JPS61240429A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61240429A JPS61240429A JP8208385A JP8208385A JPS61240429A JP S61240429 A JPS61240429 A JP S61240429A JP 8208385 A JP8208385 A JP 8208385A JP 8208385 A JP8208385 A JP 8208385A JP S61240429 A JPS61240429 A JP S61240429A
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- JP
- Japan
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- thin film
- magnetic recording
- recording medium
- film
- ferromagnetic metal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば磁気ディスク、磁気テープ等に使用さ
れる磁気記録媒体に関する。
れる磁気記録媒体に関する。
本発明は、基体上に低融点金属下地膜及び強磁性金属ｍ
膜を順次形成して成り、高抗磁力及び高角形比を有する
磁気的に面内等方性の磁気記録媒体において、その強磁
性金属薄膜の表面の凹凸を適度に小さくすることによっ
て、雑音を低減してＳ／Ｎを改善し、同時に耐久性を向
上させるようにしたものである。
膜を順次形成して成り、高抗磁力及び高角形比を有する
磁気的に面内等方性の磁気記録媒体において、その強磁
性金属薄膜の表面の凹凸を適度に小さくすることによっ
て、雑音を低減してＳ／Ｎを改善し、同時に耐久性を向
上させるようにしたものである。
近年、磁気記録の高密度化の目的で薄膜磁気記録媒体に
ついての研究が盛んである。このような磁気記録媒体と
して、斜め蒸着法によることなく、はぼ垂直蒸着によっ
ても高い抗磁力及び高い角形比を有する磁気記録媒体が
提案されている。この磁気記録媒体は、非磁性基体上に
Ｂｉ、 Ｇａ、 Ｓｎ、等の非磁性の低融点金属による
下地膜を被着した後、この下地膜上にｒｅ、 Ｃｏ、
Ｎｉ等の金属、又はそれらの合金（例えばＧｏ−Ｎｉ）
等による強磁性金属薄膜を被着形成して構成される。こ
の磁気記録媒体では強磁性金属薄膜が垂直蒸着で形成さ
れるため、強磁性金属薄膜の配向性がなく、磁気的に面
内等方性である。磁気ディスクの場合、配向があると出
力のエンベロープ波形のモジュレーションが大きく使用
が困難である。このため、配向性のない上記の磁気記録
媒体は磁気ディスクに通用して好適である。
ついての研究が盛んである。このような磁気記録媒体と
して、斜め蒸着法によることなく、はぼ垂直蒸着によっ
ても高い抗磁力及び高い角形比を有する磁気記録媒体が
提案されている。この磁気記録媒体は、非磁性基体上に
Ｂｉ、 Ｇａ、 Ｓｎ、等の非磁性の低融点金属による
下地膜を被着した後、この下地膜上にｒｅ、 Ｃｏ、
Ｎｉ等の金属、又はそれらの合金（例えばＧｏ−Ｎｉ）
等による強磁性金属薄膜を被着形成して構成される。こ
の磁気記録媒体では強磁性金属薄膜が垂直蒸着で形成さ
れるため、強磁性金属薄膜の配向性がなく、磁気的に面
内等方性である。磁気ディスクの場合、配向があると出
力のエンベロープ波形のモジュレーションが大きく使用
が困難である。このため、配向性のない上記の磁気記録
媒体は磁気ディスクに通用して好適である。
しかし乍ら、かかる磁気記録媒体においては、抗磁力、
角形比等の磁気特性の面では優れているも、電磁変換特
性の面ではやや雑音が大きく、Ｓ／Ｎが悪いという問題
点があった。
角形比等の磁気特性の面では優れているも、電磁変換特
性の面ではやや雑音が大きく、Ｓ／Ｎが悪いという問題
点があった。
本発明は、上述の点に鑑み、この種の磁気記録媒体にお
いて、高いＳ／Ｎが得られ、且つ耐久性に優れた磁気記
録媒体を提供するものである。
いて、高いＳ／Ｎが得られ、且つ耐久性に優れた磁気記
録媒体を提供するものである。
本発明者は、種々の実験を重ねた結果、雑音の原因が強
磁性金属Ｗｌ膜表面の凹凸にあることを見出した。即ち
、第４図に示すように基体（１）上に低融点金属の下地
膜（２）を被着し、この下地膜（２）上に強磁性金属ｗ
／＃膜（３）を形成して磁気記録媒体（４）を構成した
場合、その強磁性金属薄膜（３）の表面に凹凸が生ずる
。この凹凸は、下地膜臼）を構成する低融点金属が完全
に平滑な膜とはならず、表面張力により図示のように直
径５００人〜１０００人程度の半球状粒子となり、この
上に強磁性金属薄膜（３）が被着されるために生じるも
のである。この凹凸が大きいと、雑音が大きくなり、電
磁変換特性に悪影響を及ぼす。
磁性金属Ｗｌ膜表面の凹凸にあることを見出した。即ち
、第４図に示すように基体（１）上に低融点金属の下地
膜（２）を被着し、この下地膜（２）上に強磁性金属ｗ
／＃膜（３）を形成して磁気記録媒体（４）を構成した
場合、その強磁性金属薄膜（３）の表面に凹凸が生ずる
。この凹凸は、下地膜臼）を構成する低融点金属が完全
に平滑な膜とはならず、表面張力により図示のように直
径５００人〜１０００人程度の半球状粒子となり、この
上に強磁性金属薄膜（３）が被着されるために生じるも
のである。この凹凸が大きいと、雑音が大きくなり、電
磁変換特性に悪影響を及ぼす。
そこで、本発明は第１図に示すように基体（１）上に低
融点金属下地膜（２）及び強磁性金属薄膜（３）を順次
形成してなる磁気記録媒体（５）において、その強磁性
金属Ｓ膜（３）の凹凸の直径２Ｒを５００Å以下、又は
高さｈを３００Å以下に選定するようになす。
融点金属下地膜（２）及び強磁性金属薄膜（３）を順次
形成してなる磁気記録媒体（５）において、その強磁性
金属Ｓ膜（３）の凹凸の直径２Ｒを５００Å以下、又は
高さｈを３００Å以下に選定するようになす。
本発明においては、低融点金属下地膜（２）及び強磁性
金属Ｓ膜（３）を、真空蒸着法、スパッター法或はイオ
ンブレーティング法等により形成するものであるが、こ
こではあらかじめ低融点金属下地膜（２）を形成してお
き、この下地ｌｉｔ （２）上に強磁性金属材料を基体
（１）の面に対してほぼ垂直方向から被着して強磁性金
属薄膜（３）を形成する。
金属Ｓ膜（３）を、真空蒸着法、スパッター法或はイオ
ンブレーティング法等により形成するものであるが、こ
こではあらかじめ低融点金属下地膜（２）を形成してお
き、この下地ｌｉｔ （２）上に強磁性金属材料を基体
（１）の面に対してほぼ垂直方向から被着して強磁性金
属薄膜（３）を形成する。
上記基体（１）としては、例えばポリエチレンテレフタ
レート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等
の高分子フィルム、ガラス、セラミック、サファイア、
或はＡＩ、＾！合金などの金属板、等を用いることがで
きる。
レート、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等
の高分子フィルム、ガラス、セラミック、サファイア、
或はＡＩ、＾！合金などの金属板、等を用いることがで
きる。
上記下地膜（２）を構成する低融点金属としては、３０
０℃以下の融点を有するものでよく、例えばＢｉ。
０℃以下の融点を有するものでよく、例えばＢｉ。
Ｇａ＋ Ｇａ−Ｉｎ、 Ｓｎ＋ Ｉｎ等の非磁性金属を
用いることができる。これら低融点金属からなる下地膜
を形成しておくことにより、この上に被着される強磁性
金属ｓｇ＊の抗磁力Ｈｃ及び角形比Ｒｓを高めることが
できる。
用いることができる。これら低融点金属からなる下地膜
を形成しておくことにより、この上に被着される強磁性
金属ｓｇ＊の抗磁力Ｈｃ及び角形比Ｒｓを高めることが
できる。
また、上記強磁性金属＠ ＭｆＡ（３）を構成する強磁
性金属材料としては、Ｃｏ＋ Ｆｅ、 Ｎｉ等の金属、
或いはこれらの合金、例えばＣｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、
Ｇｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金酸いはこれらにＣｒ＋ ＡＩ
ｔ Ｐｔ、 Ｔａ、 Ｗ、 Ｖ等の金属を添加したもの
等を用いることができる。
性金属材料としては、Ｃｏ＋ Ｆｅ、 Ｎｉ等の金属、
或いはこれらの合金、例えばＣｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、
Ｇｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金酸いはこれらにＣｒ＋ ＡＩ
ｔ Ｐｔ、 Ｔａ、 Ｗ、 Ｖ等の金属を添加したもの
等を用いることができる。
而して、強磁性金属薄膜（３）の表面の凹凸を小さくす
る処理としては、下地１ｉＪ （２）を構成する半球状
金属粒子の径を小さくする方法、或いは強磁性金属薄膜
（３）を形成した後に圧力をかけて機械的に表面を平滑
にする方法がある。前者の手段としてはイオンブレーテ
ィング法により下地膜（２）を形成することが有効であ
り、後者の手段としてはカレンダー処理が有効である。
る処理としては、下地１ｉＪ （２）を構成する半球状
金属粒子の径を小さくする方法、或いは強磁性金属薄膜
（３）を形成した後に圧力をかけて機械的に表面を平滑
にする方法がある。前者の手段としてはイオンブレーテ
ィング法により下地膜（２）を形成することが有効であ
り、後者の手段としてはカレンダー処理が有効である。
従って、本発明では、イオンブレーティング法による下
地膜の形成、又はカレンダー処理、又は両者を組合せた
処理を用い得る。
地膜の形成、又はカレンダー処理、又は両者を組合せた
処理を用い得る。
第２回はイオンブレーティング法によって例えばＧａ−
２５％原子Ｉｎによる下地ｌｉｔ （２）を形成した場
合のイオン化電流と膜表面にできる半球状金属粒子の直
径の関係を示すグラフである。イオン化方法はアーク放
電式を用いた。これは熱電子放射用フィラメントに流す
電流と、イオン電極へ印加する電圧の大きさでイオン化
率が制御される。イオン化率が大きくなるとイオン化電
流も大きくなる。
２５％原子Ｉｎによる下地ｌｉｔ （２）を形成した場
合のイオン化電流と膜表面にできる半球状金属粒子の直
径の関係を示すグラフである。イオン化方法はアーク放
電式を用いた。これは熱電子放射用フィラメントに流す
電流と、イオン電極へ印加する電圧の大きさでイオン化
率が制御される。イオン化率が大きくなるとイオン化電
流も大きくなる。
この第２図から明らかなように、イオン化電流が大きく
なると、下地膜（２）を構成する半球状金属粒子の直径
が小さくなる。
なると、下地膜（２）を構成する半球状金属粒子の直径
が小さくなる。
第３図はカレンダー処理時の圧力と強磁性金属薄膜表面
の凹凸の高さｈの関係を示すグラフである。このカレン
ダー処理は金属ローノ（間に磁気記録媒体を通過させて
行う、このときの移動速度は約１０ｍ／ｓｉｎである。
の凹凸の高さｈの関係を示すグラフである。このカレン
ダー処理は金属ローノ（間に磁気記録媒体を通過させて
行う、このときの移動速度は約１０ｍ／ｓｉｎである。
この第３図から明らかなように、圧力が高くなるにつれ
て、凹凸の高さが減少し平滑になっていくことが判る。
て、凹凸の高さが減少し平滑になっていくことが判る。
本発明において、強磁性金属薄膜表面の凹凸の条件とし
ては、雑音を低減させるために、その凹凸の直径２Ｒを
５００Å以下、又は凹凸の高さｈを３００Ａ以下に選定
するものであるが、下限値は耐久性の点から凹凸の直径
２Ｒを５０人程度、又は凹凸の高さｈを２０人程度に選
定することが好ましい。
ては、雑音を低減させるために、その凹凸の直径２Ｒを
５００Å以下、又は凹凸の高さｈを３００Ａ以下に選定
するものであるが、下限値は耐久性の点から凹凸の直径
２Ｒを５０人程度、又は凹凸の高さｈを２０人程度に選
定することが好ましい。
本発明の磁気記録媒体においては、基体（１）上に非磁
性の低融点金属下地膜（２）を被着して後、基板（１）
に対して垂直方向から蒸着、スパッタリング或いはイオ
ンブレーティングすることによって強磁性金属薄膜（３
）が形成されているので、強磁性金属薄膜（３）に配向
性が生ずることなく、従って磁気的に面内等方性であり
、且つ高い抗磁力及び高い角形比が確保される。
性の低融点金属下地膜（２）を被着して後、基板（１）
に対して垂直方向から蒸着、スパッタリング或いはイオ
ンブレーティングすることによって強磁性金属薄膜（３
）が形成されているので、強磁性金属薄膜（３）に配向
性が生ずることなく、従って磁気的に面内等方性であり
、且つ高い抗磁力及び高い角形比が確保される。
そして、特に本発明では、イオンブレーティング法で下
地膜（２）を形成するか、又は強磁性金属薄１１１（３
）の形成後にカレンダー処理するか、又は両者組合せた
処理を施して、強磁性金属薄膜（３）の表面に生じた凹
凸の直径２Ｒを５００Å以下にし、又は ゛凹凸の高さ
ｈを３００Å以下にすることにより、雑音が低減し、高
いＳ／Ｎが得られる。一方、表面の凹凸の直径２Ｒを５
０人程度とし、又は凹凸の高さｈを２０人程度にした場
合には最小の摩擦係数が得られ、強磁性金属薄膜（２）
において最大の耐久性が得られる。しかし、凹凸をこれ
より小さくして非常に平滑な表面にした場合にはＷｌ擦
係数が大きくなり強磁性金属薄膜（３）の耐久性が低下
することが認められた。
地膜（２）を形成するか、又は強磁性金属薄１１１（３
）の形成後にカレンダー処理するか、又は両者組合せた
処理を施して、強磁性金属薄膜（３）の表面に生じた凹
凸の直径２Ｒを５００Å以下にし、又は ゛凹凸の高さ
ｈを３００Å以下にすることにより、雑音が低減し、高
いＳ／Ｎが得られる。一方、表面の凹凸の直径２Ｒを５
０人程度とし、又は凹凸の高さｈを２０人程度にした場
合には最小の摩擦係数が得られ、強磁性金属薄膜（２）
において最大の耐久性が得られる。しかし、凹凸をこれ
より小さくして非常に平滑な表面にした場合にはＷｌ擦
係数が大きくなり強磁性金属薄膜（３）の耐久性が低下
することが認められた。
以下、本発明による磁気記録媒体の実施例について説明
する。
する。
比較例
ＡＩ基体上にＧａ−２５原子％Ｉｎ合金を真空蒸着して
厚さ３００人の低融点金属下地膜を形成し、次いで、こ
の下地膜上にＣｏ−３５原子％Ｎｉ合金をＡＩ基体の面
に対して垂直方向から真空蒸着して強磁性金属薄膜を形
成し、磁気記録媒体を作製した。
厚さ３００人の低融点金属下地膜を形成し、次いで、こ
の下地膜上にＣｏ−３５原子％Ｎｉ合金をＡＩ基体の面
に対して垂直方向から真空蒸着して強磁性金属薄膜を形
成し、磁気記録媒体を作製した。
この磁気記録媒体の抗磁力Ｈｃは６０００ｅ、角形比Ｒ
ｓは７５％であった。
ｓは７５％であった。
この磁気記録媒体においては強磁性金属薄膜の表面に平
均して直径２Ｒが８００人程Ａ１高さｈが５００人程程
度凹凸が観察された。
均して直径２Ｒが８００人程Ａ１高さｈが５００人程程
度凹凸が観察された。
実施例ｌ
Ｇａ−２５原子％Ｉｎ合金の下地膜をイオンブレーティ
ング法で被着した以外は比較例と同様にして磁気記録媒
体を作製した。
ング法で被着した以外は比較例と同様にして磁気記録媒
体を作製した。
この磁気記録媒体においては強磁性金属Ｗｉ膜の表面に
直径２Ｒが５００人、高さｈが３００人程程度凹凸が観
察された。この磁気記録媒体の抗磁力Ｈａ及び角形比り
は比較例と同じであった。
直径２Ｒが５００人、高さｈが３００人程程度凹凸が観
察された。この磁気記録媒体の抗磁力Ｈａ及び角形比り
は比較例と同じであった。
実施例２
比較例と同じ条件で基体上に低融点金属下地膜及び強磁
性金属薄膜を順次形成した後、カレンダー処理を施して
磁気記録媒体を作製した。
性金属薄膜を順次形成した後、カレンダー処理を施して
磁気記録媒体を作製した。
この磁気記録媒体においては強磁性金属Ｓ膜表面に直径
が５００人、高さが１００人程程度凹凸が観察された。
が５００人、高さが１００人程程度凹凸が観察された。
この磁気記録媒体の抗磁力Ｈｃ及び角形比Ｒｓは比較例
と同じであった。
と同じであった。
実施例３
実施例１と同様にして低融点金属下地膜及び強磁性金属
！膜を形成して後、カレンダー処理して磁気記録媒体を
作製した。
！膜を形成して後、カレンダー処理して磁気記録媒体を
作製した。
この磁気記録媒体においては、強磁性金属薄膜表面に直
径が１００人、高さが２０人程度の凹凸が観察された。
径が１００人、高さが２０人程度の凹凸が観察された。
この磁気記録媒体の抗磁力）Ｃ及び角形比Ｒｓは比較例
と同じであった。
と同じであった。
上記各側の磁気記録媒体についてのＳ／Ｎ及び摩擦係数
を測定した結果を表に示す、但し、Ｓ／Ｎの測定は、記
録密度２０Ｋ ＢＰＩ 、記録周波数５Ｍｌ１ｚ、帯域
幅１０ＭＨｚで行われた。
を測定した結果を表に示す、但し、Ｓ／Ｎの測定は、記
録密度２０Ｋ ＢＰＩ 、記録周波数５Ｍｌ１ｚ、帯域
幅１０ＭＨｚで行われた。
ごの表から明らかなようにイオンブレーティング法によ
り下地膜を形成するか、又は／及び媒体作製後にカレン
ダー処理した場合には、磁気特性に悪影響を与えること
なく磁性膜表面の凹凸を制御することができ、高Ｓ／Ｎ
且つ高耐久性を有する磁気記録媒体が得られる。
り下地膜を形成するか、又は／及び媒体作製後にカレン
ダー処理した場合には、磁気特性に悪影響を与えること
なく磁性膜表面の凹凸を制御することができ、高Ｓ／Ｎ
且つ高耐久性を有する磁気記録媒体が得られる。
上述した本発明によれば、基体上に低融点金属下地膜及
び強磁性金属薄膜を順次形成してなる磁気記録媒体にお
いて、イオンブレーティング法でＦ地膜を形成し、又は
／及び強磁性金属薄膜の形成後にカレンダー処理を施し
、強磁性金属薄膜の表面の凹凸の直径を５００Å以下又
は高さを３００Å以下にすることにより、抗磁力、角形
比等の磁気特性を劣化させることなく、雑音を低減する
ことができ、Ｓ／Ｎを高めることができる。同時に摩擦
係数が低下し、耐久性を向上させることができる。
び強磁性金属薄膜を順次形成してなる磁気記録媒体にお
いて、イオンブレーティング法でＦ地膜を形成し、又は
／及び強磁性金属薄膜の形成後にカレンダー処理を施し
、強磁性金属薄膜の表面の凹凸の直径を５００Å以下又
は高さを３００Å以下にすることにより、抗磁力、角形
比等の磁気特性を劣化させることなく、雑音を低減する
ことができ、Ｓ／Ｎを高めることができる。同時に摩擦
係数が低下し、耐久性を向上させることができる。
第１図は本発明による磁気記録媒体の例を示す要部の断
面図、第２図は本発明の説明に供するイオン化電流と下
地膜の直径の関係を示すグラフ、第３図はカレンダー処
理時の圧力と凹凸の高さの関係を示すグラフ、第４図は
本発明の説明に供する磁気記録媒体の断面図である。 （１）は基体、（２）は低融点金属下地膜、（３）は強
磁性金属薄膜である。 ィＡ−シ４；−譚ジＬ（Ａ） 第２図 第３図
面図、第２図は本発明の説明に供するイオン化電流と下
地膜の直径の関係を示すグラフ、第３図はカレンダー処
理時の圧力と凹凸の高さの関係を示すグラフ、第４図は
本発明の説明に供する磁気記録媒体の断面図である。 （１）は基体、（２）は低融点金属下地膜、（３）は強
磁性金属薄膜である。 ィＡ−シ４；−譚ジＬ（Ａ） 第２図 第３図
Claims (1)
- 基体上に低融点金属下地膜及び強磁性金属薄膜を順次形
成してなる磁気記録媒体に於て、前記強磁性金属薄膜の
凹凸の直径が５００Å以下又は高さが３００Å以下であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8208385A JPS61240429A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8208385A JPS61240429A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240429A true JPS61240429A (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=13764552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8208385A Pending JPS61240429A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61240429A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160014A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-02 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気デイスク用基板の製造方法 |
| JPS63175219A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-19 | Tdk Corp | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH0373419A (ja) * | 1989-05-22 | 1991-03-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH03189922A (ja) * | 1989-10-05 | 1991-08-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH08263836A (ja) * | 1996-03-11 | 1996-10-11 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気ディスク用基板 |
| US6804822B2 (en) | 2001-04-27 | 2004-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and magnetic recording apparatus using same |
| US7298569B2 (en) | 2002-10-07 | 2007-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and magnetic recording device using the same |
-
1985
- 1985-04-17 JP JP8208385A patent/JPS61240429A/ja active Pending
Cited By (8)
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