JPH03189922A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、制御された微粒子形態の磁気薄膜媒体の製造
方法に関するものである。具体的には、非ぬれ性基板上
に付着された一時的液体金属の薄い層上に付着される磁
気薄膜の磁気媒体に関するもので、媒体の表面形態及び
磁気特性は一時的液体金属の下層の厚ざ及び付着条件の
調節によって制御される。
方法に関するものである。具体的には、非ぬれ性基板上
に付着された一時的液体金属の薄い層上に付着される磁
気薄膜の磁気媒体に関するもので、媒体の表面形態及び
磁気特性は一時的液体金属の下層の厚ざ及び付着条件の
調節によって制御される。
［従来の技術］
大容量の記憶メディアへの需要の高まりにより、薄膜磁
気ディスクが開発されてきた。薄膜磁気ディスクは、制
御可能な高い保磁力（好ましくは６００ないし２０００
０ｅの範囲）及び高い残留磁化を有すべきである。薄膜
磁気ディスクの技術分野において、磁気材料としてコバ
ルトをベースにした二元系又は三元系の合金例えばＣｏ
Ｃｒ、ＣｏＲｅ。
気ディスクが開発されてきた。薄膜磁気ディスクは、制
御可能な高い保磁力（好ましくは６００ないし２０００
０ｅの範囲）及び高い残留磁化を有すべきである。薄膜
磁気ディスクの技術分野において、磁気材料としてコバ
ルトをベースにした二元系又は三元系の合金例えばＣｏ
Ｃｒ、ＣｏＲｅ。
Ｃｏ Ｐ ｔ 、 Ｃｏ Ｎ ｉ 、 Ｃｏ Ｎ ｉ
Ｃｒ 、 Ｃｏ Ｐ ｔ Ｃｒ及び同様の合金が一般的
に用いられる。プラチナは、デイ− ＝ １０− スズに要求きれる９０００ｅ以上という高い保磁力を達
成する際に重要な元素の一つである。要求きれる保磁力
の範囲に依存して、２０％までのｐｔをＣｏベースの合
金に加えることができる。
Ｃｒ 、 Ｃｏ Ｐ ｔ Ｃｒ及び同様の合金が一般的
に用いられる。プラチナは、デイ− ＝ １０− スズに要求きれる９０００ｅ以上という高い保磁力を達
成する際に重要な元素の一つである。要求きれる保磁力
の範囲に依存して、２０％までのｐｔをＣｏベースの合
金に加えることができる。
ＮｉＰをコーティングしたＡ Ｑ −Ｍ ｇ又はガラス
基板などの非磁性基板上に磁気膜層を付着させる。媒体
の記録密度は、情報を記録する磁気ヘッド及びディスク
の間の距離（飛翔高さ（ｆｌｙｈｅｉｇｈｔ） ）に反
比例する。従って、ディスク基板の表面は低い飛翔高き
を実現するために完全になめらかにすべきである。しか
しながら、ディスク表面が完全になめらかであると、デ
ィスク及びヘッド間の接触面積が大きくなり、摩擦が大
きくなる。摩擦が大きいと、ディスク・ドライブ・モー
タのみならずディスク、記録ヘッド及び装置自体も損傷
を受ける。この問題を軽減するために、潤滑剤ばかりで
なくカーボンなどのオーバーコート剤を最外層に付ける
。しかしながら、潤滑剤を有する完全になめらかなディ
スクできえ、摩擦レベルは許容できない。しかも、しば
らくすると潤滑剤はディスク表面からはがれてしまう。
基板などの非磁性基板上に磁気膜層を付着させる。媒体
の記録密度は、情報を記録する磁気ヘッド及びディスク
の間の距離（飛翔高さ（ｆｌｙｈｅｉｇｈｔ） ）に反
比例する。従って、ディスク基板の表面は低い飛翔高き
を実現するために完全になめらかにすべきである。しか
しながら、ディスク表面が完全になめらかであると、デ
ィスク及びヘッド間の接触面積が大きくなり、摩擦が大
きくなる。摩擦が大きいと、ディスク・ドライブ・モー
タのみならずディスク、記録ヘッド及び装置自体も損傷
を受ける。この問題を軽減するために、潤滑剤ばかりで
なくカーボンなどのオーバーコート剤を最外層に付ける
。しかしながら、潤滑剤を有する完全になめらかなディ
スクできえ、摩擦レベルは許容できない。しかも、しば
らくすると潤滑剤はディスク表面からはがれてしまう。
故に、フライ性能及び潤滑剤の保有を改善するために制
御された表面形態が必要とされるのである。
御された表面形態が必要とされるのである。
摩擦の問題を改善するために、磁気膜層を付着させる前
に、一般的な機械研摩技術の−っであるテクスチャリン
グ（ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）を用いてディスク基板表面を
粗くする。この機械テクスチャリングは通常組織の線に
沿って溶接及びでこぼこを形成するのに用いられる。こ
れらの溶接の結果として、ディスクの操作の際の磁気膜
層の著しい磨耗のみならず、飛翔高とも増加する。故に
、機械研摩ではない方法で、しかもディスクの磁気特性
に影響を与えずに基板表面を粗くテクスチャすることが
望まれる。
に、一般的な機械研摩技術の−っであるテクスチャリン
グ（ｔｅｘｔｕｒｉｎｇ）を用いてディスク基板表面を
粗くする。この機械テクスチャリングは通常組織の線に
沿って溶接及びでこぼこを形成するのに用いられる。こ
れらの溶接の結果として、ディスクの操作の際の磁気膜
層の著しい磨耗のみならず、飛翔高とも増加する。故に
、機械研摩ではない方法で、しかもディスクの磁気特性
に影響を与えずに基板表面を粗くテクスチャすることが
望まれる。
ざらに、プラチナ元素の添加量を削減し、同時に磁気デ
ィスクの保磁力を高めることも望まれる。
ィスクの保磁力を高めることも望まれる。
米国特許第４５３９２６４号において、磁気記録媒体は
、非磁性基板、１００Ａ以下の厚さのビスマス層及びそ
のビスマス層の上に形成きれた磁気金属薄膜を有すると
記述されている。前述の媒体は高い保磁力を達成するが
、ビスマス層は分離した下層として残り、しかも一時的
液体金属層に由来する形態的効果及び合金の効果は達成
されない。またこの米国特許は、本発明の別の具体例で
あるビスマス層及び磁気膜層の間の金属膜層の付着を提
案していない。
、非磁性基板、１００Ａ以下の厚さのビスマス層及びそ
のビスマス層の上に形成きれた磁気金属薄膜を有すると
記述されている。前述の媒体は高い保磁力を達成するが
、ビスマス層は分離した下層として残り、しかも一時的
液体金属層に由来する形態的効果及び合金の効果は達成
されない。またこの米国特許は、本発明の別の具体例で
あるビスマス層及び磁気膜層の間の金属膜層の付着を提
案していない。
［発明が解決しようとする課題］
本発明の主な目的は、制御された表面形態及び磁気特性
を有する磁気媒体を提供することである。
を有する磁気媒体を提供することである。
本発明の別の目的は、非ぬれ性基板一時的液体金属の下
層及び外部磁気膜層で構成される磁気媒体の製造方法を
提供することである。
層及び外部磁気膜層で構成される磁気媒体の製造方法を
提供することである。
本発明の別の目的は、非ぬれ性基板一時的液体金属の下
層及び磁気膜層で構成きれ、その磁気膜層の表面粗ざは
一時的液体金属の下層の厚き及び付着温度の調整によっ
て制御できる磁気媒体を提供することである。
層及び磁気膜層で構成きれ、その磁気膜層の表面粗ざは
一時的液体金属の下層の厚き及び付着温度の調整によっ
て制御できる磁気媒体を提供することである。
本発明の別の目的は、非ぬれ性基板一時的液体金属の下
層、金属膜内部層及び外部磁気膜層で構成される磁気媒
体を提供することである。
層、金属膜内部層及び外部磁気膜層で構成される磁気媒
体を提供することである。
本発明の別の目的は、非ぬれ性基板一時的液体金属層、
金属膜内部層及び外部磁気膜層で構成きれる磁気媒体の
製造方法を提供することである。
金属膜内部層及び外部磁気膜層で構成きれる磁気媒体の
製造方法を提供することである。
［課題を解決するための手段］
本発明では前述の課題を解決するために、非ぬれ性基板
及び磁気薄膜の間に一時的液体金属膜の下層を付着させ
る。液体金属に対してぬれ性を有きない基板を、液体金
属が液体状態である条件、好ましくは一時的液体金属の
融点より高い温度に保ちながら一時的液体金属層を付着
させる。その結果、液体金属は球状になり、不連続な溶
融金属の特性を有する層が形成される。一時的液体金属
の元素は、ガリウム、インジウム、スズ、ビスマス、鉛
、カドミウム、水銀、セレニウム、テルリウム、並びに
これらと銀、パラジウム、プラチナ又は金を含む他の金
属との合金、さらに一時的液体金属の二元系又は三元系
化合物であるが、これらに限定はされない。好ましい一
時的液体金属は、ガリウム、インジウム及びスズである
。基板は、二酸化シリコン、ガラス、重合体、又は−時
１４− 的液体金属に対して非ぬれ性を持たせるような方法で処
理した金属基板であるが、これらに限定はされない。好
ましい基板はガラスである。磁気薄膜は、コバルトが主
成分の合金であり、好ましくは、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｃｒ、 Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ＋Ｃｏ−Ｒｅである。
及び磁気薄膜の間に一時的液体金属膜の下層を付着させ
る。液体金属に対してぬれ性を有きない基板を、液体金
属が液体状態である条件、好ましくは一時的液体金属の
融点より高い温度に保ちながら一時的液体金属層を付着
させる。その結果、液体金属は球状になり、不連続な溶
融金属の特性を有する層が形成される。一時的液体金属
の元素は、ガリウム、インジウム、スズ、ビスマス、鉛
、カドミウム、水銀、セレニウム、テルリウム、並びに
これらと銀、パラジウム、プラチナ又は金を含む他の金
属との合金、さらに一時的液体金属の二元系又は三元系
化合物であるが、これらに限定はされない。好ましい一
時的液体金属は、ガリウム、インジウム及びスズである
。基板は、二酸化シリコン、ガラス、重合体、又は−時
１４− 的液体金属に対して非ぬれ性を持たせるような方法で処
理した金属基板であるが、これらに限定はされない。好
ましい基板はガラスである。磁気薄膜は、コバルトが主
成分の合金であり、好ましくは、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｃｒ、 Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ＋Ｃｏ−Ｒｅである。
本発明に従って媒体を製造するために、基板を一時的液
体金属の融点付近又はそれより高い温度に保持しながら
、スパッタリング、蒸着、めっき又はこの分野では周知
の他の付着技術によって基板上へ一時的液体金属の層を
付着させる。そして一時的液体金属の融点よりも高い温
度、あるいはまた冷却しても下層の特性は準安定の液体
であるようなより扱いやすい低い温度において一時的液
体金属層の上に外部磁気膜層を付着させる。この一時的
液体金属は磁気膜層との合金になり、この磁気膜層は改
善きれた摩擦を有するディスク表面を与える制御きれた
表面形態を持つ。この磁気媒体は、純粋な一時的液体金
属下層を含まない。
体金属の融点付近又はそれより高い温度に保持しながら
、スパッタリング、蒸着、めっき又はこの分野では周知
の他の付着技術によって基板上へ一時的液体金属の層を
付着させる。そして一時的液体金属の融点よりも高い温
度、あるいはまた冷却しても下層の特性は準安定の液体
であるようなより扱いやすい低い温度において一時的液
体金属層の上に外部磁気膜層を付着させる。この一時的
液体金属は磁気膜層との合金になり、この磁気膜層は改
善きれた摩擦を有するディスク表面を与える制御きれた
表面形態を持つ。この磁気媒体は、純粋な一時的液体金
属下層を含まない。
本発明の利点としては、磁気特性、磁気膜表面粗ざの制
御、この媒体の保磁力の制御、及び磁気特性の方向に対
する変化性及び依存性の排除がある。
御、この媒体の保磁力の制御、及び磁気特性の方向に対
する変化性及び依存性の排除がある。
媒体表面の粗くした部分は周知のマスキング手法に使用
きれることは、当業者には明らかであろう。
きれることは、当業者には明らかであろう。
磁気膜層及び一時的液体金属下層の間の前述のような相
互作用が好ましくない場合は、外部磁気膜層及び下層の
間に表面形態に影響を及ぼざない金属膜層をつけること
ができる。ざらに、このような追加の層をつけることで
、広い範囲で表面形態の粗さを制御し、膜の保磁力を一
定に保ちながら摩擦を改善する。好ましい金属膜内部層
はクロム、モリブデン、バナジウム、パラジウム及びプ
ラチナ又はこれらの金属の合金であるが、これらに限定
されない。
互作用が好ましくない場合は、外部磁気膜層及び下層の
間に表面形態に影響を及ぼざない金属膜層をつけること
ができる。ざらに、このような追加の層をつけることで
、広い範囲で表面形態の粗さを制御し、膜の保磁力を一
定に保ちながら摩擦を改善する。好ましい金属膜内部層
はクロム、モリブデン、バナジウム、パラジウム及びプ
ラチナ又はこれらの金属の合金であるが、これらに限定
されない。
［実施例］
第１Ａ図を特に参照すると、本発明に従って、例えば二
酸化シリコン、ガラス、重合体又は適切な非磁性記憶デ
ィスク物質の上に薄いコーティングがあるような基板１
０が示きれている。この基板は、液体金属に対して非ぬ
れ性であるように選択される。
酸化シリコン、ガラス、重合体又は適切な非磁性記憶デ
ィスク物質の上に薄いコーティングがあるような基板１
０が示きれている。この基板は、液体金属に対して非ぬ
れ性であるように選択される。
本発明において、非ぬれ性という詔は、基板及び液体金
属の間の相互作用又はぬれ性が欠乏しているために、均
一に付着された液体の膜が不連続になることを意味して
いる。
属の間の相互作用又はぬれ性が欠乏しているために、均
一に付着された液体の膜が不連続になることを意味して
いる。
基板１０の上には、例えばガリウム、インジウム、スズ
、ビスマス、鉛、カドミウム、水銀、セレニウム、テル
リウム、並びにこれらと銀、パラジウム、プラチナ又は
金を含む他の金属との合金のような一時的液体金属の下
層１２が付着される。
、ビスマス、鉛、カドミウム、水銀、セレニウム、テル
リウム、並びにこれらと銀、パラジウム、プラチナ又は
金を含む他の金属との合金のような一時的液体金属の下
層１２が付着される。
一時的液体金属の二元系又は三元系化合物も同様に用い
ることができる。好ましい一時的液体金属は、ガリウム
、インジウム、及びスズである。下層１２の平均膜厚は
、約２５Ａないし３００Ａの範囲であるが、好ましくは
約２５Ａないし１００人である。一時的液体金属層とい
う語は、磁気合金物質が十分な量だけ付着きれるまでは
一時的に液体金属であり、充分な量になると磁気合金中
に液体金属が溶解して反応し、完全に磁気媒体構造体か
ら液相が消えることを意味する。その結果、第１Ｂ図に
示されるように、最終的な磁気媒体において一時的液体
金属膜層のはっきりした特性は見られないが、そのよう
な金属の粒状偏析１８がある。基板を一時的液体金属の
融点より高い温度に保ちながら、基板１０に一時的液体
金属層１２をつける。ガリウム膜を用いた場合一時的液
体金属１２を付着させる際、基板１ｏを約３０℃以上に
保つ。液体金属１２の基板１０に対するぬれ性が悪いの
で、第１Ａ図に示されるように、液体金属１２は球状に
なる。
ることができる。好ましい一時的液体金属は、ガリウム
、インジウム、及びスズである。下層１２の平均膜厚は
、約２５Ａないし３００Ａの範囲であるが、好ましくは
約２５Ａないし１００人である。一時的液体金属層とい
う語は、磁気合金物質が十分な量だけ付着きれるまでは
一時的に液体金属であり、充分な量になると磁気合金中
に液体金属が溶解して反応し、完全に磁気媒体構造体か
ら液相が消えることを意味する。その結果、第１Ｂ図に
示されるように、最終的な磁気媒体において一時的液体
金属膜層のはっきりした特性は見られないが、そのよう
な金属の粒状偏析１８がある。基板を一時的液体金属の
融点より高い温度に保ちながら、基板１０に一時的液体
金属層１２をつける。ガリウム膜を用いた場合一時的液
体金属１２を付着させる際、基板１ｏを約３０℃以上に
保つ。液体金属１２の基板１０に対するぬれ性が悪いの
で、第１Ａ図に示されるように、液体金属１２は球状に
なる。
基板１０を一時的液体金属１２の融点より高い温度に保
ちながら、蒸着又はスパッタリングのような従来の方法
によって、基板１０上に一時的液体金属の下層１２をつ
ける。そして一時的液体金属１２の融点より高い温度、
又は一時的液体金属の下層１２がなお液体であるような
より扱いやすい低温に基板１０及び一時的液体金属１２
を保ちながら、従来の方法で一時的液体金属層１２の上
１７− ＝１８ に磁気膜１４を付着させる。もし下層１２が磁気膜層１
４の付着前に固体であるならば、結果として得られる磁
気媒体において分離した層として存在し、しかも磁気デ
ィスクの機械的特性及び接着特性に影響を与える。磁気
膜は好ましくはＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒであるが、本発明の実
施において他の磁気薄膜物質を用いることもできる。磁
気膜１４の厚ざは、約１０ＯＡないし１５００Ａの範囲
であり、好ましくは約２００式ないし１ＯＯＯＡの範囲
である。
ちながら、蒸着又はスパッタリングのような従来の方法
によって、基板１０上に一時的液体金属の下層１２をつ
ける。そして一時的液体金属１２の融点より高い温度、
又は一時的液体金属の下層１２がなお液体であるような
より扱いやすい低温に基板１０及び一時的液体金属１２
を保ちながら、従来の方法で一時的液体金属層１２の上
１７− ＝１８ に磁気膜１４を付着させる。もし下層１２が磁気膜層１
４の付着前に固体であるならば、結果として得られる磁
気媒体において分離した層として存在し、しかも磁気デ
ィスクの機械的特性及び接着特性に影響を与える。磁気
膜は好ましくはＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒであるが、本発明の実
施において他の磁気薄膜物質を用いることもできる。磁
気膜１４の厚ざは、約１０ＯＡないし１５００Ａの範囲
であり、好ましくは約２００式ないし１ＯＯＯＡの範囲
である。
磁気膜１４の表面は一般的に一時的液体金属層の球状形
態に依存し、結果として得られる磁気膜粒子間部分及び
初めから球体の位置する部分における一時的液体金属（
例えばガリウム）の高濃度領域１８によって形成される
。
態に依存し、結果として得られる磁気膜粒子間部分及び
初めから球体の位置する部分における一時的液体金属（
例えばガリウム）の高濃度領域１８によって形成される
。
この技術分野において周知のように、オーバーコート剤
（一般的にはカーボン）及び潤滑剤は磁気媒体に付けた
り、多くの応用に利用される。そのような処理は本明細
書の磁気媒体にも適合される。
（一般的にはカーボン）及び潤滑剤は磁気媒体に付けた
り、多くの応用に利用される。そのような処理は本明細
書の磁気媒体にも適合される。
従来技術は次に付着する磁気膜層の形態を制御するため
に基板を機械的に粗くするので、前述のような問題が生
じていた。本発明の教示に従うと、一時的液体金属層の
厚さを調節して磁気膜層の形態を制御することによって
媒体の磁気特性を保持しかつ改善し、しかも機械的テク
スチャリングによって生じる問題を未然に防ぐことがで
きる。
に基板を機械的に粗くするので、前述のような問題が生
じていた。本発明の教示に従うと、一時的液体金属層の
厚さを調節して磁気膜層の形態を制御することによって
媒体の磁気特性を保持しかつ改善し、しかも機械的テク
スチャリングによって生じる問題を未然に防ぐことがで
きる。
第２Ａ図ないし第２Ｄ図は、ガリウムの融点よりも高い
温度において二酸化シリコン基板に蒸着させたガリウム
膜の走査型電子顕微鏡写真である。
温度において二酸化シリコン基板に蒸着させたガリウム
膜の走査型電子顕微鏡写真である。
基板が非ぬれ性であるので、ガリウムはなめらかで均一
な膜の層というよりもむしろ、多くの球体を形成してい
る。この球体の量及びその大！にの分布は、ガリウム層
の平均膜厚、付着中の基板温度、さらに一時的液体金属
に対する基板のぬれ性の程度に依存する。基板のぬれ性
の程度は、ガリウムに加えて合金した元素、特に基板の
物質と強く相互作用するものに影響される。
な膜の層というよりもむしろ、多くの球体を形成してい
る。この球体の量及びその大！にの分布は、ガリウム層
の平均膜厚、付着中の基板温度、さらに一時的液体金属
に対する基板のぬれ性の程度に依存する。基板のぬれ性
の程度は、ガリウムに加えて合金した元素、特に基板の
物質と強く相互作用するものに影響される。
付着中３２℃ないし３５℃に保持した二酸化シリコン基
板に付着させたガリウム単体の場合の膜厚依存性が第２
Ａ図ないし第２Ｄ図に示きれている。第２Ａ図は、二酸
化シリコン基板上に蒸着された２５Ａの厚ざのガリウム
膜の走査型電子顕微鏡写真である。同様に、第２Ｂ図は
、５０Ａの厚さの二酸化シリコン基板上に蒸着されたガ
リウム膜の走査型電子顕微鏡写真である。第２Ｃ図は、
１００人の厚ざの二酸化シリコン基板上に蒸着されたガ
リウム膜の走査型電子＠機銃写真である。
板に付着させたガリウム単体の場合の膜厚依存性が第２
Ａ図ないし第２Ｄ図に示きれている。第２Ａ図は、二酸
化シリコン基板上に蒸着された２５Ａの厚ざのガリウム
膜の走査型電子顕微鏡写真である。同様に、第２Ｂ図は
、５０Ａの厚さの二酸化シリコン基板上に蒸着されたガ
リウム膜の走査型電子顕微鏡写真である。第２Ｃ図は、
１００人の厚ざの二酸化シリコン基板上に蒸着されたガ
リウム膜の走査型電子＠機銃写真である。
第２Ｄ図は、２００Ａの厚ざの二酸化シリコン基板上に
蒸着されたガリウム膜の走査型電子顕微鏡写真である。
蒸着されたガリウム膜の走査型電子顕微鏡写真である。
単位面積当たりの球体の量は、ガリウム膜層の厚さが増
すにつれて小きくなるが、球体の大きさはガリウム膜層
の厚ざが増すにつれて大きくなる。
すにつれて小きくなるが、球体の大きさはガリウム膜層
の厚ざが増すにつれて大きくなる。
媒体の好ましい具体例を製造する際、まず二酸化シリコ
ン基板に付着したガリウム層の上に７５０Ａ厚さのＣｏ
−Ｐｔ−Ｃｒ合金磁気膜層を付着させた。ガリウムはコ
バルト、プラチナ及びクロムに溶解するか、これらと合
金を形成し、ガリウム層自体としては残らず別の特性の
膜となる。第３Ａ図ないし第３Ｄ図の走査型電子顕微鏡
写真は、磁気膜層の表面形態を示している。第３Ａ図は
、２５への平均膜厚のガリウム層上に７５０Ａ厚きの磁
気膜層を付着きせたものである。第３Ｂ図は、５０Ａの
平均膜厚のガリウム層上に７５０式厚さの磁気膜層を付
着させたものである。第３Ｃ図は、１００Ａの平均膜厚
のガリウム層上に７５ＯＡ厚ざの磁気膜層を付着させた
ものである。第３Ｄ図は、２００Ａの平均膜厚のガリウ
ム層上に７５０人厚さの磁気膜層を付着させたものであ
る。
ン基板に付着したガリウム層の上に７５０Ａ厚さのＣｏ
−Ｐｔ−Ｃｒ合金磁気膜層を付着させた。ガリウムはコ
バルト、プラチナ及びクロムに溶解するか、これらと合
金を形成し、ガリウム層自体としては残らず別の特性の
膜となる。第３Ａ図ないし第３Ｄ図の走査型電子顕微鏡
写真は、磁気膜層の表面形態を示している。第３Ａ図は
、２５への平均膜厚のガリウム層上に７５０Ａ厚きの磁
気膜層を付着きせたものである。第３Ｂ図は、５０Ａの
平均膜厚のガリウム層上に７５０式厚さの磁気膜層を付
着させたものである。第３Ｃ図は、１００Ａの平均膜厚
のガリウム層上に７５ＯＡ厚ざの磁気膜層を付着させた
ものである。第３Ｄ図は、２００Ａの平均膜厚のガリウ
ム層上に７５０人厚さの磁気膜層を付着させたものであ
る。
第３八図ないし第３Ｄ図を考察すると、ガリウム下層が
厚くなるほど、磁気膜層表面の球体は少なくなり、しか
も大きくなることは明らかである。
厚くなるほど、磁気膜層表面の球体は少なくなり、しか
も大きくなることは明らかである。
従って一時的液体金属膜の下層の平均膜厚の選択によっ
て、外部磁気膜層の表面形態を制御できることは、明ら
かであろう。
て、外部磁気膜層の表面形態を制御できることは、明ら
かであろう。
一時的液体金属の下層の効果を比較しざらに例証するた
めに、介在するガリウム層なしに基板に直接付着させた
Ｃｏ−ＰｔＣｒ合金磁気膜の表面の走査型電子顕微鏡写
真が第４図である。第４図−２１＝ ２２− において、明らかな形態は見られない。
めに、介在するガリウム層なしに基板に直接付着させた
Ｃｏ−ＰｔＣｒ合金磁気膜の表面の走査型電子顕微鏡写
真が第４図である。第４図−２１＝ ２２− において、明らかな形態は見られない。
ガリウム下層の磁気膜層への効果は、ガリウム球体の表
面及び二酸化シリコンの上の膜の核形成及び成長の状態
の不均衡、及びガリウム表面の球の形状に起因すると言
われている。
面及び二酸化シリコンの上の膜の核形成及び成長の状態
の不均衡、及びガリウム表面の球の形状に起因すると言
われている。
磁気媒体の製造において考慮すべき重要な点は、磁気物
質層の保磁力及び保磁力の矩形比の影響である。
質層の保磁力及び保磁力の矩形比の影響である。
第５図ないし第９図は、二酸化シリコン基板上に付着し
た様々な平均膜厚のガリウム下層上に付着させた７５０
Ａ厚きのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金磁気膜層の磁気特性を表
わしている。
た様々な平均膜厚のガリウム下層上に付着させた７５０
Ａ厚きのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金磁気膜層の磁気特性を表
わしている。
第５図は、全くガリウム下層のないものであり、基板上
に直接磁気膜層を付着させている。第６図では、平均膜
厚２５Ａのガリウム層を用いている。
に直接磁気膜層を付着させている。第６図では、平均膜
厚２５Ａのガリウム層を用いている。
第７図では、平均膜厚５０Ａのガリウム層を用いている
。第８図では、平均膜厚１００Ａのガリウム層を用いて
いる。第９図では、平均膜厚２００人のガリウム層を用
いている。
。第８図では、平均膜厚１００Ａのガリウム層を用いて
いる。第９図では、平均膜厚２００人のガリウム層を用
いている。
ガリウム下層に起因する保磁力Ｈの増加は、第５図にお
けるガリウム下層のないサンプルの値４８５０ｅと第６
図ないし第９図におけるガリウム下層の平均膜厚２５Ａ
、、５０Ａ、１００Ａ及び２００Ａのサンプルの値１３
８４０ｅ、 １２９２０ｅ、 １８２９０ｅ及び１６
８００ｅを比較した場合に明らかになる。この図を参照
すると、ガリウム下層の平均膜厚が増加するにつれて、
低いく形比（ＳＲ）及び保磁力く形比（Ｓ３）の値によ
って示されるように、ガリウム下層膜厚の増加に伴うＢ
−８曲線のく磁性における減少も明らかである。表１参
照。
けるガリウム下層のないサンプルの値４８５０ｅと第６
図ないし第９図におけるガリウム下層の平均膜厚２５Ａ
、、５０Ａ、１００Ａ及び２００Ａのサンプルの値１３
８４０ｅ、 １２９２０ｅ、 １８２９０ｅ及び１６
８００ｅを比較した場合に明らかになる。この図を参照
すると、ガリウム下層の平均膜厚が増加するにつれて、
低いく形比（ＳＲ）及び保磁力く形比（Ｓ３）の値によ
って示されるように、ガリウム下層膜厚の増加に伴うＢ
−８曲線のく磁性における減少も明らかである。表１参
照。
０ − ■ ■ ■
ｃＯ■ ■ ト （イ）
惰
■
０
′″′ ■
寸
＋−Ｉ Ｎ
ガリウム下層の膜厚の増加によって磁気薄膜の形態及び
保磁力は良い影響を受けるが、過度に厚い膜厚は残留磁
化を著しく減少させ、磁気媒体の読み−書き特性も低下
させる。この影響は一時的液体金属及び磁性合金の間の
過度の反応の結果として磁性相の全体的な減少による。
保磁力は良い影響を受けるが、過度に厚い膜厚は残留磁
化を著しく減少させ、磁気媒体の読み−書き特性も低下
させる。この影響は一時的液体金属及び磁性合金の間の
過度の反応の結果として磁性相の全体的な減少による。
この様な場合には、基板１０上に付着させた一時的液体
金属１２の上にクロム、パラジウム、タンタル、モリブ
デン、又はパラジウム、好ましくはクロムの金属膜内部
層１６を付着させる（第１０図参照）。
金属１２の上にクロム、パラジウム、タンタル、モリブ
デン、又はパラジウム、好ましくはクロムの金属膜内部
層１６を付着させる（第１０図参照）。
そして、磁気膜層１４を金属膜内部層１６の上に付着さ
せる。前述の元素に限定されないが、このような内部層
はガリウムを多く含むガリウムとの金属間化合物を形成
するために必要である。好ましい原子組成はＧａ６Ｂ
（ここでＢはクロム等の障壁元素）である。Ｃｒｌ原子
とＧ ａ ６原子が固体化合物で結合しているので、液
体金属下層と薄い障壁層の溶融は初期に生じる。
せる。前述の元素に限定されないが、このような内部層
はガリウムを多く含むガリウムとの金属間化合物を形成
するために必要である。好ましい原子組成はＧａ６Ｂ
（ここでＢはクロム等の障壁元素）である。Ｃｒｌ原子
とＧ ａ ６原子が固体化合物で結合しているので、液
体金属下層と薄い障壁層の溶融は初期に生じる。
第１１図は、二酸化シリコン基板上に１００Ａ厚ざのガ
リウム下層、］００Ａ厚きのクロム障壁２６− 金属膜内部層、ざらに７５ＯＡ厚きのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
合金の磁気膜層をこの順にイ」着させて構成される媒体
の磁気膜層の走査型電子顕微鏡写真である。
リウム下層、］００Ａ厚きのクロム障壁２６− 金属膜内部層、ざらに７５ＯＡ厚きのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
合金の磁気膜層をこの順にイ」着させて構成される媒体
の磁気膜層の走査型電子顕微鏡写真である。
第３Ｃ図及び第１１図を比較すると、表面形態はクロム
内部層なしの１００ ＡＮきのガリウム下層上に付着き
せた膜と基本的に同じであることを示している。ざらに
、クロム内部層の追加は、膜の高い保磁力を維持しなが
ら、広い範囲で表面形態を粗く制御し、摩擦を改善する
。 第１２図における 曲線２０は、３００Ａ厚ざのＣ
ｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金の磁気膜層を有するガリウム下層厚
さの関数として、保磁力Ｈｃを示している。曲線２２は
、ガリウム下層の上の１００＾厚ざのクロム層の上に付
着きせた３００Ａ厚ざのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金の磁気膜
層を有するガリウム下層の厚ざの関数として、保磁力Ｈ
ｃを示している。曲線２２は、クロム障壁内部層があっ
ても高い保磁力が達成されることを示している。
内部層なしの１００ ＡＮきのガリウム下層上に付着き
せた膜と基本的に同じであることを示している。ざらに
、クロム内部層の追加は、膜の高い保磁力を維持しなが
ら、広い範囲で表面形態を粗く制御し、摩擦を改善する
。 第１２図における 曲線２０は、３００Ａ厚ざのＣ
ｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金の磁気膜層を有するガリウム下層厚
さの関数として、保磁力Ｈｃを示している。曲線２２は
、ガリウム下層の上の１００＾厚ざのクロム層の上に付
着きせた３００Ａ厚ざのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金の磁気膜
層を有するガリウム下層の厚ざの関数として、保磁力Ｈ
ｃを示している。曲線２２は、クロム障壁内部層があっ
ても高い保磁力が達成されることを示している。
媒体の磁気特性に悪影響を及ぼざずにクロム層がガリウ
ム下層を閉じ込めることを、別の実験がボした。
ム下層を閉じ込めることを、別の実験がボした。
本発明に従って制御キれた表面形態を有する磁気膜の摩
擦性能は、従来の磁気膜で達成される性能よりも優れて
いる。
擦性能は、従来の磁気膜で達成される性能よりも優れて
いる。
なめらかなガラス基板上での摩擦テストの結果を次の表
２に示した。
２に示した。
表２に示されているように、クロム又は他の金属内部層
を有するか又は有さない磁気媒体の製造の際に一時的液
体金属下層を使用した場合一時的液体金属下層を使用し
ないで製造した磁気媒体と比較するとステイクション（
ｓｔｉｃｔｉｏｎ）が減少している。基板をマスクする
ことによって基板上の所定の場所に一時的液体金属下層
を限定して付着できることば、明らかなことであるので
、媒体の異なる場所で磁気媒体の表面粗きを変化させる
ことができる。
を有するか又は有さない磁気媒体の製造の際に一時的液
体金属下層を使用した場合一時的液体金属下層を使用し
ないで製造した磁気媒体と比較するとステイクション（
ｓｔｉｃｔｉｏｎ）が減少している。基板をマスクする
ことによって基板上の所定の場所に一時的液体金属下層
を限定して付着できることば、明らかなことであるので
、媒体の異なる場所で磁気媒体の表面粗きを変化させる
ことができる。
［発明の効果］
本発明は、制御Ｉされた表面形態及び磁気特性を有する
磁気媒体を提供することができる。
磁気媒体を提供することができる。
第１Ａ図は、本発明に従う基板に付着した一時的液体金
属層の断面図である。 第１Ｂ図は、本発明に従って製造した磁気媒体の断面図
である。 第２八図ないし第２Ｄ図は、二酸化シリコン基板に蒸着
したガリウム膜の平均膜厚がそれぞれ２２９ ＝３０− ５Ａ、５０人、１０〇八、２００人であるものの表面形
態のＳＥＭ写真である。 第３八図ないし第３Ｄ図は、二酸化シリコン基板のガリ
ウム膜厚が２５人、５０Ａ、１００Ａ及び２００Ａの上
に７５０Ａ厚ざのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金膜をスパッタで
（−１着させて得られる構造体の表面形態のＳＥＭ写真
である。 第４図は一時的液体金属下層を有きないでスパッタした
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ膜の表面形態のＳＥＭ写真である。 第５図は、下層なしの７５０Ａ厚きのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
膜の磁気特性を示す。 第６図は、二酸化シリコン基板に付着させた２５Ａ厚ざ
のガリウム層にスパッタした７５０Ａ厚ざのＣｏ−Ｐｔ
Ｃｒ膜の磁気特性を示す。 第７図は、二酸化シリコン基板に付着させた５０＾厚さ
のガリウム層にスパッタした７５０Ａ厚きのＣｏ−Ｐｔ
−ＣｒＭｔＡの磁気特性を示す。 第８図は、二酸化シリコン基板に付着させた１００Ａ厚
きのガリウム層にスパッタした７５０人厚ざのＣｏ−Ｐ
ｔ−Ｃｒ膜の磁気特性を示す。 第９図は、二酸化シリコン基板に何着きせた２００Ａ厚
ざのガリウム層にスパッタした７５０人厚ざのＣｏ−Ｐ
ｔ−Ｃｒ膜の磁気特性を示す。 第１０図は、本発明に従って製造きれた別の好ましい磁
気媒体の断面図である。 第１１図は、二酸化シリコン基板上の１００Ａ厚とのガ
リウム層上に付着きせた１００Ａ厚さのクロム内部層上
にざらに付着させた７５０人厚ざのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合
金、膜の表面形態のＳＥＭ写真である。 第１２図は、様々な膜厚のガリウム下層の上のクロム内
部層上に付着させたＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金膜の保磁力を
示す。 １０・・・基板、１２・・・・一時的液体金属、１４・
−・・磁気膜、１６・・・・金属膜内部層、１８・・・
・一時的液体金属の偏析。
属層の断面図である。 第１Ｂ図は、本発明に従って製造した磁気媒体の断面図
である。 第２八図ないし第２Ｄ図は、二酸化シリコン基板に蒸着
したガリウム膜の平均膜厚がそれぞれ２２９ ＝３０− ５Ａ、５０人、１０〇八、２００人であるものの表面形
態のＳＥＭ写真である。 第３八図ないし第３Ｄ図は、二酸化シリコン基板のガリ
ウム膜厚が２５人、５０Ａ、１００Ａ及び２００Ａの上
に７５０Ａ厚ざのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金膜をスパッタで
（−１着させて得られる構造体の表面形態のＳＥＭ写真
である。 第４図は一時的液体金属下層を有きないでスパッタした
Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ膜の表面形態のＳＥＭ写真である。 第５図は、下層なしの７５０Ａ厚きのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
膜の磁気特性を示す。 第６図は、二酸化シリコン基板に付着させた２５Ａ厚ざ
のガリウム層にスパッタした７５０Ａ厚ざのＣｏ−Ｐｔ
Ｃｒ膜の磁気特性を示す。 第７図は、二酸化シリコン基板に付着させた５０＾厚さ
のガリウム層にスパッタした７５０Ａ厚きのＣｏ−Ｐｔ
−ＣｒＭｔＡの磁気特性を示す。 第８図は、二酸化シリコン基板に付着させた１００Ａ厚
きのガリウム層にスパッタした７５０人厚ざのＣｏ−Ｐ
ｔ−Ｃｒ膜の磁気特性を示す。 第９図は、二酸化シリコン基板に何着きせた２００Ａ厚
ざのガリウム層にスパッタした７５０人厚ざのＣｏ−Ｐ
ｔ−Ｃｒ膜の磁気特性を示す。 第１０図は、本発明に従って製造きれた別の好ましい磁
気媒体の断面図である。 第１１図は、二酸化シリコン基板上の１００Ａ厚とのガ
リウム層上に付着きせた１００Ａ厚さのクロム内部層上
にざらに付着させた７５０人厚ざのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合
金、膜の表面形態のＳＥＭ写真である。 第１２図は、様々な膜厚のガリウム下層の上のクロム内
部層上に付着させたＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ合金膜の保磁力を
示す。 １０・・・基板、１２・・・・一時的液体金属、１４・
−・・磁気膜、１６・・・・金属膜内部層、１８・・・
・一時的液体金属の偏析。
Claims (46)
- （１）非ぬれ性基板と、 前記基板に所定の膜厚で付着される一時的液体金属であ
つて、次に該一時的液体金属層上に付着される磁気膜層
と反応して不連続な溶融金属の分布を形成するものとか
らなる磁気記憶媒体。 - （２）付着中、前記一時的液体金属層が液体状態になる
温度に前記基板を保つ請求項１記載の磁気記憶媒体。 - （３）前記温度は前記一時的液体金属の融点より高い温
度である請求項２記載の磁気記憶媒体。 - （４）前記一時的液体金属は、ガリウム、インジウム、
スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、水銀、セレニウム、
テルリウム、並びにこれらと銀、パラジウム、プラチナ
又は金を含む他の金属との合金、さらに一時的液体金属
の二元系又は三元系化合物からなる群から選ばれる請求
項１記載の磁気記憶媒体。 - （５）前記磁気膜層は、コバルトが主成分の合金である
請求項１記載の磁気記憶媒体。 - （６）前記磁気膜層はＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ及びＣｏ−Ｒｅからなる群から選ばれ
る請求項５記載の磁気記憶媒体。 - （７）前記一時的液体金属がガリウムである請求項１記
載の磁気記憶媒体。 - （８）前記一時的液体金属がインジウムである請求項１
記載の磁気記憶媒体。 - （９）前記基板が二酸化シリコン、ガラス、重合体及び
前記一時的液体金属に対して非ぬれ性となるように処理
した金属基板からなる群から選ばれる請求項１記載の磁
気記憶媒体。 - （１０）前記磁気膜層の表面形態を制御するために前記
所定の膜厚を選択することを特徴とする請求項１記載の
磁気記憶媒体。 - （１１）前記一時的液体金属膜層を前記基板の所定の領
域に付着させることを特徴とする請求項１０記載の磁気
記憶媒体。 - （１２）前記一時的液体金属及び前記磁気膜層の反応を
阻害するために前記一時的液体金属膜層上に金属膜内部
層をさらに付着させることを特徴とする請求項１記載の
磁気記憶媒体。 - （１３）前記金属膜内部層がクロム、パラジウム、タン
タル、モリブデン及びバナジウムからなる群から選択さ
れる請求項１２記載の磁気記憶媒体。 - （１４）前記一時的液体金属を前記基板の所定の領域に
付着させることを特徴とする請求項１２記載の磁気記憶
媒体。 - （１５）前記一時的液体金属を前記基板の所定の領域に
付着させることを特徴とする請求項１記載の磁気記憶媒
体。 - （１６）（ａ）非ぬれ性基板を与える工程と、（ｂ）前
記基板上に不連続な溶融金属の分布を形成するために所
定の膜厚の一時的液体金属を付着させる工程と、 （ｃ）前記一時的液体金属層上に磁気膜層を付着させな
がら前記一時的液体金属層を液体状態に保つことによつ
て一時的液体金属と磁気膜層を反応させる工程とからな
る記憶媒体製造方法。 - （１７）付着中、前記一時的液体金属層が液体状態にな
る温度に前記基板を保つ請求項１６記載の記憶媒体製造
方法。 - （１８）前記温度は、前記一時的液体金属の融点より高
い温度である請求項１７記載の記憶媒体製造方法。 - （１９）さらに、一時的液体金属の上に金属膜内部層を
付着させる工程と、金属膜内部層の上に磁気膜層を付着
させる工程を含む請求項１６記載の記憶媒体製造方法。 - （２０）前記金属膜内部がクロム、パラジウム、タンタ
ル、モリブデン、及びバナジウムからなる群から選ばれ
る請求項１９記載の記憶媒体製造方法。 - （２１）さらに、一時的液体金属層を付着させることに
よつて基板の所定領域をマスクする工程を含む請求項１
６記載の記憶媒体製造方法。 - （２２）前記磁気膜層の表面形態を制御するために前記
所定の膜厚を選択する請求項１６記載の記憶媒体製造方
法。 - （２３）前記一時的液体金属は、ガリウム、インジウム
、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、水銀、セレニウム
、テルリウム、並びにこれらと銀、パラジウム、プラチ
ナ又は金を含む他の金属との合金、さらに一時的液体金
属の二元系又は三元系化合物からなる群から選ばれる請
求項１６記載の記憶媒体製造方法。 - （２４）前記一時的液体金属がガリウムである請求項１
６記載の記憶媒体製造方法。 - （２５）前記一時的液体金属がインジウムである請求項
１６記載の記憶媒体製造方法。 - （２６）前記膜層は、コバルトが主成分の合金である請
求項１６記載の記憶媒体製造方法。 - （２７）前記膜層はＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ及びＣｏ−Ｒｅからなる群から選ばれる
請求項２６記載の記憶媒体製造方法。 - （２８）前記基板が二酸化シリコン、ガラス、重合体及
び前記一時的液体金属に対して非ぬれ性となるように処
理した金属基板からなる群から選ばれる請求項１６記載
の記憶媒体製造方法。 - （２９）非ぬれ性基板と、 前記基板に所定の膜厚で付着される一時的液体金属で、
次に該一時的液体金属層に付着される磁気膜層と反応し
て不連続な溶融金属の分布を形成することによつて前記
磁気膜層の表面形態を制御するために前記所定の膜厚を
選択した一時的液体金属とからなる制御された表面形態
を有する磁気記憶媒体。 - （３０）付着中、前記一時的液体金属層が液体状態にな
る温度に前記基板を保つ請求項２９記載の磁気記憶媒体
。 - （３１）前記温度は前記一時的液体金属の融点より高い
温度である請求項３０記載の磁気記憶媒体。 - （３２）前記一時的液体金属は、ガリウム、インジウム
、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、水銀、セレニウム
、テルリウム、並びにこれらと銀、パラジウム、プラチ
ナ又は金を含む他の金属との合金、さらに一時的液体金
属の二元系又は三元系化合物からなる群から選ばれる請
求項２９記載の磁気記憶媒体。 - （３３）前記一時的液体金属及び前記磁気膜層の反応を
阻害するために前記一時的液体金属膜層上に金属膜内部
層をさらに付着させることを特徴とする請求項３２記載
の磁気記憶媒体。 - （３４）前記金属膜内部層がクロム、パラジウム、タン
タル、モリブデン及びバナジウムからなる群から選択さ
れる請求項３３記載の磁気記憶媒体。 - （３５）前記膜層は、コバルトが主成分の合金である請
求項２９記載の磁気記憶媒体。 - （３６）前記磁気膜層は、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ及びＣｏ−Ｒｅからなる群から選
ばれる請求項３５記載の磁気記憶媒体。 - （３７）（ａ）非ぬれ性基板を与える工程と、（ｂ）前
記基板上に不連続な溶融金属の分布を形成するために所
定の膜厚の一時的液体金属を付着させる工程と、 （ｃ）前記一時的液体金属層上に磁気膜層を付着させな
がら前記一時的液体金属層を液体状態に保ち一時的液体
金属と磁気膜層を反応させることによつて磁気膜層の表
面形態を制御するために前記所定の膜厚を選択する工程
とからなる磁気記憶媒体の表面形態を制御する方法。 - （３８）付着中、前記一時的液体金属層が液体状態にな
る温度に前記基板を保つ請求項３７記載の磁気記憶媒体
の表面形態を制御する方法。 - （３９）前記温度は、前記一時的液体金属の融点より高
い温度である請求項３８記載の磁気記憶媒体の表面形態
を制御する方法。 - （４０）さらに、一時的液体金属の上に金属膜内部層を
付着させる工程と、金属膜内部層の上に磁気膜層を付着
させる工程を含む請求項３７記載の磁気記憶媒体の表面
形態を制御する方法。 - （４１）前記金属膜内部がクロム、パラジウム、タンタ
ル、モリブデン及びバナジウムからなる群から選ばれる
請求項４０記載の磁気記憶媒体の表面形態を制御する方
法。 - （４２）前記一時的液体金属は、ガリウム、インジウム
、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、水銀、セレニウム
、テルリウム、並びにこれらと銀、パラジウム、プラチ
ナ又は金を含む他の金属との合金、さらに一時的液体金
属の二元系又は三元系化合物からなる群から選ばれる請
求項４０記載の磁気記憶媒体の表面形態を制御する方法
。 - （４３）前記一時的液体金属がガリウムである請求項４
２記載の磁気記憶媒体の表面形態を制御する方法。 - （４４）前記一時的液体金属がインジウムである請求項
４２記載の磁気記憶媒体の表面形態を制御する方法。 - （４５）前記一時的液体金属は、ガリウム、インジウム
、スズ、ビスマス、鉛、カドミウム、水銀、セレニウム
、テルリウム、並びにこれらと銀、パラジウム、プラチ
ナ又は金を含む他の金属との合金、さらに一時的液体金
属の二元系又は三元系化合物からなる群から選ばれる請
求項３７記載の磁気記憶媒体の表面形態を制御する方法
。 - （４６）磁気膜層の所定領域の表面形態を制御するため
に、基板の所定領域に一時的液体金属層を付着させるこ
とによつてマスクする工程をさらに含む請求項３７記載
の磁気記憶媒体の表面形態を制御する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US41737189A | 1989-10-05 | 1989-10-05 | |
| US417371 | 1989-10-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03189922A true JPH03189922A (ja) | 1991-08-19 |
| JPH0561685B2 JPH0561685B2 (ja) | 1993-09-06 |
Family
ID=23653750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2248987A Granted JPH03189922A (ja) | 1989-10-05 | 1990-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5134038A (ja) |
| EP (1) | EP0421120B1 (ja) |
| JP (1) | JPH03189922A (ja) |
| DE (1) | DE69029024T2 (ja) |
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