
久性向上目的で配すものであるから、保護膜のみの耐久
性で十分な場合はなくしてもよい。３はＧｏ−Ｏｒ。

Ｃｏ−Ｔｉ　、Ｃｏ−Ｔａ　、Ｃｏ−Ｗ、Ｇｏ−Ｍｏ　
。

Ｇｏ−Ｒｕ、Ｃｏ−０ｒ−Ｎｂ等のＣｏ系合金垂直磁化
躾で、チタン、Ｓ＝、Ｇｏ等の下地層を介して形成して
もよい。Ｃｏ　系合金垂直磁化膜の形成は、電子ビーム
蒸着法、イオンプ、レーティング法、スパッタリング法
等のいずれかと、Ｋｒ又はＸｓ　　の多価イオン照射を
組み合わせて実施されるもので、イオン密度は成膜速度
を１００（入／！！６１０）〜１６、ｏｏｏ（人／５ｅ
ａ）の範囲では、成膜速度の１／１０３〜１／１０５（
μム／ｉ）でよく、加速電圧は、Ｃｏ系合金膜に照射さ
れる状態でのエネルギーが１０〜５００（６マ）が好ま
しい。Ｋｒ。

Ｘａの多価イオンの生成は、Ｂｒ　、Ｉの放射性同位元
素がβ崩壊する時点で、生成されるものを利用するのが
好ましく、エネルギーをそろえるために、電磁界でフィ
ルターをかけてもよいが、１０〜５００（６マ）の範囲
になるように適当な電圧をかけて生成イオンを大部分利
用してもよい。多価イオンの価数としては、１６価以上
が好ましい。

４は保護潤滑層で、プラズマ重合膜、カーボン膜。

５１０２膜、ＭＯ８２膜、ｗｅ膜や脂肪酸、脂肪酸アミ
ド、パーフルオロポリエーテル等から選んで組み合わせ
ればよい。本発明はテープ状、ディスク状に応じて他の
公知の構成をとるのは自由である。

以下、更に具体的に得られた磁気記録媒体の性能比較で
本発明について比較例との対比で説明する。

実施例−１ 厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直径９０人のＣｒ２Ｏ，微粒子を１６ケ／（μｍ）２
配し、その上に直径６０ｃｒｎ　の円筒キャン（キャン
温度５０’Ｃ）に沿わせて、Ｇｏ−Ｃｒ（Ｃｏ：ｓｏｗ
ｔ％）を入射角６度以内、真空度：　３Ｘ１０−６（Ｔ
ｏｒｒ）、蒸着速度ｅｏｏｏ（人／　ｓ　ｅ　ｃ　）で
電子ビーム蒸着し、１９００（入）の垂直磁化膜を形成
した。その際、放射性同位元素工がβ崩壊して得られる
Ｘｓの多価イオンを照射した。イオンは、３６価イオン
が２４チ、３６価イオンが６７係、３７価イオンが１９
係含まれるもので、電流密度は０，３（μ人／ｃｒｌ’
）とし、加速電圧は９０（Ｖ）とした。Ｇｏ−Ｃｒ膜の
上にパーフルオロアラキン酸を０．９　（η／−）塗布
し、０．４（μｍ）のバックコート層を配し８ミリテー
プとした。

実施例−２ 実施例−１で、Ｃｏ−０ｒの蒸着速度を３６００（人／
５ｅａ）とし、放射性同位元素Ｂｒがβ崩壊して得られ
るＫｒの多価イオン〔２０価イオンが１５％２１価イオ
ンが２０係、２２価イオンが３７％、２３価イオンが２
４％、２４価イオン４チ〕を１６５（Ｖ）加速１．２（
μ人／ｃｆＩ）照射で、照射した以外は同じ条件で８ミ
リテープを得た。

実施例−３ 実施例−１でＸｓイオンを３６価イオン０．２（μＡ／
１）Ｋｒイオンを２２価イオｙｏ、２μＡを混合して１
２０（Ｖ）で照射した以外は同じ条件で８ミリテーグを
得た。

比較例−１ 実施例−１でイオン照射を行わずにＧｏ−Ｃｒ蒸着を行
って、他は同じ条件で８ミリテープを得た。

比較例−２ 比較例−１で、Ｘｅの１価のイオンを１（μ入／−）で
３　（Ｋ６Ｖ）で照射した以外は同じ条件で８ミリテー
プを得た。

比較例−３ 厚み１０μｍのポリイミドフィルムを用い、キャン温度
を２１０℃で、他は比較例−１と同じ条件で８ミリテー
プを得た。

上記したテープを改造した８ミリビデオによりＣ／Ｎを
評価した。ギャップ長０．１８μｍのセンダストスパッ
タメタルインギャップ型ヘッドでビット長０．２２μｍ
を記録再生し比較例−３を０（ｄＢ）とし特性比較した
結果は次の表のようであった。

（以　下　余　白） １・・・・・・ポリエステルフィルム、３・・・・・Ｃ
Ｏ系合金垂直磁化膜。

代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名画比
較例−２との対比では、経時変化が実施例は小さく、そ
のことは同じ電流密度でも実際のＫｒやＸｅの原子数が
少くできることからきていると考えられるものである。

発明の効果 以上のように本発明によれば、低温で垂直磁化膜を形成
することができ、良好な磁気記録媒体を製造できるとい
ったすぐれた効果がある。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の製造方法により得ることのできる磁気記録
媒体の拡大断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｃｏ系合金垂直磁化膜の形成時に、Ｋｒ又はＸｅの多価
   イオン照射を行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造
   方法。